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JP2013054401A JP5836299B2 (ja) 2012-08-20 2013-03-15 パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法
PCT/JP2013/072485 WO2014030723A1 (en) 2012-08-20 2013-08-16 Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same
KR1020157004408A KR101702425B1 (ko) 2012-08-20 2013-08-16 패턴 형성 방법, 감전자선성 또는 감극자외선성 수지 조성물, 레지스트 막, 및 그것을 이용한 전자 디바이스 제조방법 및 전자 디바이스
TW102129863A TWI615681B (zh) 2012-08-20 2013-08-20 圖案形成方法、電子束感應性或極紫外線感應性樹脂組成物、抗蝕膜、使用上述的電子元件的製造方法以及電子元件
US14/625,897 US9423690B2 (en) 2012-08-20 2015-02-19 Pattern forming method, electron beam-sensitive or extreme ultraviolet ray-sensitive resin composition, resist film, and method for manufacturing electronic device, and electronic device using the same

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Families Citing this family (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4554665B2 (ja) * 2006-12-25 2010-09-29 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液
JP5802700B2 (ja) * 2012-05-31 2015-10-28 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP5830493B2 (ja) * 2012-06-27 2015-12-09 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いた感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法及び半導体デバイスの製造方法
US20160159953A1 (en) * 2013-06-27 2016-06-09 Toyo Gosei Co., Ltd. Reagent for enhancing generation of chemical species
JP2017500275A (ja) * 2013-09-30 2017-01-05 東洋合成工業株式会社 化学種発生向上化合物
JP6249714B2 (ja) * 2013-10-25 2017-12-20 東京応化工業株式会社 相分離構造を含む構造体の製造方法
KR102439080B1 (ko) * 2014-07-24 2022-09-01 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 레지스트 상층막 형성 조성물 및 이것을 이용한 반도체 장치의 제조방법
JP6345250B2 (ja) 2014-07-31 2018-06-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP6646990B2 (ja) * 2014-10-02 2020-02-14 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP6883954B2 (ja) * 2015-06-26 2021-06-09 住友化学株式会社 レジスト組成物
JP6512049B2 (ja) * 2015-09-15 2019-05-15 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6427684B2 (ja) * 2015-09-30 2018-11-21 富士フイルム株式会社 レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US10622211B2 (en) * 2016-08-05 2020-04-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Metal-compound-removing solvent and method in lithography
EP3508917B1 (en) * 2016-08-31 2021-04-21 FUJIFILM Corporation Active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, pattern formation method, and electronic device production method
JP6701363B2 (ja) 2016-09-29 2020-05-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
US10095109B1 (en) * 2017-03-31 2018-10-09 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Acid-cleavable monomer and polymers including the same
EP3614206B1 (en) 2017-04-21 2024-03-13 FUJIFILM Corporation Photosensitive composition for euv light, pattern forming method, and method for producing electronic device
KR102620354B1 (ko) * 2017-11-09 2024-01-03 주식회사 동진쎄미켐 감광성 고분자, 이를 이용한 포토레지스트 조성물 및 패턴형성 방법
WO2019123842A1 (ja) 2017-12-22 2019-06-27 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、レジスト膜付きマスクブランクス、フォトマスクの製造方法、電子デバイスの製造方法
JP7145205B2 (ja) 2018-03-30 2022-09-30 富士フイルム株式会社 Ｅｕｖ光用ネガ型感光性組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
EP3783434A4 (en) 2018-04-20 2021-06-23 FUJIFILM Corporation LIGHT SENSITIVE COMPOSITION FOR EUV LIGHT, PATTERN GENERATION METHOD, AND METHOD FOR MANUFACTURING AN ELECTRONIC DEVICE
KR20210074372A (ko) 2018-11-22 2021-06-21 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
WO2020158366A1 (ja) 2019-01-28 2020-08-06 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
EP3919981A4 (en) 2019-01-28 2022-03-30 FUJIFILM Corporation ACTINIC LIGHT OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
CN113166312B (zh) 2019-01-28 2022-10-28 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法
KR102635086B1 (ko) 2019-03-29 2024-02-08 후지필름 가부시키가이샤 Euv광용 감광성 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
