JP2014085348A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014085348A5 JP2014085348A5 JP2013217536A JP2013217536A JP2014085348A5 JP 2014085348 A5 JP2014085348 A5 JP 2014085348A5 JP 2013217536 A JP2013217536 A JP 2013217536A JP 2013217536 A JP2013217536 A JP 2013217536A JP 2014085348 A5 JP2014085348 A5 JP 2014085348A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- interconnect
- test
- storage element
- test data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003111 delayed Effects 0.000 claims description 8
- 230000001143 conditioned Effects 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising Effects 0.000 claims description 3
- 230000003750 conditioning Effects 0.000 claims description 2
- 230000000644 propagated Effects 0.000 claims 1
- 230000001902 propagating Effects 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent Effects 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Description
本発明の実施形態に係るテスト回路の利点は、立ち上がり遅延欠陥又は立ち下がり遅延欠陥などの遷移遅延欠陥が生じるか否か判断するための簡単な方法を提供することにある。この決定は読み出し手段によって行われる。1つの実装において、遷移がテスト回路の入力ポートにおいて生じた後、遷移前と同じ値を読み出し手段が読み出す場合、遷移遅延欠陥が生じたと決定される。遷移がテスト回路の入力ポートにおいて生じた後、遷移前とは異なる値を読み出し手段が読み出す場合、遷移遅延欠陥が生じていないと決定される。代替の実施形態において、反転した値は、このような決定をもたらす可能性がある。従って、そのような実施形態では、遷移がテスト回路の入力ポートにおいて生じた後、遷移前と同じ値を読み出し手段が読み出す場合、遅延欠陥が生じていないと決定される。また、遷移がテスト回路の入力ポートにおいて生じた後、遷移前とは異なる値を読み出し手段が読み出す場合、遅延欠陥が生じたと決定される。
第3の態様において、本発明は、少なくとも第1のダイ間相互接続によって互いに電気的に接続された少なくとも第1のダイ及び第2のダイを備える構造物中のダイ間相互接続における遷移遅延欠陥のテスト方法を提供する。本方法は以下のステップを含む。
テストデータ値を受信すること、
データ記憶素子に一時的にテストデータ値を格納すること、
第1のダイ間相互接続と、第1のダイへ戻る別のダイ間相互接続とを備えるフィードバックループを介して、第1のダイからテストデータ値を送信すること、
受信されたテストデータ値から識別可能であるように、フィードバックされたテストデータ値に条件付けて、データ記憶素子に供給すること、
予め決められた遅延の後、データ記憶素子にテストデータ値が格納されているか、それとも条件付けられたテストデータ値が格納されているかを決定し、そこから、遷移遅延欠陥が生じているか否かを決定すること。
テストデータ値を受信すること、
データ記憶素子に一時的にテストデータ値を格納すること、
第1のダイ間相互接続と、第1のダイへ戻る別のダイ間相互接続とを備えるフィードバックループを介して、第1のダイからテストデータ値を送信すること、
受信されたテストデータ値から識別可能であるように、フィードバックされたテストデータ値に条件付けて、データ記憶素子に供給すること、
予め決められた遅延の後、データ記憶素子にテストデータ値が格納されているか、それとも条件付けられたテストデータ値が格納されているかを決定し、そこから、遷移遅延欠陥が生じているか否かを決定すること。
本発明の特定の態様及び好ましい態様は、添付の独立請求項及び従属請求項に記載される。従属請求項の特徴は、独立請求項の特徴及び適切であれば他の従属請求項の特徴と組み合わされてもよく、請求項において明示的に記載されたものだけではない。
検出器ユニット31は、テストデータ値を一時的に格納するためのデータ記憶素子33を備える。検出器ユニットは、選択制御信号に基づいて、相互接続テストを実行すべきか否かを選択し、実行すべきであるとき、どのデータを第2のダイにルーティングしなければならないか、また、どの信号をデータ記憶素子33にルーティングしなければならないかを選択するための、選択論理回路34をさらに備える。さらに、データコンディショナー35は、第2のダイDie 2に送信されたデータから明確に区別できるようにするために、フィードバックループを介して第2のダイDie 2から返信されたデータに条件付けるために提供される。クロックパルス発生器36は、データ記憶素子にフィードバックする前にテストデータ上の遅延を提供するために提供される。
第5のステップにおいて、遅れたクロックパルスは、データ記憶素子33に到着し、条件付けられて到着したループバックデータ、例えば反転したループバックデータを取得する。
