JP2014031520A - 蛍光体及び前記蛍光体を有する照明システム - Google Patents

Abstract

【課題】短波長の範囲内での励起による適用のために最適な蛍光体を提供する。
【解決手段】本発明の新規種類の蛍光体は、公知のＢＡＭ：Ｅｕに基づく。
【選択図】図１

Description

本発明は、特許請求の範囲に記載の蛍光体、有利に光源において使用するための蛍光体に関する。本発明は、有利に青色及び／又は青緑色に発光するＢＡＭ類からなる高効率の蛍光体に関する。さらに、本発明は、前記蛍光体を用いて製造された光源又は前記蛍光体を有する照明システムに関する。

背景技術
特許文献１（US-B 7 077 978）は、Ｅｕ及びＭｎでドーピングされているＢＡＭ系の蛍光体を記載している。前記蛍光体はＵＶ−ＬＥＤにおける適用が考慮されている。同様の蛍光体は、特許文献２（WO 2006/072919）から公知である。さらに、特許文献３（WO 2006/027786）からは、ＢＡＭ系のＥｕでドープされただけの蛍光体は公知である。この種の蛍光体の場合の通常のドーピングは、Ｂａの高くても５０ｍｏｌ％のＥｕ²⁺の最大含有率である。

US-B 7 077 978 WO 2006/072919 WO 2006/027786

発明の説明
本発明の課題は、短波長の範囲内での励起による適用のために最適な蛍光体を提供することである。この場合、前記励起のピーク波長は高くても４２０ｎｍである。

前記課題は、特許請求の範囲に記載の発明により解決される。

今まで公知のＢＡＭ蛍光体は、一般に実験式ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕを有する。この場合、Ｅｕは二価の付活剤であり、前記付活剤は通常では、Ｍｏｌパーセントで計算して、たいていはＢａの５０％の最大濃度で添加される。場合により、前記発光をより長波長にするために、Ｍｎが共付活剤としても使用される。この発光は、従って青色又は青緑色のスペクトル領域にある。

特に、ＵＶ−ＬＥＤをベースとする効率的な白色ＬＥＤを実現するために、効率的な温度安定性の青色蛍光体が必要である。これは、近ＵＶ−ＬＥＤの場合に特に３４０〜４２０ｎｍ、殊に３８０〜４１０ｎｍの範囲内での前記蛍光体の良好な吸収率、並びに高い量子効率を前提とする。ＬＥＤの場合に重要であるのは、吸収率と量子効率との積である。前記蛍光体は、特に高効率ＬＥＤにおいて生じる高い励起強度の場合で飽和してはならない。さらに、前記蛍光体は、高効率ＬＥＤの場合に生じる２００℃までの高い温度に基づき、前記ルミネッセンスの熱による消光ができる限り低いのが好ましい。

現在では、このために、主にＳＣＡＰ：Ｅｕ（Ｓｒ，Ｃａ−クロロアパタイト）並びにＢＡＭ：Ｅｕ（ＢａＭｇ−アルミン酸塩）が青色発光する蛍光体として使用される。ＳＣＡＰは、Ｅｕ５〜１５％の通常使用されるＥｕ濃度の場合にすでに、３８０〜４１０ｎｍのスペクトル領域で極めて高い吸収率を有する。たしかに、量子効率及び熱による消光挙動は、このＥｕ濃度でもはや最適ではなくかつＢＡＭ：Ｅｕの場合よりも悪い。さらに、より高い演色性を示す効率的な白色ＬＥＤを製造する場合に、ＳＣＡＰの短波長で、狭帯域の発光は常に有利であるとはいえない。ＢＡＭ：Ｅｕは、＜５０％（典型的にむしろ＜３０％）のＥｕ濃度で使用されるが、ＳＣＡＰと比べて３８０〜４１０ｎｍの範囲内でより悪い吸収率の欠点を有する。

