JPH0238378A - セラミツクスのはんだ付方法 - Google Patents
セラミツクスのはんだ付方法Info
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- JPH0238378A JPH0238378A JP18843888A JP18843888A JPH0238378A JP H0238378 A JPH0238378 A JP H0238378A JP 18843888 A JP18843888 A JP 18843888A JP 18843888 A JP18843888 A JP 18843888A JP H0238378 A JPH0238378 A JP H0238378A
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- soldering
- plating
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- Pending
Links
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はセラミックスのはんだ付方法に係り、特に、セ
ラミックス表面がＡｇまたはＡｇとＣｕとの合金中にＴ
ｉ、Ｚｒ、’Ｈｆのいずれか一種以上を含むろう材によ
ってメタライズされたセラミックス表面に好適なはんだ
付方法に関する。
ラミックス表面がＡｇまたはＡｇとＣｕとの合金中にＴ
ｉ、Ｚｒ、’Ｈｆのいずれか一種以上を含むろう材によ
ってメタライズされたセラミックス表面に好適なはんだ
付方法に関する。
特公昭３６−１２５７５号公報の発明によるＡ ｇ ｅ
ＣｕまたはＡｇと合金中にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の活性金
属を含むろう材は、セラミックス同士、または、セラミ
ックスと金属とを直接接合できる利点があるため広く採
用されつつある。
ＣｕまたはＡｇと合金中にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ等の活性金
属を含むろう材は、セラミックス同士、または、セラミ
ックスと金属とを直接接合できる利点があるため広く採
用されつつある。
しかし、この方法によってセラミックス表面をメタライ
ズ後、はんだ付する場合、このメタライズ表面にＴｉ等
の活性金属が含まれているため、表面にＴｉ酸化膜が形
成され、はんだのぬれ性が悪く、直接、はんだ付するこ
とはできない。このため、発明者らはこの表面層を除去
後、Ｎｉめつきを施してはんだ付を行う方法を提案して
いる。
ズ後、はんだ付する場合、このメタライズ表面にＴｉ等
の活性金属が含まれているため、表面にＴｉ酸化膜が形
成され、はんだのぬれ性が悪く、直接、はんだ付するこ
とはできない。このため、発明者らはこの表面層を除去
後、Ｎｉめつきを施してはんだ付を行う方法を提案して
いる。
しかし、この方法は表面層を除去する工程を要するため
コスト高となる。
コスト高となる。
また、表面層を除去した場合でも、メタライズ層のＡｇ
とＮｉめつきの金属的親和力が小さく、Ｎｉめつきの剥
離、ふくれ、クラック等が生じることがある。
とＮｉめつきの金属的親和力が小さく、Ｎｉめつきの剥
離、ふくれ、クラック等が生じることがある。
上記従来技術はメタライズ表面のはんだ付性について十
分な考慮がされておらず、メタライズ表面とはんだ層と
の間の信頼性に問題があった。
分な考慮がされておらず、メタライズ表面とはんだ層と
の間の信頼性に問題があった。
本発明の目的はろう材によってメタライズされた表面に
信頼性の高いはんだ付を行うことにある。
信頼性の高いはんだ付を行うことにある。
上記目的はメタライズされたろう材によりメタライズさ
れた表面にはんだ付前にＣｕめつきを施し、その後、Ｎ
ｉめつきをした後にはんだ付することにより達成される
。
れた表面にはんだ付前にＣｕめつきを施し、その後、Ｎ
ｉめつきをした後にはんだ付することにより達成される
。
メタライズの表面に施されたＣｕめつき層のＣｕはメタ
ライズ表面のＴｉ、及びＡｇとの金属的親和力が大きい
ため、直接Ｎｉめつきが施された場合に比べて信頼性の
高いはんだ材部が得られることが判明した。さらに、こ
のＣｕめつきだけでは酸化されやすいため、Ｃｕめつき
後、Ｎｉめつきを施すことがより望ましい。
ライズ表面のＴｉ、及びＡｇとの金属的親和力が大きい
ため、直接Ｎｉめつきが施された場合に比べて信頼性の
高いはんだ材部が得られることが判明した。さらに、こ
のＣｕめつきだけでは酸化されやすいため、Ｃｕめつき
後、Ｎｉめつきを施すことがより望ましい。
更に、メタライズ表面のＴｉ酸化膜を除去後Ｃｕめつき
層を設けることにより、はんだ材部の信頼性はより向上
する。
層を設けることにより、はんだ材部の信頼性はより向上
する。
Ｃｕめつきは物理的、化学的方法のいずれでも本目的を
達成できる。化学的方法は電気めっき。
達成できる。化学的方法は電気めっき。
無電解めっきのいずれでも良い。
物理的方法は蒸着、スパッタ等がある。
ＮｉめつきもＣｕめつきと同じ方法により施すことがで
きる。
きる。
前述のように、Ｎｉめつき前にＣｕめつき層を設けるこ
とにより、Ｎｉめつきの剥離、クラック等が発生せず更
に、はんだ層との密着性が向上する。
とにより、Ｎｉめつきの剥離、クラック等が発生せず更
に、はんだ層との密着性が向上する。
〈実施例Ｉ〉
Ａｌ２ｚＯａセラミックス表面に７２ｗｔ％Ａｇ−Ｃｕ
の合金中に約３ｗｔ％のＺｒを添加したろう材により厚
さ５０μｍのメタライズを施した。このメタライズはＡ
ｒ中で８３０℃、３分間の加熱により行った。
の合金中に約３ｗｔ％のＺｒを添加したろう材により厚
さ５０μｍのメタライズを施した。このメタライズはＡ
ｒ中で８３０℃、３分間の加熱により行った。
この方法によりメタライズされた表面にはんだ付前に厚
さ約２μｍの無電解Ｃｕめつきを施した後、厚さ約３μ
ｍの無電解Ｎｉめつきを施した。
