JP2014096669A - 光電変換装置の駆動方法、光電変換装置、光電変換システム - Google Patents
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Abstract
【課題】 従来の光電変換装置では、信号保持部が光信号を保持する動作を終えてから、第1の信号出力部の入力ノードの電位のリセットを行っていた。これにより、第1の信号出力部が光信号を出力してから、第1の信号出力部の入力ノードの電位のリセットを行うまでの期間が長くなってしまっていた。
【解決手段】 第1の信号出力部と第2の信号出力部との電気的経路に設けられた第1のスイッチと、第2の信号出力部と信号保持部との電気的経路に設けられた第2のスイッチとを有し、第1のスイッチと第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とした後、第2のスイッチが導通状態であり、第1のスイッチが非導通状態であって、第1の信号出力部の入力ノードの電位をリセットすることを特徴とする光電変換装置である。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1の信号出力部と第2の信号出力部との電気的経路に設けられた第1のスイッチと、第2の信号出力部と信号保持部との電気的経路に設けられた第2のスイッチとを有し、第1のスイッチと第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とした後、第2のスイッチが導通状態であり、第1のスイッチが非導通状態であって、第1の信号出力部の入力ノードの電位をリセットすることを特徴とする光電変換装置である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、入射光を光電変換する光電変換装置の駆動方法および光電変換装置、光電変換システムに関する。
入射光を光電変換した信号を出力する光電変換装置が知られている。この光電変換装置の一例として、特許文献1の光電変換装置がある。特許文献1の光電変換装置は、入射光に基づいて電荷を蓄積する光電変換部と、光電変換部の蓄積した電荷が入力ノードに与えられ、入力ノードの電位に基づいて光信号を出力する信号出力部と、光信号を保持する信号保持部と、を有している。信号保持部が光信号を保持する動作を終えてから、信号出力部の入力ノードの電位がリセットされる。
従来の光電変換装置では、信号保持部に信号出力部が出力する、光信号に基づく信号を保持する動作を終えてから、信号出力部の入力ノードの電位のリセットを行っていた。これにより、信号出力部が信号保持部に光信号を出力してから、信号出力部の入力ノードの電位のリセットを行うまでの期間が長くなってしまっていた。
本発明は上記の課題を解決するために為されたものであり、一の態様は、光電変換部と、前記光電変換部から信号が与えられる入力ノードと、前記入力ノードの電位に基づく信号を出力する第1の信号出力部と、前記第1の信号出力部が出力する信号に基づく信号を出力する第2の信号出力部と、前記第2の信号出力部が出力する信号を保持する信号保持部と、前記第1の信号出力部と前記第2の信号出力部との間の電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第1のスイッチと、前記第2の信号出力部と前記信号保持部との間の電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第2のスイッチと、を有する光電変換装置の駆動方法であって、前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とし、前記第2のスイッチの導通状態を維持し、前記第1のスイッチを非導通状態とせしめたまま、前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位をリセットすることを特徴とする光電変換装置の駆動方法である。
また、一の態様は、光電変換部と、前記光電変換部から信号が入力ノードと、前記入力ノードの電位に基づく信号を出力する第1の信号出力部と、前記第1の信号出力部が出力する信号に基づく信号を出力する第2の信号出力部と、前記第2の信号出力部が出力する信号を保持する信号保持部と、前記第1の信号出力部と前記第2の信号出力部との電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第1のスイッチと、前記第2の信号出力部と前記信号保持部との電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第2のスイッチと、を有する光電変換装置であって、前記光電変換装置はさらに制御部を有し、前記制御部は、前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とし、前記第2のスイッチの導通状態を維持し、前記第1のスイッチを非導通状態とせしめたまま、前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位をリセットすることを特徴とする光電変換装置である。
