TW202426813A - 發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及車輛用顯示燈 - Google Patents
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Abstract
本發明之課題在於提供一種演色性、色再現性、轉換效率、安全性、對比度之任一個以上良好之發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及/或車輛用顯示燈。本發明係一種發光裝置，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體，上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將700 nm下之發光強度設為C時，C/A為0.25以下，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，此螢光體包含具有特定式所表示之組成之結晶相。
Description
本發明係關於一種發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及車輛用顯示燈。
近年來，受節能趨勢之影響，使用LED(Light Emitting Diode，發光二極體)之發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及/或車輛用顯示燈之需求增加。此種裝置所使用之LED例如係於發出藍色或近紫外波長之光之LED晶片上配置有螢光體之白色發光LED。
作為此種類型之白色發光LED，近年來使用於藍色LED晶片上，使用將來自藍色LED晶片之藍色光作為激發光而發光成紅色之氮化物螢光體及發光成綠色之螢光體者。需要演色性、色再現性、及/或轉換效率較高之LED。
例如於照明之用途中，需要轉換效率較高，不僅如此，演色性較高而顯示出接近自然光之發光光譜，藉此，接收到光之物體之顏色呈現出接近自然色之顏色，此外，對人眼睛之應力較少之發光裝置。
[先前技術文獻]
[非專利文獻]
[非專利文獻1]J. Mater. Chem. C, 2015, Vol. 3, Issue21, p. 5484-5489
[非專利文獻2]Chemistry Letters, 2006, Vol. 35, No. 3, p. 334-335
[發明所欲解決之問題]
鑒於上述課題，本發明於一個觀點中，目的在於提供一種演色性、色再現性、轉換效率、安全性、對比度之任一個以上良好之發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及/或車輛用顯示燈。
[解決問題之技術手段]
本發明者等進行了努力研究，結果發現，複數個特定波長區域或特定波長下之發光強度之比率處於特定範圍之發光裝置可解決上述課題，從而完成了本發明。以下示出非限定性之若干實施方式。再者，本發明亦包含相對於以下所示之任一實施方式，進而具備其他1個以上之實施方式之特徵之一部分或全部之實施方式。
＜1＞：一種發光裝置，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體，上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將700 nm下之發光強度設為C時，C/A為0.25以下，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[1]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
bMC
cN
dX
e[1]
(上述式[1]中，MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Al、Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2)
＜2＞：如上述＜1＞所記載之發光裝置，其中於將600 nm下之發光強度設為B時，B/A為0.60以上。
＜3＞：一種發光裝置，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體，上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將600 nm下之發光強度設為B，將700 nm下之發光強度設為C時，B/A為0.60以上，C/A為0.20以下。
＜4＞：如上述＜1＞～＜3＞中任一項所記載之發光裝置，其中於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於激發光之發光波峰波長λ2以上之波長區域中，上述發光光譜之發光強度成為極小之波長λ3下之發光強度設為D時，上述發光強度D與上述發光強度A之比率D/A為0.15以上。
＜5＞：如上述＜1＞～＜4＞中任一項所記載之發光裝置，其特徵在於：於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，自上述波長λ1以至700 nm，上述發光光譜之發光強度連續減少。
＜6＞：如上述＜1＞～＜5＞中任一項所記載之發光裝置，其中相對於上述第2發光體，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體所占之比率為45重量%以下。
＜7＞：如上述＜1＞～＜6＞中任一項所記載之發光裝置，其具備發光色或色溫不同之複數個發光元件、及調光裝置，且能夠顯示出互不相同之2種以上之發光色。
＜8＞：如上述＜1＞～＜7＞中任一項所記載之發光裝置，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含實質上不包含Mn之螢光體。
＜9＞：如上述＜1＞～＜8＞中任一項所記載之發光裝置，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含於600 nm以上648 nm以下之波長區域顯示出發光波峰波長之螢光體。
＜10＞：如上述＜1＞～＜9＞中任一項所記載之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之內部量子效率為30%以上之螢光體。
＜11＞：如上述＜1＞～＜10＞中任一項所記載之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光光譜中之波峰半值寬為57 nm以下之螢光體。
＜12＞：如上述＜1＞～＜11＞中任一項所記載之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光光譜中之波峰半值寬為20 nm以上之螢光體。
＜13＞：如上述＜1＞～＜12＞中任一項所記載之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光波峰波長x(nm)與發光光譜中之波峰半值寬y(nm)滿足y≦184－0.2x之關係之螢光體。
＜14＞：如上述＜1＞～＜13＞中任一項所記載之發光裝置，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[2]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
b(Al
1-yMC
y)
cN
dX
e[2]
(上述式[2]中，MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x、y分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2
0.0＜y≦1.0)
＜15＞：如上述＜1＞～＜14＞中任一項所記載之發光裝置，其中上述於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體包含石榴石系螢光體、矽酸鹽系螢光體、氮化物螢光體、及氮氧化物螢光體之任1種以上。
＜16＞：一種照明裝置，其具備如上述＜1＞～＜14＞中任一項之發光裝置作為光源。
＜17＞：一種圖像顯示裝置，其具備如上述＜1＞～＜14＞中任一項之發光裝置作為光源。
＜18＞：一種車輛用顯示燈，其具備如上述＜1＞～＜14＞中任一項之發光裝置作為光源。
＜19＞：一種發光體，其至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，於由藍色光激發時顯示出相關色溫4000 K以下之發光色，於顯示該相關色溫4000 K以下之發光色之發光光譜中，將於600 nm以上700 nm以下，發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將700 nm下之發光強度設為C時，C/A為0.25以下，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[1]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
bMC
cN
dX
e[1]
(上述式[1]中，MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Al、Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2)
＜20＞：如上述＜19＞所記載之發光體，其中於將600 nm下之發光強度設為B時，B/A為0.60以上。
＜21＞：一種發光體，其至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，
於由藍色光激發時顯示出相關色溫4000 K以下之發光色，於顯示出該相關色溫4000 K以下之發光色之發光光譜中，將於600 nm以上700 nm以下，發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將600 nm下之發光強度設為B，將700 nm下之發光強度設為C時，B/A為0.60以上，C/A為0.20以下。
＜22＞：如上述＜19＞～＜21＞中任一項所記載之發光體，其中於上述顯示出相關色溫4000 K以下之發光色之發光光譜中，將於激發光之發光波峰波長λ2以上之波長區域中，上述發光光譜之發光強度成為極小之波長λ3下之發光強度設為D時，上述發光強度D與上述發光強度A之比率D/A為0.15以上。
＜23＞：如上述＜19＞～＜22＞中任一項所記載之發光體，其中相對於發光體，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體所占之比率為45重量%以下。
＜24＞：如上述＜19＞～＜23＞中任一項所記載之發光體，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含實質上不包含Mn之螢光體。
＜25＞：如上述＜19＞～＜24＞中任一項所記載之發光體，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含於600 nm以上648 nm以下之波長區域顯示出發光波峰波長之螢光體。
＜26＞：如上述＜19＞～＜25＞中任一項所記載之發光體，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之內部量子效率為30%以上之螢光體。
＜27＞：如上述＜19＞～＜26＞中任一項所記載之發光體，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光光譜中之波峰半值寬為57 nm以下之螢光體。
＜28＞：如上述＜19＞～＜27＞中任一項所記載之發光體，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光光譜中之波峰半值寬為20 nm以上之螢光體。
＜29＞：如上述＜19＞～＜28＞中任一項所記載之發光體，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光波峰波長x(nm)與發光光譜中之波峰半值寬y(nm)滿足y≦184－0.2x之關係之螢光體。
＜30＞：如上述＜19＞～＜29＞中任一項所記載之發光體，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[2]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
b(Al
1-yMC
y)
cN
dX
e[2]
(上述式[2]中，MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x、y分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2
0.0＜y≦1.0)
＜31＞：如上述＜19＞～＜30＞中任一項所記載之發光體，其中上述於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體包含石榴石系螢光體、矽酸鹽系螢光體、氮化物螢光體、及氮氧化物螢光體之任1種以上。
[發明之效果]
本發明於複數個實施方式中，可提供演色性、色再現性、轉換效率、安全性、對比度之任一個以上良好之發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及/或車輛用顯示燈。
以下，示出實施方式或例示物對本發明進行說明，但本發明並不限定於以下實施方式或例示物等，可於不脫離本發明之主旨之範圍內任意變化後實施。
再者，於本說明書中，使用「～」而表示之數值範圍意指包含「～」之前後所記載之數值作為下限值及上限值之範圍。又，於本說明書中之螢光體之組成式中，各組成式之斷開係由頓號(、)隔開表示。又，於由逗號(,)隔開羅列複數個元素之情形時，表示可以任意組合及組成含有所羅列之元素中之1種或2種以上。例如，「(Ca,Sr,Ba)Al
2O
4:Eu」之組成式包括性地示出「CaAl
2O
4:Eu」、「SrAl
2O
4:Eu」、「BaAl
2O
4:Eu」、「Ca
1 － xSr
xAl
2O
4:Eu」、「Sr
1 － xBa
xAl
2O
4:Eu」、「Ca
1 － xBa
xAl
2O
4:Eu」、及「Ca
1 － x － ySr
xBa
yAl
2O
4:Eu」(其中，式中，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜x＋y＜1)之全部。
本發明於一實施方式中，係一種發光裝置，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體，上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將700 nm下之發光強度設為C時，C/A為0.25以下，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[1]所表示之組成之結晶相。
又，本發明於另一實施方式中，係一種發光體，其具有上述第2發光體之特徵。
Re
xMA
aMB
bMC
cN
dX
e[1]
(上述式[1]中，
MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Al、Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2)
上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體亦可至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[2]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
b(Al
1-yMC
y)
cN
dX
e[2]
(上述式[2]中，
MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x、y分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2
0.0＜y≦1.0)
於上述實施方式中，將600 nm下之發光強度設為B時，B/A亦可為0.60以上。
本發明於一實施方式中，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體，上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體，於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A，將600 nm下之發光強度設為B，將700 nm下之發光強度設為C時，B/A為0.60以上，C/A為0.20以下。
於一實施方式中，上述發光裝置至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色。上述發光裝置可為僅發出相關色溫4000 K以下之1種顏色之光之裝置，亦可具有2種以上之發光色，於具有2種以上之發光色之情形時，亦可具有藉由控制裝置使發光色連續或不連續變化之機構。
藉由使上述B/A為0.60以上，可提供光譜中凹凸較少、顯示出接近太陽光光譜之發光光譜之發光裝置。上述B/A較佳為0.70以上，更佳為0.75以上，進而較佳為0.80以上，尤佳為0.90以上，通常為1.00以下。
上述C/A通常為0.25以下，較佳為0.20以下，更佳為0.19以下，進而較佳為0.18以下，進而更佳為0.17以下，尤佳為0.16以下，通常為0.01以上。藉由使上述C/A為上述上限以下，可提供比視感度較低之波長區域之貢獻變小、轉換效率優異之發光裝置。
於一實施方式中，上述發光裝置於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，將於激發光之發光波峰波長λ2以上之波長區域中，上述發光光譜之發光強度成為極小之波長λ3下之發光強度設為D時，上述發光強度D與上述發光強度A之比率D/A為0.15以上。藉由使上述D/A之值為0.15以上，可提供顯示出更接近太陽光光譜之發光光譜且演色性較高之發光裝置。
上述D/A較佳為0.17以上，更佳為0.20以上，通常為0.9以下。
於一實施方式中，上述發光裝置係如下發光裝置，其特徵在於：於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中，自上述波長λ1以至700 nm，上述發光光譜之發光強度連續減少。藉由使發光光譜滿足上述特性，成為更接近太陽光之光譜形狀，演色性提高，並且比視感度較低之波長區域之成分減少，轉換效率提高。
於一實施方式中，上述發光裝置相對於上述第2發光體，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體所占之比率為45重量%以下。上述比率較佳為40重量%以下，更佳為30重量%以下，進而較佳為25重量%以下。藉由使該比率較低，可藉由更少量之紅色螢光體實現發光色，從而可提供使發光元件之尺寸小型化等設計自由度較高之發光裝置。
於一實施方式中，上述發光裝置係具備發光色或色溫不同之複數個發光元件、及調光裝置之發光裝置。藉由設為此種裝置，可提供能夠顯示出互不相同之2種以上之發光色之發光裝置。即，於一實施方式中，上述發光裝置係具備發光色或色溫不同之複數個發光元件、及調光裝置，且能夠顯示出互不相同之2種以上之發光色之發光裝置。
調光裝置可使用現有者，例如可使用控制對不同發光元件之施加電壓之控制裝置、個別地控制對各發光元件之功率供給之接通/斷開之開關等。
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含實質上不包含Mn之螢光體。於特定實施方式中，僅由實質上不包含Mn之螢光體構成。藉由使發光裝置所具備之紅色螢光體之一部分或全部為實質上不包含Mn之螢光體，可減少或排除有害之Mn化合物，從而提供對人體及環境友好之發光裝置。
再者，於本說明書中，「實質上不包含」特定成分之螢光體意指不包含特定成分作為構成螢光體之結晶相之組成之元素，且未添加特定成分作為添加元素、活化劑等之螢光體。「實質上不包含」特定成分之螢光體容許以雜質等形式意外混入微量特定成分。
[螢光體之粒徑]
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含結晶相之粒徑以體積基準之中央粒徑(體積中值粒徑)計，通常為2 μm以上40 μm以下，下限值較佳為3 μm、更佳為4 μm、進而較佳為5 μm、且上限值較佳為35 μm、更佳為30 μm、進而較佳為25 μm、尤佳為20 μm之螢光體。
若體積基準之中央粒徑(體積中值粒徑)為上述下限以上，則就提高結晶相於LED封裝內所示之發光特性之觀點而言較佳，若為上述上限以下，則就結晶相於LED封裝之製造步驟中可避免噴嘴堵塞之方面而言較佳。
螢光體之結晶相之體積基準之中央粒徑(體積中值粒徑)可藉由業者周知之測定技術進行測定，於較佳之實施方式中，例如可藉由雷射粒度計進行測定。於本說明書中之實施例中，體積基準之中央粒徑(體積中值粒徑、(d50))定義為使用將雷射繞射、散射法作為測定原理之粒度分佈測定裝置對試樣進行測定，並求出粒度分佈(累計分佈)時之體積基準之相對粒子量成為50%之粒徑。
{螢光體之物性等}
[空間群]
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體並無限制，只要可獲得本發明之效果即可，於特定實施方式中，包含晶系(空間群)為P-1之螢光體。本實施方式之螢光體中之空間群並無特別限定，只要於可利用粉末X射線繞射或單晶X射線繞射進行區別之範圍內統計性考慮之平均結構示出上述長度之重複週期即可，較佳為屬於「International Tables for Crystallography(Third，revised edition), Volume A SPACE-GROUP SYMMETRY」之第2號者。
藉由為上述空間群，發光光譜中之波峰半值寬(FWHM)變窄，獲得發光效率較佳之螢光體。
此處，空間群可依據常規方法求出，例如可藉由電子束繞射或使用粉末或單晶之X射線繞射結構解析及中性線繞射結構解析等求出。
[螢光體之內部量子效率]
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之內部量子效率為30%以上。上述內部量子效率較佳為35%以上，更佳為40%以上，進而較佳為45%以上，尤佳為50%以上，進而更佳為55%以上，上限並無限制，越高越佳，但通常為100%以下。量子效率可利用常規方法求出，例如可根據使用分光光度計測得之發光光譜算出。
[發光光譜之特性]
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含如下螢光體：其藉由照射具有適當波長之光而激發，並釋放於發光光譜中示出良好之發光波峰波長及發光光譜中之波峰半值寬(FWHM)之紅色光。以下，對上述發光光譜及激發波長、發光波峰波長及發光光譜中之波峰半值寬(FWHM)進行記載。
(激發波長)
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體通常於270 nm以上、較佳為300 nm以上、更佳為320 nm以上、進而較佳為350 nm以上、尤佳為400 nm以上且通常於550 nm以下、較佳為520 nm以下、更佳為500 nm以下之波長範圍內具有激發波峰。即，包含由近紫外至藍色區域之光激發之螢光體。
再者，發光光譜之形狀、及下述發光波峰波長及發光光譜中之波峰半值寬之記載可不受激發波長影響而應用，但就提高量子效率之觀點而言，較佳為照射吸收及激發之效率較佳之具有上述範圍之波長之光。
(發光波峰波長)
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體之發光光譜包含至少1個發光波峰波長通常為610 nm以上660 nm以下之發光波峰。
於另一特定實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含至少1個於較佳為655 nm以下、更佳為650 nm以下、進而較佳為648 nm以下、進而更佳為645 nm以下、尤佳為640 nm以下、極佳為637 nm以下之波長區域示出發光波峰波長之螢光體。又，上述螢光體之發光波峰波長較佳為610 nm以上，更佳為620 nm以上。於特定實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含至少1個於600 nm以上648 nm以下之波長區域示出發光波峰波長之螢光體。
具備包含至少1個發光波峰波長為上述上限以下之發光波峰之螢光體的發光裝置之比視感度較低之700 nm附近之波長區域之發光強度較低，轉換效率良好。
又，藉由使發光波峰波長為上述下限以上，可於紅色區域獲得良好之發光，可獲得紅色之演色性或色再現性良好之發光裝置，因此，適合圖像顯示裝置(顯示器)用背光裝置等用途。
調整上述發光波峰波長之方法並無特別限制，例如藉由調整MC元素之構成，可於將發光光譜中之波峰半值寬保持為較窄之情況下調整發光波峰波長。於特定實施方式中，藉由提高MC之比率，可將發光波峰波長調整至短波長側。
(發光光譜中之波峰半值寬)
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含發光光譜中之波峰半值寬通常為70 nm以下、較佳為65 nm以下、更佳為60 nm以下、進而較佳為57 nm以下、尤佳為55 nm以下、最佳為50 nm以下且通常為10 nm以上、較佳為20 nm以上、更佳為25 nm以上、進而較佳為30 nm以上之螢光體。
藉由使用發光光譜中之波峰半值寬為上述範圍內之螢光體，於液晶顯示器等圖像顯示裝置中，可不降低色純度而擴大色再現範圍。
又，藉由使發光波峰波長及發光光譜中之波峰半值寬為上述上限以下，可提供發光波長區域之可見度相對高之螢光體，藉由將此種螢光體用於發光裝置，可提供轉換效率較高之發光裝置。
再者，於利用波長450 nm左右之光激發上述螢光體時，例如可使用GaN系LED。又，上述螢光體之發光光譜之測定、以及其發光波峰波長、波峰相對強度及發光光譜中之波峰半值寬之算出例如可使用具備市售之氙氣燈等具有300～400 nm之發光波長之光源及普通光檢測器之螢光測定裝置等市售之光譜測定裝置進行。
上述發光裝置於一實施方式中，包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光波峰波長x(nm)與發光光譜中之波峰半值寬y(nm)滿足y≦184－0.2x之關係之螢光體。
