JP2014041169A - 反射防止膜、光学素子及び反射防止膜の製造方法。 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上記目的を達成するため、シリカから成る外殻部131a内に中空部131bを備えたコアシェル構造を有する平均粒径D50は100nm以下であり、且つ、当該一次粒子の粒径分布が±15%以内の中空シリカの一次粒子131の外表面を樹脂被膜132により被覆した複合粒子130が、樹脂被膜132により互いに結着された層であって、基材20の二次元面方向において、一次粒子131が樹脂被膜132を介して所定の間隔を空けて規則的に配列されており、互いに結着された複合粒子130間に空隙部133が設けられた中空シリカ層を備えることを特徴とする反射防止膜等を提供する。
【選択図】図2
Description
本件発明に係る反射防止膜において、前記高分子樹脂の熱変形温度は、摂氏200度以下であることが好ましい。
本実施の形態では、図1に示す反射防止膜10を例に挙げて説明する。図1に例示する反射防止膜10は、基材20上に無機下地層11及び中間層12を介して、中空シリカ層13を備え、中空シリカ層13上に機能層14が設けられたものである。以下、本実施の形態では、図1に示す反射防止膜10について、基材20から順に各層の構成を説明すると共に、各層の成膜方法について説明する。但し、本件発明に係る反射防止膜は、中空シリカ層13を備えるものであればよく、他の層構成は必ずしも備える必要はない。また、他の層構成は、適宜、変更することができる。
まず、反射防止膜10が設けられる基材20について説明する。本件発明では、当該反射防止膜10が設けられる基材20として光学素子基材を用いることができる。光学素子基材は、ガラス製であってもよいし、プラスチック製であってもよく、その材質に特に限定はない。例えば、レンズ、プリズム(色分解プリズム、色合成プリズム等)、偏光ビームスプリッター(PBS)、カットフィルタ(赤外線用、紫外線用等)など各種の光学素子基材20を用いることができる。
次に、無機下地層11について説明する。本実施の形態の反射防止膜10において、基材20と中空シリカ層13との間に無機下地層11を備えている事は本件発明の主旨を妨げるものではない。当該無機下地層11は基材20の表面に形成された無機材料から成る層であり、光学干渉層として機能する。光学干渉層とは、入射光に対する界面反射光の位相変化を所定の値とすべく、薄膜の特性マトリックスに基づいて、屈折率と光学膜厚とが所定の値になるように光学設計された光学薄膜をいう。無機下地層11と、中空シリカ層13とを積層した光学的多層構造とすることにより、反射防止膜10を中空シリカ層13のみから構成した場合よりも、より広帯域の入射光に対して、低屈折率を達成することが可能になる。
次に、中間層12について説明する。本実施の形態の反射防止膜10において、無機下地層11と中空シリカ層13との間に、密着層(及び光学干渉層)として機能する中間層12を備えている事は本件発明の主旨を妨げるものではない。本実施の形態では、当該中間層12として、中空シリカ層13の層構成材料の一つであるバインダー(樹脂被膜132となる樹脂材料)との密着性が良好な有機金属化合物を主成分とし、中空シリカ層13の層構成材料(中空シリカの一次粒子131、樹脂被膜132を構成する樹脂材料)を含む塗工液に対して濡れ性を有する層を採用している。このような中間層12を設けることにより、後述する通り湿式成膜法により成膜される中空シリカ層13を基材20(又は無機下地層11)に対して良好に密着させることができ、例えば、レンズ曲率の大きい小型のレンズ等についても基材20上に中空シリカ層13を良好に成膜することができる。
真空成膜法により中間層12を形成する場合、無機下地層11において説明した方法と同様の方法を採用することができる。当該方法を採用することにより、膜厚の制御が容易であり、中間層12の物理膜厚が1nm以上150nm以下となるように、中間層12の物理膜厚を制御よく成膜することができる。従って、中間層12を上述のように光学干渉層として機能させる場合、中間層12の膜厚を精度よく制御することができるという観点から、当該真空成膜法を採用することが好ましい。