これにより、例えば、高速に駆動する光電変換装置を提供することができる。
[実施例1]
以下、図面を参照しながら本実施例に関わる光電変換装置について説明する。
以下、図面を参照しながら本実施例に関わる光電変換装置について説明する。
図1(a)は本実施例の光電変換装置の構成の一例を示したものである。図1(a)の光電変換装置は、光電変換部100、MOSトランジスタ110、第1の信号出力部120、MOSトランジスタ130、150、第2の信号出力部140、容量素子160を有している。MOSトランジスタ130は本実施例の第1のスイッチである。MOSトランジスタ150は本実施例の第2のスイッチである。容量素子160は本実施例の信号保持部である。MOSトランジスタ110の制御ノードには信号PRESが制御部10から与えられる。MOSトランジスタ130の制御ノードには信号PCMが制御部10から与えられる。また、MOSトランジスタ150の制御ノードには信号PTSが制御部10から与えられる。光電変換部100は入射光に基づいて電荷を蓄積する。光電変換部100で蓄積された電荷は、第1の信号出力部120のノードV1に与えられる。ノードV1は第1の信号出力部120の入力ノードである。MOSトランジスタ130を導通状態とすると、ノードV1の電位に基づいて第1の信号出力部120が出力する信号が、第2の信号出力部140の入力ノードV2に与えられる。MOSトランジスタ150を導通状態とすると、入力ノードV2の電位に基づいて第2の信号出力部140が出力する信号がノードV3を介して容量素子160に与えられる。容量素子160の一方のノードはMOSトランジスタ150に電気的に接続され、他方のノードはGND線151に電気的に接続されている。MOSトランジスタ110を導通状態とすると、リセット電圧VRESに基づいてノードV1の電位がリセットされる。
次に、図1(b)を参照しながら図1(a)に示した光電変換装置の動作について説明する。
図1(b)は信号PCM,PTS,PRESと、ノードV1、V2、V3の電位を示したものである。また、図1(b)は光電変換部100の電荷に基づく信号が出力される動作を示したものである。また電荷はホールとし、各信号出力部は正転出力するものとする。
時刻t0に、信号PRESはHighレベル(以下、Hレベルと表記する)にある。これにより、ノードV1の電位がリセットされる。信号PRESをLowレベル(以下、Lレベルと表記する)とすると、光電変換部100が蓄積した電荷により、ノードV1の電位が上昇していく。
時刻t1に、信号PCM、PTSをHレベルとし、MOSトランジスタ130、150を導通状態とする。これにより、第1の信号出力部120が出力する光信号が第2の信号出力部140を介して容量素子160に与えられる。この動作により、ノードV2、V3の電位はともに上昇する。
時刻t2に、信号PCMをLレベルとし、MOSトランジスタ130を非導通状態とする。信号PTSは引き続きHレベルとしている。つまり、信号PTSはHレベルを維持している。これは、第2の信号出力部140の出力ノードに容量素子160の容量が付与される場合に、ノードV2よりもノードV3の方が電位の安定に長い時間を要しやすいためである。第2の信号出力部140の出力ノードに電気的に接続された容量(本実施例では寄生容量に加えて容量素子160の容量)はが第1の信号出力部120の出力ノードに電気的に接続された容量(本実施例では寄生容量)よりも大きい。よって、同等の電流で駆動する場合には、ノードV2の電位が安定するまでよりも、ノードV3の電位が安定するまでの方が時間を要する。ためである。第2の信号出力部140の出力ノードに容量素子160の容量が付与される場合に、ノードV2よりもノードV3の方が電位の安定に長い時間を要しやすい。またここで、第1の信号出力部120が第2の信号出力部140に出力する駆動電流をI2、第2の信号出力部140の入力容量の容量値をC2とする。第2の信号出力部140が容量素子160に出力する駆動電流をI3、容量素子160の容量値をC3とする。以下の条件が成り立つ時に、ノードV2の電位が安定するまでよりも、ノードV3の電位が安定するまでの方が時間を要する。C2/I2 < C3/I3
時刻t3に信号PRESをHレベルとし、ノードV1の電位をリセットする。
時刻t3に信号PRESをHレベルとし、ノードV1の電位をリセットする。
時刻t4に信号PTSをLレベルとし、MOSトランジスタ150を非導通状態とする。
時刻t5に信号PRESをLレベルとし、ノードV1の電位のリセットを解除する。
