JP2014067762A - 異方性導電接着剤 - Google Patents

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    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/325—Material
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    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
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    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81399—Material
    • H01L2224/814—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/81438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/81444—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81805—Soldering or alloying involving forming a eutectic alloy at the bonding interface
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Abstract

【課題】高い放熱性が得られる異方性導電接着剤を提供する。
【解決手段】導電性粒子３１と、導電性粒子１よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子３２とをバインダーに分散させる。この異方性導電接着剤を用いて熱圧着したＬＥＤ実装体は、ＬＥＤ素子の端子（電極１２ａ、１４ａ）と、基板の端子（電極２２ａ、２３ａ）とが導電性粒子３１を介して電気的に接続され、ＬＥＤ素子の端子と基板の端子との間に熱伝導粒子３２が捕捉される。
【選択図】図３

Description

本発明は、導電性粒子が分散された異方性導電接着剤に関し、特に、ドライバーＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のチップ（素子）が発する熱を放熱することが可能な異方性導電接着剤に関する。
従来、ＬＥＤ素子を基板に実装する工法として、ワイヤーボンド工法が用いられている。ワイヤーボンド工法は、図５に示すように、ＬＥＤ素子の電極（第１導電型電極１０４ａ及び第２導電型電極１０２ａ）面を上に向け（フェイスアップ）、そのＬＥＤ素子と基板の電気的接合をワイヤーボンド（ＷＢ）３０１ａ、３０１ｂで行い、ＬＥＤ素子と基板との接着には、ダイボンド材３０２を用いる。
しかし、このようなワイヤーボンドで電気的接続を得る方法では、電極（第１導電型電極１０４ａ及び第２導電型電極１０２ａ）からのワイヤーボンドの物理的破断・剥離のリスクがあるため、より信頼性の高い技術が求められている。さらに、ダイボンド材３０２の硬化プロセスは、オーブン硬化で行われるため、生産に時間が掛かる。
ワイヤーボンドを用いない工法として、図６に示すように、ＬＥＤ素子の電極（第１導電型電極１０４ａ及び第２導電型電極１０２ａ）面を基板側に向け(フェイスダウン、フリップチップ)、そのＬＥＤ素子と基板との電気的接続に、銀ペーストに代表される導電性ベースト３０３ａ、３０３ｂを用いる方法がある。
しかし、導電性ペースト３０３ａ、３０３ｂは、接着力が弱いため、封止樹脂３０４による補強が必要である。さらに、封止樹脂３０４の硬化プロセスは、オーブン硬化で行われるため、生産に時間が掛かる。
導電性ペーストを用いない工法として、図７に示すように、ＬＥＤ素子の電極面を基板側に向け(フェイスダウン、フリップチップ)、そのＬＥＤ素子と基板との電気的接続及び接着に、絶縁性の接着剤バインダー３０５中に導電性粒子３０６を分散させた異方性導電接着剤を用いる方法がある。異方性導電接着剤は、接着プロセスが短いため、生産効率が良い。また、異方性導電接着剤は、安価であり、透明性、接着性、耐熱性、機械的強度、電気絶縁性等に優れている。
また、近年、フリップチップ実装するためのＬＥＤ素子が開発されている。このＦＣ実装用ＬＥＤ素子は、パッシベーション１０５により、電極面積を大きく取る設計が可能であるため、バンプレス実装が可能となる。また、発光層の下に反射膜を設けることによって光取り出し効率が良くなる。
ＦＣ実装用ＬＥＤ素子を基板に実装する工法としては、図８に示すように、金スズ共晶接合が用いられている。金スズ共晶接合は、チップ電極を金とスズの合金３０７で形成し、フラックスを基板に塗布し、チップを搭載、加熱することで基板電極と、共晶接合させる工法である。しかし、このようなはんだ接続工法は、加熱中のチップズレや洗浄しきれなかったフラックスによる信頼性への悪影響があるため歩留まりが悪い。また、高度な実装技術が必要である。
金スズ共晶を用いない工法として、図９に示すように、ＬＥＤ素子の電極面と基板との電気的接続に、はんだペーストを用いるはんだ接続工法がある。しかし、このようなはんだ接続工法は、ペーストが等方性の導電性を有するため、ｐｎ電極間がショートしてしまい歩留まりが悪い。
はんだペーストを用いない工法として、図１０に示すように、ＬＥＤ素子と基板との電気的接続及び接着に、図７と同様、絶縁性のバインダー中に導電性粒子を分散させたＡＣＦなどの異方性導電接着剤を用いる方法がある。異方性導電接着剤は、ｐｎ電極間に絶縁性のバインダーが充填される。よって、ショートが発生しにくいため歩留まりが良い。また、接着プロセスが短いため、生産効率が良い。
ところで、ＬＥＤ素子の活性層（ジャンクション）１０３は、光の他に多くの熱を発生し、発光層温度（Ｔｊ＝ジャンクション温度）が１００℃以上になると、ＬＥＤの発光効率が低下し、ＬＥＤの寿命が短くなる。このため、活性層１０３の熱を効率良く逃がすための構造が必要である。
図５に示すようなＷＢ実装では、活性層１０３がＬＥＤ素子の上側に位置するため、発生した熱が基板側に効率良く伝わらないため放熱性が悪い。
