JPH088340A - エアーブリッジ配線 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 エアーブリッジ配線を短時間で形成し、しか
も機械的強度の確保および配線抵抗の増大の防止を図
る。 【構成】 エアーブリッジ配線である上層の配線４の中
空のエアーブリッジ部５の直上の部分に穴４ａを設け
る。エアーブリッジ形成用のレジストを酸素プラズマや
レジスト剥離液などにより除去する際に、配線４の両側
面側からばかりでなく、配線４の穴４ａからも、エアー
ブリッジ形成用のレジストに酸素プラズマやレジスト剥
離液などを供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、エアーブリッジ配線
に関し、例えば、多層配線を用いる半導体集積回路など
の半導体装置に適用して好適なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の多層配線、特に高周波
用半導体集積回路の多層配線においては、高周波特性改
善のための層間容量の低減や配線抵抗の低減の要請よ
り、いわゆるエアーブリッジ配線が用いられることがあ
る。ここで、このエアーブリッジ配線とは、多層配線の
層間絶縁を行うための媒質として誘電率が最も小さい空
気を用いる構造の配線をいう。

【０００３】このエアーブリッジ配線の一例を図２０お
よび図２１に示す。ここで、図２１は図２０のＸＸＩ−
ＸＸＩ線に沿っての断面図である。図２０および図２１
に示すように、この例においては、層間絶縁膜１０１上
に形成された下層の配線１０２上に層間絶縁膜１０３を
介して上層の配線１０４がこの下層の配線１０２と交差
して形成されており、この交差部における上層の配線１
０４の直下に中空のエアーブリッジ部１０５が形成され
ている。この場合、この上層の配線１０４がエアーブリ
ッジ配線である。

【０００４】上述のようなエアーブリッジ配線は、従
来、例えば次のような方法により形成されている。な
お、以下の説明は、図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿って
の断面について行う。

【０００５】すなわち、上述のエアーブリッジ配線を形
成するためには、まず、図２２に示すように、層間絶縁
膜１０３上にエアーブリッジ形成用のレジスト１０６を
塗布した後、所定のフォトマスク（図示せず）を用いて
このレジスト１０６の露光を行い、さらに現像を行うこ
とにより、このレジスト１０６を所定形状（図２９参
照）にパターニングする。

【０００６】次に、図２３に示すように、例えば厚さが
５０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜および例えば厚さが２００
ｎｍの金（Ａｕ）膜を全面に順次真空蒸着してＴｉ／Ａ
ｕ膜１０７を形成する。このＴｉ／Ａｕ膜１０７は、後
に行う金メッキのための下地層として用いられる。

【０００７】次に、図２４に示すように、Ｔｉ／Ａｕ膜
１０７上にレジスト１０８を塗布した後、所定のフォト
マスク（図示せず）を用いてこのレジスト１０８の露光
を行い、さらに現像を行うことにより、このレジスト１
０８を、後に金メッキを行う領域に対応する部分が開口
した所定形状にパターニングする。

【０００８】次に、図２５に示すように、レジスト１０
８をマスクとして用いてＡｕメッキを行うことにより、
このレジスト１０８で覆われていない部分のＴｉ／Ａｕ
膜１０７の表面に例えば厚さが４〜５μｍのＡｕ層を形
成し、このＡｕ層を上層の配線１０４とする。

【０００９】次に、図２６に示すように、酸素プラズマ
やレジスト剥離液などを用いてレジスト１０８を除去す
る。次に、図２７に示すように、上層の配線１０４の下
側の部分以外の部分のＴｉ／Ａｕ膜１０７をイオンミリ
ングにより除去する。

【００１０】この後、図２８に示すように、酸素プラズ
マやレジスト剥離液などを用いてレジスト１０６を除去
する。これによって、上層の配線１０４の直下にエアー
ブリッジ部１０５が形成される。以上により、目的とす
るエアーブリッジ配線が形成される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述の従来のエアーブ
リッジ配線には、次のような問題がある。すなわち、上
述の従来のエアーブリッジ配線の形成方法においてエア
ーブリッジ形成用のレジスト１０６の除去は、酸素プラ
ズマやレジスト剥離液などを用いて行われることはすで
に述べた通りであるが、図２９において矢印で示すよう
に、上述の従来のエアーブリッジ配線構造においては、
この酸素プラズマやレジスト剥離液は、配線１０４の両
側面側からしかレジスト１０６に供給されないため、特
にこの配線１０４の直下の部分のレジスト１０６は除去
されにくい（図３０）。このため、レジスト１０６を完
全に除去するためには長時間かかり、例えば数時間もか
かってしまう場合がある。

【００１２】さらに、特に配線１０４の幅が大きい場合
には、レジスト１０６が完全に除去されずに、その一部
が残ってしまうことがある。このようにレジスト１０６
が残ってしまうことは、その誘電率が高いことにより、
半導体集積回路の高周波特性を劣化させる要因となる。

【００１３】レジスト１０６を除去しやすくするため
に、配線１０４の幅を小さくすることも可能であるが、
このようにすると、配線１０４の機械的強度が低下する
とともに、配線抵抗の増大を招いて高周波特性の劣化に
もつながるという問題が新たに生じてしまう。

【００１４】したがって、この発明の目的は、短時間で
形成することができ、しかも機械的強度の確保および配
線抵抗の増大の防止を図ることができるエアーブリッジ
配線を提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明によるエアーブリッジ配線は、中空部に隣
接する部分に少なくとも一つの穴を有することを特徴と
するものである。

【００１６】この発明の一実施形態においては、エアー
ブリッジ配線は、中空部に隣接する部分が少なくとも二
つの分岐配線部に分かれており、分岐配線部のそれぞれ
に少なくとも一つの穴を有する。

【００１７】この発明において、エアーブリッジ配線
は、典型的には、上記穴を複数、すなわち二つ以上有す
る。この穴の形状は、基本的にはどのような形状であっ
てもよく、例えば、円形、楕円形または四角形である。

【００１８】さらに、この発明において、エアーブリッ
ジ配線は、典型的には、多層配線を用いた半導体集積回
路などの半導体装置、特に、高周波用半導体集積回路
（例えば、マイクロ波集積回路）におけるエアーブリッ
ジ配線であるが、半導体集積回路以外の固体電子回路に
おけるエアーブリッジ配線であってもよい。

【００１９】

【作用】上述のように構成されたこの発明によるエアー
ブリッジ配線によれば、中空部に隣接する部分に少なく
とも一つの穴を有することにより、エアーブリッジ形成
用の材料、例えばレジストを酸素プラズマやレジスト剥
離液などを用いて除去する際に、この酸素プラズマやレ
ジスト剥離液は、エアーブリッジ形成用の材料をまたい
で形成される配線の両側面側からだけでなく、この配線
の穴からもこのエアーブリッジ形成用の材料に供給され
る。このため、このエアーブリッジ形成用の材料の除去
に要する時間を短縮することができ、したがってエアー
ブリッジ配線を短時間で形成することができる。また、
配線の直下の部分にこのエアーブリッジ形成用の材料が
残ることもなくなるので、これによる高周波特性の劣化
も生じない。さらに、エアーブリッジ形成用の材料が完
全に除去されるようにするために配線の幅を小さくする
必要がないため、配線の機械的強度の低下や配線抵抗の
増大による高周波特性の劣化が生じることもない。

【００２０】

【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
または対応する部分には同一の符号を付す。図１および
図２はこの発明の第１実施例を示す。ここで、図２は図
１のＩＩ−ＩＩ線に沿っての断面図である。

【００２１】図１および図２に示すように、この第１実
施例においては、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）膜から
成る層間絶縁膜１上に下層の配線２が形成され、その上
に例えばＳｉＮ膜から成る層間絶縁膜３が形成されてい
る。そして、この層間絶縁膜３上に上層の配線４が下層
の配線２と交差して形成されている。この場合、この上
層の配線４がエアーブリッジ配線であり、下層の配線２
との交差部におけるその直下に中空のエアーブリッジ部
５が形成されている。

【００２２】この第１実施例においては、従来のエアー
ブリッジ配線と同様な上述の構成に加えて、上層の配線
４、すなわちエアーブリッジ配線のうちのエアーブリッ
ジ部５に隣接する部分に円形の穴４ａが形成されてい
る。

【００２３】次に、上述のように構成されたこの第１実
施例によるエアーブリッジ配線の形成方法について説明
する。ここでは、一例として金メッキおよびイオンミリ
ングを用いた方法について説明するが、このほかに、例
えば真空蒸着やリフトオフなどの他の方法を用いてもよ
い。なお、以下の説明は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って
の断面について行う。

【００２４】図３に示すように、まず、層間絶縁膜３上
にエアーブリッジ形成用のレジスト６を塗布した後、所
定のフォトマスク（図示せず）を用いてこのレジスト６
の露光を行い、さらに現像を行うことにより、このレジ
スト６を所定形状（図１０参照）にパターニングする。

【００２５】次に、図４に示すように、例えば厚さが５
０ｎｍのＴｉ膜および例えば厚さが２００ｎｍのＡｕ膜
を全面に順次真空蒸着してＴｉ／Ａｕ膜７を形成する。
このＴｉ／Ａｕ膜７は、後に行う金メッキのための下地
層として用いられる。

【００２６】次に、図５に示すように、Ｔｉ／Ａｕ膜７
上にレジスト８を塗布した後、所定のフォトマスク（図
示せず）を用いてこのレジスト８の露光を行い、さらに
現像を行うことにより、このレジスト８を、後に金メッ
キを行う領域に対応する部分が開口した所定形状にパタ
ーニングする。

【００２７】次に、図６に示すように、レジスト８をマ
スクとして用いてＡｕメッキを行うことにより、このレ
ジスト８で覆われていない部分のＴｉ／Ａｕ膜７の表面
に例えば厚さが４〜５μｍのＡｕ層を形成し、このＡｕ
層を上層の配線４とする。この上層の配線４は穴４ａを
有する。

【００２８】次に、図７に示すように、酸素プラズマや
レジスト剥離液などを用いてレジスト８を除去する。次
に、図８に示すように、上層の配線４の下側の部分以外
の部分のＴｉ／Ａｕ膜７をイオンミリングにより除去す
る。

【００２９】この後、図９に示すように、酸素プラズマ
やレジスト剥離液などを用いてレジスト６を除去する。
これによって、上層の配線４の直下にエアーブリッジ部
５が形成される。

【００３０】この場合、上述のように酸素プラズマやレ
ジスト剥離液などを用いてレジスト６を除去する際に
は、図１０に示すように、この酸素プラズマやレジスト
剥離液は、上層の配線４の両側面側からだけでなく、こ
の配線４の穴４ａからもレジスト６に供給される。すな
わち、レジスト６に単位時間当たりに供給される酸素プ
ラズマやレジスト剥離液の量は、穴４ａから供給される
分だけ、従来に比べて多くなる。そして、図１１に示す
ような中間的な状態を経て、レジスト６は完全に除去さ
れる。このため、レジスト６の除去に要する時間を短縮
することができるとともに、配線４の直下の部分を含め
てレジスト６を完全に除去することができる。

【００３１】以上により、エアーブリッジ部５に隣接す
る部分に穴４ａを有する上層の配線４、すなわちエアー
ブリッジ配線が形成される。

【００３２】以上のように、この第１実施例によれば、
エアーブリッジ配線である上層の配線４のうちのエアー
ブリッジ部５に隣接する部分に穴４ａが形成されている
ことにより、エアーブリッジ形成用のレジスト６の除去
に要する時間を従来に比べて短縮することができ、した
がってエアーブリッジ配線を短時間で形成することがで
きる。また、このレジスト６を完全に除去することがで
きるため、上層の配線４の直下にこのレジスト６が残る
ことによる高周波特性の劣化が生じない。

【００３３】さらに、この場合、穴４ａが形成されてい
る部分の上層の配線４の幅は、その他の部分に比べて穴
４ａの直径分だけ実効的に小さくなっているが、この実
効配線幅が十分に大きくなるように上層の配線４の幅お
よび穴４ａの直径を選ぶことにより、エアーブリッジ配
線の機械的強度を十分に確保することができるととも
に、配線抵抗の増大による高周波特性の劣化を防止する
ことができる。

【００３４】また、配線４に穴４ａを形成するために新
たに必要になることは、エアーブリッジ形成用のレジス
ト６の露光に用いるフォトマスクの設計の段階でこの穴
４ａに対応するマスクパターンを設けておくことだけで
あるので、この第１実施例によるエアーブリッジ配線は
従来のエアーブリッジ配線の形成方法と同様なプロセス
で形成することができ、プロセス的には何ら変更する必
要がない。

【００３５】図１２はこの発明の第２実施例を示す。図
１２に示すように、この第２実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に四
角形、例えば正方形の穴４ａが形成されている。その他
の構成は第１実施例と同様である。この第１実施例によ
るエアーブリッジ配線の形成方法は第１実施例によるエ
アーブリッジ配線と同様であるので、説明を省略する。

【００３６】この第２実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に穴４ａが形
成されていることにより、第１実施例と同様な種々の利
点を得ることができる。

【００３７】図１３はこの発明の第３実施例を示す。図
１３に示すように、この第３実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に二
つの円形の穴４ａ、４ｂが配線４の長手方向に互いに隣
接して形成されている。その他の構成は第１実施例と同
様である。この第３実施例によるエアーブリッジ配線の
形成方法は第１実施例によるエアーブリッジ配線と同様
であるので、説明を省略する。

【００３８】この第３実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に二つの穴４
ａ、４ｂが形成されていることにより、エアーブリッジ
形成用のレジスト６を除去する際に、上層の配線４の両
側面側からばかりでなく、これらの二つの穴４ａ、４ｂ
からも酸素プラズマやレジスト剥離液が効率的にレジス
ト６に供給されることから、レジスト６の除去に要する
時間を第１実施例よりも短縮することができ、したがっ
てエアーブリッジ配線をより短時間で形成することがで
きる。さらに、上層の配線４の直下にレジスト６が残っ
たり配線抵抗が増大したりするのを防止することができ
ることにより高周波特性の劣化がなく、また、エアーブ
リッジ配線の機械的強度を十分に確保することができる
など、第１実施例と同様な利点も得ることができる。

【００３９】図１４はこの発明の第４実施例を示す。図
１４に示すように、この第４実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に二
つの四角形、例えば正方形の穴４ａ、４ｂが配線４の長
手方向に互いに隣接して形成されている。その他の構成
は第１実施例と同様である。この第４実施例によるエア
ーブリッジ配線の形成方法は第１実施例によるエアーブ
リッジ配線と同様であるので、説明を省略する。

【００４０】この第４実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に二つの穴４
ａ、４ｂが形成されていることにより、第３実施例と同
様な種々の利点を得ることができる。

【００４１】図１５はこの発明の第５実施例を示す。図
１５に示すように、この第５実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に四
つの円形の穴４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが配線４の長手方
向に二列で互いに隣接して形成されている。その他の構
成は第１実施例と同様である。この第５実施例によるエ
アーブリッジ配線の形成方法は第１実施例によるエアー
ブリッジ配線と同様であるので、説明を省略する。

【００４２】この第５実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に四つの穴４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが形成されていることにより、エ
アーブリッジ形成用のレジスト６を除去する際に、上層
の配線４の両側面側からばかりでなく、これらの四つの
穴４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄからも酸素プラズマやレジス
ト剥離液が効率的にレジスト６に供給されることから、
レジスト６の除去に要する時間を第１実施例よりも短縮
することができ、したがってエアーブリッジ配線をより
短時間で形成することができる。さらに、上層の配線４
の直下にレジスト６が残ったり配線抵抗が増大したりす
るのを防止することができることにより高周波特性の劣
化がなく、また、エアーブリッジ配線の機械的強度を十
分に確保することができるなど、第１実施例と同様な利
点も得ることができる。