本実施例の光電変換装置では、信号PCMがLレベル、信号PTSがHレベルの期間である時刻t2から時刻t4までの期間に、信号PRESをHレベルとしてノードV1の電位のリセットを開始する。つまり、第1のスイッチと第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とした後、第1のスイッチを非導通状態とし、第2のスイッチが導通状態である第1の期間に、第1の信号出力部の入力ノードの電位をリセットする。
従来の光電変換装置では、信号PTSをHレベルからLレベルにしてから、信号PRESをHレベルとしていた。本実施例では、第1の期間に入力ノードの電位をリセットする。これにより、第1の信号出力部が光信号を出力してから、第1の信号出力部の電位のリセットを行うまでの期間を短縮し、従来の光電変換装置よりも高速に駆動する光電変換装置を実現できる。
さらに、本実施例では、第1のスイッチと第2のスイッチとを同時に導通状態としている第2の期間の時刻t1から時刻t2の期間の後、第1の期間を設けている。これにより、信号PCMをLレベルとしてから信号PTSをHレベルとする場合に比して、信号PCMをHレベルとしてから信号PTSをLレベルとするまでの時間を短縮できる。
次に、信号PTSをHレベルからLレベルとする、時刻t4のタイミングについて説明する。
時刻t3に信号PRESをHレベルとしている。これにより、MOSトランジスタ110のソース・ドレイン間の電圧は時間と共に低下していく。尚、MOSトランジスタ110のソースは、光電変換部100に電気的に接続された主ノードである。また、MOSトランジスタ110のドレインは、リセット電圧VRESが与えられる主ノードである。信号PRESをHレベルとした後、MOSトランジスタ110は飽和領域から線形領域の動作に移行する。このMOSトランジスタ110が線形領域の動作に入ってから信号PTSをLレベルとすることが好ましい。理由を以下に説明する。 ノードV1の時刻t3付近の電位変化の一例を図2(a)に示す。図2(a)の横軸に示した時間では、10のn乗を、E(n)として表している。例えば、5.0E(−7)は、10の−7乗に5.0を掛けた値を示している。時刻1.0E(−7)に信号PRESをHレベルとしている。つまり、図1(b)の時刻t3に対応する。また、図2(a)ではリセット電圧VRESは1.5V、リセット直前のノードV1の電位を3.3Vとしている。
信号PRESをHレベルとした直後、ノードV1の電位は急峻に下がるが、1.8Vを下回った付近から単位時間当たりの電位の下がり幅が減少している。これは、MOSトランジスタ110が飽和領域から線形領域の動作に移行した結果、MOSトランジスタ110を流れる電流値が低下するためである。
飽和領域における一般的なMOSトランジスタのドレイン電流の式を(1)式に示す。
ここで、VthはMOSトランジスタの閾値電圧であり、また、βは次の(2)式の通りである。
ここで、μ0はキャリアの移動度、CoxはMOSFETの単位面積当たりのゲート容量、WはMOSトランジスタのゲート幅、LはMOSトランジスタのゲート長である。
次に、線形領域における近似的なMOSトランジスタのドレイン電流の式を(3)式に示す。
また、一般的に以下の(4)式の条件を満たす場合が飽和領域、満たさない場合が線形領域となる。
図2(a)において、リセット開始直前のノードV1の電位は3.3Vであり、MOSトランジスタ110のVdsが大きく(4)式を満たす。よって、MOSトランジスタ110を流れる電流は(1)式で決まりMOSトランジスタ110のVdsに依存しない。しかし、ノードV1の電位が低下し(4)式を満たさなくなるとMOSトランジスタ110は線形領域に入り、その電流値は(3)式のようになる。その結果、MOSトランジスタ110のソース・ドレイン間の電圧Vdsが低下するほど、すなわちノードV1の電位がリセット電圧VRES(1.5V)に近づくほどMOSトランジスタ110の電流は低下する。よって、ノードV1の電位がリセット電圧VRESに近づくにつれて、ノードV1の単位時間当たりの電位の下がり幅は小さくなる。(4)式を満たさない場合とは、MOSトランジスタ110の一方の主ノードと他方の主ノード間の電圧の絶対値が、MOSトランジスタ110の制御ノードと一方の主ノード間の電圧とMOSトランジスタ110の閾値電圧との差の絶対値未満となる場合である。
図2(b)に、リセット電圧VRESを生成するVRES生成回路の一例を示す。図2(b)のVRES生成回路172では、時刻t3の信号PRESをHレベルとし、MOSトランジスタ110が飽和領域で動作する期間は、MOSトランジスタ169を介してGND線151に大きな電流が流れる。これによりGND線151の電位が変動する。このGND線151は、容量素子160に電気的に接続されているため、GND線151の電位変動により、容量素子160の保持する信号が変動する。従って、MOSトランジスタ169を介してGND線151に流れる電流が減少してから、信号PTSをLレベルとして容量素子160に光信号に基づく信号を保持させる動作を終了することが好ましい。MOSトランジスタ110が線形領域の動作となった後は、MOSトランジスタ169を介してGND線151に流れる電流は減少する。よって、MOSトランジスタ110が飽和領域から線形領域の動作に移行してから、信号PTSをLレベルとすることが好ましい。
ここで、ある一般的なケースについて、MOSトランジスタ110が線形領域に入るまでに要する時間の概算を行う。図2(a)においてMOSトランジスタ110が線形領域に入るのに必要なノードV1の電位の低下量ΔVはおよそ1.5Vである。ノードV1に付随する容量Cを7fFとする。図2(b)のVRES生成回路172のMOSトランジスタ168とMOSトランジスタ169の間の電気的経路に設けられたVRES出力端子からMOSトランジスタ169に流れ込む電流Iを100μAとする。該VRES生成回路172で駆動される光電変換装置の数Nを1000とする。この場合、MOSトランジスタ110が線形領域に達するのに要する時間は、C×ΔV×N/Iで決まり、およそ0.1μSecとなる。
尚、MOSトランジスタ110が線形領域の動作となってから信号PTSをHレベルからLレベルとする動作については、MOSトランジスタ169と容量素子160が共通のGND線151に電気的に接続されている場合に好適である。他の形態として、MOSトランジスタ169に電気的に接続されたGND線と、容量素子160に電気的に接続されたGND線とを独立のものとしても良い。この形態の場合には、信号PTSをHレベルからLレベルとするタイミングはMOSトランジスタ110の動作状態に依らず設定しても良い。
一方、図1(a)において光電変換部が入射光に基づいてホールではなく電子を出力する場合を説明する。この場合、MOSトランジスタ110を導通状態としてノードV1の電位のリセットを行う際にVRES生成回路172ではGND線からではなく、電源電圧からMOSトランジスタ168を介してMOSトランジスタ110に電流が流れる。よって、GND線151の電位の変動が生じにくいため、MOSトランジスタ169と容量素子160が共通のGND線151に電気的に接続されていても、MOSトランジスタ110を導通状態とした際の容量素子160の保持する信号の変動が生じにくい。
尚、本実施例では、信号PCMと信号PTSとを共にHレベルとする時刻t1から時刻t2の期間を有していた。他の形態として、先に信号PCMをHレベルとしてLレベルとする。その後、信号PTSをHレベルとする。この信号PTSをHレベルとしている期間に、信号PRESをHレベルとする形態であっても良い。
[実施例2]
本実施例に関わる光電変換装置を、図面を参照しながら実施例1とは異なる点を中心に説明する。
本実施例に関わる光電変換装置を、図面を参照しながら実施例1とは異なる点を中心に説明する。
図3(a)は本実施例の光電変換装置の構成を示したものである。
第1の信号出力部120は、MOSトランジスタ170、電流源180を有している。第2の信号出力部140は、MOSトランジスタ200、電流源210を有している。さらに、本実施例の光電変換装置は、第2の信号保持部である容量素子230を有している。容量素子230の一方のノードはノードV4を介してMOSトランジスタ220に電気的に接続され、他方のノードはGND線151に電気的に接続されている。MOSトランジスタ220の制御ノードには信号PTNが与えられる。また、本実施例の光電変換装置は、容量素子190がMOSトランジスタ130とMOSトランジスタ200との間の電気的経路に設けられている。容量素子190は、第2の容量素子である。第2の容量素子は、第1のスイッチであるMOSトランジスタ130と、第2の信号出力部140が有するMOSトランジスタ200との間の電気的経路に設けられている。容量素子160が保持した信号が信号Soutとして光電変換装置から出力される。また、容量素子230が保持した信号が信号Noutとして光電変換装置から出力される。信号PSRESをHレベルとすると、MOSトランジスタ240がノードV3の電位がリセットされる。また、信号PNRESをHレベルとすると、MOSトランジスタ250が導通状態とし、ノードV4の電位がリセットされる。
次に、図3(b)を参照しながら本実施例の光電変換装置の動作について説明する。
時刻t10以前では、信号PRES、PCMがHレベルであり、ノードV1、V2の電位がリセットされている。つまり、光電変換部100の電荷と、容量素子190の信号がリセットされている。時刻t10に、信号PRESをLレベルとする。
時刻t11に、信号PCMをLレベルとする。容量素子190はこの時刻t11における第1の信号出力部120が出力する信号を保持する。この信号は、第1の信号出力部が出力するノイズ信号である。
時刻t12に、信号PNRESをHレベルとする。これにより、ノードV4の電位がリセットされる。