藉由使用螢光體之發光波峰波長與波峰半值寬滿足上述式之螢光體，可優化發光裝置之轉換效率。
＜螢光體＞
本實施方式之發光裝置所使用之螢光體並無特別限制，只要不喪失發光裝置之特性即可，例舉實現發明之例。
即，於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[1]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
bMC
cN
dX
e[1]
(上述式[1]中，
MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Al、Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2)
於一實施方式中，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體至少包含下述螢光體，上述螢光體包含具有下述式[2]所表示之組成之結晶相。
Re
xMA
aMB
b(Al
1-yMC
y)
cN
dX
e[2]
(上述式[2]中，MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x、y分別滿足下述式：
0.7≦a≦1.3
0.7≦b≦1.3
2.4≦c≦3.6
3.2≦d≦4.8
0.0≦e≦0.2
0.0＜x≦0.2
0.0＜y≦1.0)
式[1]或[2]中，Re可使用銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)及鐿(Yb)等，但就提高發光波長及發光量子效率之觀點而言，Re較佳為包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，更佳為包含Eu，進而較佳為Re之80莫耳%以上為Eu，進而更佳為Re為Eu。
式[1]或[2]中，MA包含選自由鈣(Ca)、鍶(Sr)、鋇(Ba)、鈉(Na)、鉀(K)、釔(Y)、釓(Gd)、及鑭(La)所組成之群中之1種以上之元素，較佳為包含選自由Ca、Sr、Ba所組成之群中之1種以上之元素，更佳為MA包含Sr。又，較佳為MA之80莫耳%以上係由上述較佳之元素構成，更佳為MA係由上述較佳之元素構成。
式[1]或[2]中，MB包含選自由鋰(Li)、鎂(Mg)、及鋅(Zn)所組成之群中之1種以上之元素，較佳為包含Li，更佳為MB之80莫耳%以上為Li，進而較佳為MB為Li。
式[1]中，MC包含選自由鋁(Al)、矽(Si)、鎵(Ga)、銦(In)、及鈧(Sc)所組成之群中之1種以上之元素，較佳為包含Al、Ga或Si，更佳為包含Al或Ga，進而較佳為MC之80莫耳%以上係由Al或Ga之1種以上之元素構成，尤佳為MC之90莫耳%以上係由Al或Ga之1種以上之元素構成，最佳為MC係由Al或Ga之1種以上之元素構成。
藉由為上述構成，可將上述螢光體之半值寬保持為較窄，並且將發光波峰波長設為620～660 nm，從而可提供轉換效率優異之發光裝置。
式[2]中，MC'包含選自由矽(Si)、鎵(Ga)、銦(In)、及鈧(Sc)所組成之群中之1種以上之元素，較佳為包含Ga或Si，更佳為包含Ga，進而較佳為MC之80莫耳%以上係由Ga構成，尤佳為MC之90莫耳%以上係由Ga構成，最佳為MC係由Ga構成。
藉由為上述構成，可將上述螢光體之發光波長設為648 nm，從而可提供轉換效率優異之發光裝置。
式[1]或[2]中，N表示氮。為了保持結晶相整體之電荷平衡性或為了調整發光波峰波長，N之一部分亦可被取代為氧(O)。
式[1]或[2]中，X包含選自由氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)、及碘(I)所組成之群中之1種以上之元素。即，於特定實施方式中，就結晶結構穩定化及保持螢光體整體之電荷平衡性之觀點而言，N之一部分亦可被取代為X所表示之上述鹵素元素。
上述式[1]或[2]包含不可避免或意外包含微量明確記載以外之成分之情形。
作為明確記載以外之成分，可例舉元素編號之1位與人為添加之元素不同之元素、人為添加之元素之同族元素、與人為添加之稀土類元素不同之稀土類元素、及Re原料中使用鹵化物時之鹵素元素、可以雜質形式通常包含於其他各種原料中之元素等。
於本說明書中，「人為添加」特定成分意指刻意添加特定成分作為構成螢光體之結晶相之組成之元素，於以雜質等形式意外混入微量特定成分之情形時，不符合「人為添加」。人為添加有特定成分之螢光體可實質上包含特定成分。
作為不可避免或意外包含明確記載以外之成分之情形，例如想到源自原料之雜質、及於粉碎步驟、合成步驟等製造製程中導入之情形。又，作為微量添加成分，可例舉反應助劑、及Re原料等。
上述式[1]或[2]中，a、b、c、d、e、x、y分別表示螢光體中所包含之MA、MB、MC、N、X、Re及MC'之莫耳含量。
a之值通常為0.6以上，較佳為0.7以上，更佳為0.8以上，進而較佳為0.9以上，通常為1.4以下，較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，進而較佳為1.1以下。
b之值通常為0.6以上，較佳為0.7以上，更佳為0.8以上，進而較佳為0.9以上，通常為1.4以下，較佳為1.3以下，更佳為1.2以下，進而較佳為1.1以下。
c之值通常為2.1以上，較佳為2.4以上，更佳為2.6以上，進而較佳為2.8以上，通常為3.9以下，較佳為3.6以下，更佳為3.4以下，進而較佳為3.2以下。
d之值通常為3以上，較佳為3.2以上，更佳為3.4以上，進而較佳為3.6以上，進而更佳為3.8以上，通常為5以下，較佳為4.8以下，更佳為4.6以下，進而較佳為4.4以下，進而更佳為4.2以下。
e之值並無特別限制，通常為0以上，通常為0.2以下，較佳為0.1以下，更佳為0.06以下，進而較佳為0.04以下，進而更佳為0.02以下。
藉由使b、c、d、e處於上述範圍，結晶結構穩定化。又，為了保持螢光體整體之電荷平衡性，可適度調節d、e之值。
又，藉由使a之值處於上述範圍，結晶結構穩定化，獲得異相較少之螢光體，藉由具備此種紅色螢光體，可提供激發光之吸收效率較佳、紅色及整體之轉換效率良好之發光裝置。
b＋c之值通常為3.1以上，較佳為3.4以上，更佳為3.7以上，通常為4.9以下，較佳為4.6以下，更佳為4.3以下。
藉由使b＋c之值處於上述範圍，結晶結構穩定化。
d＋e之值通常為3.2以上，較佳為3.4以上，更佳為3.7以上，通常為5.0以下，較佳為4.6以下，更佳為4.3以下。
藉由使d＋e之值為上述範圍，結晶結構穩定化。
若任一值均為上述範圍，則螢光體之發光波峰波長及發光光譜中之波峰半值寬良好，就該方面而言較佳。
x之值通常為大於0之值，較佳為0.0001以上，更佳為0.001以上，通常為0.2以下，較佳為0.15以下，更佳為0.12以下，進而較佳為0.1以下，進而更佳為0.08以下。藉由使x之值為上述下限以上或大於上述下限之值，可獲得發光強度良好之螢光體，藉由使x之值為上述上限以下，Re被良好地組入至結晶內，可獲得容易作為發光中心發揮功能之螢光體，藉由具備此種紅色螢光體，可提供轉換效率良好之發光裝置。
上述y之值大於0.0，通常為0.01以上，較佳為0.015以上，更佳為0.03以上，進而較佳為0.05以上，尤佳為0.10以上，通常為1.00以下，較佳為0.70以下，更佳為0.50以下，進而較佳為0.30以下，尤佳為0.25以下。
藉由使y之值為上述下限以上，螢光體之發光波峰波長短波化，藉由使用此種螢光體，可提供演色性或色再現性良好之發光裝置。又，藉由使y之值為上述上限以下，可獲得發光強度良好之螢光體，藉由使用此種螢光體，可提供轉換效率良好之發光裝置。為了對應於目的獲得較佳之發光強度與發光波峰波長，y之值可適當調整。
再者，上述螢光體之元素組成之特定方法並無特別限定，可利用常規方法求出，例如可藉由GD-MS(Glow Discharge Mass Spectrometry，輝光放電質譜分析)、ICP(Inductively Coupled Plasma，電感耦合電漿)光譜分析法或能量分散型X射線分析裝置(EDX)等進行特定。
{螢光體之製造方法}例示獲得特定實施方式之上述發光裝置所使用之包含具有上述式[1]或[2]所表示之組成之結晶相之螢光體的方法。
本實施方式之螢光體可藉由將構成螢光體之各元素之原料以各元素之比率滿足上述式[1]或[2]之方式進行混合、加熱而合成。
[原料]
成為各元素(MA、MB、MC、MC'、MD、Re)之原料並無特別限制，例如可例舉各元素之單質、氧化物、氮化物、氫氧化物、氯化物、氟化物等鹵化物、硫酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽等無機鹽、乙酸鹽等有機酸鹽等。此外，亦可使用包含2種以上之上述元素群之化合物。又，各化合物亦可為水合物等。
