JP2014082283A - ヒートシンク - Google Patents

ヒートシンク Download PDF

Info

Publication number
JP2014082283A
JP2014082283A JP2012228326A JP2012228326A JP2014082283A JP 2014082283 A JP2014082283 A JP 2014082283A JP 2012228326 A JP2012228326 A JP 2012228326A JP 2012228326 A JP2012228326 A JP 2012228326A JP 2014082283 A JP2014082283 A JP 2014082283A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
main body
mounting plate
refrigerant
partition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012228326A
Other languages
English (en)
Inventor
Joji Yamazaki
丈嗣 山崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
T Rad Co Ltd
Original Assignee
T Rad Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by T Rad Co Ltd filed Critical T Rad Co Ltd
Priority to JP2012228326A priority Critical patent/JP2014082283A/ja
Publication of JP2014082283A publication Critical patent/JP2014082283A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/48139Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4911Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
    • H01L2224/49111Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

【課題】 ヒートシンク本体の形状の自由度を増し、複雑な外部形状及び複雑な内部形状のヒートシンクを安価に提供すること。
【解決手段】 一端が開口した箱状の本体1をプラスチックの射出成形体で形成し、その開口端を金属製の取付プレート2で閉塞する。そして本体1の内部に冷媒流路1aを設け、取付プレート2の外面に発熱体3を固定すると共に、その内面にインナーフィン7を配置する。
【選択図】 図3

