JP2014048366A - 波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器、および波長可変干渉フィルターの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】波長可変干渉フィルター5は、固定ミラー55を有する第一基板51と、第一基板51に接合され、可動部522および可動部522に固定される可動ミラー56を備えた第二基板52と、第一基板51とは反対側で第二基板52に接合される第三基板53と、可動部522を基板対向方向に変位させる静電アクチュエーター54とを備え、第一基板51と第二基板52とにより挟まれた第一内部空間581と、第一内部空間581と外部を連通した第一間隙591と、第二基板52と第三基板53とに挟まれた第二内部空間582と、第二内部空間582と外部を連通した第二間隙592と、を有し、第一間隙591および第二間隙592が、封止材518で封止される。
【選択図】図3
Description
以下、本発明に係る第一実施形態について、図面に基づいて説明する。
[分光測定装置の構成]
図1は、第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置1は、例えば測定対象Xで反射した測定対象光における各波長の光強度を分析し、分光スペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Xで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Xとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
そして、この分光測定装置1は、図1に示すように、光学モジュール10と、光学モジュール10から出力された信号を処理する制御部20と、を備えている。
光学モジュール10は、波長可変干渉フィルター5と、検出部11と、I−V変換器12と、アンプ13と、A/D変換器14と、電圧制御部15とを備える。
この光学モジュール10は、測定対象Xで反射された測定対象光を、入射光学系(図示略)を通して、波長可変干渉フィルター5に導き、波長可変干渉フィルター5を透過した光を検出部11で受光する。そして、検出部11から出力された検出信号は、I−V変換器12、アンプ13、及びA/D変換器14を介して制御部20に出力される。
次に、光学モジュールに組み込まれる波長可変干渉フィルターについて説明する。
図2は、波長可変干渉フィルター5の概略構成を示す平面図である。図3は、図2の波長可変干渉フィルターのA−A’線での断面図である。図4は、図2の波長可変干渉フィルターのB−B’線での断面図である。
図5は、第一基板51を第二基板52側から見た平面図である。
第一基板51は、厚みが例えば1mmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、図2および図3、図4に示すように、第一基板51には、エッチングによりミラー固定部511および電極形成溝512が形成される。
ミラー固定部511は、第一基板51の基板厚み方向から第一基板51を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形に形成されている。電極形成溝512は、前記平面視において、電極形成溝512と同心円で電極形成溝512よりも径寸法が大きい円形に形成されている。
なお、本実施形態では、固定ミラー55としてはAg合金やAl合金等の金属合金膜を用いるが、これに限定されず、例えば、SiO2−TiO2系膜誘電体多層膜や、AgC単層の固定ミラーを用いる構成としてもよい。
なお、本実施形態では、第一変位用電極541および第一変位用電極引出部542してはAu/Cr膜を用いるが、これに限定されず、他の金属やITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)を用いてもよい。
第二変位用電極544および第二変位用電極上部配線545および第二変位用電極下部配線542Bおよび第二変位用引出電極546Bは、Au/Cr膜(クロム膜を下地とし、その上に金膜を形成した膜)を用いて形成され、スパッタリングなどの手法により、例えば100nmの厚さに形成される。
なお、本実施形態では、第二変位用電極544および第二変位用電極上部配線545および第二変位用電極下部配線542Bおよび第二変位用引出電極546BとしてAu/Cr膜を用いるが、これに限定されず、他の金属やITO(Indium Tin Oxide:インジウム錫酸化物)を用いてもよい。また、本実施形態ではバンプ電極516としてポリイミド等の樹脂をコアとして金等をメッキしたバンプ電極を用いるが、これに限定されず、メッキ等で凸形状に形成された他の金属を用いてもよい。
図6は、第二基板52を第一基板51側から見た平面図である。
第二基板52は、厚みが例えば600μmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。
具体的には、図2および図3、図4に示すように、第二基板52には、エッチングにより変位部521が形成される。この変位部521は、第二基板52の基板厚み方向から第二基板52を見た平面視において、平面中心点を中心とした円形の可動部522と、可動部522と同軸であり可動部522を保持する保持部523とを備えている。
なお、本実施形態では、第二変位用電極544および第二変位用電極上部配線545は、第一変位用電極541および第一変位用電極引出部542と同様に、Au/Cr膜を用いて形成されるが、これに限定されず、他の金属やITOを用いてもよい。
図7は、第三基板53を第二基板52側から見た平面図である。
第三基板53は、上記第一基板51および第二基板52と同様に、厚みが例えば1mmに形成されるガラス基材をエッチングにより加工することで形成される。具体的には、第三基板53には、第二基板52の変位部521に対向して、この変位部521と同一径寸法のギャップ形成溝531が形成されている。
次に、図1に戻り、光学モジュール10の検出部11について説明する。
検出部11は、波長可変干渉フィルター5の光干渉領域Ar0を透過した光を受光(検出)し、受光量に基づいた検出信号を出力する。
I−V変換器12は、検出部11から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ13に出力する。
アンプ13は、I−V変換器12から入力された検出信号に応じた電圧(検出電圧)を増幅する。
A/D変換器14は、アンプ13から入力された検出電圧(アナログ信号)をデジタル信号に変換し、制御部20に出力する。
電圧制御部15は、制御部20の制御に基づいて、波長可変干渉フィルター5の静電アクチュエーター54に対して電圧を印加する。これにより、静電アクチュエーター54の第一変位用電極541及び第二変位用電極544間で静電引力が発生し、可動部522が第一基板51側に変位して、ミラー間ギャップGが所定値に設定される。
次に、分光測定装置1の制御部20について説明する。
制御部20は、例えばCPUやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置1の全体動作を制御する。この制御部20は、図1に示すように、波長設定部21と、光量取得部22と、分光測定部23と、を備える。
また、制御部20は、各種データを記憶する記憶部30を備え、記憶部30には、静電アクチュエーター54を制御するためのV−λデータが記憶される。このV−λデータは、静電アクチュエーター54に印加する電圧に対する、波長可変干渉フィルター5を透過する光のピーク波長が記録されている。
分光測定部23は、光量取得部22により取得され記憶部30に記憶された各波長に対する光量に基づいて、測定対象光の分光スペクトルを測定する。
次に、上述したような波長可変干渉フィルターに製造方法について説明する。
先ず、上述した各基板51,52,53を形成する。なお、第一基板51および第三基板53は、第一内部空間581および第二内部空間582を減圧状態とした際に、撓まない程度の剛性が確保できる厚さに形成する。
なお、各基板51,52,53の接合では、上記接合方法以外にも、例えば、粘着性薄膜(接着剤)による接合方法や、金属膜による接合方法などを利用することもできる。
図8は、各基板51,52,53を接合した後の封止およびチップ形成工程を示す図である。ここでは、各基板51,52,53を一枚の基材にそれぞれ形成し、この基材をそれぞれ接合して、最後に個別の波長可変干渉フィルターに個片化する製造方法について説明する。
図8(A)は各基板51,52,53を接合した状態を示している。各基板51,52,53を接合した後は、第一および第二間隙591,592から第一内部空間581および第二内部空間582内の空気を真空ポンプ等の吸引装置で吸引し、第一内部空間581および第二内部空間582を大気圧より減圧状態とする。そして、第一内部空間581および第二内部空間582が減圧された状態で、第一および第二間隙591,592を封止材518により密封する(図8(B))。このとき、封止材518には、例えばパラキシリレン系ポリマー(パリレン)が用いられる。パリレンは、波長可変干渉フィルター5を真空チャンバに入れ、パリレンのモノマーガスを導入することで波長可変干渉フィルター5の表面に均一なパリレン薄膜が室温で成膜される。パリレンは微細な間隙にも成膜されるため、第一貫通部583、第一封止溝517、第二貫通部584、第二封止溝534を介して第一および第二間隙591,592の内部にもパリレンが成膜され、封止材518を形成する。これにより、第一および第二間隙591,592が封止される。このとき、パリレンの成膜は減圧状態で行われるため、波長可変干渉フィルター5の内部の第一内部空間581、第二内部空間582は減圧状態で封止される。パリレンは、塩素を置換基として有するパリレンCを用いるのが好ましく、その平均膜厚は、約10nmから約100μmである。
なお、本実施形態では、第一内部空間581、第二内部空間582が減圧状態で密封されるが、これに限定されず、接着剤等を用いて大気圧状態で密封してもよい。
上述したように、上記第一実施形態の波長可変干渉フィルター5では、接合面513、524の間、および接合面525、532の間に未接合の第一間隙591、第二間隙592が形成されている。また、各間隙は、波長可変干渉フィルター5の第一基板51と第二基板52との間の第一内部空間581、第二基板52と第三基板53との間の第二内部空間582と外部とに連通している。よって、第一間隙591、第二間隙592を封止材518により封止することで、第一内部空間581、第二内部空間582を密閉することができる。これにより、固定ミラー55、可動ミラー56および可動部522が、密封された第一内部空間581と第二内部空間582に配置されるため、外部の湿度や異物による駆動特性や光学特性の劣化を防ぐことができる。従って、波長可変干渉フィルター5の信頼性を確保することができる。また、別体のパッケージを用いないため、小型化と低コスト化ができる。また、このような波長可変干渉フィルター5を用いた光学モジュール10および分光測定装置1では、波長可変干渉フィルター5の信頼性を確保することができるので、検査対象光を安定的に受光し、検査対象光の各成分の強度を安定的に分析することができる。
また、封止材518の一例であるパリレンは、微細な間隙に成膜でき、間隙の奥深くまで封止材を形成することができる。よって、封止距離を長くすることができ、良好な封止品質が得られる。さらに、パリレンCは、良好がガスバリア性を有するため、さらに封止品質を向上できる。また、パリレンは室温で成膜することができ、熱によって波長可変干渉フィルターに加わる応力やミラーの劣化を抑制することができる。
次に、本発明に係る第二実施形態の波長可変干渉フィルターについて説明する。
図9は、第二実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図である。図10は、図9の波長可変干渉フィルターのA−A’線での断面図である。図11は、図9の波長可変干渉フィルターのB−B’線での断面図である。なお、第二実施形態以降の説明にあたり、第一実施形態と同様の構成については、同符号を付し、その説明を省略または簡略する。
すなわち、第一実施形態の波長可変干渉フィルター5では、第二基板52に貫通孔が設けられていない例を示したが、第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、第二基板52Aには貫通孔526が形成される。
第二実施形態の波長可変干渉フィルター5Aでは、次のような作用効果を奏することができる。
すなわち、第一内部空間581と、第二内部空間582とを連通する貫通孔526が第二基板52Aに形成されている。このため、第一内部空間581および第二内部空間582内を減圧状態、あるいは、乾燥空気や窒素雰囲気の状態で密封した際に、第一内部空間581と第二内部空間582の圧力を均一にできる。従って、各内部空間の圧力差による可動ミラー56の変動を抑制することができ、精度よく可動ミラー56を駆動することができる。
また、このような波長可変干渉フィルター5Aを用いた光学モジュール10および分光測定装置1では、波長可変干渉フィルター5Aの可動ミラー56の駆動精度を向上することができるので、検査対象光を高精度に受光し、検査対象光の各色成分の強度を高精度に分析することができる。
