JP5388697B2 - 多数個取り回路基板、回路基板、及びそれを用いたモジュール - Google Patents
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Description
厚み1.0mm、サイズ127mm×127mmの窒化アルミニウム基板(熱伝導率170W/mK、3点曲げ強度400MPa)から、サイズ58mm×15.5mmの回路基板が複数個得られるように、炭酸ガスレーザー加工機(進和テック社製LMP−221−200)にてレーザー痕による分割孔を施し、表1、図1に示されるセラミックス基板を製造した。なお、レーザー加工機の焦点距離によってレーザー痕の円錐角を調整し、レーザー出力によってレーザー痕の深さ(d)を調整し、ピッチによって交点高さ(h)を調整した。
回路基板の分割破断面を実体顕微鏡にて観察し、ろう材やめっき液等の残渣のあったレーザー痕数を数え、全レーザー痕数に対する比率を算出した。
回路基板の最大長さをノギスで測定し、寸法許容範囲を基準として寸法判定を行った。
JIS R 1601に準拠して測定した。
回路基板、回路基板の大きさのはんだ片(はんだ組成;Pb90質量%−Sn10質量%)、銅製放熱板(厚み10mm)を積層し、水素雰囲気中ではんだ付けした後、−40℃×30分〜25℃×10分〜125℃×30分〜25℃×10分を1サイクルとし、100サイクル実施後にフロリナート(住友3M社製「フロリナートFC−77」)中、回路面、放熱板間にAC7.0Kvを1分印加し、リーク電流1mAにて判定した。
d レーザー痕の深さ
h 隣接するレーザー痕の外周面の交点高さ
θ 円錐角
Claims (4)
- セラミックス基板の表面に金属回路、裏面に金属放熱板が形成されてなる回路基板であって、上記セラミックス基板にはレーザー痕の形状が円錐でありその円錐角が70°〜110°の分割孔が施されており、セラミックス基板の厚み(D)に対するレーザー痕の深さ(d)の比(d/D)が0.1〜0.25で、しかもレーザー痕の深さ(d)に対する隣接するレーザー痕の外周面の交点高さ(h)の比(h/d)が0.2〜0.6であることを特徴とする多数個取り回路基板。
- セラミックス基板が窒化アルミニウム基板又は窒化ケイ素基板である請求項1記載の多数個取り回路基板。
- 請求項1又は2記載の多数個取り回路基板から分割された回路基板。
- 請求項3記載の分割された回路基板を用いて構成されたモジュール。
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