立ち下がり欠陥、すなわち、信号がハイレベルからローレベルに、例えば論理1から論理0に遷移するときの欠陥を決定するために、最初に、例えば論理1のハイレベルのテストデータ値によってテストが初期化される。ANDゲート44への第2の入力の値と無関係に、初期化中にRUN信号がローレベルであるとき、第1のマルチプレクサ41及び第2のマルチプレクサ42を制御するために、例えば論理0のローレベルの制御信号が生成される。第2のマルチプレクサ42は、ラッパーセル70のマルチプレクサ91に、ピンSIに印加されるテストデータを供給するように、立ち上がり欠陥を決定する場合であれば例えば論理1のハイレベル信号を供給するように制御される。マルチプレクサ91はScanEnable信号によって制御され、SIピンから出力される例えば論理1のハイレベル信号が、フリップフロップ33のデータ入力ポートDに転送されることを可能にする。第1のマルチプレクサ41は、フリップフロップ33のクロックポートCLKに外部クロック信号CLKを供給するように、ANDゲート44からの制御信号によって制御される。クロック信号がフリップフロップ33のクロックポートCLKに到着するとき、そのデータポートDに存在するデータは、その出力ポートQに転送される。立ち下がり欠陥に関してテストする例において、ロードした初期化テストデータは、例えば論理1のハイレベル値からなる。従って、このハイレベル値はフリップフロップ33の出力ポートQに転送される。
遅延チェックが行なわれたとき、Extestは、例えば論理1のハイレベル値をなお有し、第3のマルチプレクサ43は、フリップフロップ33の出力ポートQからの信号、すなわち例えば論理0のローレベルを、第1の相互接続Interconnect 1へ通過させることができる。同時に、この例えば論理0のローレベル値はインバーター90へルーティングされ、ここで、それは例えば論理1のハイレベル値へ変換され、これは、遅延素子40の入力に印加され、また、ANDゲート44の第2のポートに印加される。
図15の3つの部分図のすべてにおいて、以下の条件を与える:
・Die 1はより下位/下のダイであり、Die 2はより上位/上のダイである。これは図15の実施形態に当てはまるが、本発明を限定することを意図していない。
・Interconnect 1は、機能上の相互接続、すなわち、IC設計の機能上のミッションモードの一部であった相互接続であり、遅延欠陥に関してテストされるべきものである。
・Interconnect 2は、テストのみの相互接続、すなわち、機能上のミッションモード設計の一部ではないが、テスト目的でのみ追加される相互接続である。
・Die 1はより下位/下のダイであり、Die 2はより上位/上のダイである。これは図15の実施形態に当てはまるが、本発明を限定することを意図していない。
・Interconnect 1は、機能上の相互接続、すなわち、IC設計の機能上のミッションモードの一部であった相互接続であり、遅延欠陥に関してテストされるべきものである。
・Interconnect 2は、テストのみの相互接続、すなわち、機能上のミッションモード設計の一部ではないが、テスト目的でのみ追加される相互接続である。
図16(a)において、Die 1及びDie 2における機能回路は、矢印で示すように、反対方向のInterconnect 1及びInterconnect 2を使用している。テストモードにおいて、Interconnect 1及びInterconnect 2を通るフィードバックループは、これらの相互接続を、その機能上の使用のために意図されたように、同じ向きで再利用する。テスト目的での機能上の相互接続の再利用は、機能上の経路上にテスト信号を多重化する制御可能スイッチを必要とする。図16(a)の例において、検出回路31は、Die 1内にあって、Interconnect 1を制御する。さらに、Die 2において、Interconnect 2の機能上の経路上にテスト信号を多重化するスイッチ160を示し、このスイッチは、例えばマルチプレクサとして実装され、適切な制御信号LBによって制御されてもよい。
図16(b)において、Die 1及びDie 2における機能回路は、Interconnect 1及びInterconnect 2を同じ向きで使用し、この例では、矢印で示すように、Die 1からDie 2に進む。テストモードはこれらの相互接続を再使用している。フィードバックループを作成するために、2つの相互接続が信号を反対方向に伝送することが必要とされる。それを達成するために、この例では、Interconnect 2は、テストモードでは、その機能上の方向の反対方向に使用される。相互接続自体は方向性を持たないが、相互接続のまわりの回路がその方向を規定する。従って、Interconnect 2の方向を機能モードからテストモードに変化させるために、いずれかのダイにおいて、3状態を可能にするドライバを実装する必要がある。図16(b)の例において、この方向再構成は、疑似静的な制御信号LBによって制御される。
Claims (16)
- 少なくとも第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)によって互いに電気的に接続された少なくとも第1のダイ(Die 1)及び第2のダイ(Die 2)を備える構造物中のダイ間相互接続における遷移遅延欠陥をテストするためのテスト回路(30)であって、
上記テスト回路(30)は、
テストデータ値を受信するための入力ポート、
上記テストデータ値を一時的に格納するためのデータ記憶素子(33)、
少なくともテストされる上記第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)に関して、上記第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)に電気的に接続され(32)、上記データ記憶素子(33)からのテストデータ値を上記データ記憶素子(33)に転送して戻すためのフィードバックループを形成するように構成された、別のダイ間相互接続(Interconnect 2)、
