JP2014090144A - セラミック回路基板および製造方法 - Google Patents
セラミック回路基板および製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014090144A JP2014090144A JP2012240634A JP2012240634A JP2014090144A JP 2014090144 A JP2014090144 A JP 2014090144A JP 2012240634 A JP2012240634 A JP 2012240634A JP 2012240634 A JP2012240634 A JP 2012240634A JP 2014090144 A JP2014090144 A JP 2014090144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit board
- ceramic
- substrate
- ceramic circuit
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 48
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 22
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N ammonium thiosulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S([O-])(=O)=S XYXNTHIYBIDHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013001 point bending Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000205 poly(isobutyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 238000003303 reheating Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
【解決手段】セラミック基板1の一方の面に銅回路、他方の面に銅放熱板3が活性金属としてTiを含有するろう材により接合されてなるセラミック回路基板において、セラミック基板1の鏡面光沢度が5.0以上であり、セラミック回路基板の接合ボイドが10%以下であって、セラミック回路基板のろう材層4がAgを含有する合金中にCuを含有する合金が分散した構造を有し、その厚みが11〜24μmであって、Ti化合物5の厚みが0.4〜0.6μmで、その占有面積が12〜85%であることを特徴とするセラミック回路基板及びその製造方法。
【選択図】図1
Description
既に記載したが、超音波接合はセラミック回路基板の所望の位置に銅電極を配置し、回路基板と接合する電極端子の上部から荷重を負荷した後、基板の水平方向に超音波の振動を付与する手法である。そのため、セラミック基板と銅回路の界面に強い応力が発生し、セラミック基板の表面に微小なクラックを生じたり、場合によってはセラミック基板が割れ、絶縁性を確保できなくなる等、信頼性に影響することがあった。本発明者らは、鋭意検討をおこない、上記したろう材層の構造と厚みとすることにより、基板と銅回路の界面に負荷される応力を緩和することができ、セラミック基板に微小なクラックを生じることなく銅電極を超音波にて接合できることを見出した。
Ag粉末(比表面積0.6m2/g、酸素量0.16質量%)、Cu粉末(比表面積0.7m2/g、酸素量0.05質量%)、TiH2粉末(特級試薬)、Sn粉末(特級試薬)を、表1に示す各種比率にて混合した。この粉末100質量部に、テレピネオール15質量部、ポリイソブチルメタクリレートのトルエン溶液を固形分として1.3質量部を三本ロールにて混合し、目開き20μmのナイロンメッシュを通過させ、ろう材ペーストを調整した。これを、厚み0.635mm×52mm×45mmの窒化アルミニウム基板(熱伝導率180W/mK、3点曲げ強度500MPa、鏡面光沢度15.2)の表面及び裏面に、ろう材層の厚み(乾燥後の厚み)が所望の厚みとなるようロールコーターを用いて塗布した。その後、表面に回路形成用銅板を、裏面に放熱板形成用銅板(いずれも無酸素銅板)を重ね、6.5×10−4Paの真空炉中、400℃まで昇温し、真空度が5.0×10−3Paになるまで保持した後、800℃まで昇温し20分保持した後、冷却速度5℃/minにて600℃まで冷却し、4時間保持した後、1℃/minにて冷却し、銅板と窒化アルミニウム基板の接合体を製造した。
A:1%以下、B;1%を越え10%以下、C:10%を越え実用に耐え得られない
A:0枚、B:1〜5枚、C:6枚以上
A:クラックが観察されない、B:クラック長100μm未満が観察されるもの、C:クラック長100μm以上が観察されるもの
◎:すべての評価においてAランクであったもの
○:超音波接合評価がAランクであるが、その他の評価がBであるもの
×:超音波接合評価がB若しくはCランクまたはその他の評価がCであるもの
2 銅回路パターン
3 銅放熱板
4 ろう材層
5 Ti化合物
H ろう材層の厚み
h Ti化合物の厚み
Claims (3)
- セラミック基板の一方の面に銅回路、他方の面に銅放熱板が活性金属としてTiを含有するろう材により接合されてなるセラミック回路基板において、セラミック基板の鏡面光沢度が5.0以上、セラミック回路基板の接合ボイドが10%以下であって、セラミック回路基板のろう材層がAgを含有する合金中にCuを含有する合金が分散した構造を有し、その厚みが11〜24μmであり、Ti化合物の厚みが0.4〜0.6μmで、その占有面積が12〜85%であることを特徴とするセラミック回路基板。
- セラミック基板が窒化アルミニウム基板または窒化けい素基板である請求項1記載のセラミック回路基板。
- 基板表面の鏡面光沢度5.0以上のセラミック基板を用い、ろう材金属成分がAg及びCuを含有し、活性金属と成分としてTiH2の含有量が1〜4質量%で、ろう材金属に含まれる酸素量が0.15質量%以下(0を含まず)であるろう材を用いて、真空度10−3Pa以下、接合温度780〜810℃、保持時間10〜30分で接合することを特徴とする請求項1または2記載のセラミック回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012240634A JP6100501B2 (ja) | 2012-10-31 | 2012-10-31 | セラミック回路基板および製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012240634A JP6100501B2 (ja) | 2012-10-31 | 2012-10-31 | セラミック回路基板および製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014090144A true JP2014090144A (ja) | 2014-05-15 |
