JP2014049477A5 - - Google Patents

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本発明の一観点によれば、第1パッドを有する第1基板と、前記第1パッドと対向して設けられた第2パッドを有する第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に実装された電子部品と、前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記電子部品が実装された領域よりも外側に設けられ、前記第1パッドと前記第2パッドとを電気的に接続するスペーサ部と、前記第1基板と前記第2基板との間の空間に充填され、前記電子部品及び前記スペーサ部を封止する封止樹脂と、を有し、前記スペーサ部は、第1面がはんだ層を介して前記第2パッドに接合された金属ポストと、前記金属ポストの前記第1面とは反対側の第2面と前記第1パッドとに接合されたはんだボールとが前記第1基板及び前記第2基板の積層方向に積層された構造と、前記第2基板上に設けられ、前記金属ポストの側面全面を被覆し、前記金属ポストの前記第2面を露出する樹脂層とを有し、前記はんだボールは、前記封止樹脂により被覆されている

Claims (12)

  1. 第1パッドを有する第1基板と、
    前記第1パッドと対向して設けられた第2パッドを有する第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に実装された電子部品と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記電子部品が実装された領域よりも外側に設けられ、前記第1パッドと前記第2パッドとを電気的に接続するスペーサ部と、
    前記第1基板と前記第2基板との間の空間に充填され、前記電子部品及び前記スペーサ部を封止する封止樹脂と、を有し、
    前記スペーサ部は、
    第1面がはんだ層を介して前記第2パッドに接合された金属ポストと、前記金属ポストの前記第1面とは反対側の第2面と前記第1パッドとに接合されたはんだボールとが前記第1基板及び前記第2基板の積層方向に積層された構造と、
    前記第2基板上に設けられ、前記金属ポストの側面全面を被覆し、前記金属ポストの前記第2面を露出する樹脂層とを有し、
    前記はんだボールの表面は前記封止樹脂により被覆されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
  2. 前記金属ポストの前記面には凹部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の電子部品内蔵基板。
  3. 前記金属ポストの前記面は、前記樹脂層の前記第1基板側の第1面よりも前記金属ポストの前記第1面側に向かって凹むように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品内蔵基板。
  4. 前記金属ポストが形成される平面視環状の第1領域に前記樹脂層が形成されていない第1非形成領域が形成され、
    前記第1非形成領域は、前記第1領域よりも内側に形成された第2非形成領域と、前記第1領域よりも外側に形成された第3非形成領域とを接続するように形成されていることを特徴とする請求項3に記載の電子部品内蔵基板。
  5. 前記はんだボールは、導電性コアボールと前記導電性コアボールの周囲を被覆するはんだとを有する導電性コア付きはんだボールであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の電子部品内蔵基板。
  6. 第1パッドを有する第1基板と、
    前記第1パッドと対向して設けられた第2パッドを有する第2基板と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に実装された電子部品と、
    前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記電子部品が実装された領域よりも外側に設けられ、前記第1パッドと前記第2パッドとを電気的に接続するスペーサ部と、
    前記第1基板と前記第2基板との間の空間に充填され、前記電子部品及び前記スペーサ部を封止する封止樹脂と、を有し、
    前記スペーサ部は、
    前記第1パッドに接合された第1はんだボールと金属ポストと、前記第2パッドと前記金属ポストの第1面とに接合された第2はんだボールとが前記第1基板及び前記第2基板の積層方向に順に積層された構造と、
    前記第2基板上に設けられ、前記金属ポストの側面全面と前記第はんだボールの表面全面とを被覆し、前記金属ポストの前記第1面とは反対側の第2面を露出する樹脂層と、を有し、
    前記第1はんだボールは、前記樹脂層から露出された前記金属ポストの前記第2面に接合され、
    前記第1はんだボールの表面は前記封止樹脂により被覆されていることを特徴とする電子部品内蔵基板。
  7. 前記電子部品は、前記スペーサ部に囲まれた領域に配置されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載の電子部品内蔵基板。
  8. 前記樹脂層は、異方性導電樹脂からなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載の電子部品内蔵基板。
  9. 第1パッドが形成された第1基板と、第2パッドが形成された第2基板とを準備する第1工程と、
    第2基板の第2パッドにスペーサ部を接合する第2工程と、
    前記スペーサ部を前記第1パッドに接合し、前記スペーサ部を介して前記第2基板を前記第1基板に接続する第3工程と、
    前記第1基板と前記第2基板との間の空間に封止樹脂を充填し、前記第1基板と前記第2基板との間に配置された電子部品を封止する第4工程と、を有し、
    前記第2工程は、
    金属板の所要の箇所を薄化して凸部を形成する工程と、
    前記第2基板上に半硬化状態の樹脂層を形成する工程と、
    前記凸部が前記第2パッドに電気的に接続されるように、前記凸部の第1面を第2パッドに対向させて前記金属板を前記第2基板に固定する工程と、
    前記金属板のうち前記凸部のみ、又は前記凸部の一部のみが残るように前記金属板を薄化する工程と、
    前記薄化後の凸部の前記第1面とは反対側の第2面にはんだボールを搭載する工程と、を有し、
    前記前記金属板を前記第2基板に固定する工程では、前記凸部が半硬化状態の前記樹脂層を突き破って前記第2パッドに接合されることを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
  10. 前記第2工程は、
    前記凸部の前記第1面上に第1はんだを形成する工程と、
    前記樹脂層を形成する前に、前記第2パッド上に第2はんだを形成する工程と、を有し、
    前記樹脂層を形成する工程では、前記第2パッドを被覆するように前記樹脂層を形成し、
    前記金属板を前記第2基板に固定する工程では、前記金属板を前記樹脂層を介して前記第2基板に固定するとともに、前記第1はんだ及び前記第2はんだにより前記第2パッドと前記凸部とを接合することを特徴とする請求項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
  11. 前記第2工程は、前記はんだボールを第1はんだボールとしたときに、
    前記凸部の前記第1面上に第2はんだボールを搭載する工程と、を有し、
    前記金属板を前記第2基板に固定する工程では、前記金属板を前記樹脂層を介して前記第2基板に固定するとともに、前記凸部及び前記第2はんだボールが半硬化状態の前記樹脂層を突き破って、前記凸部が前記第2はんだボールを介して前記第2パッドに接合されることを特徴とする請求項に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
  12. 前記第2基板に固定された前記金属板を薄化する工程では、前記凸部の前記第2面が、前記樹脂層の前記第2基板と接する面とは反対側の第1面よりも前記凸部の前記第1面側に凹むまで前記金属板を薄化することを特徴とする請求項9〜11のいずれか1つに記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7251951B2 (ja) 2018-11-13 2023-04-04 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7421357B2 (ja) 2020-02-05 2024-01-24 新光電気工業株式会社 部品内蔵基板及び部品内蔵基板の製造方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140353824A1 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Huawei Technologies Co., Ltd. Package-on-package structure
KR20150025129A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 삼성전기주식회사 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법
KR20150033937A (ko) 2013-09-25 2015-04-02 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제작 방법
JP6130312B2 (ja) * 2014-02-10 2017-05-17 新光電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US9679862B2 (en) * 2014-11-28 2017-06-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Semiconductor device having conductive bumps of varying heights
US9502368B2 (en) 2014-12-16 2016-11-22 Intel Corporation Picture frame stiffeners for microelectronic packages
US20160190056A1 (en) * 2014-12-29 2016-06-30 SooSan Park Integrated circuit packaging system with package-on-package mechanism and method of manufacture thereof
JP6444269B2 (ja) * 2015-06-19 2018-12-26 新光電気工業株式会社 電子部品装置及びその製造方法
JPWO2017082416A1 (ja) * 2015-11-11 2018-06-14 京セラ株式会社 電子部品パッケージ
KR101799668B1 (ko) * 2016-04-07 2017-11-20 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JP7462620B2 (ja) 2019-05-15 2024-04-05 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体パッケージ、半導体パッケージの製造方法、および、電子装置
US20220231206A1 (en) * 2021-01-15 2022-07-21 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd Light-Emitting Device and Displayer
JP2022140870A (ja) 2021-03-15 2022-09-29 株式会社村田製作所 回路モジュール

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001217340A (ja) * 2000-02-01 2001-08-10 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
US7145226B2 (en) * 2003-06-30 2006-12-05 Intel Corporation Scalable microelectronic package using conductive risers
WO2007069606A1 (ja) 2005-12-14 2007-06-21 Shinko Electric Industries Co., Ltd. チップ内蔵基板およびチップ内蔵基板の製造方法
JP4182140B2 (ja) * 2005-12-14 2008-11-19 新光電気工業株式会社 チップ内蔵基板
JP2009135398A (ja) * 2007-11-29 2009-06-18 Ibiden Co Ltd 組合せ基板
KR101711045B1 (ko) * 2010-12-02 2017-03-02 삼성전자 주식회사 적층 패키지 구조물

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7251951B2 (ja) 2018-11-13 2023-04-04 新光電気工業株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP7421357B2 (ja) 2020-02-05 2024-01-24 新光電気工業株式会社 部品内蔵基板及び部品内蔵基板の製造方法

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