フィードバックされたテストデータ値を上記格納されたテストデータ値から識別可能にするように、上記フィードバックされたテストデータ値に対して条件付けるためのデータコンディショナ、
遅れたクロックパルスを生成するためのクロックパルス発生器(36)、
上記生成された遅れたクロックパルス及び上記フィードバックされて条件つけられたテストデータ値を上記データ記憶素子に適用するための選択論理回路、及び、
上記データ記憶素子(33)に格納されたテストデータ値を読み出すための読み出し手段を備えるテスト回路。 - 上記クロックパルス発生器(36)は、上記遅れたクロックパルスの生成のために、上記フィードバックループを介して送られたテストデータ値の等価物を遅らせるための遅延素子(40)を備える請求項1に記載のテスト回路。
- 上記クロックパルス発生器は、上記遅れたクロックパルスが、上記フィードバックループを介して伝搬するときのテストデータ信号の予想された機能上の遅延より大きな遅延を有するように構成される請求項1又は2記載のテスト回路。
- 上記クロックパルス発生器(36)は、固定された遅延を有する遅延素子によって実装される請求項1〜3のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 上記クロックパルス発生器(36)は、プログラム可能な遅延を有する遅延素子によって実装される請求項1〜3のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 上記選択論理回路(34)は、そのデータ入力に代替入力が提供されるように上記データ記憶素子(33)を制御するためのマルチプレクサー(42)を備え、
上記データ入力において提供された代替入力は、外部から供給されたテストデータ信号と、上記フィードバックループを介して伝搬した後の当該テストデータ信号とのいずれかである、請求項1〜5のいずれか1つに記載のテスト回路。 - 上記選択論理回路(34)は、そのクロック入力に代替入力が提供されるようにデータ記憶素子(33)を制御するためのマルチプレクサー(41)を備え、
上記クロック入力において提供された代替入力は、外部で生成されたクロック信号及び上記遅れたクロックパルスのいずれかである、請求項1〜6のいずれか1つに記載のテスト回路。 - 上記テスト回路は、テスト目的の既存のラッパーセルと組み合わされる、請求項1〜7のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 立ち上がり遷移遅延欠陥、立ち下がり遷移遅延欠陥、あるいは両方を決定するためだけに構成された、請求項1〜8のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 上記データ記憶素子(33)はフリップフロップを備える、請求項1〜9のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 上記別のダイ間相互接続(Interconnect 2)は機能上の相互接続である、請求項1〜10のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 上記別のダイ間相互接続(Interconnect 2)はテストのみの相互接続である、請求項1〜10のいずれか1つに記載のテスト回路。
- 少なくとも第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)によって互いに電気的に接続された少なくとも第1のダイ(Die 1)及び第2のダイ(Die 2)を備えた構造物であって、上記第1のダイ(Die 1)及び上記第2のダイ(Die 2)の少なくとも1つは第1の電気回路を備え、
上記第1又は第2のダイ(Die 1, Die 2)の少なくとも1つは、少なくとも1つのダイ間相互接続における遷移遅延欠陥に関してテストするためのテスト回路をさらに備え、
上記テスト回路は、
テストデータ値を受信するための入力ポート、
上記テストデータ値を一時的に格納するためのデータ記憶素子(33)、
少なくともテストされる上記第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)に関して、上記第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)に電気的に接続され(32)、上記データ記憶素子(33)からのテストデータ値を上記データ記憶素子(33)に転送して戻すためのフィードバックループを形成するように構成された、別のダイ間相互接続(Interconnect 2)、
フィードバックされたテストデータ値を上記格納されたテストデータ値から識別可能にするように、上記フィードバックされたテストデータ値に対して条件付けるためのデータコンディショナ、
遅れたクロックパルスを生成するためのクロックパルス発生器(36)、
上記生成された遅れたクロックパルス及び上記フィードバックされて条件つけられたテストデータ値を上記データ記憶素子に適用するための選択論理回路、及び、
上記データ記憶素子(33)に格納されたテストデータ値を読み出すための読み出し手段を備える構造物。 - 少なくとも上記第1のダイ(Die 1)及び上記第2のダイ(Die 2)は3Dチップ構成で互いの上にスタックされる請求項13に記載の構造物。
- 上記第1のダイ間相互接続及び上記別のダイ間相互接続は、第3のダイを介して貫通する請求項13に記載の構造物。
- 少なくとも第1のダイ間相互接続(Interconnect 1)によって互いに電気的に接続された少なくとも第1のダイ(Die 1)及び第2のダイ(Die 2)を備える構造物中のダイ間相互接続における遷移遅延欠陥をテストするための方法であって、
上記方法は、
テストデータ値を受信すること、
データ記憶素子に一時的に上記テストデータ値を格納すること、
上記第1のダイ間相互接続と、上記第1のダイへ戻る別のダイ間相互接続とを備えるフィードバックループを介して、上記第1のダイから上記テストデータ値を送信すること、