ＢＡＭ−ホスト格子ＢａＭａＡｌ₁₀Ｏ₁₇中の大部分のＢａ²⁺イオンをＥｕ²⁺イオンにより置き換えることにより、意外にもきわめて効率的な蛍光体が生じる。この場合、Ｂａ含有量は、Ｅｕ²⁺イオンの間での強すぎるエネルギー移行を抑制するように調節されることが重要である。きわめて適切な蛍光体は３５〜４５％のＢａ濃度について得られ、式によるとＢａ_xＥｕ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇でｘ＝０．３５〜０．４５である。

典型的な例は、Ｅｕ_0.6Ｂａ_0.4ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇である。Ｂａ²⁺の４０％の割合は、この場合、強すぎるエネルギー移行及びそれにより熱によるルミネッセンス混合（Lumineszenzmischung）が効果的に抑制される。この新規蛍光体は、例えば「カラーオンデマンド（Color on demand）」−ＬＥＤ又は白色ＬＥＤのために適している。前記蛍光体はより高い効率及び良好な演色性を有する多様な色温度及び適用のためにカスタムメイドすることができる。

本発明によるＥｕ−アルミン酸塩蛍光体は、極端に低い温度消光性を示す。１７５℃で前記効率は、２５℃での効率の８０％を超えている。化合物Ｅｕ_0.6Ｂａ_0.4ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇の粉末タブレットの吸収率は、１２μｍより小さい蛍光体の粒度の場合に、４００ｎｍでの励起ですでに８０％より高く、３８０ｎｍの場合では９０％を超える。良好に適した粒度は０．５〜１０μｍである。粒度の概念はここではｄ₅₀値であると解釈され、より詳しくは、レーザー散乱法、例えばＣＩＬＡＳにより測定された、体積基準の平均粒度分布であると解釈される。

前記の新規種類の蛍光体の量子効率（ＱＥ）は一般的に４００ｎｍでの励起の場合に８４％±５％である。さらに短波長の励起の場合には、９０％より高いＱＥ値を達成することができる。

本発明の他の実施態様は、Ｅｕの他にＭｎでドープされているＢＡＭ蛍光体である。ＭｎはＭｇの格子位置を占める。本発明による蛍光体は、この場合、実験式Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇ_zＭｎ_1-zＡｌ₁₀Ｏ₁₇を有する。この場合、ｘはｘ＝０．３５〜０．４８の範囲内で設定することができる。ｚの選択のために、ｚ＝０．６５〜０．９９５を設定することができる。Ｍｎはもちろん飽和効果に対して明らかにより敏感である。従って、Ｍｎの使用は、比較的低い強度の場合の適用に制限される。

この高いユウロピウムドーピングは、他の実験式及び組成を有するＢＡＭ蛍光体にも適用することができる。他の実施態様の場合には、ＢＡＭ蛍光体は実験式Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇ_1-n+dＭｎ_nＡｌ_10+2fＯ_17+d-3fにより表される。

この場合、０．２≦ｘ≦０．４８；有利に０．３５≦ｘ≦０．４５；
０≦ｎ≦０．３、有利に０≦ｎ≦０．２；
０≦ｄ≦０．１；
−０．１≦ｆ≦１．０が通用する。

ＢＡＭについてのバリエーションが公知なように、これは程度に差はあるが化学量論的に簡単に記載可能な化合物である。基本的に、このようなホスト格子は例えばWO 2006/072919から公知である。この最も一般的な式の場合に、従ってホスト格子ＢＡＭは、例えばＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉のタイプの実験式又はＢＡＬでもある。さらに一般的に表すと、ＢＡＭについての多数の実験式を、２種のアルミン酸塩の混合物であると表すことができ、その際、第１のアルミン酸塩はＢａが少なく、実験式０．８２ＢａＯ・６Ａｌ₂Ｏ₃に相当し、かつ第２のアルミン酸塩はＭｇ含有であり、本来のＢＡＭのＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇を示す。前記のＢａが少ないアルミン酸塩及び本来のＢＡＭ、つまりＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇は、ベータ−Ａｌ₂Ｏ₃と同じ結晶構造を有するため、両方の化合物はベータ−Ａｌ₂Ｏ₃構造を有する固溶体を形成する。本発明による一般的なアルミン酸塩−実験式は、従って｛（１−ａ）・（０．８２［Ｂａ_xＥｕ_1-xＯ］・６［Ａ₂Ｏ₃］）｝・ａ（Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇）と記載することができる。この場合、ａは基本的に０≦ａ≦１により表される。特にａ≧０．２である。有利に、ａは少なくとも０．６５、特に有利に少なくとも０．８である。ｘについての値は、少なくとも０．５２〜０．８までである。有利にｘ＝０．５５〜０．６５である。

付加が少ない適用の場合には、アルミン酸塩−実験式｛（１−ａ）・（０．８２［Ｂａ_xＥｕ_1-xＯ］・６［Ａｌ₂Ｏ₃］）｝・ａ（Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇ_1-zＭｎ_zＡｌ₁₀Ｏ₁₇）に従って、Ｍｇの代わりとしてＭｎでも同時ドープすることもできる。

この場合、ｚは特に０．３未満であり、有利に最大で０．１５であり、特に有利に最大で０．０４であるのが好ましい。

更に、前記記載におけるＢａは部分的に又は完全にＳｒにより置き換えることができるか又は部分的にＣａにより置き換えることができる。

他の実施態様の場合には、蛍光体に対して高いユウロピウム濃度を適用することができ、その際、Ｂａは部分的に、又は完全にＳｒ及び／又はＣａにより置き換えられ、かつこれは本来のＢＡＭから誘導されている。前記蛍光体は、実験式Ｍ_xＥｕ_1-xＭｇ_1-y-dＭｎ_yＡｌ_10+2fＯ_17-c+3fにより表され、前記式中、Ｍ＝（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）であり、その際、Ｍは、有利にＢａ_z（Ｃａ，Ｓｒ）_1-zにより表され、ｚ≧０．７である。

この場合、０．２≦ｘ≦０．４８；有利に０．３５≦ｘ≦０．４５；
０≦ｙ≦０．３、有利に０≦ｙ≦０．２；
０≦ｄ≦０．１；
−０．１≦ｆ≦１．０。

この種のＬＳは、特にＰＤＰ（プラズマディスプレーパネル）の場合の適用のために適している。ＰＤＰは、頻繁に蛍光体の混合物を例えばＲＧＢの原理に従って使用する。特に、この場合、この新規種類のＢＡＭとＺｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ又はＢａＡｌ₁₂Ｏ₁₉：Ｍｎとの混合物が、緑色に発光する蛍光体成分のために、及び（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃：Ｅｕ又はＹＯＥ、つまりＹ₂Ｏ₃：Ｅｕとの混合物が、赤色に発光する蛍光体成分のために適している。

この種の蛍光体の製造は、原則として、公知のＢＡＭ蛍光体の場合と同様に行われる。融剤として、この場合にハロゲン化合物、有利にフッ化物及び塩化物が挙げられる。しかしながら、リチウム含有化合物及びホウ素含有化合物を使用することもできる。

この製造のために、原料のＡｌ₂Ｏ₃、ＢａＣＯ₃、ＳｒＣＯ₃、ＭｇＯ、Ｅｕ₂Ｏ₃、ＢａＦ₂を偏心ドラムミキサー等中で数時間混合する。この反応温度は１５００〜１６５０℃であるのが好ましい。その後で、２〜２０％のＨ₂含有量を有するフォーミングガスを導通する。引き続き、前記蛍光体をミル中で約５〜３０分間粉砕する。引き続き、前記蛍光体を、場合により更に水又は希釈された酸で洗浄することができる。

更に、この一般的ホスト格子中で、わずかな範囲内で元素のＦ、Ｃｌ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｂ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕを使用することもできる。この場合、ＸＲＤにより検出可能な格子構造はほとんど変化しないままである。詳細には、特に次の変性を実施することができる：
− わずかな範囲内でのＡｌのＢによる置き換え；
− ２ＭのＭ１＋Ｍ３による置き換え、その際、Ｍ１は一価の金属の１種以上、Ｌｉ及び／又はＮａであり、Ｍ３はＬａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ｌｕのグループからなる三価の希土類金属の１種以上であり；
− Ｍ１＋Ｈのホスト格子内への組み込み、その際、Ｍ１は上記に定義した一価の金属であり、ＨはＦ、Ｃｌのグループからなる１種以上のハロゲンであり、有利にその割合は最大で１％である。