JP6100501B2 JP6100501B2 (ja) | 2017-03-22 |
Family
ID=50791809
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012240634A Active JP6100501B2 (ja) | 2012-10-31 | 2012-10-31 | セラミック回路基板および製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6100501B2 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016013651A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | 電気化学工業株式会社 | ろう材及びこれを用いたセラミック基板 |
WO2016017679A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | 電気化学工業株式会社 | セラミックス回路基板及びその製造方法 |
JP2016169111A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | デンカ株式会社 | セラミックス回路基板 |
JP2017041567A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | デンカ株式会社 | セラミックス回路基板の製造方法 |
WO2017213207A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 田中貴金属工業株式会社 | セラミックス回路基板、及び、セラミックス回路基板の製造方法 |
CN110537256A (zh) * | 2017-04-25 | 2019-12-03 | 电化株式会社 | 陶瓷电路基板及其制造方法和使用了该陶瓷电路基板的组件 |
CN110709369A (zh) * | 2017-05-30 | 2020-01-17 | 电化株式会社 | 陶瓷电路基板和使用其的模块 |
TWI683403B (zh) * | 2015-03-30 | 2020-01-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 附有散熱片之電源模組用基板的製造方法 |
WO2020105734A1 (ja) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | デンカ株式会社 | セラミックス-銅複合体、セラミックス-銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール |
WO2021054317A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | デンカ株式会社 | 複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
US20220225498A1 (en) * | 2018-12-28 | 2022-07-14 | Denka Company Limited | Ceramic-copper composite, ceramic circuit board, power module, and method of producing ceramic-copper composite |
US20220288726A1 (en) * | 2020-02-17 | 2022-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Brazing material, bonded body, ceramic circuit board, and method for manufacturing bonded body |
WO2022224949A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
WO2022224958A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
US20220375819A1 (en) * | 2019-12-12 | 2022-11-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper/ceramic assembly and insulated circuit board |
WO2023008565A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
WO2023008562A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
JP7537900B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-08-21 | Dowaメタルテック株式会社 | ろう材およびその製造方法並びに金属-セラミックス接合基板の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03234045A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板およびこれを用いた半導体モジュール |
JPH06263554A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-20 | Toshiba Corp | セラミックス−金属接合基板 |
JP2002137974A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-14 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミック体と銅板の接合方法 |
JP2003055058A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-02-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミック体と銅板の接合方法 |
JP2010010563A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
JP2010016349A (ja) * | 2008-06-06 | 2010-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2012119519A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュール |
-
2012
- 2012-10-31 JP JP2012240634A patent/JP6100501B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03234045A (ja) * | 1990-02-09 | 1991-10-18 | Toshiba Corp | 窒化アルミニウム基板およびこれを用いた半導体モジュール |
JPH06263554A (ja) * | 1993-03-10 | 1994-09-20 | Toshiba Corp | セラミックス−金属接合基板 |
JP2002137974A (ja) * | 2000-10-25 | 2002-05-14 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミック体と銅板の接合方法 |
JP2003055058A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-02-26 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミック体と銅板の接合方法 |
JP2010016349A (ja) * | 2008-06-06 | 2010-01-21 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 |
JP2010010563A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法及びパワーモジュール用基板 |
JP2012119519A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denki Kagaku Kogyo Kk | セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュール |
Cited By (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016013651A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2016-01-28 | 電気化学工業株式会社 | ろう材及びこれを用いたセラミック基板 |
JPWO2016013651A1 (ja) * | 2014-07-24 | 2017-06-15 | デンカ株式会社 | ろう材及びこれを用いたセラミック基板 |
US9872380B2 (en) | 2014-07-29 | 2018-01-16 | Denka Company Limited | Ceramic circuit board and method for producing same |
WO2016017679A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | 電気化学工業株式会社 | セラミックス回路基板及びその製造方法 |
JPWO2016017679A1 (ja) * | 2014-07-29 | 2017-05-18 | デンカ株式会社 | セラミックス回路基板及びその製造方法 |
JP2016169111A (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-23 | デンカ株式会社 | セラミックス回路基板 |
TWI683403B (zh) * | 2015-03-30 | 2020-01-21 | 日商三菱綜合材料股份有限公司 | 附有散熱片之電源模組用基板的製造方法 |
JP2017041567A (ja) * | 2015-08-20 | 2017-02-23 | デンカ株式会社 | セラミックス回路基板の製造方法 |
KR20180133474A (ko) | 2016-06-10 | 2018-12-14 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 세라믹스 회로 기판, 및 세라믹스 회로 기판의 제조 방법 |
CN109315061A (zh) * | 2016-06-10 | 2019-02-05 | 田中贵金属工业株式会社 | 陶瓷电路基板及陶瓷电路基板的制造方法 |
JPWO2017213207A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2019-04-18 | 田中貴金属工業株式会社 | セラミックス回路基板、及び、セラミックス回路基板の製造方法 |
TWI658757B (zh) * | 2016-06-10 | 2019-05-01 | 日商田中貴金屬工業股份有限公司 | 陶瓷電路基板、及陶瓷電路基板的製造方法 |
US10485112B2 (en) | 2016-06-10 | 2019-11-19 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Ceramic circuit substrate and method for producing ceramic circuit substrate |
WO2017213207A1 (ja) * | 2016-06-10 | 2017-12-14 | 田中貴金属工業株式会社 | セラミックス回路基板、及び、セラミックス回路基板の製造方法 |
KR102129339B1 (ko) * | 2016-06-10 | 2020-07-03 | 다나카 기킨조쿠 고교 가부시키가이샤 | 세라믹스 회로 기판, 및 세라믹스 회로 기판의 제조 방법 |
CN109315061B (zh) * | 2016-06-10 | 2021-08-06 | 田中贵金属工业株式会社 | 陶瓷电路基板及陶瓷电路基板的制造方法 |
CN110537256A (zh) * | 2017-04-25 | 2019-12-03 | 电化株式会社 | 陶瓷电路基板及其制造方法和使用了该陶瓷电路基板的组件 |
JPWO2018199060A1 (ja) * | 2017-04-25 | 2020-02-27 | デンカ株式会社 | セラミックス回路基板及びその製造方法とそれを用いたモジュール |
US11452204B2 (en) * | 2017-04-25 | 2022-09-20 | Denka Company Limited | Ceramic circuit board, method for manufacturing ceramic circuit board, and module using ceramic circuit board |
EP3632879A4 (en) * | 2017-05-30 | 2020-05-20 | Denka Company Limited | CERAMIC PCB AND MODULE THEREFOR |
CN110709369A (zh) * | 2017-05-30 | 2020-01-17 | 电化株式会社 | 陶瓷电路基板和使用其的模块 |
US11570890B2 (en) | 2017-05-30 | 2023-01-31 | Denka Company Limited | Ceramic circuit board and module using same |
