JP6134619B2 - パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6134619B2
JP6134619B2 JP2013190735A JP2013190735A JP6134619B2 JP 6134619 B2 JP6134619 B2 JP 6134619B2 JP 2013190735 A JP2013190735 A JP 2013190735A JP 2013190735 A JP2013190735 A JP 2013190735A JP 6134619 B2 JP6134619 B2 JP 6134619B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
resin
pattern
carbon atoms
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013190735A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2015055844A (ja
JP2015055844A5 (OSRAM
Inventor
雄一郎 榎本
雄一郎 榎本
亮介 上羽
亮介 上羽
三千紘 白川
三千紘 白川
創 古谷
創 古谷
研由 後藤
研由 後藤
雅史 小島
雅史 小島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2013190735A priority Critical patent/JP6134619B2/ja
Priority to PCT/JP2014/072960 priority patent/WO2015037467A1/ja
Priority to KR1020167006366A priority patent/KR101745488B1/ko
Priority to TW103131255A priority patent/TW201514640A/zh
Publication of JP2015055844A publication Critical patent/JP2015055844A/ja
Publication of JP2015055844A5 publication Critical patent/JP2015055844A5/ja
Priority to US15/069,300 priority patent/US20160195814A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6134619B2 publication Critical patent/JP6134619B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • G03F7/405—Treatment with inorganic or organometallic reagents after imagewise removal
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/325—Non-aqueous compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
JP2013190735A 2013-09-13 2013-09-13 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 Expired - Fee Related JP6134619B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013190735A JP6134619B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
PCT/JP2014/072960 WO2015037467A1 (ja) 2013-09-13 2014-09-01 パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、処理剤
KR1020167006366A KR101745488B1 (ko) 2013-09-13 2014-09-01 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 처리제
TW103131255A TW201514640A (zh) 2013-09-13 2014-09-11 圖案形成方法、電子元件的製造方法及處理劑
US15/069,300 US20160195814A1 (en) 2013-09-13 2016-03-14 Pattern formation method, electronic-device production method, and processing agent

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013190735A JP6134619B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015055844A JP2015055844A (ja) 2015-03-23
JP2015055844A5 JP2015055844A5 (OSRAM) 2015-12-17
JP6134619B2 true JP6134619B2 (ja) 2017-05-24

Family

ID=52665579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013190735A Expired - Fee Related JP6134619B2 (ja) 2013-09-13 2013-09-13 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20160195814A1 (OSRAM)
JP (1) JP6134619B2 (OSRAM)
KR (1) KR101745488B1 (OSRAM)
TW (1) TW201514640A (OSRAM)
WO (1) WO2015037467A1 (OSRAM)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6531397B2 (ja) * 2014-03-07 2019-06-19 Jsr株式会社 パターン形成方法及びこれに用いられる組成物
US9448483B2 (en) 2014-07-31 2016-09-20 Dow Global Technologies Llc Pattern shrink methods
US9696625B2 (en) 2014-10-17 2017-07-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method of forming resist pattern
JP6483397B2 (ja) * 2014-10-17 2019-03-13 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
JP6503206B2 (ja) 2015-03-19 2019-04-17 東京応化工業株式会社 レジストパターン修復方法
WO2016158507A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 日産化学工業株式会社 レジストパターン被覆用塗布液及びパターンの形成方法
TWI606099B (zh) 2015-06-03 2017-11-21 羅門哈斯電子材料有限公司 圖案處理方法
TWI615460B (zh) 2015-06-03 2018-02-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於圖案處理的組合物和方法
TWI617900B (zh) 2015-06-03 2018-03-11 羅門哈斯電子材料有限公司 圖案處理方法
TWI627220B (zh) 2015-06-03 2018-06-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於圖案處理之組合物及方法
JP6739251B2 (ja) * 2015-07-24 2020-08-12 住友化学株式会社 レジスト組成物
DE112016003924B4 (de) 2015-08-28 2021-09-16 Kyocera Corporation Schaftfräser und Verfahren des Herstellens eines maschinell-bearbeiteten Produkts
TWI612108B (zh) 2015-10-31 2018-01-21 Rohm And Haas Electronic Materials Llc 嵌段共聚物及圖案處理組合物以及方法
CN108351606A (zh) * 2015-11-19 2018-07-31 Az电子材料（卢森堡）有限公司 用于形成细微抗蚀图案的组合物和使用该组合物的图案形成方法
US10162265B2 (en) 2015-12-09 2018-12-25 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
CN108885412B (zh) * 2016-03-31 2022-04-05 富士胶片株式会社 半导体制造用处理液及图案形成方法
JP2017203858A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 Jsr株式会社 イオンインプランテーション用感放射線性樹脂組成物及び半導体素子の製造方法
JP6741471B2 (ja) * 2016-05-17 2020-08-19 東京応化工業株式会社 レジストパターン形成方法
US10133179B2 (en) 2016-07-29 2018-11-20 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Pattern treatment methods
KR102359074B1 (ko) * 2016-09-30 2022-02-07 후지필름 가부시키가이샤 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 키트
JP7085835B2 (ja) * 2017-12-28 2022-06-17 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
US10658521B2 (en) * 2018-05-15 2020-05-19 International Business Machines Corporation Enabling residue free gap fill between nanosheets
WO2019222834A1 (en) * 2018-05-23 2019-11-28 The University Of British Columbia Group 5 metal complexes for producing amine-funtionalized polyolefins
JP7134066B2 (ja) * 2018-11-02 2022-09-09 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7780855B2 (ja) 2019-11-06 2025-12-05 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7422532B2 (ja) 2019-12-18 2024-01-26 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
JP7376433B2 (ja) * 2020-07-07 2023-11-08 東京応化工業株式会社 レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4982288B2 (ja) * 2007-04-13 2012-07-25 富士フイルム株式会社 パターン形成方法
JP2008268742A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法
JP2009271259A (ja) 2008-05-02 2009-11-19 Fujifilm Corp レジストパターン用表面処理剤および該表面処理剤を用いたレジストパターン形成方法
JP5446648B2 (ja) * 2008-10-07 2014-03-19 信越化学工業株式会社 パターン形成方法
JP2010102047A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Fujifilm Corp レジストパターン表面処理剤、該表面処理剤を用いたレジストパターンの表面処理方法及びレジストパターンの形成方法
JP5516200B2 (ja) * 2009-08-05 2014-06-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法、化学増幅ポジ型レジスト材料、及び、レジスト変性用組成物
JP5758263B2 (ja) * 2011-10-11 2015-08-05 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングＭｅｒｃｋ Ｐａｔｅｎｔ ＧｍｂＨ 微細レジストパターン形成用組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP6027779B2 (ja) * 2012-06-11 2016-11-16 メルクパフォーマンスマテリアルズマニュファクチャリング合同会社 リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法
JP5965733B2 (ja) * 2012-06-12 2016-08-10 富士フイルム株式会社 パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20160195814A1 (en) 2016-07-07
TW201514640A (zh) 2015-04-16
JP2015055844A (ja) 2015-03-23
KR101745488B1 (ko) 2017-06-09
KR20160043013A (ko) 2016-04-20
WO2015037467A1 (ja) 2015-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6134619B2 (ja) パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP6126878B2 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及び電子デバイスの製造方法
JP6031369B2 (ja) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP6002705B2 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、及び、電子デバイスの製造方法
JP6340304B2 (ja) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP5785754B2 (ja) パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
JP5879218B2 (ja) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、感活性光線性又は感放射線性膜
JP5865725B2 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法
JP6140487B2 (ja) パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法
JP5914196B2 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いる電子デバイスの製造方法
JP6126570B2 (ja) パターン形成方法、電子デバイスの製造方法
JP5894881B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、並びに、これらを用いる電子デバイスの製造方法
KR20130080780A (ko) 패턴형성방법, 화학증폭형 레지스트 조성물 및 레지스트막
JP2013080006A (ja) パターン形成方法、感電子線性又は感極紫外線性樹脂組成物、及び、レジスト膜、並びに、これらを用いた電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP2015045836A (ja) パターン形成方法及びそれに用いられる表面処理剤、並びに、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2013174715A (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びレジスト膜、並びにこれらを用いた電子デバイスの製造方法、及び電子デバイス
JP2013047783A (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
JP5850792B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法
WO2016017346A1 (ja) パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法
JP6116358B2 (ja) パターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
WO2014192768A1 (ja) パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP6140583B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに、電子デバイスの製造方法
JP6025887B2 (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、レジスト膜
JP2015180950A (ja) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150828

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151029

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151029

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161004

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161110

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20170123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170328

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170424

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6134619

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees