JP2014086491A - トランジスタの制御回路及び電源装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランジスタの制御回路は、ゲート−ドレイン間に制御電極を有するトランジスタのドレイン電圧値を判定するドレイン電圧判定回路と、前記制御電極に正の電位を印加する電極制御回路とを含む。
【選択図】図4
Description
本発明は、高電子移動度トランジスタの制御回路及び電源装置に関する。
20 ゲート制御回路
30 GaN−HEMT
40 フィールドプレート
42 ソース電極用パッド
46 ゲートフィールドプレート
44 ドレイン電極用パッド
50 比較電圧生成回路
60 ドレイン電圧判定回路
70 FP電圧制御回路
81 ソース電極
82 ドレイン電極
83 ゲート電極
85、86 コンタクトプラグ
90 SiC基板
91 AlN層
92 i−GaN層
93 二次元電子ガス
94 n−AlGaN層
95 層間絶縁膜
200 交流電源
210 整流回路
220 PFC回路
260 DC−DCコンバータ
270 負荷回路
Claims (9)
- ゲート−ドレイン間に制御電極を有するトランジスタの前記制御電極に正の電位を印加する電極制御回路
を含むことを特徴とするトランジスタの制御回路。 - 前記トランジスタのドレイン電圧値を判定するドレイン電圧判定回路
をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のトランジスタの制御回路。 - 前記電極制御回路は、前記ドレイン電圧判定回路の判定結果に基づいて、前記制御電極に正の電位を印加する
ことを特徴とする請求項3記載のトランジスタの制御回路。 - 前記電極制御回路は、第1の正の電位と、前記第1の電位より高い第2の正の電位を前記制御電極に印加する
ことを特徴とする請求項3記載のトランジスタの制御回路。 - 前記ドレイン電圧判定回路は、
前記ドレイン電圧を分圧する分圧回路と、
複数の比較電圧を生成する比較電圧生成回路と、
前記分圧回路で分圧されたドレイン電圧と、前記複数の比較電圧とを比較する比較回路と
を含むことを特徴とする請求項1記載のトランジスタの制御回路。 - 前記トランジスタが窒素を含む化合物半導体で構成されている
ことを特徴とする請求項1記載のトランジスタの制御回路。 - DC−DCコンバータと前記DC−DCコンバータへ電力を供給する電源回路とを有する電源装置であって、
前記電源回路は、
ゲート−ドレイン間に制御電極を有するトランジスタの前記制御電極に正の電位を印加する電極制御回路
を含むことを特徴とする電源装置。 - 前記トランジスタのドレイン電圧値を判定するドレイン電圧判定回路
をさらに含むことを特徴とする請求項7記載の電源装置。 - 前記電極制御回路は、前記ドレイン電圧判定回路の判定結果に基づいて、前記制御電極に正の電位を印加することを特徴とする請求項8記載の電源装置。
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