受信されたテストデータ値から識別可能であるように、フィードバックされたテストデータ値に対して条件付けを行って、上記データ記憶素子に供給すること、
予め決められた遅延の後、上記データ記憶素子に上記テストデータ値が格納されているか、それとも上記条件付けられたテストデータ値が格納されているを決定し、そこから、遷移遅延欠陥が生じたか否かを決定することを含む方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP12189267.3A EP2722680B1 (en) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | Transition delay detector for interconnect test |
EP12189267.3 | 2012-10-19 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014085348A JP2014085348A (ja) | 2014-05-12 |
JP2014085348A5 true JP2014085348A5 (ja) | 2016-09-23 |
JP6317562B2 JP6317562B2 (ja) | 2018-04-25 |
Family
ID=47257446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013217536A Active JP6317562B2 (ja) | 2012-10-19 | 2013-10-18 | 相互接続テストのための遷移遅延検出器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9568536B2 (ja) |
EP (1) | EP2722680B1 (ja) |
JP (1) | JP6317562B2 (ja) |
CN (1) | CN103777090B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8975933B1 (en) * | 2012-07-02 | 2015-03-10 | Marvell Israel (M.I.S.L.) Ltd. | Systems and methods for a bypass flip flop with transparency |
US9804224B2 (en) * | 2014-09-22 | 2017-10-31 | Nxp Usa, Inc. | Integrated circuit and method of operating an integrated circuit |
JP6530216B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-06-12 | 株式会社メガチップス | 半導体集積回路の試験回路及びこれを用いた試験方法 |
US20170061046A1 (en) * | 2015-09-01 | 2017-03-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Simulation device of semiconductor device and simulation method of semiconductor device |
US10180454B2 (en) | 2015-12-01 | 2019-01-15 | Texas Instruments Incorporated | Systems and methods of testing multiple dies |
US10200310B2 (en) * | 2015-12-24 | 2019-02-05 | Intel Corporation | Fabric-integrated data pulling engine |
US10424921B2 (en) | 2017-02-16 | 2019-09-24 | Qualcomm Incorporated | Die-to-die interface configuration and methods of use thereof |
US9929733B1 (en) * | 2017-02-21 | 2018-03-27 | Qualcomm Incorporated | Connection propagation for inter-logical block connections in integrated circuits |
US10784172B2 (en) * | 2017-12-29 | 2020-09-22 | Texas Instruments Incorporated | Testing solid state devices before completing manufacture |
KR20190107368A (ko) * | 2018-03-12 | 2019-09-20 | 삼성전자주식회사 | 관통 전극의 부하를 판별하기 위한 반도체 다이 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
US10860408B2 (en) * | 2018-05-03 | 2020-12-08 | Microchip Technology Incorporated | Integrity monitor peripheral for microcontroller and processor input/output pins |
KR20200016680A (ko) | 2018-08-07 | 2020-02-17 | 삼성전자주식회사 | 피크 노이즈를 감소한 테스트 장치, 테스트 방법 및 테스트가 수행되는 반도체 장치 |
US10530367B2 (en) * | 2018-12-28 | 2020-01-07 | Intel Corporation | Clock synchronization in multi-die field programmable gate array devices |