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムとして用いることができる。このようなシステムとしては、例えば、本発明の波長可変干渉フィルターを用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
図14は、図13のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置100は、図13に示すように、センサーチップ110と、吸引口120A、吸引流路120B、排出流路120C、及び排出口120Dを備えた流路120と、本体部130と、を備えて構成されている。
本体部130は、流路120を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー131、排出手段133、筐体134、光学部135、フィルター136、波長可変干渉フィルター5、及び受光素子137(検出部)等を含む検出装置(光学モジュール)と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部138(処理部)、電力を供給する電力供給部139等から構成されている。また、光学部135は、光を射出する光源135Aと、光源135Aから入射された光をセンサーチップ110側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子137側に透過するビームスプリッター135Bと、レンズ135C,135D,135Eと、により構成されている。
また、図14に示すように、ガス検出装置100の表面には、操作パネル140、表示部141、外部とのインターフェイスのための接続部142、電力供給部139が設けられている。電力供給部139が二次電池の場合には、充電のための接続部143を備えてもよい。
更に、ガス検出装置100の制御部138は、図14に示すように、CPU等により構成された信号処理部144、光源135Aを制御するための光源ドライバー回路145、波長可変干渉フィルター5を制御するための電圧制御部146、受光素子137からの信号を受信する受光回路147、センサーチップ110のコードを読み取り、センサーチップ110の有無を検出するセンサーチップ検出器148からの信号を受信するセンサーチップ検出回路149、及び排出手段133を制御する排出ドライバー回路150などを備えている。
本体部130の上部のセンサー部カバー131の内部には、センサーチップ検出器148が設けられており、このセンサーチップ検出器148でセンサーチップ110の有無が検出される。信号処理部144は、センサーチップ検出器148からの検出信号を検出すると、センサーチップ110が装着された状態であると判断し、表示部141へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部135を通ってフィルター136に入射し、フィルター136によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター5に入射する。そして、信号処理部144は、電圧制御部146に対して制御信号を出力する。これにより、電圧制御部146は、上記第一実施形態に示すように、バイアス駆動部151、ギャップ検出器152、フィードバック制御部153、及びマイコン154により構成され、第一実施形態と同様の駆動方法により、波長可変干渉フィルター5を駆動させ、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター5で分光させる。この後、分光した光が受光素子137で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路147を介して信号処理部144に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター5から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部144は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ROMに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部144は、表示部141にその結果情報を表示させたり、接続部142から外部へ出力したりする。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
この食物分析装置200は、図15に示すように、検出器210(光学モジュール)と、制御部220と、表示部230と、を備えている。検出器210は、光を射出する光源211と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ212と、撮像レンズ212から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター5と、分光された光を検出する撮像部213(検出部)と、を備えている。
また、制御部220は、光源211の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部221と、波長可変干渉フィルター5を制御する電圧制御部222と、撮像部213を制御し、撮像部213で撮像された分光画像を取得する検出制御部223と、信号処理部224と、記憶部225と、を備えている。
そして、信号処理部224は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部230に表示させる処理をする。
更には、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルターにより特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
図16は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ300は、図13に示すように、カメラ本体310と、撮像レンズユニット320と、撮像部330(検出部)とを備えている。
カメラ本体310は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット320は、カメラ本体310に設けられ、入射した画像光を撮像部330に導光する。また、この撮像レンズユニット320は、図16に示すように、対物レンズ321、結像レンズ322、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター5を備えて構成されている。