− 三価の希土類金属Ｍ３＋ＺＺの中間格子位置への組み込み、その際、Ｍ３は上記に定義されたものと同様であり、ＺＺは、Ｆ、Ｃｌ、Ｏのグループからなる１種以上の元素；それらからなる混合物であり、有利にＦ及びＣｌの割合は最大で１％であり、Ｏの割合は最大で５％である。

− 多様な金属イオン、例えばＳｉの組み込み、前記イオンは高い濃度の場合にルミネッセンスを消光しかねず、ルミネッセンスを著しく低下させない範囲内である。従って、明らかに１質量％を下回る痕跡量での割合を意味する。

前記の本発明による蛍光体は、可視スペクトル領域への変換を達成するために、ＵＶを発光する光源に対して適用することができる。前記励起は、３００〜４２０ｎｍ、有利に３４０〜４１０ｎｍ、特に有利に３８０〜４１０ｎｍのピーク波長で最良に達成される。光源として、低圧ランプ、高圧放電ランプ、また特に変換型ＬＥＤの原理によるＬＥＤが適している。この場合、一方では有色で発光するＬＥＤを実現することができ、その際、特に前記のアルミン酸塩タイプの、殊にＢＡＭのタイプの唯一の発光体が使用される。しかしながら、特に白色で発光するＬＥＤを実現することもでき、その際、このために一般に付加的に黄色に発光する少なくとも１種の他の蛍光体（「ＢＹ」法）又は、公知のように緑色及び赤色に発光する蛍光体（「ＲＧＢ」法）が使用される。

ＢＹ法のために、特にガーネット、例えばＹＡＧ：Ｃｅ又はＳｉｏｎが適している。ＲＧＢ法のためには、特に緑色蛍光体、例えばニトリドシリケート及び赤色蛍光体、例えば窒化物が適している。

前記蛍光体は、原則として、他の目的のために、特にWO 2006/072919に議論されたような照明システム、例えばＬＣＤ及びＰＤＰのために使用することもできる。

特に、このために、新規種類の蛍光体の多様な実施態様からなる混合物を使用することもできる。

Ｅｕ含有率の関数としての室温でのＢＡＭ蛍光体の効率を示すグラフである。 Ｅｕ含有率の関数としての１７５℃での同じＢＡＭ蛍光体の効率を示すグラフである。 ４００ｎｍ励起の際のＥｕ含有率の関数としての同じＢＡＭ蛍光体の発光強度を示すグラフである。 ４００ｎｍ励起の際のＥｕ含有率の関数としての同じＢＡＭ蛍光体の量子効率を示すグラフである。 ４００ｎｍ励起の際のＥｕ含有率の関数としての同じＢＡＭ蛍光体の吸収を示すグラフである。 波長の関数としての特別なＢＡＭ蛍光体の反射率を示すグラフである。 波長の関数としての同じＢＡＭ蛍光体の発光を示すグラフである。 温度の関数としての同じ蛍光体の消光挙動（クエンチング）を示すグラフである。 Ｍｎの組み込みの際の変性されたＢＡＭ蛍光体の発光挙動を示すグラフである。 多様な実験式を有する多様な蛍光体の発光挙動を示すグラフである。 青緑光のための光源の原理的な構造を示す図である。 白色光のための光源の原理的な構造を示す図である。 放電ランプの原理的な構造を示す図である。

次に、本発明を一つの実施例に基づいて詳細に説明する。

本発明の有利な実施態様
図１は、Ｍ＝（Ｂａ，Ｅｕ）に関する、Ｍｏｌ％でのＥｕ含有率の関数としてのＢＡＭ蛍光体Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇の相対効率を示す。これは、最適Ｅｕ濃度が室温（２５℃）でＥｕ約６０％であることを示し、これはｘ＝０．４の値に相当する。

１７５℃の温度に関する同じ測定は、最適Ｅｕ濃度が、約５４％であるという結果を提供し、これはｘ＝０．４６の値に相当する。

図３では、４００ｎｍでの励起の際にＥｕ濃度の関数としての前記蛍光体の発光強度を示す。意外にも、前記強度は、約６０％のＥｕ濃度で初めて最大値に達し、これはまた値Ｘ＝０．４の値に相当する。

図４では、Ｅｕ濃度の関数としての量子効率を示す。意外にも、この量子効率は、比較的長波長の励起の場合、ここでは例えば４００ｎｍでの励起の場合、Ｅｕ含有率の増大と共に初めは増加する。最高値は、Ｅｕについての値において５０〜６０％の範囲内で、つまりｘ＝０．４〜０．５で示される。

図５は、粉末タブレットに関して、このＢＡＭ蛍光体の吸収を示す。これは、この新規種類の蛍光体が今まで通常のＢＡＭ：Ｅｕ蛍光体と比べて著しく改善された吸収を有することを示す。

図６は、粉末タブレットの形で存在する蛍光体Ｅｕ_0.6Ｂａ_0.4ＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇の反射率を示す。これは、前記蛍光体が今まで通常の蛍光体と比べて著しく改善された反射率を有することを示す。このことは特に吸光について通用する。

図７は、波長の関数としての前記具体的蛍光体の発光を示す。これは、前記発行挙動がより高い演色性を有するＬＥＤのために特に良好に適していることを示す。この発光は比較的長波長でありかつ高い青緑成分を有する。この励起はこの場合でも４００ｎｍで行われる。

図８は、温度の関数としての前記具体的蛍光体の消光挙動を示す。前記蛍光体は極めて安定であるため、１７５℃での効率は、いまだに２５℃での効率の８０％より高い。このことは、前記新規の蛍光体が温度負荷がかけられる環境のために、例えば自動車ヘッドライト用のＬＥＤのために魅力的である。

図９は、実験式Ｂａ_0.4Ｅｕ_0.6Ｍｇ_1-yＭｎ_yＡｌ₁₀Ｏ₁₇を有する蛍光体の発光挙動を示す。Ｍｇ格子位置にＭｎを組み込むことは、例えばＬＣＤバックライトのために理想的に適した高効率で狭帯域の緑色蛍光体の実現を可能にする。

図１０は、Ｂａの少ないアルミン酸塩相と本来のＢＡＭ相とからなる多様な混合物の発光の比較を示す。この混合パラメータは、上記されたようにａである。低いアルミン酸塩濃度、ａ＝０．０８の場合、純粋なＢＡＭ相、つまりａ＝０と比較して有意な変化は観察されない。この両方の曲線は、実際に重なっている。高いアルミン酸塩濃度ａの場合には、前記発光は短波長側へのシフトが生じる。示された実施例の場合に、ａ＝０．８８である。この場合、それぞれＥｕ濃度ｘは、金属Ｍ＝（Ｂａ_1-x，Ｅｕ_x）の割合であると解釈して、６０％である。この場合、Ｍｎは共ドーパントとして使用されない（ｚ＝０）。この混合効果は、ＬＥＤ中での発光波長又はそのピークの最適な調節のために利用することができる。

図１１は、本発明による蛍光体を有する、変換型ＬＥＤ（ＬＵＫＯＬＥＤともいわれる）の原理的な構造を示す。この青緑光用の光源の構造は、図１１において詳細に示されている。前記光源は、例えば４０５ｎｍのＵＶにおいてピーク波長を有するＩｎＧａＮ型のチップ１を備えた半導体デバイスであり、前記デバイスは光不透過性の基体ケーシング８内の凹設部９の範囲内に埋め込まれている。前記チップ１は、ボンディングワイヤ４を介して第１の端子３と接続され、かつ第２の電気的端子２とは直接接続されている。前記凹設部９は注型樹脂５で充填され、前記注型樹脂は主成分としてシリコーン樹脂（８０〜９０質量％）及び蛍光体顔料６（一般に２０質量％より少ない）を含有する。前記凹設部は壁部７を有し、前記壁部はチップ１からの一次放射及び顔料６からの二次放射のためのリフレクタとして利用される。ＵＶ−ＬＥＤの前記一次放射は、蛍光体により完全に青緑色の放射に変換される。この使用された蛍光体は、上記のＢＡＭ：（Ｅｕ，Ｍｎ）である。