さ約２μｍの無電解Ｃｕめつきを施した後、厚さ約３μ
ｍの無電解Ｎｉめつきを施した。
このＮｉめつきの表面に６０ｗｔ％５ｎ−Ｐｂの共晶は
んだによりコバール箔をはんだ付し、剥離試験を行った
結果、全てはんだ層から破断しメタライズ界面からの剥
離はなかった。
んだによりコバール箔をはんだ付し、剥離試験を行った
結果、全てはんだ層から破断しメタライズ界面からの剥
離はなかった。
〈実施例「〉
ＡＱＮセラミックス表面に７２ｗｔ％Ａｇ−Ｃｕ合金粉
末中に約５ｗｔ％のＴｉ粉末を添加したペースト状のろ
う材により、厚さ約６０μｍのメタライズ層を形成した
。このメタライズは真空中で８５０℃、３分間の加熱に
より行った。
末中に約５ｗｔ％のＴｉ粉末を添加したペースト状のろ
う材により、厚さ約６０μｍのメタライズ層を形成した
。このメタライズは真空中で８５０℃、３分間の加熱に
より行った。
冷却後このメタライズ表面を約１０μｍ除去し、このメ
タライズ表面に実施例■と同様の方法でＣＵめつきとＮ
ｉめつきを施した後、ムライトとのはんだ付を行った。
タライズ表面に実施例■と同様の方法でＣＵめつきとＮ
ｉめつきを施した後、ムライトとのはんだ付を行った。
このはんだ材部に温度サイクル（−５０℃−１５０℃）
を与え、はんだ材部の信頼性について検討した結果、メ
タライズ層とはんだ層との界面からの剥離は見られなか
った。
を与え、はんだ材部の信頼性について検討した結果、メ
タライズ層とはんだ層との界面からの剥離は見られなか
った。
本発明によれば、メタライズ表面とはんだ材部との密着
性が向上し、セラミックスとはんだ材部との接着性がよ
くなる。
性が向上し、セラミックスとはんだ材部との接着性がよ
くなる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、セラミックス表面がＡｇ、または、ＡｇとＣｕとの
合金中にＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆの中から選ばれる元素の中の
少なくとも一種以上を含むろう材によつてメタライズさ
れた表面にはんだ付する方法において、 前記はんだ付前に予め前記メタライズされた表面に予め
Ｃｕのめつき層を設けた後にＮｉめつき層を設けること
を特徴とするセラミックスのはんだ付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18843888A JPH0238378A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | セラミツクスのはんだ付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18843888A JPH0238378A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | セラミツクスのはんだ付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0238378A true JPH0238378A (ja) | 1990-02-07 |
Family
ID=16223681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18843888A Pending JPH0238378A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | セラミツクスのはんだ付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0238378A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6533161B1 (en) * | 1993-06-18 | 2003-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Process for producing a gas-tight soldered joint and use of the process in the production of components with a vacuum-tight casing |
| US6663982B1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-16 | Sandia Corporation | Silver-hafnium braze alloy |
| CN110709369A (zh) * | 2017-05-30 | 2020-01-17 | 电化株式会社 | 陶瓷电路基板和使用其的模块 |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP18843888A patent/JPH0238378A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6533161B1 (en) * | 1993-06-18 | 2003-03-18 | Siemens Aktiengesellschaft | Process for producing a gas-tight soldered joint and use of the process in the production of components with a vacuum-tight casing |
| US6663982B1 (en) * | 2002-06-18 | 2003-12-16 | Sandia Corporation | Silver-hafnium braze alloy |
| CN110709369A (zh) * | 2017-05-30 | 2020-01-17 | 电化株式会社 | 陶瓷电路基板和使用其的模块 |
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