撮像部330は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット320により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ300では、波長可変干渉フィルター5により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。この時、各波長に対して、電圧制御部(図示略)が上記第一実施形態に示すような本発明の駆動方法により波長可変干渉フィルター5を駆動させることで、精度よく目的波長の分光画像の画像光を取り出すことができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
Claims (13)
- 透光性を有する第一基板と、
前記第一基板に対向し、前記第一基板に接合され透光性を有する第二基板と、
前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合され透光性を有する第三基板と、
前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、
前記第二基板に設けられ、前記可動部を前記第二基板の厚み方向に移動可能に保持する保持部と、
前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のミラー間ギャップを介して対向配置される2つのミラーと、
前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する2つの変位用電極を有し、前記変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターと、を備え、
前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板間は、それぞれ接合層により接合され、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一基板と前記第二基板間に、前記第一内部空間と外部を連通した第一間隙を有し、前記第二基板と前記第二基板間に、前記第二内部空間と外部を連通した第二間隙を有し、前記第一間隙および前記第二間隙には封止材が配置され、前記第一内部空間および前記第二内部空間が密封されている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一内部空間および前記第二内部空間が外部に対して減圧状態である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1または2に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一内部空間と前記第二内部空間とを連通する貫通孔が前記第二基板に設けられている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記第一基板は前記変位用電極の引出電極を備え、基板厚み方向から見た平面視で前記第二基板の前記引出電極と重なる領域に前記第二基板の一部が除去された第一貫通部を備え、前記平面視で前記第三基板の前記引出電極と重なる領域に前記第三基板の一部が除去された第二貫通部を備え、
前記第一基板と前記第二基板間の前記第一間隙の外周部に前記第一貫通部および前記第二貫通部と連通した第一封止溝を備え、前記第二基板と前記第三基板間の前記第二間隙の外周部に前記第一貫通部および前記第二貫通部と連通した第二封止溝を備え、前記第一間隙と前記第二間隙が前記封止材で密封されている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記封止材は、合成樹脂である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項5に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記合成樹脂は、パラキシリレン系ポリマーである
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記封止材が、無機薄膜である
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 透光性を有する第一基板と、
前記第一基板に対向し、前記第一基板に接合され透光性を有する第二基板と、
前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合され透光性を有する第三基板と、
前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、前記第二基板に設けられ、前記可動部を前記第二基板の厚み方向に移動可能に保持する保持部と、前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のギャップを介して対向配置される2つのミラーと、
前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する2つの変位用電極を有し、前記変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターと、
光を検出する検出部と、を具備し、
前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板間は、それぞれ接合層により接合され、前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間および前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間を有し、前記第一基板と前記第二基板間に、前記第一内部空間と外部を連通した第一間隙を有し、前記第二基板と前記第二基板間に、前記第二内部空間と外部を連通した第二間隙を有し、前記第一間隙および前記第二間隙に、第一内部空間と第二内部空間を密閉する封止材と、を有し、前記一対のミラーにより光干渉領域が構成され、前記検出部は、前記光干渉領域により取り出された光を検出する
ことを特徴とする光学モジュール。 - 透光性を有する第一基板と、
前記第一基板に対向し、前記第一基板に接合され透光性を有する第二基板と、
前記第二基板の前記第一基板が設けられる側とは反対側に対向して、前記第二基板に接合され透光性を有する第三基板と、