また、図６、８、９に示すようなフリップチップ実装を行うと、活性層１０３が基板側に位置するため、熱が基板側に効率良く伝わる。図６、９に示すように、電極間を導電性ペースト３０３ａ、３０３ｂで接合した場合、高効率で放熱することができるが、導電性ペースト３０３ａ、３０３ｂによる接続は、上記で述べたように接続信頼性が悪い。また、図８に示すように、金スズ共晶接合を行った場合も、上記で述べたのと同様に接続信頼性が悪い。
また、図７、１０に示すように、導電性ペースト３０３ａ、３０３ｂを用いずにＡＣＦ（Anisotropic conductive film）やＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電接着剤でフリップチップ実装することで、活性層１０３が基板側近く配置され、熱が基板側に効率良く伝わる。また、接着力が高いため、高い接続信頼性が得られる。
特開２００５−１０８６３５号公報 特開２００９−２８３４３８号公報 特開２００８−０４１７０６号公報 特開２００７−０２３２２１号公報
しかしながら、従来の異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は、０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）程度であるため、ＬＥＤ素子から発生する熱を基板側に十分に逃がすことができない。また、異方性導電接着剤を用いたフリップチップ実装では、電気接続部分の導電性粒子のみが放熱路となるため、放熱性が悪い。
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、高い放熱性が得られる異方性導電接着剤を提供する。
本件発明者は、鋭意検討を行った結果、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子とを配合することにより、上述の目的を達成できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係る異方性導電接着剤は、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、前記導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子とが接着剤成分に分散され、前記熱伝導粒子が、金属粒子、又は金属粒子の表面に絶縁層が形成された絶縁被覆粒子であることを特徴としている。
また、本発明に係る接続構造体は、第１の電子部品の端子と、第２の電子部品の端子とが、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子を介して電気的に接続されてなる接続構造体において、前記第１の電子部品の端子と前記第２の電子部品の端子との間に、前記導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子が捕捉されてなり、前記熱伝導粒子が、金属粒子、又は金属粒子の表面に絶縁層が形成された絶縁被覆粒子であることを特徴としている。
本発明によれば、圧着時に導電性粒子が押圧により扁平変形するとともに、熱伝導粒子が潰れ、対向する端子間のとの接触面積を増加させるため、高い放熱性を得ることができる。
圧着前における対向する端子間を模式的に示す断面図である。 圧着後における対向する端子間を模式的に示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係るＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 本発明の他の一実施の形態に係るＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 ワイヤーボンド工法によるＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 導電性ペーストを用いたＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 異方性導電接着剤を用いたＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 ＦＣ実装用ＬＥＤを金スズ共晶接合により実装したＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 ＦＣ実装用ＬＥＤを導電性ペーストにより実装したＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。 ＦＣ実装用ＬＥＤを異方性導電接着剤により実装したＬＥＤ実装体の一例を示す断面図である。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら下記順序にて詳細に説明する。
１．異方性導電接着剤及びその製造方法
２．接続構造体及びその製造方法
３．実施例
＜１．異方性導電接着剤及びその製造方法＞
本実施の形態における異方性導電接着剤は、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子とがバインダー（接着剤成分）中に分散されたものであり、その形状は、ペースト、フィルムなどであり、目的に応じて適宜選択することができる。
図１及び図２は、それぞれ圧着前及び圧着後における対向する端子間を模式的に示す断面図である。本実施の形態では、異方性導電接着剤を後述する構成とすることにより、圧着前において導電性粒子３１と熱伝導粒子３２とを端子間に存在させることができる。そして、圧着時、芯材に樹脂粒子を使用した導電性粒子３１が押圧により扁平変形し、変形に対する弾性反発が生じるため、電気的な接続状態を維持することができる。また、圧着時、熱伝導粒子３２が導電性粒子の扁平変形に追従して潰れ、端子と接触する面積が大きくなるため、放熱性を向上させることができる。また、熱伝導粒子３２として、高熱伝導金属粒子の表面に絶縁層が形成された絶縁被覆粒子を用いた場合、押圧により絶縁層が破れて金属部分が端子と接触するため、放熱性を向上させることができるとともに優れた耐電圧性が得られる。
