JP2014103398A - 半導体ウェハを研磨するためのプロセス - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体ウェハを研磨するためのプロセスである。
【解決手段】当該プロセスは、研磨媒体の存在下での、基板ウェハの表側および裏側から材料除去を達成する基板ウェハの表側および裏側の同時研磨を含み、同時研磨は第1および第2のステップに分割されており、第1のステップにおける材料除去の速度は第2のステップにおいてよりも高く、第1のステップでは研磨媒体として第1の研磨スラリーが用いられ、第2のステップでは研磨媒体として第2の研磨スラリーが用いられており、第2の研磨スラリーは、少なくとも第2の研磨スラリーが高分子添加剤を含む点において第1の研磨スラリーと異なる。
【選択図】図1
【解決手段】当該プロセスは、研磨媒体の存在下での、基板ウェハの表側および裏側から材料除去を達成する基板ウェハの表側および裏側の同時研磨を含み、同時研磨は第1および第2のステップに分割されており、第1のステップにおける材料除去の速度は第2のステップにおいてよりも高く、第1のステップでは研磨媒体として第1の研磨スラリーが用いられ、第2のステップでは研磨媒体として第2の研磨スラリーが用いられており、第2の研磨スラリーは、少なくとも第2の研磨スラリーが高分子添加剤を含む点において第1の研磨スラリーと異なる。
【選択図】図1
Description
発明の詳細な説明
本発明は、基板ウェハの表側および裏側の同時研磨を含む、半導体ウェハを研磨するためのプロセスを提供する。
本発明は、基板ウェハの表側および裏側の同時研磨を含む、半導体ウェハを研磨するためのプロセスを提供する。
基板ウェハの両側面の同時研磨は、両面研磨(double-sided polishing)とも称されており、以下「DSP」と略記する。
半導体ウェハ、特に単結晶シリコンから形成される半導体ウェハは、結晶から切り出され、しばしば少なくとも1つのDSPも含む一連の加工ステップに晒される。半導体ウェハは、DSPが用いられる前に、特に洗浄ステップと、成形ステップと、表面改善ステップとを含んでもよい予備的な加工作業を経る。このようなステップはたとえば、側面のラッピングおよび/または研削と、半導体ウェハのエッチングと、半導体ウェハのエッジの丸み付けおよび研磨を含む。DSPの対象になるとともにこのような予備的な加工を受ける半導体ウェハを以下、「基板ウェハ」と称する。
DSPの目的は典型的には、研磨された表側および裏側を有する状態に半導体ウェハを変換することであり、その意図は、当該2つの側面が最大の平坦さを有するとともに最大程度まで互いに平行となることである。「エッジロールオフ」とは、半導体ウェハの丸み付けおよび研磨されたエッジの直前の領域において、研磨された半導体ウェハの厚さが著しく減少する場合を指す。定量的な点でエッジロールオフの形状を示すパラメータは、特定的にはESFQRおよびZDDである。DSPによる研磨の後、エッジロールオフがしばしば観察され得る。エッジロールオフは、比較的大きな大きさを有するESFQRの値およびZDDの値によって表される。
US2011/0130073A1には、半導体ウェハのDSPを2つのステップに分け、第1のステップにおいて比較的高い材料除去を作り出す研磨スラリーを用いるとともに、第2のステップにおいて比較的低い材料除去を作り出す研磨スラリーに切り替えることに利点があることが述べられている。この手順は、半導体ウェハの平坦さおよび表面粗さに影響を与えることなくDSPの期間を短縮する。
本発明の目的は、DSPの完了時の下側エッジロールオフがさらにこれらの利点を上回って達成され得るプロセスを示すことである。
この目的は半導体ウェハを研磨するためのプロセスによって達成される。当該プロセスは、研磨媒体の存在下での、基板ウェハの表側および裏側から材料除去を達成する基板ウェハの表側および裏側の同時研磨を含み、同時研磨は第1および第2のステップに分割されており、第1のステップにおける材料除去の速度は第2のステップよりも高く、第1のステップでは研磨媒体として第1の研磨スラリーが用いられ、第2のステップでは研磨媒体として第2の研磨スラリーが用いられており、第2の研磨スラリーは、少なくとも第2の研磨スラリーが高分子添加剤を含む点において第1の研磨スラリーと異なる。
第1および第2の研磨スラリーは、高分子添加剤の存在に関連して異なるだけでなく、他の成分に関して異なってもよい。一致する成分の場合、濃度において差異が存在してもよい。pHのような化学的および物理的特性は同じであっても異なってもよい。
第1および第2のステップは、研磨機を変更することなく、直接的に連続して行われる。
研磨機は、各々が研磨パッドで覆われた2つの研磨板を含んでおり、かつ上記研磨パッド同士の間に配されるとともに研磨のための基板ウェハが配置される凹部を有する少なくとも1つのキャリアを含む。好適な研磨機は商業的に入手可能である。
第1のステップにおける材料除去の速度は好ましくは0.4μm/分以上1.0μm/分以下であり、第2のステップにおける材料除去の速度は好ましくは0.15μm/分以上0.5μm/分以下である。
第1のステップにおける単位面積当たりの材料除去は好ましくは4μm以上15μm以下であり、第2のステップにおける単位面積当たりの材料除去は好ましくは0.5μm以上2μm以下である。
好ましくは、本発明に従ったプロセスの実行後、研磨された半導体ウェハの平均化された厚さとキャリアの平均化された厚さとの差が負または正となる効果がある材料除去が行われる。
第1および第2のステップの間、研磨は同じ研磨圧力または異なる研磨圧力で行われ得る。
第1のステップとは対照的に、第2のステップにおいて用いられる第2の研磨スラリーは高分子添加剤を含む。有用な高分子添加剤は好ましくは、US2011/0217845A1において非イオン活性剤または水溶性高分子として名前が挙げられている1つ以上の化合物を含む。
その例は、ポリオキシエチレン、ポリエチレングリコール、ポリオキシプロピレン、ポリオキシブチレン、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレン・ポリオキシブチレングリコール、および水溶性セルロース誘導体といった化合物のうちの1つ以上である。
第2の研磨スラリーにおける高分子添加剤の濃度は、好ましくは0.001重量%以上0.1重量%以下である。
第2のステップは、第1の研磨スラリーの代替物として、高分子添加剤を含む研磨スラリーを供給することによって開始され得る。代替的には、供給される第2の研磨スラリーは、第1の研磨スラリーと高分子添加剤との混合物を含む。
第1および第2の研磨スラリーは、少なくとも1つの研磨剤活性成分、好ましくはコロイド状に分散した二酸化珪素を含む。研磨剤活性成分の濃度は同じであってもよいし、または異なってもよい。
第1および第2の研磨スラリーは好ましくは、pHが10以上13以下であり、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、および水酸化テトラメチルアンモニウムといったアルカリ性化合物のうちの少なくとも1つを含む。当該アルカリ性化合物の濃度および性質は同じであってもよいし、または異なってもよい。
研磨されるべき基板ウェハは好ましくは、本質的に単結晶シリコンからなる半導体ウェハである。このような基板ウェハの本発明に従ったDSPの後、ESFQRmaxで表される研磨された半導体ウェハのエッジ形状は好ましくは40nm以下である。ESFQRmaxは、もっとも高いエッジロールオフが測定される半導体ウェハのエッジセクタのESFQRである。
基板ウェハは好ましくは少なくとも200mmの直径を有し、より好ましくは300mmまたは450mmの直径を有する。
本発明に従って研磨された半導体ウェハは、少なくとも1つのさらに別の研磨作業、好ましくは表側の単面研磨に晒され得る。表側は、電子部品の形成のための基板として意図される側面である。
本特許出願は図1から図3の3つの図面を含む。
実施例および比較例
300mmの直径を有する単結晶シリコンの基板ウェハが、本発明に従ったプロセスに晒された。当該半導体ウェハは、Wolters AC2000 DSPマシン上で研磨された。研磨圧力Pは図1に示されるように、DSPの間、変更された。研磨圧力を上昇する開始段階の後、基板ウェハは、さらに別の基板ウェハと一緒に一定の研磨圧力で研磨された。その後、研磨圧力が下げられ、研磨を停止した。一定の研磨圧力の段階は、第1の段階Iと第2の段階IIとに細分された。第1の段階Iの間、第1の研磨スラリーの特性を有する研磨媒体が供給された。第2の段階IIの間、第1の研磨媒体の代わりに、第2の研磨スラリーの特性を有する研磨媒体が供給された。
300mmの直径を有する単結晶シリコンの基板ウェハが、本発明に従ったプロセスに晒された。当該半導体ウェハは、Wolters AC2000 DSPマシン上で研磨された。研磨圧力Pは図1に示されるように、DSPの間、変更された。研磨圧力を上昇する開始段階の後、基板ウェハは、さらに別の基板ウェハと一緒に一定の研磨圧力で研磨された。その後、研磨圧力が下げられ、研磨を停止した。一定の研磨圧力の段階は、第1の段階Iと第2の段階IIとに細分された。第1の段階Iの間、第1の研磨スラリーの特性を有する研磨媒体が供給された。第2の段階IIの間、第1の研磨媒体の代わりに、第2の研磨スラリーの特性を有する研磨媒体が供給された。
比較のために、同等な基板ウェハが、この一定の研磨圧力の段階の細分を除いて、同じ態様で研磨された。この段階の間、第1の研磨スラリーのみが用いられた。
以下の表は、本発明に従って研磨された半導体ウェハBと本発明に従わないで研磨された半導体ウェハVとについての、研磨された半導体ウェハのエッジ形状の典型的な値を示す。
測定された最も高いエッジロールオフの大きさ(ESFQRmax)と、エッジロールオフ曲線の二次導関数の大きさ(ZDD)は、本発明に従って研磨された半導体ウェハの場合のほうがはるかに小さい。
本発明に従ったプロセスの利点はさらに、図2と図3との比較によって示される。エッジ領域における相対的な厚さthは、本発明に従わずに研磨された半導体ウェハVの場合よりも本発明に従って研磨された半導体ウェハBの場合のほうが変化がはるかに少ない。
Claims (4)
- 半導体ウェハを研磨するためのプロセスであって、研磨媒体の存在下での、基板ウェハの表側および裏側から材料除去を達成する前記基板ウェハの表側および裏側の同時研磨を含み、前記同時研磨は第1および第2のステップに分割されており、前記第1のステップにおける材料除去の速度は前記第2のステップよりも高く、前記第1のステップでは前記研磨媒体として第1の研磨スラリーが用いられ、前記第2のステップでは前記研磨媒体として第2の研磨スラリーが用いられており、前記第2の研磨スラリーは、少なくとも前記第2の研磨スラリーが高分子添加剤を含む点において前記第1の研磨スラリーと異なる、プロセス。
- 前記第1のステップにおける材料除去の速度は0.4μm/分以上1.0μm/分以下であり、前記第2のステップにおける材料除去の速度は0.15μm/分以上0.5μm/分以下である、請求項1に記載のプロセス。
- 前記第1のステップにおける単位面積当たりの材料除去は4μm以上15μm以下であり、前記第2のステップにおける単位面積当たりの材料除去は0.5μm以上2.0μm以下である、請求項1または2に記載のプロセス。
- ESFQRmaxとして表される、研磨された前記半導体ウェハのエッジロールオフは40nm以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のプロセス。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017150158A1 (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