【００４３】図１６はこの発明の第６実施例を示す。図
１６に示すように、この第６実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に四
つの四角形、例えば正方形の穴４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ
が配線４の長手方向に二列で互いに隣接して形成されて
いる。その他の構成は第１実施例と同様である。この第
６実施例によるエアーブリッジ配線の形成方法は第１実
施例によるエアーブリッジ配線と同様であるので、説明
を省略する。

【００４４】この第６実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に四つの穴４
ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄが形成されていることにより、第
５実施例と同様な種々の利点を得ることができる。

【００４５】図１７はこの発明の第７実施例を示す。図
１７に示すように、この第７実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に、
配線４の長手方向に延びる細長い長方形の穴４ａが設け
られている。その他の構成は第１実施例と同様である。
この第７実施例によるエアーブリッジ配線の形成方法は
第１実施例によるエアーブリッジ配線と同様であるの
で、説明を省略する。

【００４６】この第７実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に配線４の長
手方向に延びる長方形の穴４ａが形成されているので、
この穴４ａの面積を第１実施例や第２実施例における穴
４ａの面積に比べてかなり大きくすることが可能であ
り、このためレジスト６の除去に要する時間を大幅に短
縮することができ、したがってエアーブリッジ配線を極
めて短時間で形成することができる。さらに、第１実施
例と同様に、高周波特性の劣化を防止し、また、エアー
ブリッジ配線の機械的強度を十分に確保することができ
るなどの利点も得ることができる。

【００４７】図１８はこの発明の第８実施例を示す。図
１８に示すように、この第８実施例においては、上層の
配線４のうちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に、
配線４の長手方向に長軸を有する楕円形の穴４ａが形成
されている。その他の構成は第１実施例と同様である。
この第８実施例によるエアーブリッジ配線の形成方法は
第１実施例によるエアーブリッジ配線と同様であるの
で、説明を省略する。

【００４８】この第８実施例によれば、上層の配線４の
うちのエアーブリッジ部５に隣接する部分に配線４の長
手方向に長軸を有する楕円形の穴４ａが形成されている
ことにより、この穴４ａの面積を第１実施例や第２実施
例における穴４ａの面積に比べてかなり大きくすること
が可能であり、このためレジスト６の除去に要する時間
を大幅に短縮することができ、したがってエアーブリッ
ジ配線を極めて短時間で形成することができる。さら
に、第１実施例と同様に、高周波特性の劣化を防止し、
また、エアーブリッジ配線の機械的強度を十分に確保す
ることができるなどの利点も得ることができる。

【００４９】図１９はこの発明の第９実施例を示す。図
１９に示すように、この第９実施例においては、上層の
配線４が、エアーブリッジ部５において二またに分かれ
ており、その一方に二つの円形の穴４ａ、４ｂが、また
他方に二つの円形の穴４ｃ、４ｄが、それぞれ配線４の
長手方向に互いに隣接して形成されている。その他の構
成は第１実施例と同様である。

【００５０】この第９実施例によるエアーブリッジ配線
の各部の寸法の具体例を挙げると次の通りである。すな
わち、一つの例においては、配線４の幅は５０μｍ、上
述の配線４が二またに分かれた部分の幅はそれぞれ１
８．８μｍ、それらの間の距離は１２．４μｍ、エアー
ブリッジ部５におけるそれらの長さは３２μｍである。
また、もう一つの例においては、配線４の幅は６０μ
ｍ、上述の配線４が二またに分かれた部分の幅はそれぞ
れ２２．５μｍ、それらの間の距離は１５μｍ、エアー
ブリッジ部５におけるそれらの長さは１０μｍである。
この第９実施例によるエアーブリッジ配線の形成方法は
第１実施例によるエアーブリッジ配線と同様であるの
で、説明を省略する。

【００５１】この第９実施例によれば、エアーブリッジ
部５において上層の配線４が二またに分かれていること
により、このエアーブリッジ部５における配線４に内在
する応力を緩和することができ、これによってエアーブ
リッジ形成用のレジスト６を除去した際に、配線４に内
在する応力によってこの配線４にゆがみが生じるのを防
止することができる。

【００５２】さらに、配線４が二またに分かれた部分の
間にはスリット状の隙間がある上、この二またに分かれ
た配線４の一方には二つの穴４ａ、４ｂが、他方には二
つの穴４ｃ、４ｄが形成されているので、エアーブリッ
ジ形成用のレジスト６を除去する際に、酸素プラズマや
レジスト剥離液などが、配線４の両側面側からだけでな
く、これらの隙間や穴４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄからもレ
ジスト６に効率的に供給される。このため、レジスト６
の除去に要する時間を大幅に短縮することができ、した
がってエアーブリッジ配線を極めて短時間で形成するこ
とができる。これに加えて、第１実施例と同様に、高周
波特性の劣化を防止し、また、エアーブリッジ配線の機
械的強度を十分に確保することができるなどの利点も得
ることができる。

【００５３】以上、この発明の実施例について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。

【００５４】例えば、上述の第９実施例においては、配
線４の二またに分かれた部分のそれぞれに二つの円形の
穴を設けた場合について説明したが、この穴の数は一つ
または三つ以上であってもよく、また、この穴の形状は
円形以外の任意の形状、例えば四角形や楕円形などであ
ってもよい。

【００５５】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によるエア
ーブリッジ配線によれば、その中空部に隣接する部分に
少なくとも一つの穴を有することにより、エアーブリッ
ジ配線を短時間で形成することができ、しかも機械的強
度の確保および配線抵抗の増大の防止を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線を示す斜視図である。

【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿っての断面図である。

【図３】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図４】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図５】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図６】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図７】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図８】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図９】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ配
線の形成方法を説明するための断面図である。

【図１０】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ
配線の形成方法を説明するための斜視図である。

【図１１】この発明の第１実施例によるエアーブリッジ
配線の形成方法を説明するための断面図である。

【図１２】この発明の第２実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１３】この発明の第３実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１４】この発明の第４実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１５】この発明の第５実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１６】この発明の第６実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１７】この発明の第７実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１８】この発明の第８実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図１９】この発明の第９実施例によるエアーブリッジ
配線を示す斜視図である。

【図２０】従来のエアーブリッジ配線を示す斜視図であ
る。

【図２１】図２０のＸＸＩ−ＸＸＩ線に沿っての断面図
である。

【図２２】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２３】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２４】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２５】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２６】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２７】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２８】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【図２９】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための斜視図である。

【図３０】従来のエアーブリッジ配線の形成方法を説明
するための断面図である。

【符号の説明】

１、３ 層間絶縁膜 ２ 下層の配線 ４ 上層の配線 ４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ 穴 ５ エアーブリッジ部 ６、８ レジスト ７ Ｔｉ／Ａｕ膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 中空部に隣接する部分に少なくとも一つ
   の穴を有することを特徴とするエアーブリッジ配線。
2. 【請求項２】 上記中空部に隣接する部分が少なくとも
   二つの分岐配線部に分かれており、上記分岐配線部のそ
   れぞれに少なくとも一つの穴を有することを特徴とする
   請求項１記載のエアーブリッジ配線。
3. 【請求項３】 上記穴を複数有することを特徴とする請
   求項１または２記載のエアーブリッジ配線。
4. 【請求項４】 上記穴の形状は円形、楕円形または四角
   形であることを特徴とする請求項１または２記載のエア
   ーブリッジ配線。
5. 【請求項５】 上記エアーブリッジ配線は多層配線を用
   いる半導体装置におけるエアーブリッジ配線であること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載のエアー
   ブリッジ配線。