Description

本発明は、パワートランジスタ等の発熱体を冷却するヒートシンクに関する。
下記特許文献1に記載の半導体モジュールの冷却装置は、外面側にパワーモジュールを貼着した金属製の取付部材と、開口された金属製の筐体と、その筐体内に収納され流路を形成する樹脂製の流路形成部材と、筐体の開口を閉塞する金属製の蓋部材とを有するものである。
特許第4172302号公報 特開2008−218940号
従来のヒートシンクは、その本体を構成する筐体及びその蓋部材がアルミダイキャスト等により形成され、それらが一体的にろう付け固定されていた。そのため、ヒートシンクが高コストになると共に、細密化が難しく高性能を期待できなかった。
また、アルミダイキャストの筐体とプレートやパイプ等をろう付けする際、そのろう付け部の信頼性に問題があった。
そこで本発明は、係る問題点を取り除き、安価で高性能なヒートシンクを提供することを課題とする。
請求項1に記載の本発明は、内部に冷媒流路(1a)を有して、一端が開口した箱状の本体(1)と、その本体(1)の開口を閉塞する取付プレート(2)とを具備し、その取付プレート(2)の外面に発熱体(3)が固定され、本体(1)内に冷媒を導くヒートシンクにおいて、
前記本体(1)をプラスチックの射出成形体で形成し、取付プレート(2)を金属板で形成し、その取付プレート(2)の内面側にインナーフィン(7)を取付けたことを特徴とするヒートシンクである。
請求項2に記載の本発明は、請求項1に記載のヒートシンクにおいて、
前記本体(1)には、その外周に一対の冷媒の出入口(4a)設けられ、その出入口(4a)に接続用のフランジまたはパイプ(4)が一体に突設されると共に、その本体(1)の開口端の内面に座部(5)が設けられ、それらがプラスチックで一体に形成され、その座部(5)に取付プレート(2)の周縁を着座させて、液密に固定したことを特徴とするヒートシンクである。
請求項3に記載の本発明は、請求項1または請求項2に記載のヒートシンクにおいて、
前記本体(1)の内部には、複数の冷媒流路形成用の仕切部(6)が一体に設けられ、その仕切部(6)と本体(1)の側壁との間にそれぞれ前記インナーフィン(7)が挿入されるように構成したことを特徴とするヒートシンクである。
請求項4に記載の本発明は、請求項3に記載のヒートシンクにおいて、
前記仕切部(6)の縁が本体(1)の開口の位置まで達して、本体(1)内が複数の区画に区切られ、その仕切部(6)に座部(5)が設けられ、各区画にそれぞれ取付プレート(2)が着座し、各取付プレート(2)の外面に発熱体(3)が取付られるヒートシンクである。
請求項5に記載の本発明は、請求項4に記載のヒートシンクにおいて、
仕切部(6)に冷媒流通用の孔(9)が形成されたヒートシンクである。
請求項6に記載の本発明は、請求項1〜請求項5のいずれかに記載のヒートシンクにおいて、
前記本体(1)にバスバーや信号線となる導電体(8)をインサート成形したことを特徴とするヒートシンクである。
請求項1に記載の発明によれば、本体1をプラスチックの射出成形体で形成し、取付プレート2を金属板で形成し、その取付プレート2の内面側にインナーフィン7を取付けたから、ヒートシンク本体の形状の自由度が増し、複雑な外部形状、および複雑な内部形状のヒートシンクを安価に提供できる。そして、取付プレート2とインナーフィン7は金属板で形成されるので、冷却性能の高いヒートシンクとなり得る。また、本体1がプラスチック材でなるため、ヒートシンクを軽量にできる。
請求項2に記載の発明によれば、本体1の外周に接続用のフランジまたはパイプ4を突設し、本体1の開口端に座部5を設け、それらをプラスチックで一体に形成したので、液密構造の信頼性が高い。そして、その座部5に取付プレート2の周縁を着座させて、液密に固定したから、簡単な構造で信頼性の高いヒートシンクを提供できる。
請求項3に記載の発明によれば、前記本体1の内部に仕切部6を設け、その仕切部6と本体1の側壁との間にそれぞれ前記インナーフィン7を嵌着するから、熱交換性能のよいヒートシンクとなる。
請求項4に記載の発明によれば、前記仕切部6の縁が本体1の開口の位置まで達し、本体1内が複数の区画に区切られ、その仕切部6に座部5が設けられ、各区画にそれぞれ取付プレート2が着座したから、各取付プレート2の外面に取付られる発熱体3を効果的に冷却できる。
請求項5に記載の発明によれば、仕切部6に冷媒流通用の孔9を設けたので、単純な構造で、複雑な流路を形成でき、各発熱体3に適合した冷却を効率よく行うことができる。
請求項6に記載の発明によれば、本体1に信号線やバスバーとなる導電体8をインサート成形したから、発熱体とその制御装置との電気接続構造を単純化することができる。
本発明の第1実施例のヒートシンクの分解斜視図。 同横断面図。 図2の III−III矢視断面図。 本発明の第2実施例のヒートシンクの縦断面図であって、発熱体の取付面に平行な断面。 同第3実施例のヒートシンクの縦断面図。 同第4実施例のヒートシンクの縦断面図。 同第5実施例のヒートシンクの分解斜視図及びその仕切部6における縦断面図。 同第6実施例のヒートシンクの分解斜視図及びその縦断面図であって、取付プレート2に平行な断面。 同第7実施例のヒートシンクの横断面説明図。 同斜視図。 同第7実施例に適用できる三相インバータの回路図。
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態につき説明する。
図1〜図3は本発明の第1実施例のヒートシンクであり、その図1に示す通り、このヒートシンクは本体1と取付プレート2とインナーフィン7とを有し、その取付プレート2の外面に1以上の発熱体3が伝熱可能に固定されるものである。
本体1はプラスチックの射出成形体からなり、箱状に形成されて一端が開口し、その長手方向両端に一対のパイプ4が一体に形成されている。
本体1の内部に冷媒流路1aが形成され、その四周を形成する側壁の頂部内面に段付きの座部5が設けられている。
なお、この例では図示しないが、座部5にはパッキンの着座部及び取付プレート2を締結固定するボルト孔を設けるのが好ましい。
一対のパイプ4の冷媒流路1a側には、夫々出入口4aが開口する。
次に、取付プレート2は、その外周が本体1の開口端の内周面に整合し、アルミニウム等の良伝熱性の金属板で形成されている。取付プレート2の下面には、インナーフィン7の頂部がろう付け等の手段により接合される。そのインナーフィン7は一例として薄い金属板を波形に曲折したものとすることができる。或いは、取付プレート2と一体に成形されたものであってもよい。そして、取付プレート2の外面には複数の発熱体3が取り付けられ、その取付プレート2が座部5に着座され、インナーフィン7が流路1aに内装された状態で、取付プレート2と本体1との間が液密に固定される。
そして一方のパイプ4から冷媒10を本体1内部に導き、それがインナーフィン7を流通して他方のパイプ4より外部に流出する。発熱体3からの発熱は、取付プレート2,インナーフィン7を介して冷媒10に放熱され、その発熱体3を冷却する。
次に、図4は本発明の第2実施例を示す断面図であって、本体1の平面に平行な面で切断した図である。
この例は、本体1の冷媒流路1a内で、その幅方向両側に一対のマニホールド1bが配置され、一方のマニホールド1bと入口側のパイプ4とが連通され、他方のマニホールド1bと出口側のパイプ4とが連通する。さらに、その長手方向に互いに離間して複数の(この例では2つ)仕切部6が幅方向に一体に形成されている。
そして、パイプ4から流入した冷媒10が一方のマニホールド1bから各仕切部6の間及び、それと本体1の側壁との間を夫々並列して流通する。各仕切部6の間及び仕切部6と側壁との間には、夫々一対づつのインナーフィン7が冷媒流通方向に離間して配置され、そのインナーフィン7の反対側の外面に図1に示す発熱体3が配置されている。従って、各発熱体3にインナーフィン7が設けられ、夫々の発熱体3を効率良く冷却する。
次に、図5は本発明の第3実施例であり、この例が図4の第2実施例と異なる点は、冷媒10の流通経路である。
この例は、本体1の冷媒流路1a内の幅方向両側及びその中間にマニホールド1bが設けられ、パイプ4の出入口4aに対向して仕切部6が設けられ、本体1の長手方向には夫々互いに離間して一対づつの仕切部6が中央のマニホールド1bを介して配置されている。これらは、全てプラスチックの射出成形体により一体形成されている。
そして、一方のパイプ4から流入した冷媒10は、同図の矢印に示す如く、その出入口4aに対向する仕切部6と本体1の側壁との間を両側に分流し、その幅方向両端位置にある一対のマニホールド1bから各インナーフィン7を流通して、中央のマニホールド1bで合流して他方のパイプ4から流出する。
この例では、夫々のインナーフィン7を流通する冷媒10の温度が略同一である。
これに対し、図4の場合は入口側のインナーフィン7の下流側では、その冷媒10の温度は、上流側より高くなる。そのため、下流側のインナーフィン7の冷却能力が上流側より低下する。
次に、図6は本発明の第4実施例であり、この例が図4のそれと異なる点はパイプ4の位置である。この例では、一対の出入口パイプ4が本体1の一側面に配置されている。
次に、図7は本発明の第5実施例の分解図及び縦断面図である。
この実施例が図1のそれと異なる点は、本体1の幅方向中間位置に仕切部6を配置し、パイプ4の出入口4aに対向してその仕切部6に一対の孔9を配置したものである。そして、冷媒10は入口側のパイプ4からその孔9で仕切部6の両側に分流し、各冷媒流路1aの下流端においてそれが合流し、出口側のパイプ4に導かれるものである。そして、一対の取付プレート2が仕切部6の両側に配置され、その両側に位置する冷媒流路1aにインナーフィン7が内装されるものである。そして、一対の取付プレート2の外面に夫々発熱体3が配置される。
次に、図8は本発明の第6実施例であり、この例は仕切部6が格子状に配置され、その仕切部6で囲まれた各区間の一対の仕切壁に一対の孔9を設けたものである。そして各区画の開口部に座部5が設けられ、そこに夫々取付プレート2が嵌着される。
各取付プレート2の下面には、インナーフィン7がろう付け等の手段により固定され、そのインナーフィン7が各区画の空間に挿入される。そして夫々の取付プレート2の外面側に発熱体3が配置される。
この例では、長手方向の一端側壁に設けた一対のパイプ4が冷媒10の出入口を構成する。そして、その冷媒10は図8(B)に示す如く、一方のパイプ4から流入し、各区画を順に流通して他方のパイプ4から流出する。
次に、図9〜図11は本発明の第7実施例であり、この例では本体1の開孔縁部に複数の導電体8が並列してインサート成形されている。また、取付プレート2の座部5には環状溝が形成され、そこにOリング15が配置されている。図9及び図10において、この例では、中央の2本の導電体8はバスバーを形成し、右側および右側の各3本の導電体8は信号線を形成する。
なお、この例では取付プレート2とインナーフィン7とが一体に形成され、その取付プレート2は座部5に着座された後、ビス等により締結固定される。そしてその発熱体3とバスバー及び信号線とが配線11で連結される。
この例は、図11に示す、三相インバータの適用例を示したものである。そして、バスバーには直流電源14が接続され、信号線には三相モータ13が接続される。
1 本体
1a 冷媒流路
1b マニホールド
2 取付プレート
3 発熱体
4 パイプ
4a 出入口
5 座部
6 仕切部
7 インナーフィン
8 導電体
9 孔
10 冷媒
11 配線
12 インバータ回路
13 三層モータ
14 直流電源
15 Oリング

Claims (6)

  1. 内部に冷媒流路(1a)を有して、一端が開口した箱状の本体(1)と、その本体(1)の開口を閉塞する取付プレート(2)とを具備し、その取付プレート(2)の外面に発熱体(3)が固定され、本体(1)内に冷媒を導くヒートシンクにおいて、
    前記本体(1)をプラスチックの射出成形体で形成し、取付プレート(2)を金属板で形成し、その取付プレート(2)の内面側にインナーフィン(7)を取付けたことを特徴とするヒートシンク。
  2. 請求項1に記載のヒートシンクにおいて、
    前記本体(1)には、その外周に一対の冷媒の出入口(4a)設けられ、その出入口(4a)に接続用のフランジまたはパイプ(4)が一体に突設されると共に、その本体(1)の開口端の内面に座部(5)が設けられ、それらがプラスチックで一体に形成され、その座部(5)に取付プレート(2)の周縁を着座させて、液密に固定したことを特徴とするヒートシンク。
  3. 請求項1または請求項2に記載のヒートシンクにおいて、
    前記本体(1)の内部には、複数の冷媒流路形成用の仕切部(6)が一体に設けられ、その仕切部(6)と本体(1)の側壁との間にそれぞれ前記インナーフィン(7)が挿入されるように構成したことを特徴とするヒートシンク。
  4. 請求項3に記載のヒートシンクにおいて、
    前記仕切部(6)の縁が本体(1)の開口の位置まで達して、本体(1)内が複数の区画に区切られ、その仕切部(6)に座部(5)が設けられ、各区画にそれぞれ取付プレート(2)が着座し、各取付プレート(2)の外面に発熱体(3)が取付られるヒートシンク。
  5. 請求項4に記載のヒートシンクにおいて、
    仕切部(6)に冷媒流通用の孔(9)が形成されたヒートシンク。
  6. 請求項1〜請求項5のいずれかに記載のヒートシンクにおいて、
    前記本体(1)にバスバーや信号線となる導電体(8)をインサート成形したことを特徴とするヒートシンク。
JP2012228326A 2012-10-15 2012-10-15 ヒートシンク Pending JP2014082283A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012228326A JP2014082283A (ja) 2012-10-15 2012-10-15 ヒートシンク

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012228326A JP2014082283A (ja) 2012-10-15 2012-10-15 ヒートシンク

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2014082283A true JP2014082283A (ja) 2014-05-08

Family

ID=50786233

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012228326A Pending JP2014082283A (ja) 2012-10-15 2012-10-15 ヒートシンク

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2014082283A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016006826A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体モジュール
WO2016117094A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2016203884A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体
WO2016204257A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体
JP6279054B1 (ja) * 2016-11-04 2018-02-14 三菱電機株式会社 電力変換装置
CN112930078A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 通用电气航空系统有限责任公司 用于电子部件的冷板组件
JP2021103058A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器およびその外包ラミネート材
JP2021103056A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器
JP2021103060A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器
JP2021103055A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工株式会社 熱交換器およびその製造方法
JP2021103059A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器およびその外包ラミネート材
JP2021110471A (ja) * 2020-01-07 2021-08-02 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器およびその外包ラミネート材
WO2023204454A1 (ko) * 2022-04-18 2023-10-26 엘에스일렉트릭 (주) 냉각 모듈 및 이를 포함하는 배터리 차단 장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000243886A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Toshiba Corp 電力用半導体素子の冷却体
JP2005197562A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP2006179771A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Mitsubishi Electric Corp 電気デバイス及び冷却ジャケット
JP2010103365A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Calsonic Kansei Corp 熱交換器の製造方法
JP2010158885A (ja) * 2008-12-09 2010-07-22 Nippon Light Metal Co Ltd 樹脂部材と金属部材の接合方法及び液冷ジャケットの製造方法
US20110315367A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Romero Guillermo L Fluid cooled assembly and method of making the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000243886A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Toshiba Corp 電力用半導体素子の冷却体
JP2005197562A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Mitsubishi Electric Corp 電力変換装置
JP2006179771A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Mitsubishi Electric Corp 電気デバイス及び冷却ジャケット
JP2010103365A (ja) * 2008-10-24 2010-05-06 Calsonic Kansei Corp 熱交換器の製造方法
JP2010158885A (ja) * 2008-12-09 2010-07-22 Nippon Light Metal Co Ltd 樹脂部材と金属部材の接合方法及び液冷ジャケットの製造方法
US20110315367A1 (en) * 2010-06-25 2011-12-29 Romero Guillermo L Fluid cooled assembly and method of making the same

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016006826A (ja) * 2014-06-20 2016-01-14 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 半導体モジュール
CN107210278A (zh) * 2015-01-22 2017-09-26 三菱电机株式会社 半导体装置
WO2016117094A1 (ja) * 2015-01-22 2016-07-28 三菱電機株式会社 半導体装置
US10462939B2 (en) 2015-01-22 2019-10-29 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor device
JPWO2016117094A1 (ja) * 2015-01-22 2017-06-29 三菱電機株式会社 半導体装置
WO2016204257A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体
JPWO2016204257A1 (ja) * 2015-06-17 2017-09-07 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体
JP2018166215A (ja) * 2015-06-17 2018-10-25 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール、流路部材、パワー半導体モジュール構造体及び自動車
US10192807B2 (en) 2015-06-17 2019-01-29 Fuji Electric Co., Ltd. Power semiconductor module, flow path member, and power-semiconductor-module structure
WO2016203884A1 (ja) * 2015-06-17 2016-12-22 富士電機株式会社 パワー半導体モジュール、流路部材及びパワー半導体モジュール構造体
JP6279054B1 (ja) * 2016-11-04 2018-02-14 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP2018074867A (ja) * 2016-11-04 2018-05-10 三菱電機株式会社 電力変換装置
US10440864B2 (en) 2016-11-04 2019-10-08 Mitsubishi Electric Corporation Power conversion device
EP3832714A1 (en) * 2019-12-05 2021-06-09 GE Aviation Systems LLC Cold plate assembly for an electronic component
US11350545B2 (en) 2019-12-05 2022-05-31 Ge Aviation Systems Llc Cold plate assembly for an electronic component
CN112930078B (zh) * 2019-12-05 2024-04-05 通用电气航空系统有限责任公司 用于电子部件的冷板组件
CN112930078A (zh) * 2019-12-05 2021-06-08 通用电气航空系统有限责任公司 用于电子部件的冷板组件
JP7369029B2 (ja) 2019-12-25 2023-10-25 株式会社レゾナック・パッケージング 熱交換器
JP2021103055A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工株式会社 熱交換器およびその製造方法
JP2021103059A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器およびその外包ラミネート材
JP2021103060A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器
JP7353164B2 (ja) 2019-12-25 2023-09-29 株式会社レゾナック・パッケージング 熱交換器
JP2021103056A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器
JP7410713B2 (ja) 2019-12-25 2024-01-10 株式会社レゾナック 熱交換器
JP2021103058A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器およびその外包ラミネート材
JP7471080B2 (ja) 2019-12-25 2024-04-19 株式会社レゾナック・パッケージング 熱交換器
JP7471081B2 (ja) 2019-12-25 2024-04-19 株式会社レゾナック・パッケージング 熱交換器
JP2021110471A (ja) * 2020-01-07 2021-08-02 昭和電工パッケージング株式会社 熱交換器およびその外包ラミネート材
WO2023204454A1 (ko) * 2022-04-18 2023-10-26 엘에스일렉트릭 (주) 냉각 모듈 및 이를 포함하는 배터리 차단 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014082283A (ja) ヒートシンク
TWI653929B (zh) 具有冷板之逆變器功率模組構裝、以及冷卻功率模組的方法
JP5236838B2 (ja) 冷却構造体
JP3882994B2 (ja) 電動機制御ユニット冷却装置
US9777972B2 (en) Heat sink for a linear motor
JP6109265B2 (ja) 冷媒流路付き電気機器
US9955613B2 (en) Cooler and power electronic module having the same
KR20240044509A (ko) 모터 컨트롤러용 냉각 디바이스, 모터 컨트롤러, 및 차량
WO2020240777A1 (ja) 半導体装置
US9915482B2 (en) Heat sink, and method for producing same
JP5976235B1 (ja) 電力変換装置
JP6582546B2 (ja) 機電一体型回転電機
JP7016844B2 (ja) バッテリパック
JP6190914B1 (ja) 冷媒流路付き電気機器
JP2013128051A (ja) インバータ回路の冷却装置
KR20160089113A (ko) 자동차용 인덕션 히터
JP2015065759A (ja) コンデンサ冷却構造
JP7124929B1 (ja) インバータ装置
JP7431719B2 (ja) パワーデバイス用冷却器
JP7312093B2 (ja) 電力変換装置
JP7366077B2 (ja) 電力変換装置
JP6879070B2 (ja) 積層型冷却装置
JP5133968B2 (ja) 積層型冷却装置
JP2012230944A (ja) 電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150514

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160527

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160621

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20170110