KR20180121481A (ko) | 2016-02-29 | 2018-11-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 |
WO2019017407A1 (ja) | 2017-07-21 | 2019-01-24 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
US10679842B2 (en) | 2017-04-28 | 2020-06-09 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Semiconductor wafer, and method for polishing semiconductor wafer |
WO2023218812A1 (ja) * | 2022-05-11 | 2023-11-16 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨方法 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102015220924B4 (de) * | 2015-10-27 | 2018-09-27 | Siltronic Ag | Suszeptor zum Halten einer Halbleiterscheibe mit Orientierungskerbe, Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer Halbleiterscheibe und Halbleiterscheibe |
DE102015224933A1 (de) * | 2015-12-11 | 2017-06-14 | Siltronic Ag | Monokristalline Halbleiterscheibe und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe |
DE102018200415A1 (de) * | 2018-01-11 | 2019-07-11 | Siltronic Ag | Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
DE102018202059A1 (de) * | 2018-02-09 | 2019-08-14 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6709981B2 (en) * | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
DE10058305A1 (de) * | 2000-11-24 | 2002-06-06 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Oberflächenpolitur von Siliciumscheiben |
DE102005034119B3 (de) * | 2005-07-21 | 2006-12-07 | Siltronic Ag | Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird |
DE102007049811B4 (de) * | 2007-10-17 | 2016-07-28 | Peter Wolters Gmbh | Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
DE112009001875B4 (de) | 2008-07-31 | 2023-06-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Waferpolierverfahren und Doppelseitenpoliervorrichtung |
JP5168358B2 (ja) * | 2008-10-01 | 2013-03-21 | 旭硝子株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
JP5492603B2 (ja) | 2010-03-02 | 2014-05-14 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
DE112011101518B4 (de) * | 2010-04-30 | 2019-05-09 | Sumco Corporation | Verfahren zum Polieren von Siliziumwafern |
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180121481A (ko) | 2016-02-29 | 2018-11-07 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 실리콘 기판의 연마 방법 및 연마용 조성물 세트 |
US11648641B2 (en) | 2016-02-29 | 2023-05-16 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon substrate and polishing composition set |
WO2017150158A1 (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
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