時刻t13に、信号PNRESをLレベルとし、信号PTNをHレベルとする。これにより、MOSトランジスタ220が導通状態となる。よって、時刻t11に容量素子190が保持したノイズ信号が第2の信号出力部140を介して容量素子230に与えられる。信号PTNをLレベルとする時刻t15に容量素子190が保持した信号は、ノイズ信号に基づく信号である。
時刻t14に、信号PSRESをHレベルとする。これにより、ノードV3の電位がリセットされる。
時刻t16に信号PCM、PTSをHレベルとする。これにより、光電変換部100が蓄積した電荷に基づいて第1の信号出力部120が出力する光信号が、MOSトランジスタ130、第2の信号出力部140、MOSトランジスタ150を介して容量素子160に与えられる。
時刻t17に信号PCMをLレベルとしてから、時刻t18に信号PRESをHレベルとする。これにより、ノードV1の電位がリセットされる。
時刻t19に信号PTSをLレベルとし、光信号の容量素子160への出力を終了する。
時刻t20に信号PCMをHレベルとする。信号PRESはHレベルであるため、時刻t10と同様に、ノードV1、V2の電位がリセットされる。
時刻t21に信号PRESをLレベルとしてから、時刻t22に信号PCMをLレベルとする。
本実施例の光電変換装置においても、第1の期間である時刻t17から時刻t19までの期間に入力ノードの電位のリセットを開始する。これにより、実施例1と同様の効果を得ることができる。
さらに本実施例の光電変換装置では、容量素子160が光信号に基づく信号を保持し、容量素子230がノイズ信号に基づく信号を保持している。よって、容量素子160が保持した信号から容量素子230が保持した信号を差し引くことにより、ノイズ成分を差し引いた信号を得ることができる。よって、光電変換装置が出力する信号のS/N比を向上することができる。
[実施例3]
本実施例に関わる光電変換装置を、図面を参照しながら説明する。
本実施例に関わる光電変換装置を、図面を参照しながら説明する。
図4に本実施例の光電変換装置の構成の一例を示す。
本実施例の光電変換装置は、光電変換部101、転送MOSトランジスタ251、リセットMOSトランジスタ111、増幅MOSトランジスタ171を有する画素245が2次元状に複数設けられている。転送MOSトランジスタ251、リセットMOSトランジスタ111のそれぞれの制御ノードは垂直シフトレジスタ255に電気的に接続されている。転送MOSトランジスタ251の制御ノードには信号READが垂直シフトレジスタ255から与えられる。リセットMOSトランジスタ111の制御ノードには信号PRESが垂直シフトレジスタ255から与えられる。尚、本実施例では、n行目の画素245に与えられる信号を、信号の末尾に(n)として表す。例えば、1行目の画素245に与えられる信号PRESを表す場合には、PRES(1)として表す。垂直シフトレジスタ255は、制御部10から与えられる制御信号に基づいて、画素245を行ごとに順次走査する。
本実施例の増幅MOSトランジスタ171の制御ノードはノードFDに電気的に接続されている。リセットMOSトランジスタ111を導通状態として、リセット電圧VRESに基づいてノードFDの電位をリセットする。
本実施例の第1のスイッチはMOSトランジスタ390である。また、本実施例の第2のスイッチはMOSトランジスタ320である。本実施例の信号保持部は容量素子360である。本実施例の第2の容量素子は、容量素子420である。本実施例の第1の信号出力部120は差動アンプ380である。本実施例の第2の信号出力部140は、容量素子410である。本実施例の信号保持部は容量素子360である。
次に、図5を参照しながら図4に示した光電変換装置の動作について説明する。図5では各信号のレベルと、リセット電圧VRES、ノードFDの電位を示している。
時刻t0では、リセット電圧VRES(1)はHレベルとしている。このHレベルのリセット電圧VRESを第1のリセット電圧と表記する。Lレベルのリセット電圧VRESを第2のリセット電圧と表記する。1行目の画素245以外の、2行目の画素245、3行目の画素245のノードFD(2)、FD(3)は第2のリセット電圧に基づく電位にリセットされている。これにより、垂直信号線173に1行目の画素245の信号が現れるようにしている。
本実施例の光電変換装置では、時刻t6に信号PTS1をHレベルとし、時刻t7に信号PTS1をLレベルとする。そして、時刻t10に信号PTS2をHレベルとし、信号PTS2をLレベルとする前の時刻t11に信号PRES(2)をHレベルとする。これにより、2行目の画素245の入力ノードの電位が第1のリセット電圧に基づく電位にリセットされる。その後、時刻t12に信号PTS2をLレベルとする。