KR20200106734A (ko) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 테스트방법 및 이를 이용한 반도체칩 |
CN115047319B (zh) * | 2022-07-01 | 2024-04-30 | 深圳市灵明光子科技有限公司 | 一种对同一封装下多颗芯片的测试电路 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68928600T2 (de) * | 1988-09-07 | 1998-07-02 | Texas Instruments Inc | Erweiterte Prüfschaltung |
US5268639A (en) * | 1992-06-05 | 1993-12-07 | Rambus, Inc. | Testing timing parameters of high speed integrated circuit devices |
JPH1054866A (ja) * | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
US7119570B1 (en) * | 2004-04-30 | 2006-10-10 | Xilinx, Inc. | Method of measuring performance of a semiconductor device and circuit for the same |
US7471098B2 (en) | 2004-10-28 | 2008-12-30 | Seagate Technology Llc | Testing device and method for an integrated circuit |
US20060095221A1 (en) * | 2004-11-03 | 2006-05-04 | Teradyne, Inc. | Method and apparatus for controlling variable delays in electronic circuitry |
US20060174298A1 (en) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Wei-Jen Chen | Apparatus and related method for sharing address and data pins of a cryptocard module and external memory |
US7501832B2 (en) * | 2005-02-28 | 2009-03-10 | Ridgetop Group, Inc. | Method and circuit for the detection of solder-joint failures in a digital electronic package |
KR100757264B1 (ko) * | 2005-12-29 | 2007-09-11 | 전자부품연구원 | 연결선 지연 고장 테스트 제어기 및 이를 이용한 연결선고장 테스트 장치 |
JP4884077B2 (ja) * | 2006-05-25 | 2012-02-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US7793179B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-09-07 | Silicon Image, Inc. | Test clock control structures to generate configurable test clocks for scan-based testing of electronic circuits using programmable test clock controllers |
JP4854456B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-01-18 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体集積回路及び試験方法 |
JP2008210487A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Fujitsu Ltd | Ddr−sdramインターフェース回路、その試験方法、およびその試験システム |
US7814386B2 (en) | 2007-10-31 | 2010-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Built in self test for input/output characterization |
US7821281B2 (en) | 2009-02-23 | 2010-10-26 | Faraday Technology Corp. | Method and apparatus of testing die to die interconnection for system in package |
US20100332177A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | National Tsing Hua University | Test access control apparatus and method thereof |
EP2302403A1 (en) | 2009-09-28 | 2011-03-30 | Imec | Method and device for testing TSVs in a 3D chip stack |