同様に、例えばＵＶ放射源により励起され、赤色、緑色及び青色に発光する３種の蛍光体を使用することにより、この種の蛍光体を用いて白色光用の光源を実現することもできる。この緑色蛍光体は、例えばＢａ−Ｓｉｏｎであり、赤色蛍光体は、例えばＣａ₅Ａｌ₄Ｓｉ₈Ｎ₁₈：Ｅｕ又はニトリドシリケート（Ｃａ，Ｓｒ）₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕであり、青色蛍光体は、アルミン酸塩蛍光体、例えばＢＡＭ：Ｅｕ（その際、ｘ＝０．４）である。有利に、この場合、ＢＡＭ：Ｅｕ型の青色蛍光体は、チップの表面に直接、厚さ５〜５０μｍ、有利に５〜３０μｍの層１００の形で塗布される。前記層は、例えば電気泳動により被覆される。前記層は、前記蛍光体の極端に高い吸収率のために薄くすることができ、かつ有利に結合剤のような他の添加物を最大２０質量％含有する。さらに使用される場合に他の蛍光体は離されて、特に樹脂中に分配されるか、又は前記第１の層１００の上に第２の層として塗布される。

白色光用の他の光源の構造は、図１２において詳細に示されている。前記光源は、例えば３８０ｎｍのピーク発光波長を有するＩｎＧａＮ型のＵＶ発光するチップ１１を備えたＬＥＤ型の半導体デバイス１６である。前記半導体デバイス１６は、側壁１５及びカバー１９を備えた光不透過性の基体ケーシング１８中に埋め込まれている。前記チップは２種の蛍光体のための一次光源である。第１の蛍光体１４はＢＡＭ：Ｅｕ（６０％）であり、これはチップ１３の一次放射を部分的に変換し、ピーク発光４６０ｎｍの青色放射に変える。第２の蛍光体は黄色蛍光体、例えばＹＡＧ：Ｃｅであり、これはチップ１３の一次放射を部分的に変換し、ピーク発光５６０ｎｍの黄色放射に変える。

他の実施例の場合に、一次光源としてＵＶ−ＬＥＤ（約３８０ｎｍ）を白色ＲＧＢルミネッセンス変換型ＬＥＤのために使用し、その際、ここではケーシング及び樹脂又は蛍光体の劣化及び分解の問題は、付加的な公知の手段によって、例えばケーシング材料の入念な選択、ＵＶ耐性樹脂成分の添加によってできる限り十分に回避しなければならない。この解決策の大きな利点は、発光色の低い視野角依存性及び高い色安定性である。

図１３は、水銀不含のガス充填物２１を有する低圧放電ランプ２０を示し（図式化された）、前記低圧放電ランプはインジウム化合物及び緩衝ガスをWO 02/10374と同様に含有し、その際、層２２はＢＡＭ：Ｅｕ（６０％）からなる。通常は、蛍光ランプにおいて、いわゆる三波長域蛍光ランプが使用される。このために、緑色及び赤色蛍光体を添加する。Ｂａ−Ｓｉｏｎ並びに赤色のニトリドシリケート（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）₂Ｓｉ₅Ｎ₈：Ｅｕが特に適している。