つまり、第1のスイッチと第2のスイッチとをそれぞれ時刻t10までに導通状態とした後、第1のスイッチを非導通状態とし、第2のスイッチを導通状態としている第1の期間の時刻t10から時刻t12までの期間に、第1の信号出力部の入力ノードの電位をリセットする。これにより、時刻t12の後に第2の画素の入力ノードの電位をリセットする場合に比して、信号PTS2をHレベルとしてから、信号PRES(2)をHレベルとするまでの期間を短縮することができる。よって、複数行の画素245の垂直走査に要する期間を短縮することができる。これにより、高速に動作する光電変換装置を提供することができる。
また、本実施例では、信号PTS1をHレベルからLレベルにした後、信号PTS2をLレベルからHレベルにしていた。他の形態として、信号PTS1と信号PTS2を共に時刻t6でHレベルとした後、信号PTS1をLレベルとする。信号PTS2を引き続きHレベルとしている期間に、2行目の画素245の入力ノードの電位を第1のリセット電圧に基づく電位にリセットする形態であっても良い。この形態であっても、複数行の画素245の垂直走査期間を短縮できる。また、1行目の画素245の入力ノードの電位を第2のリセット電圧に基づく電位にリセットする形態であっても良い。これにより、信号PTS2をLレベルとした後に、1行目の画素245の入力ノードを第2のリセット電圧に基づく電位にリセットする形態がある。この形態よりも早く垂直信号線173の電位を、全画素の入力ノードが第2のリセット電圧に基づく電位にリセットされている状態での電位とすることができる。また、第1の期間に、1行目の画素245の入力ノードを第2のリセット電圧に基づく電位にリセットし、2行目の画素245の入力ノードを第1のリセット電圧に基づく電位にリセットする形態であっても良い。つまり、第1のスイッチと第2のスイッチとを共に導通状態とする第2の期間の後、第1の期間に、第1の画素と第2の画素の少なくとも一方の入力ノードの電位をリセットする形態であっても良い。
実施例3、4の光電変換装置では、画素245にソースフォロワ回路を設けて光信号を出力する形態とした。ソースフォロワ回路の代わりに、ソース接地回路やオペアンプを用いても良い。
また、本実施例の光電変換装置では、画素245が複数行、複数列配された構成としていたが、この構成に限られるものではない。例えば、1つの信号処理回路に対し、複数の画素245が信号を出力する形態であっても良い。
また、本明細書では、第1のスイッチ、第2のスイッチとしてMOSトランジスタを用いる形態を説明したが、電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替えられる回路であればよい。
[実施例4]
本実施例では、実施例1〜3の光電変換装置を用いた光電変換システムについて説明する。
本実施例では、実施例1〜3の光電変換装置を用いた光電変換システムについて説明する。
図6(a)は、実施例1、実施例2の光電変換装置を測光装置1511として用いた光電変換システムである。
図6(a)において、光電変換システムはレンズの保護のためのバリア1512、被写体の光学像を撮像装置154に結像させるレンズ152、レンズ152を通った光量を可変にするための絞り153を有する。さらに光電変換システムは、撮像装置154より出力される信号の処理を行う出力信号処理部155を有する。撮像装置154から出力される信号は、被写体を撮影した画像を生成するための撮像信号である。出力信号処理部155は撮像装置154から出力される撮像信号を必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像を生成する。レンズ152、絞り153は撮像装置154に光を集光する光学系である。また、光学系が集光した光は、測光装置1511にも与えられる。
図6(a)に例示した光電変換システムはさらに、画像データを一時的に記憶する為のバッファメモリ部156、外部コンピュータ等と通信する為の外部インターフェース部157を有する。さらに光電変換システムは、撮像データの記録または読み出しを行う為の半導体メモリ等の着脱可能な記録媒体159、記録媒体159に記録または読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部158を有する。さらに光電変換システムは、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部1510を有する。
そして、図6(a)に例示した光電変換システムは測光装置1511を有する。測光装置1511は、全体制御・演算部1510から出力される信号に基づいて動作する。測光装置1511から、全体制御・演算部1510に測光データが出力される。全体制御・演算部1510は、測光装置1511から出力された測光データに基づいて、撮像装置154の露光量を決定する。この露光量とは、撮像装置154のシャッターを開いている期間、絞り152の絞り量、撮像装置154の感度等を指す。
図6(a)に示した光電変換システムが有する測光装置1511は、実施例1、実施例2で述べた形態とすることができる。これにより、図6(a)の光電変換システムの測光装置1511においても、実施例1、実施例2で述べた効果を得ることができる。
図6(b)は、実施例3の光電変換装置を撮像装置154として用いた光電変換システムである。図6(a)に示したものと同じ機能を有するものについては、図6(a)で付した符号と同じ符号を図6(b)にも付している。図6(b)に示した光電変換システムが有する撮像装置154は、実施例3で述べた形態とすることができる。これにより、図6(b)の光電変換システムの撮像装置154においても、実施例3で述べた効果を得ることができる。
100、101 光電変換部
110 MOSトランジスタ
120 第1の信号出力部
130 MOSトランジスタ(第1のスイッチ)
140 第2の信号出力部
150 MOSトランジスタ(第2のスイッチ)
160 容量素子(信号保持部)
110 MOSトランジスタ
120 第1の信号出力部
130 MOSトランジスタ(第1のスイッチ)
140 第2の信号出力部
150 MOSトランジスタ(第2のスイッチ)
160 容量素子(信号保持部)
Claims (11)
- 光電変換部と、
前記光電変換部から信号が与えられる入力ノードと、
前記入力ノードの電位に基づく信号を出力する第1の信号出力部と、
前記第1の信号出力部が出力する信号に基づく信号を出力する第2の信号出力部と、
前記第2の信号出力部が出力する信号を保持する信号保持部と、
前記第1の信号出力部と前記第2の信号出力部との間の電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第1のスイッチと、
前記第2の信号出力部と前記信号保持部との間の電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第2のスイッチと、を有する光電変換装置の駆動方法であって、
前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とし、
前記第2のスイッチの導通状態を維持し、前記第1のスイッチを非導通状態とせしめたまま、前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位をリセットすることを特徴とする光電変換装置の駆動方法。 - 前記光電変換装置はさらにMOSトランジスタを有し、
前記MOSトランジスタの一方の主ノードは前記第1の信号出力部の前記入力ノードに電気的に接続され、他方の主ノードは前記光電変換部をリセットするための電位が与えられ、
前記MOSトランジスタを導通状態として前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位の前記リセットを開始して前記MOSトランジスタを線形領域での動作としてから、前記第2のスイッチを導通状態から非導通状態にすることを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置の駆動方法。 - 前記MOSトランジスタを導通状態として前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位の前記リセットを開始し、
前記MOSトランジスタの前記一方の主ノードと前記他方の主ノード間の電圧の絶対値が、前記MOSトランジスタの制御ノードと前記一方の主ノード間の電圧と前記MOSトランジスタの閾値電圧との差の絶対値未満となってから前記第2のスイッチを導通状態から非導通状態にすることを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置の駆動方法。 - 前記光電変換装置はさらに、
前記第1のスイッチと前記第2の信号出力部との間の電気的経路に、第2の容量素子を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光電変換装置の駆動方法。 - 前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位をリセットして前記第1の信号出力部にノイズ信号を出力させ、
さらに、前記第1のスイッチを導通状態として、前記第2の容量素子に前記ノイズ信号を保持させることを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置の駆動方法。 - 前記第1のスイッチを導通状態として、前記第1の信号出力部から前記第2の容量素子に前記入力ノードの電位に基づく信号を出力させて前記第2の容量素子に信号を保持させた後、前記第1のスイッチを非導通状態とし、前記第2のスイッチを導通状態として、前記第2の容量素子から前記信号保持部に、前記第2の容量素子の保持した信号を出力させることを特徴とする請求項4または5に記載の光電変換装置の駆動方法。