EP2372379B1 (en) | 2010-03-26 | 2013-01-23 | Imec | Test access architecture for TSV-based 3D stacked ICS |
US8344749B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-01-01 | Texas Instruments Incorporated | Through carrier dual side loop-back testing of TSV die after die attach to substrate |
US8648615B2 (en) * | 2010-06-28 | 2014-02-11 | Xilinx, Inc. | Testing die-to-die bonding and rework |
TWI431290B (zh) | 2010-07-13 | 2014-03-21 | Global Unichip Corp | Silicon perforated test architecture device |
US8680874B2 (en) * | 2010-07-30 | 2014-03-25 | Imec | On-chip testing using time-to-digital conversion |
US8522096B2 (en) * | 2010-11-02 | 2013-08-27 | Syntest Technologies, Inc. | Method and apparatus for testing 3D integrated circuits |
KR20120062281A (ko) * | 2010-12-06 | 2012-06-14 | 삼성전자주식회사 | 관통 전극을 가지는 적층 구조의 반도체 장치 및 이에 대한 테스트 방법 |
-
2012
- 2012-10-19 EP EP12189267.3A patent/EP2722680B1/en active Active
-
2013
- 2013-10-18 JP JP2013217536A patent/JP6317562B2/ja active Active
- 2013-10-18 CN CN201310492169.9A patent/CN103777090B/zh active Active
- 2013-10-21 US US14/059,366 patent/US9568536B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014085348A5 (ja) | ||
JP6317562B2 (ja) | 相互接続テストのための遷移遅延検出器 | |
US9164147B2 (en) | Method and apparatus for 3D IC test | |
US8832511B2 (en) | Built-in self-test for interposer | |
KR102066661B1 (ko) | 스캔-체인으로 연결된 플립-플롭들의 값들을 jtag 인터페이스를 이용하여 재구성할 수 있는 집적 회로, 이의 동작 방법, 및 상기 집적 회로를 포함하는 장치들 | |
KR20150097074A (ko) | 테스트 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 | |
US20060179373A1 (en) | Device and method for JTAG test | |
US9607925B2 (en) | Semiconductor device for verifying operation of through silicon vias | |
CN110574111B (zh) | 半频命令路径 | |
US11680985B2 (en) | Falling clock edge JTAG bus routers | |
JP2009289334A (ja) | 半導体装置およびテスト方法 | |
JP2008528999A (ja) | テスト可能な電子回路 | |
US9116876B2 (en) | Programmable built-in-self tester (BIST) in memory controller | |
KR101889509B1 (ko) | 반도체 장치 및 이를 포함하는 반도체 시스템 | |
KR101996967B1 (ko) | 반도체 장치 | |
KR20160034698A (ko) | 반도체장치 및 이를 포함하는 반도체시스템 | |
US20120026811A1 (en) | Integrated semiconductor device | |
US10067189B1 (en) | Input/output path testing and characterization using scan chains | |
KR101208960B1 (ko) | 반도체 장치 및 이의 테스트 방법 | |
KR102236578B1 (ko) | 반도체 칩 및 이를 이용한 적층형 반도체 장치 | |
US7426149B2 (en) | Semiconductor memory module and semiconductor memory device | |
US9835685B2 (en) | Test circuit and method for controlling test circuit | |
US9726722B1 (en) | Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies | |
KR102144874B1 (ko) | 관통 비아를 포함하는 반도체 장치 | |
US9336903B2 (en) | Semiconductor apparatus |