JP2012119519A - セラミックス回路基板およびこれを用いたモジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】セラミックス基板1の一方の面に金属回路3、他方の面に金属放熱板4が設けられてなるものであって、金属回路3の半導体搭載領域端部から0.3mm〜2mmの範囲に金属回路3とろう材2の合計の厚さDに対し20〜60%の厚さdの薄肉部分を有しており、その薄肉部分が溝状、若しくは複数の穴で形成され、溝状で形成されている場合、溝幅が、0.1〜0.8mmであり、複数の穴で形成される場合、穴径が0.1〜0.8mmであることを特徴とするセラミックス回路基板を用いることで、半導体素子5搭載後のはんだ層および金属回路端部のクラックを低減することができる。
【選択図】図3
Description
さらにこれらのろう材は、上記組成となるように各組成の粉末、若しくは一部合金化された粉末に残りの粉末を添加し用いたり、すべてを合金化した粉体を用いたりするペースト法を用いることができるが、用いる粉末の形状は、接合時の接触面積が大きいフレーク状を用いることで均一なろう材層を形成することができる。
本発明に関する薄肉部分の形成方法としては、マシニングセンタ等でスクエアエンドミルを代表とする切削工具を用いて加工することによっても得られるが、金属回路及び金属放熱板を金属板とセラミックス基板の接合体からエッチングによって形成させる場合には、その不連続面を回路形状の一部として組み込むことによって容易に行うことができる。
溝状、若しくは複数の穴の平面形状の寸法が0.1mm未満の場合、安定した形状を作成することが困難で、均一な応力緩和が得られないためにはんだ層やセラミックス基板にクラックが発生する場合があるためであり、0.8mmを越える場合、熱拡散のための金属容積が小さくなり、放熱性が低下するためである。
Ag粉末(フレーク状、比表面積1.0m2/g、タップ密度3.5g/cm3)、Cu粉末(酸素量0.13質量%、比表面積2.0m2/g)、Zr粉末(特級試薬)、TiH2粉末(特級試薬)を、Ag/Cu/Zr/TiH2=76.3/17.7/3/3(質量比)にして混合した。この粉末100質量部に、テレピネオール15質量部、ポリイソブチルメタクリレートのトルエン溶液を固形分として1.3質量部を混合してろう材ペーストを調整した。これを、厚み0.635mm×55mm×48mmの窒化アルミニウム基板(熱伝導率180W/mK、3点曲げ強度500MPa)の表面及び裏面に、ろう材層の厚み(乾燥後の厚み)10μmとなるようロールコーターを用いて塗布した。その後、表面に回路形成用銅板(厚み0.3mm、無酸素銅板)を、裏面に放熱板形成用銅板(厚み0.25mm、無酸素銅板)を重ね、6.5×10−4Paの真空炉中、820℃×30分保持した後、冷却速度5℃/minにて500℃まで冷却し、その後500℃×30分保持した後、1℃/minにて冷却し、銅板と窒化アルミニウム基板の接合体を製造した。
試験後、簡易モジュールを切断し、半導体素子と金属回路間のはんだクラック及び窒化アルミニウム基板のクラックの発生状態を光学実体顕微鏡にて観察した。
はんだクラック及び窒化アルミニウム基板のクラックのないものは良好と評価し、評価においてクラックのあるものは、以下の2段階で評価した。
クラックA:長さ100μm未満
クラックB:長さ100μm以上
◎:すべての評価において良好な結果であったもの。
○:熱衝撃試験において、はんだクラック、基板クラックのいずれにもクラックBがなく、いずれか若しくは両方がクラックAであるが、その他の評価において良好な結果であり、実用上、問題無いと考えられるもの。
×:熱衝撃試験において、はんだクラック、基板クラックのいずれかがクラックBでありその他の評価が悪く、実用上の問題を生じる可能性のあるもの。
2 ろう材
3 金属回路
4 金属放熱板
5 半導体素子
6 はんだ
7 放熱部材
D ろう材2と金属回路3を合計した厚み
d ろう材2と金属回路3に形成した薄肉部分を合計した厚み
w 平面寸法(溝状の場合:溝幅、穴状の場合:穴径)
L 半導体搭載領域端部からの距離
Claims (4)
- セラミックス基板の一方の面に金属回路、他方の面に金属放熱板が設けられてなるものであって、金属回路の半導体搭載領域端部から0.3mm〜2.0mmの範囲に金属回路とろう材の合計の厚さDに対し20〜60%の厚さdの薄肉部分を有していることを特徴とするセラミックス回路基板。
- 金属回路の半導体搭載領域の外周に形成された薄肉部分が溝状、若しくは複数の穴で形成されており、溝状で形成されている場合の溝幅が0.1〜0.8mmであり、複数の穴で形成される場合の穴径が0.1〜0.8mmであることを特徴とする請求項1記載のセラミックス回路基板。
- セラミックス基板の材質が窒化アルミニウム又は窒化ケイ素で、金属回路及び/ 又は金属放熱板の材質が銅、銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金であり、それらは活性金属を含むろう材により接合されてなるものであることを特徴とする請求項1乃至2に記載されたセラミックス回路基板。
- 請求項1乃至3に記載のセラミックス回路基板を使用したモジュール。
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