各原料之獲取方法並無特別限制，可購入市售者來使用。
各原料之純度並無特別限制，就嚴格規定元素比之觀點、及避免因雜質而出現異相之觀點而言，純度越高越佳，通常為90莫耳%以上，較佳為95莫耳%以上，更佳為97莫耳%以上，進而較佳為99莫耳%以上，上限並無特別限制，但通常為100莫耳%以下，亦可包含不可避免地混入之雜質。
於下述實施例中，均使用純度95莫耳%以上之原料。
關於氧元素(O)、氮元素(N)、鹵素元素(X)，可藉由使上述各元素之原料使用氧化物、氮化物、及鹵化物等來供給，此外，亦可藉由於合成反應時製成含氧或含氮氛圍而適當包含。
[混合步驟]
原料之混合方法並無特別限制，可使用常規方法。例如，以獲得目標組成之方式稱量螢光體原料，並使用球磨機等充分混合，獲得螢光體原料混合物。作為上述混合方法，並無特別限定，具體而言，可例舉下述(a)及(b)之方法。
(a)將使用例如錘磨機、輥磨機、球磨機、噴射磨機等乾式粉碎機、或乳缽與乳棒等之粉碎與使用例如帶式混合機、V型混合機、亨舍爾混合機等混合機、或乳缽與乳棒之混合加以組合，將上述螢光體原料粉碎混合之乾式混合法。
(b)於上述螢光體原料中添加水等溶劑或分散介質，使用例如粉碎機、乳缽與乳棒、或蒸發皿與攪拌棒等進行混合，製成溶液或漿料之狀態，並且藉由噴霧乾燥、加熱乾燥、或自然乾燥等進行乾燥之濕式混合法。
螢光體原料之混合可為上述乾式混合法或濕式混合法之任一者，為了避免因水分而導致螢光體原料被污染，較佳為乾式混合法或使用非水溶性溶劑之濕式混合法。
再者，於下述實施例中，採用(a)之方法。
[加熱步驟]
於加熱步驟中，例如將混合步驟中所獲得之螢光體原料混合物放入坩堝中，接下來，將其以500℃～1200℃之溫度、較佳為600℃～1000℃、更佳為650～950℃之溫度進行加熱。
藉由將加熱溫度設為低溫，尤其是設為950℃以下，獲得式[1]或[2]所示之組成之相純度較高、發光強度較高之螢光體。作為該原因，可例舉如下可能性：於1000℃以上、1100℃以上等高溫下，包含蒸氣壓較高之Li、Mg、Na等之物質等容易揮發，於螢光體之合成反應中各元素之比率容易變動，但另一方面，藉由在950℃以下等低溫下進行合成，可抑制各元素之比率變動。
又，加熱步驟之壓力可為常壓，亦可為加壓狀態，只要獲得目標螢光體即可，為了防止原料元素之揮發，較佳為進行加壓。於加壓之情形時，壓力通常為0.1 MPa以上200 MPa以下，較佳為100 MPa以下，更佳為50 MPa以下。藉由將壓力設為上述範圍，可確保原料之良好之反應性。
加壓之方法並無限制，例如可使用對經密封之容器進行加熱之方法、機械加壓之方法、或使用氣壓之方法等。
坩堝之材質較佳為不會與螢光體原料或反應物反應者，可例舉氧化鋁、石英、氮化硼、碳化矽、氮化矽等陶瓷、鎳、鉑、鉬、鎢、鉭、鈮、銥、銠等金屬、或者將其等作為主成分之合金等。
加熱較佳為於惰性氛圍下進行，可使用氮氣、氬氣、氦氣等為主成分之氣體。
再者，於下述實施例中，於氮氛圍下進行加熱。
於加熱步驟中，於上述溫度帶，遍及通常10分鐘～200小時、較佳為1小時～100小時、更佳為2～50小時、進而較佳為3～25小時進行加熱。又，本加熱步驟可進行1次，亦可分複數次進行。作為分複數次進行加熱步驟之態樣，可例舉：包括為了修復缺陷而於加壓下進行加熱之退火步驟的態樣；於獲得一次粒子或中間物之一次加熱之後，進行獲得二次粒子或最終產物之二次加熱之態樣等。
[後處理步驟]
針對所獲得之螢光體，亦可藉由常規方法進行分級、洗淨等後處理。
例如可藉由以上方法獲得滿足上述式[1]或[2]之紅色螢光體。
＜發光裝置＞
本實施方式中之發光裝置之上述於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體包含石榴石系螢光體、矽酸鹽系螢光體、氮化物螢光體、及氮氧化物螢光體之任1種以上。
具體而言，於構成發光裝置之情形時，可包含於550 nm以上且未達600 nm之波長範圍內具有發光波峰者作為黃色螢光體，亦可包含於500 nm以上560 nm以下之波長範圍內具有發光波峰者作為綠色螢光體。
藉由將上述波長區域之螢光體適當組合，可提供顯示出優異之色再現性之發光裝置。再者，關於激發光源，亦可使用於未達420 nm之波長範圍內具有發光波峰者。
以下，作為特定實施方式之一例，對使用於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體之情形時之發光裝置之態樣進行記載，但本實施方式並不限定於該等。
於上述情形時，本實施方式之發光裝置例如可設為如下(X)、(Y)或(Z)之態樣。
(X)使用於550 nm以上且未達600 nm之波長範圍內具有發光波峰之至少1種螢光體(黃色螢光體)、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體作為第2發光體之態樣。
(Y)使用於500 nm以上560 nm以下之波長範圍內具有發光波峰之至少1種螢光體(綠色螢光體)、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體作為第2發光體之態樣。
(Z)使用於550 nm以上且未達600 nm之波長範圍內具有發光波峰之至少1種螢光體(黃色螢光體)、於500 nm以上560 nm以下之波長範圍內具有發光波峰之至少1種螢光體(綠色螢光體)、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體作為第2發光體之態樣。
作為上述態樣中之黃色螢光體及/或綠色螢光體，可使用市售者，例如可使用石榴石系螢光體、矽酸鹽系螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體等。於特定實施方式中，黃色螢光體及/或綠色螢光體包含石榴石系螢光體、矽酸鹽系螢光體、氮化物螢光體、及氮氧化物螢光體之任1種以上。
(黃色螢光體)
作為可用於黃色螢光體之石榴石系螢光體，例如可例舉(Y,Gd,Lu,Tb,La)
3(Al,Ga)
5O
12:(Ce,Eu,Nd)，作為矽酸鹽系螢光體，例如可例舉(Ba,Sr,Ca,Mg)
2SiO
4:(Eu,Ce)，作為氮化物螢光體及氮氧化物螢光體，例如可例舉(Ba,Ca,Mg)Si
2O
2N
2:Eu(SION系螢光體)、(Li,Ca)
2(Si,Al)
12(O,N)
16:(Ce,Eu)(α-賽隆螢光體)、(Ca,Sr)AlSi
4(O,N)
7:(Ce,Eu)(1147螢光體)、(La,Ca,Y,Gd)
3(Al,Si)
6N
11:(Ce、Eu)(LSN螢光體)等。
該等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
作為黃色螢光體，於上述螢光體中，較佳為石榴石系螢光體，其中，最佳為Y
3Al
5O
12:Ce所表示之YAG系螢光體。
(綠色螢光體)
作為可用於綠色螢光體之石榴石系螢光體，例如可例舉(Y,Gd,Lu,Tb,La)
3(Al,Ga)
5O
12:(Ce,Eu,Nd)、Ca
3(Sc,Mg)
2Si
3O
12:(Ce,Eu)(CSMS螢光體)，作為矽酸鹽系螢光體，例如可例舉(Ba,Sr,Ca,Mg)
3SiO
10:(Eu,Ce)、(Ba,Sr,Ca,Mg)
2SiO
4:(Ce,Eu)(BSS螢光體)，作為氧化物螢光體，例如可例舉(Ca,Sr,Ba,Mg)(Sc,Zn)
2O
4:(Ce,Eu)(CASO螢光體)，作為氮化物螢光體及氮氧化物螢光體，例如可例舉(Ba,Sr,Ca,Mg)Si
2O
2N
2:(Eu,Ce)、
Si
6 － zAl
zO
zN
8 － z:(Eu,Ce)(β-賽隆螢光體)(0＜z≦1)、(Ba,Sr,Ca,Mg,La)
3(Si,Al)
6O
12N
2:(Eu,Ce)(BSON螢光體)、(La,Ca,Y,Gd)
3(Al,Si)
6N
11:(Ce、Eu)(LSN螢光體)等。
該等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
(紅色螢光體)
使用於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之本實施方式之螢光體作為紅色螢光體，除本實施方式之螢光體以外，亦可使用例如石榴石系螢光體、硫化物螢光體、奈米粒子螢光體、氮化物螢光體、氮氧化物螢光體等其他橙色或紅色螢光體。作為其他橙色或紅色螢光體，可使用例如下述螢光體。
作為硫化物螢光體，例如可例舉(Sr,Ca)S:Eu(CAS螢光體)、La
2O
2S:Eu(LOS螢光體)，作為石榴石系螢光體，例如可例舉(Y,Lu,Gd,Tb)
3Mg
2AlSi
2O
12:Ce，作為奈米粒子，例如可例舉CdSe，作為氮化物或氮氧化物螢光體，例如可例舉(Sr,Ca)AlSiN
3:Eu(S/CASN螢光體)、(CaAlSiN
3)
1 － x・(SiO
2N
2)
x:Eu(CASON螢光體)、(La,Ca)
3(Al,Si)
6N
11:Eu(LSN螢光體)、(Ca,Sr,Ba)
2Si
5(N,O)
8:Eu(258螢光體)、(Sr,Ca)Al
1 ＋ xSi
4 － xO
xN
7 － x:Eu(1147螢光體)、Mx(Si,Al)
12(O，N)
16:Eu(M為Ca、Sr等)(α賽隆螢光體)、Li(Sr,Ba)Al
3N
4:Eu(上述x均為0＜x＜1)等。
該等可單獨使用1種，亦可將2種以上組合使用。
[發光裝置之構成]
本實施方式之發光裝置具有第1發光體(激發光源)，且可使用至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體的發光體作為第2發光體，其構成並無限制，可任意採用公知之裝置構成。
作為上述第1發光體，可使用由GaN系半導體、ZnO系半導體、SiC系半導體等各種半導體形成發光結構之LED元件。
作為裝置構成及發光裝置之實施方式，例如可例舉日本專利特開2007-291352號公報所記載者。
此外，LED元件可固定於炮彈型封裝、SMD(Surface Mount Device，表面黏著器件)型封裝等封裝，亦可如板上晶片型發光裝置之情形般直接固定於電路基板上。LED元件與螢光體之光學性鍵結之形態並無限定，兩者之間可僅由透明介質(包含空氣)填充，或者亦可於兩者之間介存如透鏡、光纖、導光板、反射鏡之光學元件。典型而言，螢光體粒子分散於透光性基質中之結構係藉由使分散有粒子狀螢光體之樹脂漿料硬化而形成。除此種漿料之硬化物填埋LED元件之結構以外，亦可採用該硬化物將LED元件表面之一部分覆蓋成膜狀之結構、包含該硬化物之膜配置於遠離LED元件之部位之結構等各種結構。
{發光裝置之用途}
發光裝置之用途並無特別限制，可用於通常之使用發光裝置之各種領域，演色性較高之發光裝置可尤佳地用作尤其是照明裝置或圖像顯示裝置之光源。
又，具備發光波長良好之紅色螢光體之發光裝置亦可用於紅色之車輛用顯示燈、或包含該紅色之白色光之車輛用顯示燈。
[照明裝置]
本發明於一實施方式中，可製成具備上述發光裝置作為光源之照明裝置。
於將上述發光裝置應用於照明裝置之情形時，該照明裝置之具體構成並無限制，只要將如上述之發光裝置適當組入至公知之照明裝置中使用即可。例如可例舉於保持箱之底面排列有大量發光裝置之面發光照明裝置等。
[圖像顯示裝置]
本發明於一實施方式中，可製成具備上述發光裝置作為光源之圖像顯示裝置。
於將上述發光裝置用作圖像顯示裝置之光源之情形時，該圖像顯示裝置之具體構成並無限制，較佳為與彩色濾光片一起使用。例如，於製成利用彩色液晶顯示元件之彩色圖像顯示裝置作為圖像顯示裝置之情形時，可將上述發光裝置作為背光裝置，並將利用液晶之光閘與具有紅、綠、藍之像素之彩色濾光片進行組合，藉此形成圖像顯示裝置。
[車輛用顯示燈]
本發明於一實施方式中，可製成具備上述發光裝置作為光源之車輛用顯示燈。
用於車輛用顯示燈之發光裝置於特定實施方式中，較佳為發射白色光之發光裝置。發射白色光之發光裝置較佳為自發光裝置發射之光距光色之黑體輻射軌跡之偏差duv(亦稱為Δuv)為-0.0200～0.0200且相關色溫為5000 K以上30000 K以下。
用於車輛用顯示燈之發光裝置於特定實施方式中，較佳為發射紅色光之發光裝置。於該實施方式中，例如發光裝置亦可吸收自藍色LED晶片照射之藍色光並發光成紅色，藉此製成紅色光之車輛用顯示燈。
車輛用顯示燈包含車輛之頭燈、側燈、尾燈、方向指示燈、刹車燈、霧燈等用於對其他車輛或人等進行某種表示而具備於車輛之照明。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明之若干具體實施方式進行說明，但本發明並不限定於下述內容，只要不脫離其主旨即可。
[發光光譜之測定]
發光光譜係利用分光螢光光度計FP8500(日本分光股份有限公司製造)並如以下測定條件般進行測定。
·光源：氙氣燈
·激發波長：455 nm
·測定波長範圍：380～780 nm
·測定間隔：1.0 nm
色度座標之值係根據發光光譜資料380 nm～780 nm並使用CIE1931 XYZ等式函數而算出。
[量子效率之測定]
量子效率係基於利用分光螢光光度計FP8500(日本分光股份有限公司製造)並如以下測定條件般測得之發光光譜算出。
·光源：氙氣燈
·激發波長：455 nm
·測定波長範圍：380～780 nm
·測定間隔：1.0 nm
[螢光體調配模擬]
根據所測得之各螢光體之激發發光光譜、內部量子效率及激發光之吸收效率之資訊等，假想性地製作釋放449 nm之光之藍色LED晶片光譜及如將任意螢光體組合時滿足特定色度座標點之白色光譜，進行估算此時之螢光體調配比之模擬。
根據所獲得之白色光譜，算出發光光譜之單位能量(Wopt)之光通量(Lm)即光譜效率(LER)及R1～R15之演色指數。
＜螢光體之製造＞
[螢光體1]
製造用於本發明之一實施方式或比較例之發光裝置之例示性紅色螢光體。
參考日本專利特開2017-008130號公報以及Chemistry of Materials 2019 31(12), 4614-4618等，以Sr：Li：Al成為約1：1：3之方式將各元素之氮化物進行混合，並收納至氮化硼製坩堝中，將容器密封，並且於氮氣氛圍下，於1000℃下加熱5小時，獲得螢光體1。
[螢光體2～9及參考螢光體]
以螢光體之組成成為表1所示之組成之方式適當使用包含Ga之氮化物原料，且將焙燒溫度設為845℃，除此以外，以與螢光體1相同之方式獲得螢光體2～8。又，準備發光波峰波長646 nm之CASN螢光體(三菱化學股份有限公司製造，BR-101/J)作為參考螢光體。
將螢光體1～9之特性示於表1中，將利用449 nm之光激發各螢光體時之發光光譜示於圖1A～B中。又，將參考螢光體及螢光體1、2、5、8、9之經標準化之發光光譜示於圖2中。
再者，螢光體1～9之粉末X射線繞射圖案均顯示出與SrLiAl
3N
4良好之一致。
[表1]
| 表1 | |||||||
| 組成 | Eu/[Eu＋Sr] | EQE | iQE | 相對發光強度 | 發光波峰波長/ nm | FWHM/nm | |
| 螢光體1 | SrLiAl 3N 4:Eu | 0.01 | 15% | 36% | 1.0 | 652 | 53 |
| 螢光體2 | SrLiAl 3N 4:Eu | 0.01 | 35% | 53% | 2.6 | 654 | 50 |
| 螢光體3 | SrLiAl 2.4Ga 0.6N 4:Eu | 0.01 | 44% | 62% | 3.3 | 648 | 53 |
| 螢光體4 | SrLiAl 2.3Ga 0.7N 4:Eu | 0.01 | 39% | 56% | 3.1 | 647 | 53 |
| 螢光體5 | SrLiAl 2.1Ga 0.9N 4:Eu | 0.01 | 33% | 48% | 2.6 | 643 | 54 |
| 螢光體6 | SrLiAl 1.95Ga 1.05N 4:Eu | 0.01 | 32% | 52% | 2.4 | 641 | 55 |
| 螢光體7 | SrLiAl 1.8Ga 1.2N 4:Eu | 0.02 | 30% | 46% | 2.3 | 639 | 55 |
| 螢光體8 | SrLiAl 1.8Ga 1.2N 4:Eu | 0.01 | 26% | 44% | 2.0 | 637 | 56 |
| 螢光體9 | SrLiAl 1.5Ga 1.5N 4:Eu | 0.01 | 21% | 45% | 1.3 | 633 | 59 |
＜比較例1、參考例1、實施例1～8＞
假定使用不滿足式[1]或[2]且發光波峰波長620 nm之SCASN螢光體(三菱化學股份有限公司製造，BR-620/A)作為第一紅色螢光體，使用表1所示之各螢光體或發光波峰波長646 nm之CASN螢光體(三菱化學股份有限公司製造，BR-101/J)作為第二紅色螢光體，使用LuAG螢光體(三菱化學股份有限公司製造，BG-801/B4)作為綠色螢光體，基於上述螢光體調配模擬之方法，使平均演色評價數Ra滿足90以上，並且以CIE色度座標與普朗克曲線上之3000 K之白色光之座標(0.437、0.404)一致之方式調整綠色螢光體及第一、第二紅色螢光體之量，對所獲得之白色發光光譜之特性進行比較。
於圖3A～3D中示出將480 nm～780 nm之波長區域中之最大發光強度設為1，使比較例1及實施例1～8之白色LED標準化所得之上述白色發光光譜。又，於圖4A、4B中示出將圖3A～3D中所示之發光光譜、及以相同方式繪製之參考例1之白色LED之發光光譜放大者。又，將根據各光譜算出發光特性所得之結果示於表2中。
＜比較例2、參考例2、實施例9～16＞
繼而，作為比較例2、實施例9～16、及參考例2，使CIE色度座標與普朗克曲線上之4000 K之白色光之座標(0.380、0.377)一致，除此以外，以與比較例1、參考例1及實施例1～8相同之方式進行模擬。
於圖5A～5D中示出將480 nm以上780 nm以下之波長區域中之最大發光強度設為1，使比較例2及實施例9～16之白色LED標準化所得之白色發光光譜。又，於圖6A、6B中示出將圖5A～5D中所示之發光光譜、及以相同方式繪製之參考例2之白色LED之發光光譜放大者。又，將根據各光譜算出發光特性所得之結果示於表3中。
再者，於表2及表3中，「700 nm/600－700 nm最大值」及「600 nm/600－700 nm最大值」表示將各發光光譜中之600～700 nm之波長區域中之最大發光強度設為1時之各700 nm、600 nm下之發光強度之相對值。
又，表2及表3中之螢光體之「比率/wt%」係將各螢光體之合計重量設為100%時之各螢光體之重量比率，「綠」為上述LuAG螢光體，「紅1」為上述第一紅色螢光體，「紅2」為上述第二紅色螢光體。
[表2]
| 表2 | ||||||||||
| 光源波長 /nm | 綠(LuAG) 比率/wt% | 紅1(SCASN)比率/wt% | 紅2 種類 | 紅2 比率/wt% | LER Lm/Wopt | Ra | R9 | 700 nm/600-700 nm最大值 | 600 nm/600-700 nm最大值 | |
| 比較例1 | 449 | 32.1% | 0.0% | 螢光體1 | 67.9% | 259.5 | 90 | 89 | 0.28 | 0.50 |
| 實施例1 | 449 | 78.8% | 6.4% | 螢光體2 | 14.8% | 287.5 | 93 | 69 | 0.25 | 0.83 |
| 實施例2 | 449 | 83.3% | 7.5% | 螢光體3 | 9.2% | 307.7 | 92 | 53 | 0.18 | 0.96 |
| 實施例3 | 449 | 82.4% | 7.0% | 螢光體4 | 10.6% | 309.1 | 92 | 53 | 0.17 | 0.94 |
| 實施例4 | 449 | 80.5% | 5.9% | 螢光體5 | 13.7% | 312.2 | 92 | 53 | 0.16 | 0.92 |
| 實施例5 | 449 | 74.5% | 5.1% | 螢光體6 | 20.4% | 315.8 | 91 | 51 | 0.14 | 0.90 |
| 實施例6 | 449 | 70.9% | 2.9% | 螢光體7 | 26.2% | 312.8 | 93 | 63 | 0.13 | 0.83 |
| 實施例7 | 449 | 59.9% | 2.8% | 螢光體8 | 32.2% | 317.6 | 91 | 54 | 0.13 | 0.87 |
| 實施例8 | 449 | 41.9% | 0.0% | 螢光體9 | 58.1% | 328.8 | 91 | 46 | 0.09 | 0.87 |
| 參考例1 | 449 | 82.6% | 3.5% | CaAlSiN 3:Eu | 13.9% | 289.3 | 94 | 60 | 0.22 | 0.95 |
| CIE色度座標：(0.437，0.404)、色溫：3000 K |
[表3]
| 表3 | ||||||||||
| 光源波長/ nm | 綠(LuAG) 比率/wt% | 紅1(SCASN) 比率/wt% | 紅2 種類 | 紅2 比率/wt% | LER Lm/Wopt | Ra | R9 | 700 nm/600-700 nm最大值 | 600 nm/600-700 nm最大值 | |
| 比較例2 | 449 | 35% | 0% | 螢光體1 | 66% | 274.0 | 88 | 97 | 0.28 | 0.60 |
| 實施例9 | 449 | 81% | 6% | 螢光體2 | 13% | 295.4 | 91 | 65 | 0.25 | 0.96 |
| 實施例10 | 449 | 85% | 7% | 螢光體3 | 8% | 309.4 | 91 | 54 | 0.17 | 1.00 |
| 實施例11 | 449 | 84% | 6% | 螢光體4 | 9% | 310.4 | 91 | 54 | 0.17 | 1.00 |
| 實施例12 | 449 | 82% | 5% | 螢光體5 | 13% | 310.3 | 91 | 61 | 0.16 | 0.96 |
| 實施例13 | 449 | 77% | 5% | 螢光體6 | 18% | 315.1 | 91 | 53 | 0.14 | 0.98 |
| 實施例14 | 449 | 74% | 3% | 螢光體7 | 23% | 312.9 | 92 | 65 | 0.13 | 0.91 |
| 實施例15 | 449 | 67% | 2% | 螢光體8 | 31% | 314.1 | 91 | 64 | 0.13 | 0.90 |
| 實施例16 | 449 | 46% | 0% | 螢光體9 | 54% | 324.0 | 91 | 51 | 0.09 | 0.94 |
| 參考例2 | 449 | 85% | 5% | CASN | 10% | 300.8 | 91 | 50 | 0.26 | 1.00 |
| CIE色度座標：(0.380，0.377)、色溫：4000 K |
得知關於上述B/A，實施例1維持與參考例1幾乎同等之LER，並且R9提高，紅色之演色性提高。於實施例9與參考例2之比較中，亦確認到相同傾向。
得知實施例1～8之白色LED與比較例1以及參考例1之白色LED相比，且實施例9～16之白色LED與比較例2以及參考例2之白色LED相比，可提供於Ra≧90、R9≧50之標準中LER大幅改善之白色光。
又，根據圖明確的之，本發明之發光裝置可提供於紅色區域具有陡峭之波峰，且可將比視感度較低之700 nm等之波長區域之發光強度抑制為較低，演色性或紅色之色再現性較高且轉換效率較高之發光裝置。
如以上所示，根據本實施方式，可提供發光波峰波長良好、發光光譜中之波峰半值寬較窄、及/或發光強度較高之螢光體，又，藉由具備該螢光體，可提供演色性或色再現性良好且轉換效率良好之發光裝置、照明裝置、圖像顯示裝置及/或車輛用顯示燈。
以上，一面參照圖式，一面對各種實施方式進行了說明，當然，本發明並不限定於該例。只要為業者，便明白可於申請專利範圍所記載之範疇內想到各種變更例或修正例，瞭解其等當然亦屬於本發明之技術範圍。又，亦可於不脫離發明主旨之範圍內將上述實施方式中之各構成要素任意組合。
以上，對各種實施方式進行了說明，當然，本發明並不限定於該例。只要為業者，便明白可於申請專利範圍所記載之範疇內想到各種變更例或修正例，瞭解其等當然亦屬於本發明之技術範圍。又，亦可於不脫離發明主旨之範圍內將上述實施方式中之各構成要素任意組合。
再者，本申請案係基於在2022年12月27日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2022-210189)者，其內容係作為參照而被援用至本申請案之中。
[產業上之可利用性]
本發明之發光裝置由於演色性、色再現性、轉換效率、安全性、對比度之任一個以上良好，故可利用於照明裝置、圖像顯示裝置、車輛用顯示燈等。
圖1A係表示將螢光體1之發光波峰波長下之發光強度設為1時之螢光體1～5之發光強度之圖。
圖1B係表示將螢光體1之發光峰值波下之發光強度設為1時之螢光體1及螢光體6～9之發光強度之圖。
圖2係表示參考螢光體以及螢光體1、2、5、8及9之經標準化之發光光譜之圖。
圖3A係表示於比較例1、實施例1及實施例2中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫3000 K、CIE色度座標(0.437、0.404)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖3B係表示於比較例1、實施例3及實施例4中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫3000 K、CIE色度座標(0.437、0.404)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖3C係表示於比較例1、實施例5及實施例6中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫3000 K、CIE色度座標(0.437、0.404)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖3D係表示於比較例1、實施例7及實施例8中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫3000 K、CIE色度座標(0.437、0.404)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖4A係將圖3A～3D中之比較例1、實施例1、實施例2、實施例4、實施例6及參考例1之發光光譜之一部分放大之圖。
圖4B係將圖3B～3D中之比較例1、實施例3、實施例5、實施例7及實施例8之發光光譜之一部分放大之圖。
圖5A係表示於比較例2、實施例9及實施例10中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫4000 K、CIE色度座標(0.380、0.377)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖5B係表示於比較例2、實施例11及實施例12中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫4000 K、CIE色度座標(0.380、0.377)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖5C係表示於比較例2、實施例13及實施例14中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫4000 K、CIE色度座標(0.380、0.377)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖5D係表示於比較例2、實施例15及實施例16中，將480～780 nm下之最大發光強度設為1，使藉由模擬而輸出之色溫4000 K、CIE色度座標(0.380、0.377)之白色光譜標準化所得者之圖。
圖6A係將圖5A～5D中之比較例2、實施例9、實施例10、實施例12及實施例14之發光光譜之一部分放大之圖。
圖6B係將圖5B～5D中之比較例2、實施例11、實施例13、實施例15、實施例16及參考例2之發光光譜之一部分放大之圖。
Claims (18)
- 一種發光裝置，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體， 上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體， 於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中， 將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A， 將700 nm下之發光強度設為C時，C/A為0.25以下， 上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含如下螢光體，此螢光體包含具有下述式[1]所表示之組成之結晶相， Re xMA aMB bMC cN dX e[1] (上述式[1]中， MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素，MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素，MC包含選自由Al、Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素，X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素，Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素，a、b、c、d、e、x分別滿足下述式： 0.7≦a≦1.3 0.7≦b≦1.3 2.4≦c≦3.6 3.2≦d≦4.8 0.0≦e≦0.2 0.0＜x≦0.2)。
- 如請求項1之發光裝置，其中於將600 nm下之發光強度設為B時，B/A為0.60以上。
- 一種發光裝置，其具備發光元件，且至少具有相關色溫4000 K以下之1種以上之發光色，上述發光元件具備第1發光體、及藉由來自該第1發光體之光之照射發出可見光之第2發光體， 上述第2發光體至少包含於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體、及於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體， 於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中， 將於600 nm以上700 nm以下，發光光譜之發光強度成為最大之波長λ1下之發光強度設為A， 將600 nm下之發光強度設為B， 將700 nm下之發光強度設為C時， B/A為0.60以上，C/A為0.20以下。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中， 將於激發光之發光波峰波長λ2以上之波長區域中，上述發光光譜之發光強度成為極小之波長λ3下之發光強度設為D時， 上述發光強度D與上述發光強度A之比率D/A為0.15以上。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中於上述相關色溫4000 K以下之發光色之至少1種中， 自上述波長λ1以至700 nm，上述發光光譜之發光強度連續減少。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中相對於上述第2發光體，上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體所占之比率為45重量%以下。
- 如請求項1或3之發光裝置，其具備發光色或色溫不同之複數個發光元件、及調光裝置，且能夠顯示出互不相同之2種以上之發光色。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含實質上不包含Mn之螢光體。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之1個以上之其他螢光體包含於600 nm以上648 nm以下之波長區域顯示出發光波峰波長之螢光體。
- 如請求項1或3之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之內部量子效率為30%以上之螢光體。
- 如請求項1或3之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光光譜中之波峰半值寬為57 nm以下之螢光體。
- 如請求項1或3之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光光譜中之波峰半值寬為20 nm以上之螢光體。
- 如請求項1或3之發光裝置，其包含上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體之發光波峰波長x(nm)與發光光譜中之波峰半值寬y(nm)滿足y≦184－0.2x之關係之螢光體。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中上述於600 nm以上700 nm以下之波長區域具有發光波峰波長之其他螢光體至少包含下述螢光體，此螢光體包含具有下述式[2]所表示之組成之結晶相， Re xMA aMB b(Al 1-yMC y) cN dX e[2] (上述式[2]中， MA包含選自由Sr、Ca、Ba、Na、K、Y、Gd、及La所組成之群中之1種以上之元素， MB包含選自由Li、Mg、及Zn所組成之群中之1種以上之元素， MC包含選自由Si、Ga、In、及Sc所組成之群中之1種以上之元素， X包含選自由F、Cl、Br、及I所組成之群中之1種以上之元素， Re包含選自由Eu、Ce、Pr、Tb、及Dy所組成之群中之1種以上之元素， a、b、c、d、e、x、y分別滿足下述式： 0.7≦a≦1.3 0.7≦b≦1.3 2.4≦c≦3.6 3.2≦d≦4.8 0.0≦e≦0.2 0.0＜x≦0.2 0.0＜y≦1.0)。
- 如請求項1或3之發光裝置，其中上述於450 nm以上且未達600 nm之波長區域具有發光波峰之1個以上之螢光體包含石榴石系螢光體、矽酸鹽系螢光體、氮化物螢光體、及氮氧化物螢光體之任1種以上。
- 一種照明裝置，其具備如請求項1或3之發光裝置作為光源。
- 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1或3之發光裝置作為光源。
- 一種車輛用顯示燈，其具備如請求項1或3之發光裝置作為光源。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2022-210189 | 2022-12-27 |
Publications (1)
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|---|---|
| TW202426813A true TW202426813A (zh) | 2024-07-01 |
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