WO2020105734A1 (ja) * | 2018-11-22 | 2020-05-28 | デンカ株式会社 | セラミックス-銅複合体、セラミックス-銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール |
JPWO2020105734A1 (ja) * | 2018-11-22 | 2021-10-14 | デンカ株式会社 | セラミックス−銅複合体、セラミックス−銅複合体の製造方法、セラミックス回路基板およびパワーモジュール |
CN113165986A (zh) * | 2018-11-22 | 2021-07-23 | 电化株式会社 | 陶瓷-铜复合体、陶瓷-铜复合体的制造方法、陶瓷电路基板及功率模块 |
US12065385B2 (en) | 2018-11-22 | 2024-08-20 | Denka Company Limited | Ceramic-copper composite, method of producing ceramic-copper composite, ceramic circuit board, and power module |
US20220225498A1 (en) * | 2018-12-28 | 2022-07-14 | Denka Company Limited | Ceramic-copper composite, ceramic circuit board, power module, and method of producing ceramic-copper composite |
US12109640B2 (en) * | 2018-12-28 | 2024-10-08 | Denka Company Limited | Ceramic-copper composite, ceramic circuit board, power module, and method of producing ceramic-copper composite |
WO2021054317A1 (ja) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | デンカ株式会社 | 複合基板及びその製造方法、並びに、回路基板及びその製造方法 |
US20220375819A1 (en) * | 2019-12-12 | 2022-11-24 | Mitsubishi Materials Corporation | Copper/ceramic assembly and insulated circuit board |
US20220288726A1 (en) * | 2020-02-17 | 2022-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Brazing material, bonded body, ceramic circuit board, and method for manufacturing bonded body |
JP7537900B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-08-21 | Dowaメタルテック株式会社 | ろう材およびその製造方法並びに金属-セラミックス接合基板の製造方法 |
WO2022224958A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
WO2022224949A1 (ja) * | 2021-04-19 | 2022-10-27 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
WO2023008565A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
WO2023008562A1 (ja) * | 2021-07-30 | 2023-02-02 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6100501B2 (ja) | 2017-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6100501B2 (ja) | セラミック回路基板および製造方法 | |
JP6262968B2 (ja) | 電子部品搭載基板およびその製造方法 | |
EP3632879B1 (en) | Ceramic circuit board and method of production | |
JP7010950B2 (ja) | セラミックス回路基板及びその製造方法 | |
JP5359644B2 (ja) | パワーモジュール用基板、パワーモジュール及びパワーモジュール用基板の製造方法 | |
KR20200004799A (ko) | 세라믹스 회로 기판 및 그 제조 방법과 그것을 사용한 모듈 | |
JP4793622B2 (ja) | セラミックス回路基板およびパワーモジュール並びにパワーモジュールの製造方法 | |
CN105189109A (zh) | 接合体、功率模块用基板及自带散热器的功率模块用基板 | |
JP4053478B2 (ja) | 金属ベース回路基板の製造方法 | |
KR20160124118A (ko) | 세라믹스 회로 기판 | |
JP2015012187A (ja) | 接続構造体 | |
JP2016051778A (ja) | 金属−セラミックス接合基板 | |
JP7521388B2 (ja) | ヒートシンク一体型絶縁回路基板、および、ヒートシンク一体型絶縁回路基板の製造方法 | |
JP4104429B2 (ja) | モジュール構造体とそれを用いたモジュール | |
JP5069485B2 (ja) | 金属ベース回路基板 | |
TWI651814B (zh) | 附有Ag基材層之功率模組用基板及功率模組 | |
JP6031784B2 (ja) | パワーモジュール用基板及びその製造方法 | |
JP5011587B2 (ja) | 放熱板の製造法 | |
JP7369508B2 (ja) | セラミックス回路基板 | |
JP2023086688A (ja) | 銅/セラミックス接合体、および、絶縁回路基板 | |
JP6355091B1 (ja) | はんだ合金およびそれを用いた接合構造体 | |
JP2015080812A (ja) | 接合方法 | |
JP3871680B2 (ja) | セラミック基板、セラミック回路基板およびそれを用いた電力制御部品。 | |
WO2022202795A1 (ja) | 金属板材、積層体、および、絶縁回路基板 | |
JP2024041251A (ja) | 電子部品接合方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151022 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170221 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6100501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |