JP5652001B2 - Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 - Google Patents
Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5652001B2 JP5652001B2 JP2010125103A JP2010125103A JP5652001B2 JP 5652001 B2 JP5652001 B2 JP 5652001B2 JP 2010125103 A JP2010125103 A JP 2010125103A JP 2010125103 A JP2010125103 A JP 2010125103A JP 5652001 B2 JP5652001 B2 JP 5652001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mass
- alloy
- solder
- solder alloy
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
上記表1に示す試料1〜15のはんだ母合金(厚さ5mmの板状インゴット)を、圧延機を用いて0.10mmの厚さまで圧延した。その際、インゴットの送り速度を調整しながら圧延し、その後スリッター加工により25mmの幅に裁断した。このようにしてシート状に加工した後、得られたシートのはんだ合金を観察して、傷やクラックがなかった場合を「○」、シート10m当たり割れやクラックが1〜3箇所あった場合を「△」、4箇所以上あった場合を「×」として評価した。
上記のごとくシート状に加工したはんだ合金を、濡れ性試験機(装置名:雰囲気制御式濡れ性試験機)を用いて評価した。すなわち、濡れ性試験機のヒーター部分に2重のカバーをしてヒーター部の周囲4箇所から窒素を流しながら(窒素流量:各12L/分)、ヒーター設定温度を試料の融点より約10℃高い温度に設定して加熱した。ヒーター温度が設定温度で安定した後、Cu基板(板厚:約0.70mm)をヒーター部にセッティングし、25秒加熱した。
はんだ接合の信頼性を評価するためにヒートサイクル試験を行った。なお、この試験は、上記濡れ性評価で「○」又は「△」と評価されたもののみを対象とした。まず、はんだ合金が接合されたCu基板に対して、−50℃の冷却と135℃の加熱を1サイクルとして、これを500サイクルまで繰り返し行った。
Claims (3)
- Znを主成分とするPbフリーはんだ合金であって、第2元素としてGeを2.9質量%以上3.1質量%以下含有し、第3元素としてAlおよびSnの内の少なくとも一方をAlの場合は0.11質量%以上0.92質量%未満、Snの場合は0.10質量%以上8.9質量%以下(5.0質量%以上を除く)含有し、Pは0.500質量%を超えて含有しておらず、残部がZnからなることを特徴とするPbフリーはんだ合金。
- 請求項1に記載のPbフリーはんだ合金を用いて電子部品が接合されていることを特徴とする電子基板。
- 請求項2に記載の電子基板が搭載されていることを特徴とする装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010125103A JP5652001B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010125103A JP5652001B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011251298A JP2011251298A (ja) | 2011-12-15 |
JP5652001B2 true JP5652001B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=45415676
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010125103A Expired - Fee Related JP5652001B2 (ja) | 2010-05-31 | 2010-05-31 | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5652001B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5861559B2 (ja) * | 2012-05-10 | 2016-02-16 | 住友金属鉱山株式会社 | PbフリーIn系はんだ合金 |
WO2024176357A1 (ja) * | 2023-02-21 | 2024-08-29 | 三菱電機株式会社 | はんだ材、はんだシートの製造方法および半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11172353A (ja) * | 1997-12-04 | 1999-06-29 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高温はんだ付用Zn合金 |
JP4022013B2 (ja) * | 1999-01-14 | 2007-12-12 | 住友金属鉱山株式会社 | ダイボンディング用Zn合金 |
JP2004358540A (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高温ろう材 |
JP2005052869A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高温はんだ付用ろう材とそれを用いた半導体装置 |
JP2007209989A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高温ろう材 |
JP5828618B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2015-12-09 | 住友金属鉱山株式会社 | コーティング膜付きPbフリーZn系はんだ合金及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-05-31 JP JP2010125103A patent/JP5652001B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011251298A (ja) | 2011-12-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5206779B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
TW201418477A (zh) | 焊料合金 | |
JP5861559B2 (ja) | PbフリーIn系はんだ合金 | |
JP2018079480A (ja) | 低温用のBi−In−Sn系はんだ合金、それを用いた電子部品実装基板及びその実装基板を搭載した装置 | |
JP5962461B2 (ja) | Au−Ge−Sn系はんだ合金 | |
JP6036202B2 (ja) | Au−Ag−Ge系はんだ合金 | |
JP5212573B2 (ja) | Bi−Al−Zn系Pbフリーはんだ合金 | |
JP5672132B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金およびその製造方法 | |
JP5652001B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP5699897B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2013123741A (ja) | 塑性変形性に優れたPbフリーはんだ合金 | |
JP2013052433A (ja) | PbフリーZn系はんだ合金 | |
JP5979083B2 (ja) | PbフリーAu−Ge−Sn系はんだ合金 | |
JP2011235314A (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP5471985B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2011240372A (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2016016453A (ja) | Au−Ge−Sn系はんだ合金 | |
JP5861526B2 (ja) | Pbを含まないGe−Al系はんだ合金 | |
JP5699898B2 (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2016028829A (ja) | Au−Sn−Ag系はんだ合金並びにこのAu−Sn−Ag系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 | |
JP2011235315A (ja) | Znを主成分とするPbフリーはんだ合金 | |
JP2014024109A (ja) | Bi−Sb系Pbフリーはんだ合金 | |
JP2017035708A (ja) | Pbを含まないSb−Cu系はんだ合金 | |
JP2017225979A (ja) | 高温用PbフリーZn系はんだ合金 | |
JP2017185520A (ja) | Au−Sn系はんだ合金 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121122 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140212 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140414 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141021 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141103 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5652001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |