JP2015055844A5 - - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 16
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 12
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 8
- 125000000467 secondary amino group Chemical group [H]N([*:1])[*:2] 0.000 claims description 8
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013190735A JP6134619B2 (ja) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
| PCT/JP2014/072960 WO2015037467A1 (ja) | 2013-09-13 | 2014-09-01 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、処理剤 |
| KR1020167006366A KR101745488B1 (ko) | 2013-09-13 | 2014-09-01 | 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 처리제 |
| TW103131255A TW201514640A (zh) | 2013-09-13 | 2014-09-11 | 圖案形成方法、電子元件的製造方法及處理劑 |
| US15/069,300 US20160195814A1 (en) | 2013-09-13 | 2016-03-14 | Pattern formation method, electronic-device production method, and processing agent |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013190735A JP6134619B2 (ja) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015055844A JP2015055844A (ja) | 2015-03-23 |
| JP2015055844A5 true JP2015055844A5 (OSRAM) | 2015-12-17 |
| JP6134619B2 JP6134619B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=52665579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013190735A Expired - Fee Related JP6134619B2 (ja) | 2013-09-13 | 2013-09-13 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20160195814A1 (OSRAM) |
| JP (1) | JP6134619B2 (OSRAM) |
| KR (1) | KR101745488B1 (OSRAM) |
| TW (1) | TW201514640A (OSRAM) |
| WO (1) | WO2015037467A1 (OSRAM) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6531397B2 (ja) * | 2014-03-07 | 2019-06-19 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及びこれに用いられる組成物 |
| US9448483B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-09-20 | Dow Global Technologies Llc | Pattern shrink methods |
| US9696625B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-07-04 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Method of forming resist pattern |
| JP6483397B2 (ja) * | 2014-10-17 | 2019-03-13 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| JP6503206B2 (ja) | 2015-03-19 | 2019-04-17 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン修復方法 |
| WO2016158507A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターン被覆用塗布液及びパターンの形成方法 |
| TWI606099B (zh) | 2015-06-03 | 2017-11-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 圖案處理方法 |
| TWI615460B (zh) | 2015-06-03 | 2018-02-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理的組合物和方法 |
| TWI617900B (zh) | 2015-06-03 | 2018-03-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 圖案處理方法 |
| TWI627220B (zh) | 2015-06-03 | 2018-06-21 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於圖案處理之組合物及方法 |
| JP6739251B2 (ja) * | 2015-07-24 | 2020-08-12 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
| DE112016003924B4 (de) | 2015-08-28 | 2021-09-16 | Kyocera Corporation | Schaftfräser und Verfahren des Herstellens eines maschinell-bearbeiteten Produkts |
| TWI612108B (zh) | 2015-10-31 | 2018-01-21 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | 嵌段共聚物及圖案處理組合物以及方法 |
| CN108351606A (zh) * | 2015-11-19 | 2018-07-31 | Az电子材料(卢森堡)有限公司 | 用于形成细微抗蚀图案的组合物和使用该组合物的图案形成方法 |
| US10162265B2 (en) | 2015-12-09 | 2018-12-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern treatment methods |
| CN108885412B (zh) * | 2016-03-31 | 2022-04-05 | 富士胶片株式会社 | 半导体制造用处理液及图案形成方法 |
| JP2017203858A (ja) * | 2016-05-10 | 2017-11-16 | Jsr株式会社 | イオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物及び半導体素子の製造方法 |
| JP6741471B2 (ja) * | 2016-05-17 | 2020-08-19 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
| US10133179B2 (en) | 2016-07-29 | 2018-11-20 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Pattern treatment methods |
| KR102359074B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2022-02-07 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 키트 |
| JP7085835B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2022-06-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| US10658521B2 (en) * | 2018-05-15 | 2020-05-19 | International Business Machines Corporation | Enabling residue free gap fill between nanosheets |
| WO2019222834A1 (en) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | The University Of British Columbia | Group 5 metal complexes for producing amine-funtionalized polyolefins |
| JP7134066B2 (ja) * | 2018-11-02 | 2022-09-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP7780855B2 (ja) | 2019-11-06 | 2025-12-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP7422532B2 (ja) | 2019-12-18 | 2024-01-26 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
| JP7376433B2 (ja) * | 2020-07-07 | 2023-11-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4982288B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2012-07-25 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2008268742A (ja) * | 2007-04-24 | 2008-11-06 | Fujifilm Corp | パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法 |
| JP2009271259A (ja) | 2008-05-02 | 2009-11-19 | Fujifilm Corp | レジストパターン用表面処理剤および該表面処理剤を用いたレジストパターン形成方法 |
| JP5446648B2 (ja) * | 2008-10-07 | 2014-03-19 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
| JP2010102047A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Fujifilm Corp | レジストパターン表面処理剤、該表面処理剤を用いたレジストパターンの表面処理方法及びレジストパターンの形成方法 |
| JP5516200B2 (ja) * | 2009-08-05 | 2014-06-11 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法、化学増幅ポジ型レジスト材料、及び、レジスト変性用組成物 |
| JP5758263B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2015-08-05 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP6027779B2 (ja) * | 2012-06-11 | 2016-11-16 | メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 | リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 |
| JP5965733B2 (ja) * | 2012-06-12 | 2016-08-10 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
-
2013
- 2013-09-13 JP JP2013190735A patent/JP6134619B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-09-01 KR KR1020167006366A patent/KR101745488B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-01 WO PCT/JP2014/072960 patent/WO2015037467A1/ja not_active Ceased
- 2014-09-11 TW TW103131255A patent/TW201514640A/zh unknown
-
2016
- 2016-03-14 US US15/069,300 patent/US20160195814A1/en not_active Abandoned
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| JP2021076784A5 (OSRAM) |