JP2014022621A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014022621A5 JP2014022621A5 JP2012161130A JP2012161130A JP2014022621A5 JP 2014022621 A5 JP2014022621 A5 JP 2014022621A5 JP 2012161130 A JP2012161130 A JP 2012161130A JP 2012161130 A JP2012161130 A JP 2012161130A JP 2014022621 A5 JP2014022621 A5 JP 2014022621A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- wavelength
- series change
- correlation
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims description 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 3
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims 5
- 230000035943 smell Effects 0.000 claims 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
Description
本発明は、半導体ウェハのエッチング処理中にチャンバ内の発光を計測するステップと、予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化を求めるステップと、予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求めるステップと、前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出するステップと、前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出するステップと、前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定するステップと、を有することを特徴とする。
Claims (6)
- 半導体ウェハのエッチング処理中にチャンバ内の発光を計測するステップと、
予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化を求めるステップと、
予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求めるステップと、
前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出するステップと、
前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出するステップと、
前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定するステップと、を有することを特徴とする分析方法。 - 請求項1に記載の分析方法において、
前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とする分析方法。 - 半導体ウェハのエッチング処理中に計測されたチャンバ内の発光の値を受信する手段と、
予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記受信した発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化を求める手段と、
予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに受信した発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求める手段と、
前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出する手段と、
前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出する手段と、
前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定する手段と、を備えることを特徴とする分析装置。 - 請求項3に記載の分析装置において、
前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とする分析装置。 - チャンバ内で半導体ウェハをエッチング処理する手段と前記チャンバ内の発光の強度を計測する手段とを具備し前記半導体ウェハをエッチング処理するエッチング装置と、前記エッチング処理の状態を分析する分析装置とを備えるエッチング処理システムにおいて、
前記分析装置は、前記半導体ウェハのエッチング処理中に計測されたチャンバ内の発光の値を受信する手段と、予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記受信した発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化を求める手段と、予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに受信した発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求める手段と、前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出する手段と、前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出する手段と、前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定する手段と、を具備することを特徴とするエッチング処理システム。 - 請求項5に記載のエッチング処理システムにおいて、
前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とするエッチング処理システム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012161130A JP6002487B2 (ja) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム |
TW102125810A TWI517246B (zh) | 2012-07-20 | 2013-07-18 | Analytical methods, analytical devices and etching processing systems |
US13/945,285 US9091595B2 (en) | 2012-07-20 | 2013-07-18 | Analysis method, analysis device, and etching processing system |
KR1020130085658A KR101571928B1 (ko) | 2012-07-20 | 2013-07-19 | 분석 방법, 분석 장치 및 에칭 처리 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012161130A JP6002487B2 (ja) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014022621A JP2014022621A (ja) | 2014-02-03 |
JP2014022621A5 true JP2014022621A5 (ja) | 2015-05-28 |
JP6002487B2 JP6002487B2 (ja) | 2016-10-05 |
Family
ID=49946298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012161130A Active JP6002487B2 (ja) | 2012-07-20 | 2012-07-20 | 分析方法、分析装置、及びエッチング処理システム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9091595B2 (ja) |
JP (1) | JP6002487B2 (ja) |
KR (1) | KR101571928B1 (ja) |
TW (1) | TWI517246B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6239294B2 (ja) | 2013-07-18 | 2017-11-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置の運転方法 |
US9293303B2 (en) * | 2013-08-30 | 2016-03-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Low contamination chamber for surface activation |
JP6173851B2 (ja) * | 2013-09-20 | 2017-08-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析方法およびプラズマエッチング装置 |
JP6220319B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2017-10-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ解析方法及びプラズマエッチング方法並びにプラズマ処理装置 |
WO2016105036A1 (ko) * | 2014-12-22 | 2016-06-30 | 주식회사 두산 | 유기 전계 발광 소자 |
KR20160120382A (ko) | 2015-04-07 | 2016-10-18 | 삼성전자주식회사 | 광학 분광 분석 장치 및 플라즈마 처리 장치 |
JP6549917B2 (ja) * | 2015-06-26 | 2019-07-24 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置およびそのデータ解析装置 |
KR102415329B1 (ko) | 2015-09-08 | 2022-06-30 | 삼성전자주식회사 | 튜브형 렌즈, 그 튜브형 렌즈를 포함한 oes 장치, 그 oes 장치를 포함한 플라즈마 모니터링 시스템 및 그 시스템을 이용한 반도체 소자 제조방법 |
US10215704B2 (en) * | 2017-03-02 | 2019-02-26 | Tokyo Electron Limited | Computed tomography using intersecting views of plasma using optical emission spectroscopy during plasma processing |
KR102396143B1 (ko) | 2018-02-09 | 2022-05-09 | 삼성전자주식회사 | Oes 장치와 이를 포함하는 플라즈마 처리 장치, 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR102508505B1 (ko) | 2018-08-27 | 2023-03-09 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 모니터링 장치 및 플라즈마 처리 시스템 |
KR102429079B1 (ko) * | 2019-12-23 | 2022-08-03 | 주식회사 히타치하이테크 | 플라스마 처리 방법 및 플라스마 처리에 이용하는 파장 선택 방법 |
JP7467292B2 (ja) | 2020-03-13 | 2024-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 解析装置、解析方法及び解析プログラム |
JP7253668B2 (ja) * | 2021-03-15 | 2023-04-06 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
JP7288553B1 (ja) * | 2021-07-14 | 2023-06-07 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置、データ解析装置及び半導体装置製造システム |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05206074A (ja) * | 1992-01-28 | 1993-08-13 | Kokusai Electric Co Ltd | プラズマエッチング終点検出方法及びその装置 |
JPH09306894A (ja) | 1996-05-17 | 1997-11-28 | Sony Corp | 最適発光スペクトル自動検出システム |
US6153115A (en) * | 1997-10-23 | 2000-11-28 | Massachusetts Institute Of Technology | Monitor of plasma processes with multivariate statistical analysis of plasma emission spectra |
TW512248B (en) * | 1998-07-15 | 2002-12-01 | Toshiba Corp | Manufacturing method and apparatus of semiconductor device |
JP4051470B2 (ja) * | 1999-05-18 | 2008-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 終点検出方法 |
JP4694064B2 (ja) | 2001-09-18 | 2011-06-01 | 住友精密工業株式会社 | プラズマエッチング終点検出方法及び装置 |
WO2004102642A2 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Unaxis Usa Inc. | Envelope follower end point detection in time division multiplexed processes |
JP4086190B2 (ja) | 2003-09-02 | 2008-05-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 発光スペクトルの起因物質特定支援装置及び支援方法 |
JP2008218898A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP5192850B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2013-05-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング終点判定方法 |
JP5383265B2 (ja) | 2009-03-17 | 2014-01-08 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | エッチング装置、分析装置、エッチング処理方法、およびエッチング処理プログラム |
JP5778893B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2015-09-16 | 株式会社東芝 | 終点検出装置、プラズマ処理装置および終点検出方法 |
JP5648157B2 (ja) | 2011-12-28 | 2015-01-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体製造装置 |
-
2012
- 2012-07-20 JP JP2012161130A patent/JP6002487B2/ja active Active
-
2013
- 2013-07-18 TW TW102125810A patent/TWI517246B/zh active
- 2013-07-18 US US13/945,285 patent/US9091595B2/en active Active
- 2013-07-19 KR KR1020130085658A patent/KR101571928B1/ko active IP Right Grant
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014022621A5 (ja) | ||
JP2015520398A5 (ja) | ||
SG10201909423PA (en) | Determination of water treatment parameters based on absorbance and fluorescence | |
DE60001731D1 (de) | Verfahren zur erfassung von fluoreszierenden molekülen oder anderen teilchen mittels erzeugenden funktionen | |
NZ703875A (en) | Spectroscopic analysis | |
JP2019033165A5 (ja) | プラズマ処理装置及び半導体装置製造システム | |
RU2011150518A (ru) | Устройство анализа внутренней стенки кровеносного сосуда и способ анализа внутренней стенки кровеносного сосуда | |
JP2014179474A5 (ja) | プラズマ処理装置及び分析装置 | |
CL2016003141A1 (es) | Método y aparato para el proceso de flotación por espuma utilizando mediciones ópticas | |
JP2015158439A5 (ja) | ||
FR2972811B1 (fr) | Dispositif et procede de spectrometrie photonique, procede de calibrage du dispositif et utilisation du dispositif | |
JP2015061005A5 (ja) | 分析方法およびプラズマエッチング装置 | |
RU2015132842A (ru) | Способ и устройство для определения концентрации | |
JP6507757B2 (ja) | 異物解析装置 | |
JP2020024125A5 (ja) | ||
AR121107A1 (es) | Método para evaluar espectros de sustancias biológicas de origen animal, origen vegetal o una mezcla de estos | |
JP2012007928A5 (ja) | ||
CN103344618B (zh) | 一种荧光激发测试装置 | |
WO2013068320A3 (en) | Apparatus and method for determining the amounts of two or more substances present in a liquid | |
KR101951758B1 (ko) | 라만 분광을 이용한 지방 혼합물 내의 돼지 지방 정량 분석 방법 및 장치 | |
JP2014038043A (ja) | 分光測定方法 | |
JP2018151273A (ja) | 粒子径測定方法、粒子径測定装置及びそれを用いた品質管理方法 | |
JP2017058217A5 (ja) | ||
JP2018011544A (ja) | 微生物検出方法及び微生物検出装置 | |
JP2012208024A5 (ja) | 蛍光体の蛍光スペクトルの測定方法及び測定装置、蛍光体並びに発光装置の製造方法 |