導電性粒子は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、アクリロニトリル・スチレン（ＡＳ）樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジビニルベンゼン系樹脂、スチレン系樹脂等の樹脂粒子の表面をＡｕ、Ｎｉ、Ｚｎ等の金属で被覆した金属被覆樹脂粒子である。金属被覆樹脂粒子は、圧縮時に潰れやすく、変形し易いため、配線パターンとの接触面積を大きくでき、また、配線パターンの高さのバラツキを吸収することができる。
また、導電性粒子の平均粒径は、１〜１０μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜６μｍである。また、導電性粒子の配合量は、接続信頼性及び絶縁信頼性の観点から、バインダー１００質量部に対して１〜１００質量部であることが好ましい。
熱伝導粒子は、金属粒子、又は金属粒子の表面に絶縁層が形成された絶縁被覆粒子である。また、熱伝導粒子の形状は、粒状、燐片状などであり、目的に応じて適宜選択することができる。
金属粒子は、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有することが好ましい。熱伝導率が２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）未満である場合、熱抵抗値が大きくなり、放熱性が悪くなる。２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する金属粒子としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｔなどの金属単体又はこれらの合金を挙げることができる。これらの中でも、ＬＥＤの光取り出し効率の観点や、圧着時の潰れ易さの観点からＡｇ又はＡｇを主成分とする合金であることが好ましい。
また、金属粒子の配合量は、５〜４０体積％であることが好ましい。金属粒子の配合量が少なすぎると優れた放熱性が得られなくなり、配合量が多すぎると接続信頼性を得ることができない。
また、絶縁被覆粒子の絶縁層としては、スチレン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などの樹脂、又は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２などの無機材料であることが好ましい。また、絶縁被覆粒子の絶縁層の厚みは、１０〜１０００ｎｍであることが好ましく、より好ましくは１００〜８００ｎｍである。絶縁層が薄すぎると優れた耐電圧性が得られず、絶縁層が厚すぎると接続構造体の熱抵抗値が大きくなってしまう。
また、絶縁被覆粒子の配合量は、５〜５０体積％であることが好ましい。絶縁被覆粒子の配合量が少なすぎると優れた放熱性が得られなくなり、配合量が多すぎると接続信頼性を得ることができない。
また、熱伝導粒子の平均粒径（Ｄ５０）は、導電性粒子の平均粒径の５〜８０％であることが好ましい。熱伝導粒子が導電性粒子に対して小さすぎると、圧着時に熱伝導粒子が対向する端子間に捕捉されず、優れた放熱性を得ることができない。一方、熱伝導粒子が導電性粒子に対して大きすぎると、熱伝導粒子を高充填することができず、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率を向上させることができない。
また、熱伝導粒子は、白又は灰色の無彩色であることが好ましい。これにより、熱伝導粒子が光反射粒子として機能するため、ＬＥＤ素子に用いた場合、高い輝度を得ることができる。
バインダーとしては、従来の異方性導電接着剤や異方性導電フィルムにおいて使用されている接着剤組成物を利用することができる。接着剤組成物としては、脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物等を主成分としたエポキシ硬化系接着剤が好ましく挙げられる。
脂環式エポキシ化合物としては、分子内に２つ以上のエポキシ基を有するものが好ましく挙げられる。これらは、液状であっても固体状であってもよい。具体的には、グリシジルヘキサヒドロビスフェノールＡ、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート等を挙げることができる。中でも、硬化物にＬＥＤ素子の実装等に適した光透過性を確保でき、速硬化性にも優れている点から、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートを好ましく使用することができる。
複素環状エポキシ化合物としては、トリアジン環を有するエポキシ化合物を挙げることができ、特に好ましくは１，３，５−トリス（２，３−エポキシプロピル）−１，３，５−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオンを挙げることができる。
水添加エポキシ化合物としては、先述の脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物の水素添加物や、その他公知の水素添加エポキシ樹脂を使用することができる。
脂環式エポキシ化合物や複素環系エポキシ化合物や水素添加エポキシ化合物は、単独で使用してもよいが、２種以上を併用することができる。また、これらのエポキシ化合物に加えて本発明の効果を損なわない限り、他のエポキシ化合物を併用してもよい。例えば、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリールビスフェノールＡ、ハイドロキノン、カテコール、レゾルシン、クレゾール、テトラブロモビスフェノールＡ、トリヒドロキシビフェニル、ベンゾフェノン、ビスレゾルシノール、ビスフェノールヘキサフルオロアセトン、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、トリス（ヒドロキシフェニル）メタン、ビキシレノール、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等の多価フェノールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテル；グリセリン、ネオペンチルグリコール、エチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