JP2014099547A5 - - Google Patents

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本発明に係る電力半導体モジュールは、第1のフレーム部と、電力半導体素子と、第2のフレーム部と、制御用集積回路と、ワイヤと、絶縁体部とを有している。第1のフレーム部は、互いに対向する第1の表面および第2の表面を有する。電力半導体素子は、第1のフレーム部の第1の表面に搭載されている。第2のフレーム部は、互いに対向する第3の表面および第4の表面を有する。制御用集積回路は、第2のフレーム部の第3の表面に搭載され、かつ電力半導体素子を制御するためのものである。ワイヤは、一端および他端を有し、一端が電力半導体素子に接続され、かつ他端が制御用集積回路に接続されている。絶縁体部は、電力半導体素子、第1のフレーム部、制御用集積回路、第2のフレーム部およびワイヤを封止する。第1のフレーム部の第1の表面に垂直な方向において、第1のフレーム部の第1の表面と第2のフレーム部の第3の表面とが同じ高さに位置している。ここで、同じ高さとは、第1の表面に垂直な方向において、第1の表面と第の表面との距離が0.1mm以下であることを意味する。
第1のフレーム部5は、第1の折り曲げ部5cで絶縁シート11側に折り曲げられ、第2の折り曲げ部5dにおいて絶縁シート11とは反対側に折り曲げられる。同様に、第2のフレーム部6は、第1の折り曲げ部6cで絶縁シート11側に折り曲げられ、第2の折り曲げ部6dにおいて絶縁シート11とは反対側に折り曲げられる。折り曲げ後の第1のフレーム部5と第2のフレーム部6とは、第1の表面5aの法線方向(つまり図16における上下方向)において同じ高さ位置している。その後、第1のフレーム部5と第2のフレーム部6とを接続する第3のフレーム部9が除去され、第1のフレーム部5と第2のフレーム部6とは電気的に絶縁される。
具体的には、実施の形態5に係る電力半導体モジュール10は、第1のフレーム部5および第2のフレーム部6の各々はコネクタピン15を有している。図8に示すように、コネクタピン15の一部は絶縁体部4の上面4aから露出しており、コネクタピン15と端子部5eとが接続されている。これにより、第1のフレーム部5と端子部5eが電気的に接続される。同様に、コネクタピン15と端子部6eとが接続されている。これにより、
第2のフレーム部6と端子部6eが電気的に接続される。端子部5eおよび端子部6eは絶縁体部4の上面4aと交差する方向に伸長している。なお、図においては、第1のフレーム部5および第2のフレーム部6の各々がコネクタピン15を有しているが、本発明は、第1のフレーム部5および第2のフレーム部6のいずれか一方がコネクタピン15を有しており、他方はコネクタピン15を有していなくても構わない。
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Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9443795B2 (en) 2010-12-13 2016-09-13 Infineon Technologies Americas Corp. Power quad flat no-lead (PQFN) package having bootstrap diodes on a common integrated circuit (IC)
US9362215B2 (en) 2010-12-13 2016-06-07 Infineon Technologies Americas Corp. Power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package with leadframe islands for multi-phase power inverter
US9620954B2 (en) 2010-12-13 2017-04-11 Infineon Technologies Americas Corp. Semiconductor package having an over-temperature protection circuit utilizing multiple temperature threshold values
US9355995B2 (en) 2010-12-13 2016-05-31 Infineon Technologies Americas Corp. Semiconductor packages utilizing leadframe panels with grooves in connecting bars
US9711437B2 (en) 2010-12-13 2017-07-18 Infineon Technologies Americas Corp. Semiconductor package having multi-phase power inverter with internal temperature sensor
US9449957B2 (en) 2010-12-13 2016-09-20 Infineon Technologies Americas Corp. Control and driver circuits on a power quad flat no-lead (PQFN) leadframe
US9524928B2 (en) 2010-12-13 2016-12-20 Infineon Technologies Americas Corp. Power quad flat no-lead (PQFN) package having control and driver circuits
US8587101B2 (en) 2010-12-13 2013-11-19 International Rectifier Corporation Multi-chip module (MCM) power quad flat no-lead (PQFN) semiconductor package utilizing a leadframe for electrical interconnections
US9659845B2 (en) 2010-12-13 2017-05-23 Infineon Technologies Americas Corp. Power quad flat no-lead (PQFN) package in a single shunt inverter circuit
WO2015104834A1 (ja) * 2014-01-10 2015-07-16 三菱電機株式会社 電力半導体装置
WO2016072012A1 (ja) 2014-11-07 2016-05-12 三菱電機株式会社 電力用半導体装置およびその製造方法
DE102015102041A1 (de) * 2015-02-12 2016-08-18 Danfoss Silicon Power Gmbh Leistungsmodul
CN105990266B (zh) * 2015-02-26 2018-12-07 台达电子工业股份有限公司 功率转换电路的封装模块及其制造方法
US10679929B2 (en) 2017-07-28 2020-06-09 Advanced Semiconductor Engineering Korea, Inc. Semiconductor package device and method of manufacturing the same
US10396774B2 (en) 2017-09-14 2019-08-27 Hestia Power Inc. Intelligent power module operable to be driven by negative gate voltage
TWI640151B (zh) * 2017-09-20 2018-11-01 瀚薪科技股份有限公司 Negative voltage gate driven smart power module
US10714418B2 (en) * 2018-03-26 2020-07-14 Texas Instruments Incorporated Electronic device having inverted lead pins
CN109449150A (zh) * 2018-12-11 2019-03-08 杰群电子科技(东莞)有限公司 带引脚封装、无引脚封装的功率模块及其对应加工方法
TWI693682B (zh) * 2019-08-28 2020-05-11 財團法人工業技術研究院 電子元件封裝結構

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09186269A (ja) * 1996-01-05 1997-07-15 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH09283681A (ja) * 1996-04-16 1997-10-31 Hitachi Ltd 半導体装置
DE19735531A1 (de) * 1997-08-16 1999-02-18 Abb Research Ltd Leistungshalbleitermodul mit in Submodulen integrierten Kühlern
KR100723454B1 (ko) 2004-08-21 2007-05-30 페어차일드코리아반도체 주식회사 높은 열 방출 능력을 구비한 전력용 모듈 패키지 및 그제조방법
JP2003124437A (ja) 2001-10-19 2003-04-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6870243B2 (en) * 2002-11-27 2005-03-22 Freescale Semiconductor, Inc. Thin GaAs die with copper back-metal structure
JP4023397B2 (ja) * 2003-04-15 2007-12-19 富士電機機器制御株式会社 半導体モジュールおよびその製造方法
JP4146785B2 (ja) 2003-11-19 2008-09-10 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
JP2006080300A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Kokusan Denki Co Ltd リードフレーム及びその製造方法
JP5390064B2 (ja) 2006-08-30 2014-01-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR101524545B1 (ko) 2008-02-28 2015-06-01 페어차일드코리아반도체 주식회사 전력 소자 패키지 및 그 제조 방법
TW200941684A (en) * 2008-03-06 2009-10-01 Mitsubishi Electric Corp Leadframe board, semiconductor module, and method for making a leadframe board
EP2680305A3 (en) * 2012-06-29 2014-02-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Semiconductor package

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