JP2014022621A5 - - Google Patents

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本発明は、半導体ウェハエッチング処理中チャンバ内の発光を計測するステップと、予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記計された発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化求めるステップと、予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求めるステップと、前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出するステップと、前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出するステップと、前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光波長特定するステップと、を有することを特徴とする。

Claims (6)

  1. 半導体ウェハエッチング処理中チャンバ内の発光を計測するステップと、
    予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記計された発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化求めるステップと、
    予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに前記計測された発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求めるステップと、
    前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出するステップと、
    前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出するステップと、
    前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光波長特定するステップと、を有することを特徴とする分析方法。
  2. 請求項1に記載の分析方法において、
    前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とする分析方法。
  3. 半導体ウェハのエッチング処理中に計測されたチャンバ内の発光の値を受信する手段と、
    予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記受信した発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化を求める手段と、
    予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに受信した発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求める手段と、
    前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出する手段と、
    前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出する手段と、
    前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定する手段と、を備えることを特徴とする分析装置
  4. 請求項3に記載の分析装置において、
    前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とする分析装置
  5. チャンバ内で半導体ウェハをエッチング処理する手段と前記チャンバ内の発光の強度を計測する手段とを具備し前記半導体ウェハをエッチング処理するエッチング装置と、前記エッチング処理の状態を分析する分析装置とを備えるエッチング処理システムにおいて、
    前記分析装置は、前記半導体ウェハのエッチング処理中に計測されたチャンバ内の発光の値を受信する手段と、予め特定された物質が発光する複数の波長の波長ごとに前記受信した発光の発光強度が時間によって変化する第1の時系列変化を求める手段と、予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある周辺波長の波長ごとに受信した発光の発光強度が時間によって変化する第2の時系列変化を求める手段と、前記第1の時系列変化の波長間の相関を示す第1の相関の値を前記予め特定された物質ごとに算出する手段と、前記第1の時系列変化と前記第2の時系列変化の間の相関を示す第2の相関の値を波長ごとに算出する手段と、前記第1の相関の値または前記第2の相関の値を用いて前記チャンバ内のプラズマに含まれる物質が発する光の波長を特定する手段と、を具備することを特徴とするエッチング処理システム
  6. 請求項5に記載のエッチング処理システムにおいて、
    前記周辺波長における発光強度の時系列変化は、前記予め特定された物質が発光する波長から所定の距離にある波長までの発光強度の平均値の時系列変化であることを特徴とするエッチング処理システム
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