の脂肪族多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル；ｐ−オキシ安息香酸、β−オキシナフトエ酸のようなヒドロキシカルボン酸とエピクロルヒドリンとを反応させて得られるグリシジルエーテルエステル；フタル酸、メチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、テトラハイドロフタル酸、エンドメチレンテトラハイドロフタル酸、エンドメチレンヘキサハイドロフタル酸、トリメット酸、重合脂肪酸のようなポリカルボン酸から得られるポリグリシジルエステル；アミノフェノール、アミノアルキルフェノールから得られるグリシジルアミノグリシジルエーテル；アミノ安息香酸から得られるグリシジルアミノグリシジルエステル；アニリン、トルイジン、トリブロムアニリン、キシリレンジアミン、ジアミノシクロヘキサン、ビスアミノメチルシクロヘキサン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン等から得られるグリシジルアミン；エポキシ化ポリオレフィン等の公知のエポキシ樹脂類が挙げられる。
硬化剤としては、酸無水物、イミダゾール化合物、ジシアン等を挙げることができる。中でも、硬化物を変色させ難い酸無水物、特に脂環式酸無水物系硬化剤を好ましく使用できる。具体的には、メチルヘキサヒドロフタル酸無水物等を好ましく挙げることができる。
接着剤組成物において、脂環式エポキシ化合物と脂環式酸無水物系硬化剤とを使用する場合、それぞれの使用量は、脂環式酸無水物系硬化剤が少なすぎると未硬化エポキシ化合物が多くなり、多すぎると余剰の硬化剤の影響で被着体材料の腐食が促進される傾向があるので、脂環式エポキシ化合物１００質量部に対し、脂環式酸無水物系硬化剤を、好ましくは８０〜１２０質量部、より好ましくは９５〜１０５質量部の割合で使用する。
このような構成からなる異方性導電接着剤は、圧着時に導電性粒子が押圧により扁平変形するとともに、熱伝導粒子が潰れ、対向する端子間のとの接触面積を増加させるため、高い放熱性及び高い接続信頼性を得ることができる。
また、本実施の形態における異方性導電接着剤は、接着剤組成物と、導電性粒子と、熱伝導粒子とを均一に混合することにより製造することができる。
＜２．接続構造体及びその製造方法＞
次に、前述した異方性導電接着剤を用いた接続構造体について説明する。本実施の形態における接続構造体は、第１の電子部品の端子と、第２の電子部品の端子とが、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子を介して電気的に接続されてなる接続構造体において、第１の電子部品の端子と前記第２の電子部品の端子との間に、導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子が捕捉されている。
本実施の形態における電子部品としては、熱を発するドライバーＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等のチップ（素子）が好適である。
図３は、ＬＥＤ実装体の構成例を示す断面図である。このＬＥＤ実装体は、ＬＥＤ素子と基板とを、前述した導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子とが接着剤成分中に分散された異方性導電接着剤を用いて接続したものである。
ＬＥＤ素子は、例えばサファイヤからなる素子基板１１上に、例えばｎ−ＧａＮからなる第１導電型クラッド層１２と、例えばＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ層からなる活性層１３と、例えばｐ−ＧａＮからなる第２導電型クラッド層１４とを備え、いわゆるダブルヘテロ構造を有する。また、第１導電型クラッド層１２上の一部に第１導電型電極１２ａを備え、第２導電型クラッド層１４上の一部に第２導電型電極１４ａを備える。ＬＥＤ素子の第１導電型電極１２ａと第２導電型電極１４ａとの間に電圧を印加すると、活性層１３にキャリアが集中し、再結合することにより発光が生じる。
基板は、基材２１上に第１導電型用回路パターン２２と、第２導電型用回路パターン２３とを備え、ＬＥＤ素子の第１導電型電極１２ａ及び第２導電型電極１４ａに対応する位置にそれぞれ電極２２ａ及び電極２３ａを有する。
異方性導電接着剤は、前述と同様、導電性粒子３１と、導電性粒子３１よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子３２とがバインダー３３に分散されている。
図３に示すように、ＬＥＤ実装体は、ＬＥＤ素子の端子（電極１２ａ、１４ａ）と、基板の端子（電極２２ａ、２３ａ）とが導電性粒子３１を介して電気的に接続され、ＬＥＤ素子の端子と基板の端子との間に熱伝導粒子３２が捕捉されている。
これにより、ＬＥＤ素子の活性層１３で発生した熱を効率良く基板側に逃がすことができ、発光効率の低下を防ぐとともにＬＥＤ実装体を長寿命化させることができる。また、熱伝導粒子３２が、白又は灰色の無彩色であることにより、活性層１３からの光を反射し、高い輝度を得ることができる。
また、フリップチップ実装するためのＬＥＤ素子は、図４に示すように、パッシベーション１０５により、ＬＥＤ素子の端子（電極１２ａ、１４ａ）が大きく設計されているため、ＬＥＤ素子の端子（電極１２ａ、１４ａ）と基板の端子（回路パターン２２、２３）との間に導電性粒子３１及び熱伝導粒子３２がより多く捕捉される。これにより、ＬＥＤ素子の活性層１３で発生した熱をさらに効率良く基板側に逃がすことができる。
次に、上述した接続構造体の製造方法について説明する。本実施の形態における実装体の製造方法は、前述した導電性粒子と、導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子とが接着剤成分中に分散された異方性導電接着剤を、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子との間に挟み、第１の電子部品と第２の電子部品とを熱圧着する。
これにより、第１の電子部品の端子と、第２の電子部品の端子とが導電性粒子を介して電気的に接続され、第１の電子部品の端子と第２の電子部品の端子との間に熱伝導粒子が捕捉されてなる接続構造体を得ることができる。
本実施の形態における接続構造体の製造方法は、圧着時に導電性粒子が押圧により扁平変形するとともに、熱伝導粒子が潰れ、対向する端子間のとの接触面積を増加させるため、高い放熱性及び高い接続信頼性を得ることができる。
＜３．実施例＞
以下、本発明の実施例について詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
＜３．１ 熱伝導粒子の種類について＞
本実験では、熱伝導粒子を配合した異方性導電接着剤（ＡＣＰ）を作製し、ＬＥＤ実装体を作製し、熱伝導粒子の種類について検討した。
異方性導電接着剤の作製、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定、ＬＥＤ実装体の作製、ＬＥＤ実装体の放熱性の評価、光特性の評価、及び電気特性の評価は、次のように行った。
［異方性導電接着剤の作製］
エポキシ硬化系接着剤（エポキシ樹脂（商品名：ＣＥＬ２０２１Ｐ、（株）ダイセル化学製）及び酸無水物（ＭｅＨＨＰＡ、商品名：ＭＨ７００、新日本理化（株）製）を主成分としたバインダー）中に、樹脂粒子の表面にＡｕが被覆された平均粒径５μｍの導電性粒子（品名：ＡＵＬ７０５、積水化学工業社製）を１０質量％配合した。この樹脂組成物に熱伝導粒子を配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。
［異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定］
異方性導電接着剤をガラス板で挟み込み、これを１５０℃、１時間の条件で硬化し、厚み１ｍｍｔの硬化物を得た。そして、レーザーフラッシュ法による測定装置（キセノンフラッシュアナライザーＬＦＡ４４７、ＮＥＴＺＳＣＨ製）を用いて、硬化物の熱伝導率の測定を行った。
［ＬＥＤ実装体の作製］
異方性導電接着剤を用いてＬＥＤチップ（青色ＬＥＤ、Ｖｆ＝３．２Ｖ（Ｉｆ＝２０ｍＡ））をＡｕ電極基板に搭載した。異方性導電接着剤をＡｕ電極基板に塗布した後、ＬＥＤチップをアライメントして搭載し、２００℃−２０秒−１ｋｇ／ｃｈｉｐの条件で加熱圧着を行った。Ａｕ電極基板は、バンプボンダーにてＡｕバンプを形成した後、フラットニング処理を行ったものを使用した（ガラスエポキシ基板、導体スペース＝１００μｍＰ、Ｎｉ／Ａｕメッキ＝５．０／０．３μｍ、金バンプ＝１５μｍｔ）。
［放熱性の評価］
過渡熱抵抗測定装置（ＣＡＴＳ電子設計社製）を用いて、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値（℃／Ｗ）を測定した。測定条件はＩｆ＝２００ｍＡ（定電流制御）で行った。
［光特性の評価］
積分球による全光束測定装置（ＬＥ−２１００、大塚電子株式会社製）を用いて、ＬＥＤ実装体の全光束量（ｍｌｍ）を測定した。測定条件はＩｆ＝２００ｍＡ（定電流制御）で行った。
［電気特性の評価］
初期Ｖｆ値として、Ｉｆ＝２０ｍＡ時のＶｆ値を測定した。また、８５℃、８５％ＲＨ環境下でＬＥＤ実装体をＩｆ＝２０ｍＡで５００時間点灯させ（高温高湿試験）、Ｉｆ＝２０ｍＡ時のＶｆ値を測定した。接続信頼性の評価は、初期Ｖｆ値よりも５％以上上昇した場合を「導通ＮＧ」と評価し、初期Ｖｆ値よりも５％以上低下した場合を「絶縁ＮＧ」と評価し、それ以外を「○」と評価した。
［実施例１］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１μｍのＡｇ粒子（熱伝導率：４２８Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．３Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１６０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３２０ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。
［実施例２］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１μｍのＡｇ粒子（熱伝導率：４２８Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を２０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１３０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３００ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。
［実施例３］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１μｍのＡｇ粒子（熱伝導率：４２８Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を４０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１２０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２８０ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。
［実施例４］
熱伝導粒子として、Ａｇ粒子表面を１００ｎｍ厚みのＳｉＯ２で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１μｍの絶縁被覆粒子を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１１５℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２８０ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。
［実施例５］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１．５μｍのＡｇ／Ｐｄ合金粒子（熱伝導率：４００Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１３５℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３００ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。
［比較例１］
熱伝導粒子を配合せずに異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は２００℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３３０ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で○であった。
［比較例２］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１μｍのＡｇ粒子（熱伝導率：４２８Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、０．５５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１１０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２５０ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で絶縁ＮＧであった。
［比較例３］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１．２μｍのＡｌＮ粒子（熱伝導率：１９０Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５５体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は、１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１７０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２５０ｍｌｍ、接続信頼性の評価結果は、初期で○、高温高湿試験後で導通ＮＧであった。
表１に、実施例１〜５、及び比較例１〜３の評価結果を示す。
Figure 2014067762
比較例１のように、熱伝導粒子を添加しない場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は２００℃／Ｗであり、優れた放熱性を得ることができなかった。
また、比較例２のように、Ａｇ粒子を５０体積％配合した場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．５５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１１０℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。しかし、Ａｇ粒子の配合量が多いため、ＬＥＤ実装体の高温高湿試験においてＶｆ値が初期Ｖｆ値よりも５％以上低下した。
また、比較例３のように、ＡｌＮ粒子を５５体積％配合した場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は１．０Ｗ／（ｍ・Ｋ）であったが、ＡｌＮの導電率が低いためＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１７０℃／Ｗであった。また、ＡｌＮ粒子の配合量が多く、また、ＡｌＮの高い電気絶縁性により、ＬＥＤ実装体の高温高湿試験においてＶｆ値が初期Ｖｆ値よりも５％以上上昇した。
一方、実施例１〜３のように、Ａｇ粒子を５〜４０体積％配合した場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．３〜０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１２０〜１６０℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。また、ＬＥＤ実装体の高温高湿試験においても、高い接続信頼性を得ることができた。
また、実施例４のように、Ａｇ粒子表面をＳｉＯ２で被覆した絶縁被覆粒子を用いた場合、５０体積％配合しても、ＬＥＤ実装体の高温高湿試験において、高い接続信頼性を得ることができた。また、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１１５℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。
また、実施例５のように、Ａｇ／Ｐｄ合金粒子を２０体積％配合した場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１３５℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。また、ＬＥＤ実装体の高温高湿試験においても、高い接続信頼性を得ることができた。
＜３．２ 絶縁被覆粒子の絶縁層の厚みについて＞
本実験では、熱伝導粒子として、金属粒子表面に絶縁層を形成した絶縁被覆粒子を配合した異方性導電接着剤（ＡＣＰ）を作製し、ＬＥＤ実装体を作製し、絶縁被覆粒子の絶縁層の厚みついて検討した。
異方性導電接着剤の作製、ＬＥＤ実装体の作製、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定、ＬＥＤ実装体の放熱性の評価、及び光特性の評価は、前述の＜３．１ 熱伝導粒子の種類について＞と同様に行った。また、絶縁被覆粒子の作製、及びＡＣＰ硬化物の耐電圧の測定は、次のように行った。
［絶縁被覆粒子の作製］
スチレンを主成分とする樹脂粉末（接着剤層、粒径０．２μｍ）と、Ａｇ金属粉（粒径１μｍ）とを混合した後、粉末同士を物理的な力で衝突させ成膜する成膜装置（ホソカワミクロン製メカノフージョン）にてＡｇ金属粉末表面に１００ｎｍ程度の白色絶縁層を形成した金属を得た。
［ＡＣＰ硬化物の耐電圧の測定］
くし葉上にパターニングされた配線基板上に厚み１００ｎｍのＡＣＰ硬化物を塗布計せした。くし葉の両極に電圧を５００Ｖまで印加し、０．５ｍＡ電流が流れたときの電圧を耐電圧とした。配線間スペースが２５μｍのときの耐電圧、及び配線間スペースが１００μｍのときの耐電圧を測定した。
［実施例６］
熱伝導粒子として、Ａｇ粒子表面を２０ｎｍ厚みのスチレン樹脂で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１μｍの絶縁被覆粒子を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は１５０Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１３０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３００ｍｌｍであった。
［実施例７］
熱伝導粒子として、Ａｇ粒子表面を１００ｎｍ厚みのスチレン樹脂で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１μｍの絶縁被覆粒子を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は２１０Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１２０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２８０ｍｌｍであった。
［実施例８］
熱伝導粒子として、Ａｇ粒子表面を８００ｎｍ厚みのスチレン樹脂で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１μｍの絶縁被覆粒子を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は４５０Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１１５℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２８０ｍｌｍであった。
［実施例９］
熱伝導粒子として、Ａｇ粒子表面を１００ｎｍ厚みのＳｉＯ２で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１μｍの絶縁被覆粒子を用いた。実施例４と同様、前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は２３０Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１１５℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２８０ｍｌｍであった。
［実施例１０］
熱伝導粒子として、Ａｇ／Ｐｄ合金粒子表面を１００ｎｍ厚みのスチレン樹脂で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１．５μｍの絶縁被覆粒子を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は２１０Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１３５℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２８０ｍｌｍであった。
［比較例４］
熱伝導粒子を配合せずに異方性導電接着剤を作製した。比較例１と同様、この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は２００Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は２００℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３３０ｍｌｍであった。
［比較例５］
熱伝導粒子として、平均粒径（Ｄ５０）１μｍのＡｇ粒子（熱伝導率：４２８Ｗ／（ｍ・Ｋ））を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。比較例２と同様、この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．５５Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は１００Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は２００Ｖであった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１１０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は２５０ｍｌｍであった。
［比較例６］
熱伝導粒子として、Ａｇ粒子表面を１１００ｎｍ厚みのスチレン樹脂で被覆した平均粒径（Ｄ５０）１μｍの絶縁被覆粒子を用いた。前述の樹脂組成物にこの熱伝導粒子を５０体積％配合し、熱伝導性を有する異方性導電接着剤を作製した。この異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率の測定結果は０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）であり、配線間スペースが２５μｍときの耐電圧の試験結果は３００Ｖであり、配線間スペースが１００μｍときの耐電圧の試験結果は５００Ｖ超であった。また、この異方性導電接着剤を用いて作製したＬＥＤ実装体の熱抵抗の測定結果は１９０℃／Ｗ、全光束量の測定結果は３００ｍｌｍであった。
表２に、実施例６〜１０、及び比較例４〜６の評価結果を示す。
Figure 2014067762
比較例４のように、熱伝導粒子を添加しない場合、比較例１と同様、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．２Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は２００℃／Ｗであり、優れた放熱性を得ることができなかった。耐電圧については、異方性導電接着剤の硬化物の配線間スペースが２５μｍのときに２００Ｖ、配線間スペースが１００μｍのときに５００Ｖ超であり、安定した絶縁特性が得られた。
