JP7080881B2 - セラミックス回路基板及びそれを用いたモジュール - Google Patents
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Description
2 セラミックス回路基板接合界面(TiN接合層)
3 ろう材層
4 銅板
a 全体長さ
b ろう材不連続長さ
本発明のセラミックス回路基板は、セラミックス基板と銅板が、AgおよびCuと、TiおよびZrから選ばれた少なくとも1種類の活性金属成分と、In、Zn、CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素を含むろう材を介して接合され、接合後のろう材層の連続率が80%以上且つろう材層のビッカース硬度が60~85Hvであることを特徴とするセラミックス回路基板である。
本発明のセラミックス回路基板に使用されるセラミックス基板としては、特に限定されるものではなく、窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の窒化物系セラミックス、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム等の酸化物系セラミックス、炭化ケイ素等の炭化物系セラミックス、ほう化ランタン等のほう化物系セラミックス等を使用できる。但し、金属板を活性金属法でセラミックス基板に接合するため、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等の非酸化物系セラミックスが好適である。
ろう材層の連続率(%)=(全体長さ-ろう材不連続長さ)/全体長さ×100・・・(I)
ろう材層の連続率は耐熱サイクル性の観点から、80%以上が好ましく、より好ましくは90%以上である。80%未満の場合には熱ストレスが局所的に集中し易くなり、耐熱サイクル性が低下し易い。
また、本発明の一実施形態において、セラミックス回路基板の接合ボイド率は、1.0%以下が好ましく、0.5%以下がより好ましく、0.2%以下がさらに好ましい。
さらに、本発明の一実施形態のセラミックス回路基板の、-55℃にて15分、150℃にて15分を1サイクルとする耐ヒートサイクル試験にて、2000サイクル繰り返し試験におけるクラック率は、1.0%未満であることが好ましく、0.8%未満であることがより好ましく、0.2%未満であることがさらに好ましい。
本発明のセラミックス回路基板の製造方法は、Agを75~99質量部、Cuを1~25質量部、TiおよびZrから選択される少なくとも1種類の活性金属成分を0.5~6質量部、In、Zn、CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素を0.4~5質量部含有するろう材を用い、真空度1.0×10-3Pa以下、接合温度700℃~820℃、保持時間10~60分で接合することを含み、ろう材に用いられるAg粉末粒子のタップ密度が3g/cm3以上である、製造方法である。本発明の一実施形態において、セラミックス基板と金属板の接合は、真空中にて700℃~820℃の温度かつ10~60分の時間で接合することが好ましい。接合温度としては、720~810℃がより好ましく、740~800℃がさらに好ましい。保持時間としては、20~60分がより好ましく、30~50分がさらに好ましい。接合温度を700℃以上とし、保持時間を10分以上とすることで、TiやZrの化合物の生成が十分にできないために部分的に接合できなくなるのを抑制する頃ができ、接合温度を820℃以下とし、保持時間を60分以下とすることで、接合時の熱膨張率差に由来する熱ストレスが増加し、耐熱サイクル性が低下するのを抑制することができる。
[実施例1]
厚み0.32mmの窒化ケイ素基板に、Ag粉末(福田金属箔粉工業(株)製:Ag-HWQ 2.5μm)90質量部およびCu粉末(福田金属箔粉工業(株)製:Cu-HWQ 3μm)10質量部の合計100質量部に対して、TiH2粉末((株)大阪チタニウムテクノロジーズ製:TSH-350)を3.5質量部およびSn粉末(福田金属箔粉工業(株)製:Sn-HPN 3μm)を3質量部含む活性金属ろう材を塗布し、回路面に厚み0.8mm、裏面に0.8mmの無酸素銅板を1.0×10-3Pa以下の真空中にて800℃かつ30分の条件で接合した。
接合した回路基板を超音波探傷装置((株)日立パワーソリューション製:FS-Line)にて測定後、回路の面積に占める接合ボイドの面積を計算した。
作製した窒化ケイ素回路基板を、-55℃にて15分、150℃にて15分を1サイクルとする耐ヒートサイクル試験にて、2000サイクル繰り返し試験を行った後、塩化銅液およびフッ化アンモニウム/過酸化水素エッチングで銅板およびろう材層を剥離し、窒化ケイ素基板表面の水平クラック面積を画像解析ソフトGIMP2(閾値140)にて二値化し算出した後、水平クラック面積/回路パターンの面積よりクラック率を算出した。
接合ボイド率が1.0%以下でかつクラック率が0.2%未満のものを◎、接合ボイド率が1.0%以下でかつクラック率が1.0%以下のものを○、接合ボイド率が1.0%より大きいもしくはクラック率が1.0%より大きいものを×として判定した。
表1に示す条件としたこと以外は、実施例1と同様に行った。評価結果を表2に示す。
Claims (4)
- セラミックス基板と銅板が、AgおよびCuと、TiおよびZrから選択される少なくとも1種類の活性金属成分と、In、Zn、CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素とを含むろう材を介して接合され、接合後のろう材層の連続率が80%以上且つろう材層のビッカース硬度が60~85Hvであることを特徴とするセラミックス回路基板。
- セラミックス基板が窒化アルミニウム基板または窒化ケイ素基板であることを特徴とする請求項1に記載のセラミックス回路基板。
- 銅板の厚さが0.2~2.0mmであることを特徴とする請求項1または2に記載のセラミックス回路基板。
- Agを75~99質量部、Cuを1~25質量部、TiおよびZrから選択される少なくとも1種類の活性金属成分を0.5~6質量部、In、Zn、CdおよびSnから選択される少なくとも1種の元素を0.4~5質量部含有するろう材を用い、真空度1.0×10-3Pa以下、接合温度700℃~820℃、保持時間10~60分で接合することを含み、ろう材に用いられるAg粉末粒子のタップ密度が3g/cm3以上である、請求項1~3のいずれかに一項に記載のセラミックス回路基板の製造方法。
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