JP7777393B2 (ja) * 2019-05-08 2025-11-28 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
JP7503415B2 (ja) * 2019-05-08 2024-06-20 住友化学株式会社 レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法
TWI836094B (zh) 2019-06-21 2024-03-21 日商富士軟片股份有限公司 感光化射線性或感放射線性樹脂組合物、光阻膜、圖案形成方法、電子裝置之製造方法
EP3992713B1 (en) 2019-06-25 2023-08-09 FUJIFILM Corporation Production method for radiation-sensitive resin composition
EP3992181A4 (en) 2019-06-28 2022-10-26 FUJIFILM Corporation ACTINIC-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD, RESERVOIR FILM, AND METHOD FOR FABRICATING AN ELECTRONIC DEVICE
EP3992179A4 (en) 2019-06-28 2022-11-02 FUJIFILM Corporation METHOD FOR PRODUCING RESIN COMPOSITION SENSITIVE TO ACTIVE LIGHT OR ACTIVE RADIATION, METHOD FOR PATTERN FORMING AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRONIC DEVICE
WO2021039244A1 (ja) 2019-08-26 2021-03-04 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、電子デバイスの製造方法
EP4024132B1 (en) 2019-08-28 2024-11-20 FUJIFILM Corporation Active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, method for manufacturing electronic device, compound, and resin
JP7219822B2 (ja) 2019-09-30 2023-02-08 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2021117456A1 (ja) 2019-12-09 2021-06-17 富士フイルム株式会社 処理液、パターン形成方法
KR102770050B1 (ko) 2019-12-27 2025-02-20 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성막, 패턴 형성 방법, 및 전자 디바이스의 제조 방법
EP4098672A4 (en) 2020-01-31 2023-07-12 FUJIFILM Corporation POSITIVE RESIST COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD AND ELECTRONIC DEVICE PRODUCTION METHOD
CN115244464A (zh) 2020-03-30 2022-10-25 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、图案形成方法、抗蚀剂膜及电子器件的制造方法
JP7398551B2 (ja) 2020-03-30 2023-12-14 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法
WO2021200179A1 (ja) 2020-03-31 2021-10-07 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
WO2021241086A1 (ja) 2020-05-29 2021-12-02 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、化合物、化合物の製造方法
WO2021251086A1 (ja) 2020-06-10 2021-12-16 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物
CN115917431B (zh) 2020-06-10 2025-09-26 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
JP7637598B2 (ja) * 2020-09-03 2025-02-28 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
EP4282885A4 (en) 2021-01-22 2024-07-24 FUJIFILM Corporation ACTINIC RAY OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, ACTINIC RAY OR RADIATION SENSITIVE FILM, PATTERN FORMATION METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
WO2022158338A1 (ja) 2021-01-22 2022-07-28 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、化合物、及び樹脂
JP7781081B2 (ja) 2021-01-22 2025-12-05 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JPWO2022172597A1 (OSRAM) 2021-02-09 2022-08-18
KR20230131900A (ko) 2021-02-12 2023-09-14 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막,패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
KR20230130703A (ko) 2021-02-15 2023-09-12 후지필름 가부시키가이샤 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 레지스트막,패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
CN117063122A (zh) 2021-03-29 2023-11-14 富士胶片株式会社 感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法
WO2022220201A1 (ja) 2021-04-16 2022-10-20 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び化合物
EP4372466A4 (en) 2021-07-14 2025-04-09 FUJIFILM Corporation Pattern formation method, manufacturing method for electronic device, actinic radiation-sensitive or radiation-sensitive resin composition and resist film
WO2023286736A1 (ja) 2021-07-14 2023-01-19 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
IL310073A (en) 2021-07-14 2024-03-01 Fujifilm Corp Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern forming method, and method for producing electronic device
IL310843A (en) 2021-08-25 2024-04-01 Fujifilm Corp Chemical fluid and method for forming a pattern
JPWO2023054004A1 (OSRAM) 2021-09-29 2023-04-06
CN114133474B (zh) * 2021-11-23 2024-04-16 南京极速优源感光材料研究院有限公司 一种高精度光刻胶用树脂及其制备方法
EP4446811A4 (en) 2021-12-10 2025-04-30 FUJIFILM Corporation Actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, method for forming pattern, and method for producing electronic device
EP4455787A4 (en) 2021-12-23 2025-05-21 FUJIFILM Corporation Actinic or radiation-sensitive resin composition, actinic or radiation-sensitive film, pattern formation method, manufacturing method for electronic device and interconnection
JPWO2023157635A1 (OSRAM) 2022-02-16 2023-08-24
EP4485073A4 (en) 2022-02-25 2025-08-27 Fujifilm Corp ACTINIC RAY OR RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM, PATTERN FORMING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD
KR20250005248A (ko) 2022-06-20 2025-01-09 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법
EP4644991A1 (en) 2022-12-27 2025-11-05 FUJIFILM Corporation Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition, resist film, pattern formation method, electronic device manufacturing method, and onium salt

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001201854A (ja) * 2000-01-17 2001-07-27 Toray Ind Inc ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造方法
JP4324433B2 (ja) 2003-09-17 2009-09-02 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4338567B2 (ja) 2004-03-26 2009-10-07 富士フイルム株式会社 Ｅｕｖ露光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP5131461B2 (ja) * 2008-02-14 2013-01-30 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料、及びパターン形成方法
JP5201363B2 (ja) * 2008-08-28 2013-06-05 信越化学工業株式会社 重合性アニオンを有するスルホニウム塩及び高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4753056B2 (ja) * 2008-11-28 2011-08-17 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、その製造方法、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5557550B2 (ja) * 2009-02-20 2014-07-23 富士フイルム株式会社 電子線又はｅｕｖ光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法
JP5516195B2 (ja) * 2009-08-04 2014-06-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト材料
JP5708082B2 (ja) * 2010-03-24 2015-04-30 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物
JP5387601B2 (ja) * 2010-03-24 2014-01-15 信越化学工業株式会社 アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP5658961B2 (ja) * 2010-09-28 2015-01-28 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、及びパターン形成方法
JP2012168279A (ja) * 2011-02-10 2012-09-06 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Ｅｕｖ用レジスト組成物、ｅｕｖ用レジスト組成物の製造方法、およびレジストパターン形成方法
TWI450038B (zh) * 2011-06-22 2014-08-21 Shinetsu Chemical Co 圖案形成方法及光阻組成物
JP5618924B2 (ja) * 2011-06-30 2014-11-05 富士フイルム株式会社 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、該組成物を用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
TW201323456A (zh) * 2011-07-21 2013-06-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 聚合物，光阻組成物及光阻圖型之形成方法
TWI558689B (zh) * 2011-08-08 2016-11-21 住友化學股份有限公司 鹽、光阻組合物及產生光阻圖案之方法
US9405200B2 (en) * 2011-09-22 2016-08-02 Toyko Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and method of forming resist pattern
JP6209307B2 (ja) * 2011-09-30 2017-10-04 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法
JP2013097272A (ja) * 2011-11-02 2013-05-20 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP5846888B2 (ja) * 2011-12-14 2016-01-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法
JP5719788B2 (ja) * 2012-02-24 2015-05-20 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
US8795948B2 (en) * 2012-03-22 2014-08-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound
JP5919148B2 (ja) * 2012-03-28 2016-05-18 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び高分子化合物
JP6106432B2 (ja) * 2012-12-28 2017-03-29 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法、高分子化合物
JP6307290B2 (ja) * 2013-03-06 2018-04-04 東京応化工業株式会社 レジスト組成物、レジストパターン形成方法

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