また、比較例５のように、Ａｇ粒子を５０体積％配合した場合、比較例２と同様、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．５５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、実装体の熱抵抗値は１１０℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。しかし、Ａｇ粒子の配合量が多いため、異方性導電接着剤の硬化物の配線間スペースが２５μｍのときの耐電圧が１００Ｖ、配線間スペースが１００μｍのときの耐電圧が２００Ｖとなり、安定した絶縁特性が得られなかった。
また、比較例６のように、Ａｇ粒子表面を１１００ｎｍ厚みのスチレン樹脂で被覆した絶縁被覆粒子を用いた場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）であった。しかし、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１９０℃／Ｗであり、比較例４よりも若干低い値しか得られなかった。これは、スチレン樹脂の絶縁層が厚いため、熱伝導の阻害が起こったためだと考えられる。耐電圧については、異方性導電接着剤の硬化物の配線間スペースが２５μｍのときに３００Ｖ、配線間スペースが１００μｍのときに５００Ｖ超であり、安定した絶縁特性が得られた。
一方、実施例６〜８のように、スチレン樹脂の絶縁層を２０〜８００ｎｍとした場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．４〜０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１１５〜１３０℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。また、異方性導電接着剤の硬化物の配線間スペースが２５μｍのときの耐電圧は２１０〜４５０Ｖ、配線間スペースが１００μｍのときの耐電圧は５００Ｖ超となり、安定した絶縁特性が得られた。
また、実施例９のように、Ａｇ粒子表面をＳｉＯ２で被覆した絶縁被覆粒子を用いた場合、実施例４と同様、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１１５℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。また、異方性導電接着剤の硬化物の配線間スペースが２５μｍのときの耐電圧は２３０Ｖ、配線間スペースが１００μｍのときの耐電圧は５００Ｖ超となり、安定した絶縁特性が得られた。
また、実施例１０のように、Ａｇ／Ｐｄ合金粒子をスチレン樹脂で被覆した絶縁被覆粒子を用いた場合、異方性導電接着剤の硬化物の熱伝導率は０．４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、ＬＥＤ実装体の熱抵抗値は１３５℃／Ｗであり、比較例１よりも優れた放熱性を得ることができた。また、異方性導電接着剤の硬化物の配線間スペースが２５μｍのときの耐電圧は２１０Ｖ、配線間スペースが１００μｍのときの耐電圧は５００Ｖ超となり、安定した絶縁特性が得られた。
１１ 素子基板、１２ 第１導電型クラッド層、１３ 活性層、１４ 第２導電型クラッド層、１５ パッシベーション、２１ 基材、２２ 第１導電型用回路パターン、２３ 第２導電型用回路パターン、３１ 導電性粒子、３２ 熱伝導粒子、３３ バインダー、１０１ 素子基板、１０２ 第１導電型クラッド層、１０３ 活性層、１０４ 第２導電型クラッド層、１０５ パッシベーション、２０１ 基材、２０２ 第１導電型用回路パターン、２０３ 第２導電型用回路パターン、３０１ ワイヤーボンド、３０２ ダイボンド材、３０３ 導電性ペースト、３０４ 封止樹脂、３０５ バインダー、３０６ 導電性粒子、３０７ 金スズ合金

Claims (12)

  1. 樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子と、前記導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子とが接着剤成分に分散され、
    前記熱伝導粒子が、金属粒子、又は金属粒子の表面に絶縁層が形成された絶縁被覆粒子である異方性導電接着剤。
  2. 前記金属粒子が、２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導率を有する請求項１記載の異方性導電材料。
  3. 前記金属粒子が、Ａｇ又はＡｇを主成分とする合金からなる請求項１又は２記載の異方性導電材料。
  4. 前記金属粒子の配合量が、５〜４０体積％である請求項１乃至３のいずれか１項に記載の異方性導電接着剤。
  5. 前記絶縁被覆粒子の絶縁層の厚みが、２０〜１０００ｎｍである請求項１乃至３のいずれか１項に記載の異方性導電接着剤。
  6. 前記絶縁被覆粒子の絶縁層が、樹脂又は無機材料からなる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の異方性導電接着剤。
  7. 前記絶縁被覆粒子の配合量が、５〜５０体積％である請求項６に記載の異方性導電接着剤。
  8. 前記熱伝導粒子の平均粒径が、前記導電性粒子の平均粒径の５〜８０％である請求項１乃至７のいずれか１項に記載の異方性導電接着剤。
  9. 前記熱伝導粒子が、白又は灰色の無彩色である請求項１乃至８のいずれか１項に記載の異方性導電接着剤。
  10. 第１の電子部品の端子と、第２の電子部品の端子とが、樹脂粒子の表面に導電性金属層が形成された導電性粒子を介して電気的に接続されてなる接続構造体において、
    前記第１の電子部品の端子と前記第２の電子部品の端子との間に、前記導電性粒子よりも平均粒径が小さい熱伝導粒子が捕捉されてなり、
    前記熱伝導粒子が、金属粒子、又は金属粒子の表面に絶縁層が形成された絶縁被覆粒子である接続構造体。
  11. 第１の電子部品が、ＬＥＤ素子であり、
    第２の電子部品が、基板である請求項１０記載の接続構造体。
  12. 前記熱伝導粒子が、白又は灰色の無彩色である請求項１０記載の接続構造体。
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