この蛍光体系は、一方で、インジウム放射に合わせられる、それというのもこれは、ＵＶでも青色スペクトル領域でも重要な成分を有し、この両方は同様に良好に吸収されるためである。この混合は、しかしながら通常の蛍光ランプのためにも適している。US 4 810 938から公知のように、高圧ベースのインジウムランプの場合に適用することもできる。この場合、前記ランプは、金属ハロゲン化物充填物を有する通常の放電ケーシングを有する。この放射は外部チューブ上の蛍光体層に当たり、前記蛍光体層は前記一次放射の一部を青緑色の放射成分に変換する。この蛍光体層は、ＢＡＭ：Ｅｕ（６０％）からなる。前記技術は、原則として例えば、US-B 6 958 575に記載されている。

照明システム用の光源として、有利にＬＥＤ、特にＩｎＧａＮをベースとするＬＥＤ又は放電ランプ、特に水銀をベースとする放電ランプ又は照明モジュール、特にＬＥＤをベースとする照明モジュールが適している。本発明による蛍光体は、光源に直接塗布されるか又は個別にその前方に配置されていてもよい。

Claims (9)

1. ホスト格子としてＢＡＭ系からなり、実験式Ｍ_xＥｕ_1-xＭｇ_1-y+dＭｎ_yＡｌ_10-2fＯ_17+d+3fを有する蛍光体において、
   ０．２≦ｘ≦０．４８；有利に０．３５≦ｘ≦０．４５；
   ０≦ｙ≦０．３、有利に０≦ｙ≦０．２；
   ０≦ｄ≦０．１；
   −０．１≦ｆ≦１．０が当てはまることを特徴とする、蛍光体。
2. 実験式Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇であり、その際、ｘは、０．３５≦ｘ≦０．４５が当てはまることを特徴とする、請求項１記載の蛍光体。
3. 実験式Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇ_zＭｎ_1-zＡｌ₁₀Ｏ₁₇であり、その際、ｘは、ｘ＝０．３５〜０．４８の範囲内に設定され、かつｚ＝０．６５〜０．９９５に設定されることを特徴とする、請求項１記載の蛍光体。
4. 実験式Ｂａ_xＥｕ_1-xＭｇ_1-k+dＭｎ_kＡｌ_10+2fＯ_17+d+3fであり、その際、
   ０．２≦ｘ≦０．４８；有利に０．３５≦ｘ≦０．４５；
   ０≦ｋ≦０．３、有利に０≦ｋ≦０．２；
   ０≦ｄ≦０．１；
   −０．１≦ｆ≦１．０が当てはまることを特徴とする、請求項１記載の蛍光体。
5. ピーク波長が３００〜４２０ｎｍ、有利に３４０〜４１０ｎｍである一次放射を変換するための請求項１から４までのいずれか１項に記載の蛍光体の使用。
6. 光源と、前記光源からの放射の少なくとも一部を長波長の放射に変換するための少なくとも１つの前方に配置された蛍光体とを有する照明システムにおいて、前記光源は、３００〜４２０ｎｍの範囲内でピーク波長を有する一次放射を発し、かつ変換のために使用される蛍光体は、ＢＡＭ型のホスト格子のアルミン酸塩であり、前記アルミン酸塩はＥｕ及び場合により更にＭｎでドープされていて、前記アルミン酸塩は次の実験式を有し、実験式Ｍ_xＥｕ_1-xＭｇ_1-y+dＭｎ_yＡｌ_10+2fＯ_17+d+3fを有するＢＡＭ系からなる蛍光体は、
   ０．２≦ｘ≦０．４８；有利に０．３５≦ｘ≦０．４５；
   ０≦ｙ≦０．３、有利に０≦ｙ≦０．２；
   ０≦ｄ≦０．１；
   −０．１≦ｆ≦１．０が通用することを特徴とする、照明システム。
7. 光源がＬＥＤであり、特にＩｎＧａＮ型のＬＥＤであることを特徴とする、請求項６記載の照明システム。
8. 光源が放電ランプであり、特に水銀をベースとする放電ランプであることを特徴とする、請求項６記載の照明システム。
9. 光源がＬＥＤを備えた照明モジュールであり、特にＩｎＧａＮ型のＬＥＤを備えた照明モジュールであることを特徴とする、請求項６記載の照明システム。

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