次に、湿式成膜法について説明する。中間層12を成膜する際に、湿式成膜法を採用する場合、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコーティング法、スクリーン印刷法を採用することができる。基材20の形状、成膜する膜厚等に応じて、適宜、適切な手法を採用することができる。これらの方法は、従来公知の方法等を適宜採用することができる。例えば、エチルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、オクタデシルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン、3−(N,N−ジグリシジル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシシプロピルトリメトキシシランやジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、メチルフェニルジメトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、3−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルジメトキシシラン、オクタデシルメチルジメトキシシラン等を用いることにより、有機ケイ素化合物から成る中間層12を得ることができる。
次に、中空シリカ層13について説明する。本実施の形態において、中空シリカ層13は、図2(a)に例示するように、中空シリカの一次粒子131の外表面を樹脂被膜132で被覆した複合粒子130が、当該樹脂被膜132により互いに結着された層であり、複合粒子130間には空隙部133が設けられている。
まず、中空シリカの一次粒子131について説明する。本件発明において、中空シリカとは、シリカから成る外殻内に中空部を備えたコアシェル構造(バルーン構造)を有するバルーン構造(中空構造)を有するシリカを指し、一次粒子とはこのシリカの粒子が他の粒子と凝集していない状態にあるものを指す。具体的には、図2(a)に模式的に示すように、シリカから成る外殻部131aと、この外殻部131aに周囲が完全に囲まれた中空部131bとから構成されたシリカ粒子を指す。中空シリカ層13の層構成材料として、このコアシェル構造を有する中空シリカの一次粒子131を主たる材料として採用することにより、中空シリカ層13の屈折率をシリカ自体の屈折率(1.48)よりも低減可能とした。また、シリカ粒子内に細孔を多数有する多孔質シリカの集合体から構成された多孔質シリカ層等と比較した場合、本件発明では、中空部131bが外殻部131aにより完全に包囲された中空シリカを用いるため、シリカ粒子自体の強度が高く、耐久性に優れた膜を得ることができる。更に、シリカ粒子の内部に液体等が侵入しないため、湿式成膜法により成膜する場合であっても、シリカ内部の中空部が樹脂材料等により充填される恐れがなく、材料自体の空隙率を維持して、屈折率が増加するのを防止することができる。
次に、中空シリカの一次粒子131の外表面を被覆すると共に、これらを互いに結着するバインダー材としても機能する樹脂被膜132について説明する。本件発明では、平均粒径D50が100nm以下であり、且つ、粒径分布が±15%以内の粒度の揃った微粒の中空シリカを用いる。このため、当該中空シリカを用いて湿式成膜法により成膜した場合、塗工液中又は塗布膜中で中空シリカの一次粒子131同士が凝集して、その二次凝集粒子の粒径或いは粒径分布が上記範囲を超える恐れがある。しかしながら、本件発明では、当該中空シリカの一次粒子131の外表面を樹脂被膜132で被覆すると共に、当該樹脂被膜132を介して一次粒子131同士を互いに結着させることにより、中空シリカ層13内において中空シリカの一次粒子131同士が凝集するのを抑制することができる。
本件発明において、中空シリカ層13内には図2(b)に示すように互いに結着された複合粒子130間に空隙部133が設けられる。中空シリカ層13内に、中空シリカの一次粒子131に存在する中空部131bと共に、複合粒子130間に空隙部133を設けることにより、中空シリカ層13内の空隙率を増加させ、当該中空シリカ層13の屈折率をシリカ自体の屈折率よりも更に低くすることができ、より反射防止性能の高い反射防止膜を得ることができる。また、本件発明では、空隙部133をバインダー材等により充填しなくとも、一次粒子131の外表面を樹脂被膜132で被覆した上で、この樹脂被膜132を介して一次粒子131同士を結着させているため、一次粒子131同士の密着性を向上することができ、且つ、個々の粒子(131)と基材20等との密着性を向上することができる。また、中空シリカの一次粒子131自体はシリカからなる外殻部131aにより囲まれているため、中空シリカ層13の外表面を樹脂等により被覆しなくとも、耐擦傷性や耐久性に優れた反射防止膜10を得ることができる。
ここで、中空シリカ層13において中空シリカの一次粒子131が占める体積は、30体積%以上99体積%以下であることが好ましい。ここでいう中空シリカの一次粒子131が占める体積とは、中空シリカ層13において、中空シリカの一次粒子131の外殻部131aと、この中空部131bに囲まれる中空部131bとを含む中空シリカ球の全体積を意味する。中空シリカ層13において中空シリカの一次粒子131が占める体積が30体積%未満である場合、中空シリカ層13の耐久性や耐擦傷性が低下するため好ましくない。また、中空シリカの一次粒子131の占める体積が30体積%未満である場合、中空シリカ層13において樹脂被膜132が占める体積率が増加する。その結果、中空シリカ層13の屈折率を上記範囲内の値になるようにすることが困難になる場合がある。これらの観点から、中空シリカ層13において中空シリカの一次粒子131が占める体積は60体積%以上であるとより好ましい。一方、中空シリカ層13において中空シリカの一次粒子131が占める体積が99体積%を超える場合、中空シリカの一次粒子131同士を結着する樹脂被膜132が占める体積比が低く、中空シリカの一次粒子131同士を十分に結着することができず、その結果、中空シリカ層13を形成することが困難になる。中空シリカの一次粒子131同士を十分に結着し、中空シリカ層13内に存在する空隙部133の比率を増加させるという観点から、中空シリカ層13において中空シリカの一次粒子131が占める体積は90体積%以下であることがより好ましい。
当該中空シリカ層13の屈折率は、1.15以上1.32以下であることが好ましい。中空シリカ層13の屈折率が1.15未満の場合、中空シリカ層13内の空隙率が高くなり過ぎ、中空シリカ層13の耐久性等が低下するため、好ましくない。当該観点から、中空シリカ層13の屈折率は1.17以上であることがより好ましい。一方、中空シリカ層13の屈折率が1.30を超える場合は、設計中心波長における反射率が高くなるため好ましくない。従って、当該観点から、中空シリカ層13の屈折率は上記範囲内において低い方が好ましく、1.30以下であることがより好ましい。
また、中空シリカ層13の物理膜厚は、100nm以上180nm以下の範囲内であることが好ましい。中空シリカ層13の物理膜厚が100nm未満である場合や180nmを超える場合、上記位相変化を適切な値とすることが困難になり、反射防止膜10の反射防止性能が低下する恐れがあるため、好ましくない。
次に、当該中空シリカ層13の成膜方法について説明する。中空シリカ層13は、湿式成膜法により成膜される。湿式成膜法としては上述した方法を適宜採用することができる。いずれの方法を用いた場合でも、上記中空シリカの一次粒子131の外表面を樹脂被膜132により被覆した複合粒子130を含む塗布液を調製する塗布液調製工程と、当該塗布液を基材上に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、当該塗布膜が形成された基材を当該高分子樹脂の熱変形温度以上の温度で所定の時間加熱する加熱工程とを備える。また、前記塗布膜形成工程の前に、中空シリカの一次粒子131の外表面を高分子樹脂で被覆する工程を備えてもよい。
次に、機能層14について説明する。本件発明においては、図1に示すように、低屈折率層としての中空シリカ層13の表面に、屈折率が1.30以上2.35以下であり、且つ、物理膜厚が0.1nm以上30nm以下の機能層14を設けてもよい。当該機能層14は、当該反射防止膜10の反射防止性能に光学的な影響を与えない透明な極薄い膜であって、反射防止膜10の表面の硬度、耐擦傷性、耐熱性、耐候性、耐溶剤性、撥水性、撥油性、防曇性、親水性、耐防汚性、導電性等の向上等の機能を有する層を指す。
本件発明に係る光学素子100は、上記記載の反射防止膜10を備えることを特徴とする。光学素子100としては、撮影光学素子や投影光学素子を挙げることができ、具体的には、レンズ、プリズム(色分解プリズム、色合成プリズム等)、偏光ビームスプリッター(PBS)、カットフィルタ(赤外線用、紫外線用等)などを挙げることができる。また、レンズとして、例えば、一眼レフカメラの交換レンズやデジタルカメラ(DSC)に搭載されるレンズ、携帯電話機に搭載されるデジタルカメラ用のレンズ他、各種のレンズが挙げられる。なお、図1に示す光学素子100は、本件発明の一例であり、層構成等を模式的に示したものに過ぎない。
比較例1では、中空部を備えていない通常のシリカ微粒子(以下、便宜的に「充填シリカ微粒子」と称する場合がある。)と、シランカップリング剤とを用いて、充填シリカ層からなる反射防止膜を製造した。
比較例2では、実施例1〜実施例4と同じ中空シリカ微粒子を用い、これをシランカップリング剤により結着した中空シリカ層を得た。
以上の実施例および比較例において形成した反射防止膜を、以下の方法により評価した。
上記実施例1〜実施例4及び比較例1、比較例2で得られた各反射防止膜について、反射防止特性、外観及び各シリカ層内におけるシリカ微粒子の配列構造について評価した。
上記各反射防止膜に対する波長域を400〜700nmの範囲で、各反射防止膜の正反射の分光反射率を測定した。分光反射率の測定に際しては、株式会社日立ハイテクノロジーズ社製の分光光度計U4000を用いた。また、基材の裏面からの反射を防ぐため、サウンドブラスターで裏面を荒らした上で水性の黒インキを塗布し、その後、測定を行った。
上記各反射防止膜の成膜性を、反射防止膜の外観により評価した。反射防止膜を成膜した後の上記各反射防止膜の外観をそれぞれ目視により評価した。
上記各反射防止膜中のシリカ層を構成するシリカ微粒子の配列構造を調べるため反射膜表面を走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いて観察した。SEM観察は、日本電子製JSM−6500を用いた。さらに、得られたSEM観察像を画像解析することで、反射防止膜中のシリカ層を構成するシリカ微粒子の配列構造の周期性を調べた。
(1)反射防止特性
図3〜図6に、それぞれ実施例1〜実施例4で作製した反射防止膜の分光反射率の測定結果を示す。また、図7及び図8に、比較例1及び比較例2で作製した反射防止膜の分光反射率のの測定結果を示す。さらに、これらの400nm〜700nmにおける最低反射率を表1に示す。実施例1〜実施例3、比較例1及び比較例2で作製した反射防止膜は、いずれも入射光の波長域が400nm〜700nmである場合において、正反射の平均反射率は0.6%以下を達成していた。
表1に、各実施例及び各比較例で作製した反射防止膜の外観を評価した結果を示す。表1において、「○」は反射防止膜の外観が良好であることを示し、「△」は外観が良好でないことを示している。表1に示すように、いずれの比較例1、2の反射防止膜も外観が良好でないことが確認された。これに対して、実施例1〜実施例4の反射防止膜は、何れも外観が良好であることが確認された。このことから、樹脂皮膜(高分子樹脂)でシリカ微粒子の外表面が被覆されたもの(複合粒子)を、この樹脂被膜を構成する高分子の熱変形温度以上の温度で所定の時間加熱することにより、塗布膜内においてシリカ微粒子を再配列させることができ、その結果、湿式成膜法で成膜される中空シリカ層の成膜性が向上し、外観上、白曇り及び色ムラのない均一な反射防止膜が得られることが確認された。
実施例1で得た反射防止膜の表面のSEM観察像を図10に示す。反射防止膜(中空シリカ層)の表面には、中空シリカ微粒子は局所的に集合したクラスター構造を有している。この中空シリカ微粒子の配列の周期性の有無をSEM画像を二次元フーリエ変換を行い、解析した。具体的には、SEM画像(図10(a))の画像データを汎用の画像処理ソフトにより通知データへ変換した後に、数値計算ソフトによって2次元フーリエ変換し、中空シリカの一次粒子の配列パターンの周期性の有無を判断した。図10(b)に2次元フーリエ変換後のパワーズペクトルをドット強度で表した図を示す。図10(b)に示すように、本実施例1の反射防止膜の表面を表すSEM画像の2次元フーリエ変換像は非常にブロードな2重のリング、すなわちハローパターンを示した。2次元フーリエ変換像がハローパターンを示すという事は、中空シリカ層を構成する中空シリカ微粒子が均一な粒子径を有し、互いに隣接する中空シリカ微粒子間の間隔が一定であることを示唆しており、これらが複数集合して固有周期(d)で配列された複数の一次粒子131から成るクラスター構造を形成することが確認された。すなわち、本件発明に係る反射防止膜は、中空シリカ微粒子が互いに隣接するシリカ微粒子と所定の間隔を空けて規則的に配列されていることが確認された。
11・・・無機下地層(機能層/光学干渉層)
12・・・中間層(機能層/光学干渉層/密着層)
13・・・中空シリカ層(低屈折率層)
14・・・機能層
20・・・基材
100・・・光学素子
131・・・一次粒子
131a・・・外殻部
131b・・・中空部
132・・・樹脂被膜
133・・・空隙部
Claims (9)
- 基材上に設けられる反射防止膜であって、
シリカから成る外殻部内に中空部を備えたコアシェル構造を有する中空シリカの一次粒子の外表面を樹脂被膜により被覆した複合粒子が、当該樹脂被膜により互いに結着された中空シリカ層を備え、
当該中空シリカの一次粒子の平均粒径D50は100nm以下であり、且つ、当該一次粒子の粒径分布が±15%以内であり、
当該基材の二次元面方向において、中空シリカの一次粒子が当該樹脂被膜を介して所定の間隔を空けて規則的に配列されており、互いに結着された複合粒子間に空隙部が設けられたものであること、
を特徴とする反射防止膜。 - 前記中空シリカ層は、複数の複合粒子が局所的に集合したクラスターの集合体から成り、
各クラスター内において前記中空シリカの一次粒子は所定の間隔に配列されている請求項1に記載の反射防止膜。 - 中空シリカの一次粒子の平均粒径をRとしたときに、前記基材の二次元平面方向における前記中空シリカの一次粒子の配列パターンは、下記式(1)で表される固有周期(d)を有する請求項2に記載の反射防止膜。
- 前記高分子樹脂の熱変形温度は、摂氏200度以下である請求項1〜請求項3のいずれか一項に記載の反射防止膜