前記第二基板に設けられ、前記第一基板に対向する可動面を有する可動部と、
前記第二基板に設けられ、前記可動部を前記第二基板の厚み方向に移動可能に保持する保持部と、
前記可動部の前記可動面および前記第一基板の前記第二基板側の面に、所定のギャップを介して対向配置される2つのミラーと、
前記第一基板および前記第二基板の互いに対向する面に、それぞれ互いに対向する2つの変位用電極を有し、前記変位用電極に所定の電圧が印加されることで、静電引力により前記可動部を基板厚み方向に変位させる静電アクチュエーターと、
光を検出する検出部と、
前記静電アクチュエーターを制御する制御部と、を具備し、
前記第一基板と前記第二基板とにより挟まれた第一内部空間と、前記第二基板と前記第三基板とに挟まれた第二内部空間と、前記第一基板と前記第二基板間の前記第一内部空間と外部を連通した第一間隙と、前記第二基板と前記第二基板間の前記第二内部空間と外部を連通した第二間隙と、前記第一間隙および前記第二間隙を密封する封止材と、を有し、前記一対のミラーにより光干渉領域が構成され、前記検出部は、前記光干渉領域により取り出された光を検出する
ことを特徴とする電子機器。 - 第一基板と、
前記第一基板に対向して配置され、可動部と前記可動部を前記第一基板の厚み方向に変位可能に保持する保持部と有する第二基板と、
前記第二基板の前記第一基板が配置される面とは反対の面に前記第二基板に対向して配置された第三基板と、
前記可動部の前記第一基板に対向する面に配置された第一ミラーと、
前記第一基板に設けられ、前記第一反射膜とギャップを介して対向配置される第二ミラーと、
前記ギャップを変位させるアクチュエーターと、を備え、
前記第一基板と前記第二基板、前記第二基板と前記第三基板は、接合層により接合され、
前記第一基板と前記第二基板との間には、第一凹部が形成され、
前記第二基板と前記第三基板との間には、第二凹部が形成され、
前記第一凹部と外部とを連通する第一間隙、第二凹部と外部とを連通する第二間隙には封止材が配置されている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。 - 第一凹部を有する第一基板に対向して第二基板を配置し、前一基板と前記第二基板との間に、前記第一凹部によって形成される前記第一内部空間と、前記第一内部空間と外部とを連通する第一間隙とを形成する工程と、
前記第二基板の前記第一基板を配置した面とは反対の面に、第二凹部を有する第三基板を前記第二基板に対向して配置し、前記第二基板と前記第三の基板との間に前記第二凹部によって形成される第二内部空間と、前記第二内部空間と外部とを連通する第二間隙とを形成する工程と、
前記第一基板と前記第二基板、および前記第二基板と前記第三基板を、接合層を介して接合して接合体を得る工程と、
前記第一間隙および前記第二間隙を封止材で封止する工程と
を有することを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。 - 請求項11に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記第一内部空間と前記第二内部空間を減圧状態とする工程を有すること
を特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。 - 請求項11に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記接合体は、複数の波長可変干渉フィルターがアレイ状に配置されてなり、
前記第二基板に前記第一間隙と連通する第一貫通部を形成する工程と、
前記第三基板に前記第二間隙と連通する第二貫通部を形成する工程と、
前記第一基板に前記第一間隙と前記第一貫通部を連通する第一封止溝を形成する工程と、
前記第三基板に前記第二間隙と前記第二貫通部を連通する第二封止溝を形成する工程と、
前記接合体を個片に切断する工程を有すること
を特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
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JP (1) | JP6244616B2 (ja) |
CN (1) | CN103676135B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9658446B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-05-23 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure, interference filter, optical module, and electronic apparatus |
JP2018084577A (ja) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 計時器用のフレキシブルな細長材及びその製造方法 |
JP2019135559A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーユニット |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5881577B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-03-09 | オリンパス株式会社 | 撮像装置、該撮像装置を具備する内視鏡 |
JP6403369B2 (ja) * | 2013-09-18 | 2018-10-10 | ローム株式会社 | 光検出装置およびセンサパッケージ |
JP6987518B2 (ja) | 2017-01-26 | 2022-01-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 積層レンズ構造体およびその製造方法、並びに電子機器 |
CN110087870B (zh) * | 2017-01-26 | 2022-03-18 | 索尼半导体解决方案公司 | 层叠透镜结构、其制造方法和电子设备 |
JP7001084B2 (ja) | 2018-11-28 | 2022-01-19 | Jfeスチール株式会社 | 異常監視機能付き放射線式厚さ計および放射線式厚さ計の異常監視方法 |
CN111606297B (zh) * | 2020-04-28 | 2021-04-16 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 器件结构及其制造方法、滤波器、电子设备 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009282540A (ja) * | 2006-01-19 | 2009-12-03 | Seiko Epson Corp | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
JP2011053510A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、測色センサー、測色モジュール、および波長可変干渉フィルターの制御方法 |
JP2011227172A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルターの製造方法 |
EP2487519A1 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | Seiko Epson Corporation | Variable wavelength interference filter, optical module, optical analysis device, and method for manufacturing variable wavelength interference filter |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62257032A (ja) | 1986-04-30 | 1987-11-09 | Sharp Corp | 可変干渉装置 |
GB2186708B (en) * | 1985-11-26 | 1990-07-11 | Sharp Kk | A variable interferometric device and a process for the production of the same |
JP2001277198A (ja) | 2000-03-29 | 2001-10-09 | Seiko Epson Corp | 画像表示デバイス、微細構造体の製造方法および微細構造体 |
JP2002116390A (ja) | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Seiko Epson Corp | 光スイッチングデバイスの製造方法および光スイッチングデバイス |
KR20040035708A (ko) | 2001-08-02 | 2004-04-29 | 이지스 세미컨덕터 | 가변형 광학기기 |
EP1456702A1 (en) | 2001-11-28 | 2004-09-15 | Aegis Semiconductor, Inc. | Package for electro-optical components |
JP2005055790A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Seiko Epson Corp | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
JP3786106B2 (ja) | 2003-08-11 | 2006-06-14 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
JP2005062386A (ja) | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Seiko Epson Corp | 波長可変光フィルタ及びその製造方法 |
JP2005309099A (ja) | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ及びその製造方法 |
JP2005309174A (ja) | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Seiko Epson Corp | 波長可変フィルタ及びその製造方法 |
JP2006071601A (ja) | 2004-09-06 | 2006-03-16 | Denso Corp | 赤外線センサ、赤外線式ガス検出器、及び赤外線光源 |
US20060076631A1 (en) * | 2004-09-27 | 2006-04-13 | Lauren Palmateer | Method and system for providing MEMS device package with secondary seal |
US7573547B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-08-11 | Idc, Llc | System and method for protecting micro-structure of display array using spacers in gap within display device |
JP2006090983A (ja) | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Univ Of Tokyo | 面状素子モジュールおよびその製造方法並びに面状素子装置 |
JP4603489B2 (ja) | 2005-01-28 | 2010-12-22 | セイコーエプソン株式会社 | 波長可変フィルタ |
JP4534794B2 (ja) | 2005-02-24 | 2010-09-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品 |
JP2006245098A (ja) | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器 |
US20060282343A1 (en) * | 2005-05-05 | 2006-12-14 | Honeywell International Inc. | Paper manufacturing system and method |
JP4802681B2 (ja) | 2005-11-25 | 2011-10-26 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器 |
JP4379457B2 (ja) * | 2006-01-19 | 2009-12-09 | セイコーエプソン株式会社 | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
FR2911403B1 (fr) | 2007-01-16 | 2010-01-15 | Commissariat Energie Atomique | Realisation de cavites remplies par un materiau fluidique dans un compose microtechnologique optique |
US7733552B2 (en) | 2007-03-21 | 2010-06-08 | Qualcomm Mems Technologies, Inc | MEMS cavity-coating layers and methods |
US20090323170A1 (en) * | 2008-06-30 | 2009-12-31 | Qualcomm Mems Technologies, Inc. | Groove on cover plate or substrate |
-
2012
- 2012-08-30 JP JP2012189626A patent/JP6244616B2/ja active Active
-
2013
- 2013-08-29 US US14/013,619 patent/US9372293B2/en active Active
- 2013-08-29 CN CN201310384238.4A patent/CN103676135B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009282540A (ja) * | 2006-01-19 | 2009-12-03 | Seiko Epson Corp | 光学デバイス、波長可変フィルタ、波長可変フィルタモジュール、および光スペクトラムアナライザ |
JP2011053510A (ja) * | 2009-09-03 | 2011-03-17 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルター、測色センサー、測色モジュール、および波長可変干渉フィルターの制御方法 |
JP2011227172A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-10 | Seiko Epson Corp | 波長可変干渉フィルターの製造方法 |
EP2487519A1 (en) * | 2011-02-09 | 2012-08-15 | Seiko Epson Corporation | Variable wavelength interference filter, optical module, optical analysis device, and method for manufacturing variable wavelength interference filter |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9658446B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-05-23 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure, interference filter, optical module, and electronic apparatus |
JP2018084577A (ja) * | 2016-11-23 | 2018-05-31 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 計時器用のフレキシブルな細長材及びその製造方法 |
JP2019135559A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-08-15 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーユニット |
JP2019139236A (ja) * | 2017-07-06 | 2019-08-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーユニットの製造方法 |
CN113376827A (zh) * | 2017-07-06 | 2021-09-10 | 浜松光子学株式会社 | 反射镜组件和光模块 |
JP7112986B2 (ja) | 2017-07-06 | 2022-08-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーユニット |
JP7179669B2 (ja) | 2017-07-06 | 2022-11-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | ミラーユニットの製造方法 |
US11624605B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
US11629947B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical device |
US11629946B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
US11635290B2 (en) | 2017-07-06 | 2023-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Optical module |
CN113376827B (zh) * | 2017-07-06 | 2023-08-11 | 浜松光子学株式会社 | 反射镜组件和光模块 |
US11879731B2 (en) | 2017-07-06 | 2024-01-23 | Hamamatsu Photonics K.K. | Mirror unit and optical module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6244616B2 (ja) | 2017-12-13 |
CN103676135A (zh) | 2014-03-26 |
CN103676135B (zh) | 2017-09-19 |
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US9372293B2 (en) | 2016-06-21 |
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