- 前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをそれぞれ前記導通状態とする動作を、前記第1のスイッチが導通状態である期間と、前記第2のスイッチが導通状態である期間とを重ねて行うことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光電変換装置の駆動方法。
- 前記第1の信号出力部が増幅MOSトランジスタであり、
前記入力ノードが前記増幅MOSトランジスタの制御ノードであり、
前記光電変換装置は、前記光電変換部と、前記増幅MOSトランジスタと、をそれぞれが含む第1の画素と第2の画素とを有し、
前記第1の画素と前記第2の画素の各々の前記第1の信号出力部が、前記第1のスイッチに電気的に接続され、
前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをそれぞれ前記導通状態として、前記第1の画素の前記第1の信号出力部から前記第2の信号出力部に信号を出力させた後、
前記第2の画素の前記入力ノードの電位のリセットを行い、
前記第2の画素の前記入力ノードの電位の前記リセットを行った後、前記第2の画素の前記第1の信号出力部から前記第2の信号出力部に信号を出力させることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光電変換装置の駆動方法。 - 光電変換部と、
前記光電変換部から信号が入力ノードと、
前記入力ノードの電位に基づく信号を出力する第1の信号出力部と、
前記第1の信号出力部が出力する信号に基づく信号を出力する第2の信号出力部と、
前記第2の信号出力部が出力する信号を保持する信号保持部と、
前記第1の信号出力部と前記第2の信号出力部との電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第1のスイッチと、
前記第2の信号出力部と前記信号保持部との電気的経路の導通状態、非導通状態を切り替える第2のスイッチと、を有する光電変換装置であって、
前記光電変換装置はさらに制御部を有し、
前記制御部は、
前記第1のスイッチと前記第2のスイッチとをそれぞれ導通状態とし、
前記第2のスイッチの導通状態を維持し、前記第1のスイッチを非導通状態とせしめたまま、前記第1の信号出力部の前記入力ノードの電位をリセットすることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項9に記載の光電変換装置と、
信号処理部と、
を有し、
前記光電変換装置が、被写体を撮影した画像を生成するための撮像信号を出力し、
前記信号処理部が、前記撮像信号に基づいて画像を生成する信号処理部であることを特徴とする光電変換システム。 - 請求項9に記載の光電変換装置と、
被写体を撮影した画像を生成するための撮像信号を出力する撮像装置と、
信号処理部と、
を有し、
前記信号処理部が、前記光電変換装置が前記信号処理部に出力する信号に基づいて、前記撮像装置の露光量を設定する信号処理部であることを特徴とする光電変換システム。
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JP2012246435A JP2014096669A (ja) | 2012-11-08 | 2012-11-08 | 光電変換装置の駆動方法、光電変換装置、光電変換システム |
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ID=50939433
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JP2012246435A Pending JP2014096669A (ja) | 2012-11-08 | 2012-11-08 | 光電変換装置の駆動方法、光電変換装置、光電変換システム |
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WO2021215105A1 (ja) * | 2020-04-21 | 2021-10-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
WO2022209126A1 (ja) * | 2021-03-30 | 2022-10-06 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法 |
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2012
- 2012-11-08 JP JP2012246435A patent/JP2014096669A/ja active Pending
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