- 前記中空シリカ層は、湿式成膜法により成膜された後、前記高分子樹脂の熱変形温度以上の温度で少なくとも10分以上加熱処理が施されて得られた層である請求項1〜請求項4のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 前記中空シリカ層と前記基材との間、又は、前記中空シリカ層の表面に機能層を備える請求項1〜請求項5のいずれか一項に記載の反射防止膜。
- 請求項1〜請求項6のいずれか一項に記載の反射防止膜を備えることを特徴とする光学素子。
- 反射防止膜を製造するための反射防止膜の製造方法であって、
シリカから成る外殻部内に中空部を備えたコアシェル構造を有する中空シリカの一次粒子の外表面を樹脂被膜により被覆した複合粒子を含む塗布液を調製する塗布液調製工程と、
当該塗布液を基材上に塗布して塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
当該塗布膜が形成された基材を当該高分子樹脂の熱変形温度以上の温度で所定の時間加熱する加熱工程とを備え、
これらの工程を経ることにより、当該基材の二次元面方向において、中空シリカの一次粒子が当該樹脂被膜を介して所定の間隔を空けて規則的に配列されており、互いに結着された複合粒子間に空隙部が設けられた中空シリカ層を形成することを特徴とする反射防止膜の製造方法。 - 前記塗布膜形成工程の前に、中空シリカの一次粒子の外表面を高分子樹脂で被覆して、前記複合粒子を形成する工程を備える請求項8に記載の反射防止膜の製造方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016075869A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | フレキシブル表示装置 |
JP2016080943A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社コシナ | 反射防止膜及び光学素子 |
JP2019185050A (ja) * | 2019-05-23 | 2019-10-24 | キヤノン株式会社 | 光学部材及び光学部材の製造方法 |
JP2020016789A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | キヤノン株式会社 | 光学膜とその製造方法 |
JP2020021074A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 低屈折層及びそれを含む電子装置 |
KR20200030156A (ko) * | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
JP2020091468A (ja) * | 2019-09-05 | 2020-06-11 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | フレキシブル表示装置 |
JP2020094860A (ja) * | 2018-12-11 | 2020-06-18 | イビデン株式会社 | 赤外線検出素子用カバー及び赤外線検出素子用カバーの製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11153703A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止膜およびそれを用いた画像表示装置 |
JP2002182007A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-06-26 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | 耐久性を有する反射防止膜 |
JP2003139906A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Tdk Corp | 反射防止フィルム及び反射防止処理された物体 |
JP2007052345A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Oji Paper Co Ltd | 屈折率傾斜多層薄膜構造体及びその製造方法 |
JP2008046264A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Seiko Epson Corp | 光学物品 |
JP2009073170A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Kaneka Corp | 中空粒子からなる被膜を有する被膜付基材 |
JP2009237551A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Keio Gijuku | 反射防止膜及びその形成方法 |
WO2012086560A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 宇部日東化成株式会社 | 反射防止材料 |
-
2012
- 2012-08-21 JP JP2012181978A patent/JP6081736B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11153703A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-06-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 反射防止膜およびそれを用いた画像表示装置 |
JP2002182007A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-06-26 | Fukuvi Chem Ind Co Ltd | 耐久性を有する反射防止膜 |
JP2003139906A (ja) * | 2001-11-02 | 2003-05-14 | Tdk Corp | 反射防止フィルム及び反射防止処理された物体 |
JP2007052345A (ja) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Oji Paper Co Ltd | 屈折率傾斜多層薄膜構造体及びその製造方法 |
JP2008046264A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Seiko Epson Corp | 光学物品 |
JP2009073170A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-04-09 | Kaneka Corp | 中空粒子からなる被膜を有する被膜付基材 |
JP2009237551A (ja) * | 2008-03-03 | 2009-10-15 | Keio Gijuku | 反射防止膜及びその形成方法 |
WO2012086560A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 宇部日東化成株式会社 | 反射防止材料 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016075869A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-12 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | フレキシブル表示装置 |
JP2016080943A (ja) * | 2014-10-20 | 2016-05-16 | 株式会社コシナ | 反射防止膜及び光学素子 |
JP7229691B2 (ja) | 2018-07-26 | 2023-02-28 | キヤノン株式会社 | 光学膜とその製造方法 |
JP2020016789A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | キヤノン株式会社 | 光学膜とその製造方法 |
JP7389581B2 (ja) | 2018-07-31 | 2023-11-30 | 三星ディスプレイ株式會社 | 低屈折層及びそれを含む電子装置 |
JP2020021074A (ja) * | 2018-07-31 | 2020-02-06 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 低屈折層及びそれを含む電子装置 |
US11650363B2 (en) | 2018-07-31 | 2023-05-16 | Samsung Display Co., Ltd. | Low refractive layer and electronic device including the same |
US11609371B2 (en) | 2018-09-11 | 2023-03-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Electronic device |
KR102529662B1 (ko) * | 2018-09-11 | 2023-05-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR20200030156A (ko) * | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
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