JP2014093425A - Znを主成分とするはんだ合金との接合部を有する電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ZnおよびAlを合計で90質量%以上含有するはんだ合金によって接合される接合部を有する電子部品であって、該接合部の最上層がNi、Ag、Au、およびCuのうちいずれか1種を主成分とし、該最上層のはんだ接合面の中心線平均粗さが0.6μm以下であるか、もしくは該最上層のはんだ接合面が厚さ50nm以下の酸化物層で覆われているか、または該最上層のはんだ接合面の中心線平均粗さが0.6μm以下であって且つ該はんだ接合面が厚さ50nm以下の酸化物層で覆われている。
【選択図】 なし
Description
本発明の電子部品の製造方法はとくに限定がない。電子部品の一例として、基板について説明する。基板は一般的にCu板を圧延して製造され、その圧延には冷間圧延、温間圧延、熱間圧延などを用いることができる。圧延する際は、最初から最終の工程まで冷間圧延だけで行ってもよいが、2種類以上の圧延を組み合わせることにより、圧延中にクラックやバリが入りづらくなって品質が向上するうえ、圧延速度を上げることで生産効率を高めることができる。
本発明の電子部品のはんだ接合に使用するはんだ合金はZn−Al系合金であり、そのはんだ組成としては、Znが主成分であり、ZnおよびAlを合計で90質量%以上含有している。特に、Znが70質量%以上含まれていると液相線温度が下がるのでより好ましい。Znは融点が419℃と電子部品等の接合温度である300〜400℃に対し高すぎるが、Zn−Al系合金とすることにより融点を下げることが可能となり、さらに金属組織を共晶組織とすることができる。
圧延機を用いて上記試料1A〜74Aのはんだ母合金をシート状に加工した。具体的に説明すると、各はんだ母合金(厚さ5mmの板状インゴット)を、熱間圧延機を用いて厚さ約400μmまで粗圧延した。その際、インゴットの送り速度を調整し、クラック等が発生しないように注意しながら圧延していった。粗圧延した試料をアルコールで洗浄した後、冷間圧延機を用いて厚さ0.70mmまで圧延した。その後、スリッター加工により25mmの幅に裁断し、さらに自動洗浄器を通して洗浄し、大気中で乾燥した。このようにして得たはんだに対して濡れ性評価やシェア強度試験などを行うため、基板とSiCチップを下記の方法で準備した。
基板の材料として、厚さ10mm、純度99.99質量%の複数のCu板を準備した。これらCu板を50〜90℃で温間圧延を行い、厚さ3mmにした。次に、希硫酸を用いて1〜10分間洗浄し、さらに水洗して十分に酸を洗い流した。そして、真空オーブンによる常温真空乾燥か、常温窒素雰囲気中での乾燥か、あるいは150℃大気中での加熱乾燥により乾燥した。得られた複数のCu板に対して、中心線平均粗さが0.1〜3μmのロールを用いて冷間圧延を行い、厚さ0.60mmまで薄くした。
基板にはんだ接合される電子デバイスとして、大きさ2×2mm、はんだ接合部がNiで構成される複数のSiCチップを準備した。これらSiCチップを研磨紙(粗さ:#240、#1000、#8000)による研磨、そしてバフ研磨(砥粒の粒度:0.1μm)によってNi面の表面粗さを調整後、真空蒸着機でNi、Ag、Au、またはCuを蒸着させて最上層を形成した。このようにして、最上層のはんだ接合面の中心線平均粗さが0.8μm以下であって当該接合面が厚さ70μm以下の酸化物層で覆われた複数のSiCチップを準備した。
まず、濡れ性試験機のヒーター部に二重のカバーをして、ヒーター部の周囲4箇所から窒素を12リットル/分の流量で流しながら、ヒーター設定温度を410℃にして加熱した。設定したヒーター温度が安定した後、各試料の基板をヒーター部にセッティングして25秒間加熱した。次に、各試料のはんだ合金を基板の上に載せ、25秒加熱し、さらにはんだの上に各試料のSiCチップを載せ、10秒加熱した。
はんだ接合の接合強度を評価するために、シェア強度測定器(Xyztec社製、Condor EZ ボンドテスタ)を用いてシェア強度の測定を行った。なお、この試験は、上記した濡れ性の評価において、はんだ合金によって基板とSiCチップが接合できた試料(濡れ性の評価が○の試料および△の試料)を各3個ずつ用いて行い、平均値をその試料のシェア強度とした。
はんだ接合の信頼性を評価するためにヒートサイクル試験を行った。なお、この試験は、上記した濡れ性の評価において、はんだ合金によってCu基板とSiCチップが接合できた試料(濡れ性の評価が○の試料および△の試料)を各2個ずつ用いて行った。すなわち、はんだ合金で接合された基板とSiCチップとからなる各試料の接合体2個に対して、−40℃の冷却と+150℃の加熱を1サイクルとするヒートサイクル試験を実施した。各試料のヒートサイクル試験において、2個の接合体のうち1個は途中確認のため300サイクルまで、残りの1個は500サイクルまでヒートサイクル試験を繰り返した。
Claims (4)
- Znが主成分であり、ZnおよびAlを合計で90質量%以上含有し、Ge、Cu、Ag、Ni、Sn、Sb、Mg、およびPのうちの1種以上を含有し得るはんだ合金によって接合される接合部を有し、該接合部の最上層がNi、Ag、Au、およびCuのうちいずれか1種を主成分とし、該最上層のはんだ接合面の中心線平均粗さが0.6μm以下であることを特徴とする電子部品。
- Znが主成分であり、ZnおよびAlを合計で90質量%以上含有し、Ge、Cu、Ag、Ni、Sn、Sb、Mg、およびPのうちの1種以上を含有し得るはんだ合金によって接合される接合部を有し、該接合部の最上層がNi、Ag、Au、およびCuのうちいずれか1種を主成分とし、該最上層のはんだ接合面が厚さ50nm以下の酸化物層で覆われていることを特徴とする電子部品。
- Znが主成分であり、ZnおよびAlを合計で90質量%以上含有し、Ge、Cu、Ag、Ni、Sn、Sb、Mg、およびPのうちの1種以上を含有し得るはんだ合金によって接合される接合部を有し、該接合部の最上層がNi、Ag、Au、およびCuのうちいずれか1種を主成分とし、該最上層のはんだ接合面の中心線平均粗さが0.6μm以下であり、かつ該はんだ接合面が厚さ50nm以下の酸化物層で覆われていることを特徴とする電子部品。
- 最上層がNi、Ag、Au、およびCuのうちいずれか1種を主成分とするはんだ接合部を有する電子部品に対して、ZnおよびAlを合計で90質量%以上含有し、Ge、Cu、Ag、Ni、Sn、Sb、Mg、およびPのうちの1種以上を含有し得るZn系はんだ合金を用いてはんだ付けして電子装置を製造する方法であって、該最上層のはんだ接合面の中心線平均粗さが0.6μm以下であるか、もしくは該はんだ接合面が厚さ50nm以下の酸化物層で覆われているか、または該はんだ接合面の中心線平均粗さが0.6μm以下であって且つ該はんだ接合面が厚さ50nm以下の酸化物層で覆われていることを特徴とする電子装置の製造方法。
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