JP2014017481A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014179461A2 (en) * 2013-04-30 2014-11-06 Huawei Technologies Co., Ltd. Tunable laser with high thermal wavelength tuning efficiency
KR101672586B1 (ko) * 2014-06-09 2016-11-04 한국과학기술원 파장 조율이 가능한 구조를 갖는 광 격자 커플러
US9509119B2 (en) 2015-01-13 2016-11-29 Futurewei Technologies, Inc. Tunable laser with a cascaded filter and comb reflector
CN105759350A (zh) * 2015-07-03 2016-07-13 苏州峰通光电有限公司 一种有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法
US10651627B2 (en) * 2016-01-04 2020-05-12 Infinera Corporaton Photonic integrated circuit
CN105527730A (zh) * 2016-01-06 2016-04-27 北京大学 一种光学相位调制器
CN107230930A (zh) * 2016-03-23 2017-10-03 华为技术有限公司 一种可调激光器及制备方法
GB2554460A (en) 2016-09-29 2018-04-04 Oclaro Tech Ltd Waveguide structure
JP7134441B2 (ja) * 2017-04-06 2022-09-12 国立大学法人横浜国立大学 光偏向デバイス
CN108732667B (zh) * 2017-04-17 2021-01-05 华为技术有限公司 一种超结构光栅和可调谐激光器
CN108879309B (zh) * 2017-05-09 2021-02-12 华为技术有限公司 用于可调激光器的反射镜结构和可调激光器
CN108879310B (zh) * 2017-05-10 2020-07-28 华为技术有限公司 用于可调激光器的反射镜结构和可调激光器
US11374380B2 (en) * 2017-12-15 2022-06-28 Horiba, Ltd. Semiconductor laser
CN108173116B (zh) * 2018-02-07 2020-01-03 山东大学 一种宽带可调谐Moire光栅激光器及其工作方法
GB2571269B (en) 2018-02-21 2021-07-07 Rockley Photonics Ltd Optoelectronic device
JP7012409B2 (ja) * 2018-03-14 2022-01-28 古河電気工業株式会社 光導波路構造及びその製造方法
CN110376766B (zh) * 2018-04-12 2021-03-30 海思光电子有限公司 一种反射装置及可调谐激光器
EP3565068B1 (en) * 2018-04-30 2021-02-24 FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermally tunable laser and method for fabricating such laser
CN109066291A (zh) * 2018-08-30 2018-12-21 武汉光迅科技股份有限公司 一种半导体芯片及其制作方法
CN109193330B (zh) * 2018-09-14 2020-08-25 中国科学院半导体研究所 光反馈结构及可调谐窄线宽外腔激光器
EP3879645A4 (en) * 2018-11-29 2022-04-06 Huawei Technologies Co., Ltd. TWO-PIECE DBR LASER AND MONOLITHIC INTEGRATED ARRAY LIGHT SOURCE CHIP
US11262603B2 (en) 2019-06-13 2022-03-01 Rockley Photonics Limited Multilayer metal stack heater
KR102710733B1 (ko) 2019-08-20 2024-09-30 삼성전자주식회사 광 변조 소자 및 이를 포함하는 전자 장치
US11862934B2 (en) 2020-04-03 2024-01-02 Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc. Widely tunable, single mode emission semiconductor laser
CN113568097B (zh) * 2020-04-29 2023-08-22 朗美通经营有限责任公司 热控光子结构
US11502480B2 (en) * 2020-04-29 2022-11-15 Lumentum Operations Llc Thermally-controlled photonic structure
KR102687553B1 (ko) * 2020-07-23 2024-07-24 한국전자통신연구원 광 도파로 소자 및 그를 포함하는 레이저 장치
CN116111451A (zh) * 2021-11-11 2023-05-12 武汉光迅科技股份有限公司 一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法
CN117154531B (zh) * 2022-05-07 2025-11-14 武汉光迅科技股份有限公司 一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法
CN117335261B (zh) * 2022-06-27 2025-11-11 武汉光迅科技股份有限公司 一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法
JPWO2024257152A1 (https=) * 2023-06-12 2024-12-19
CN120749533B (zh) * 2025-09-08 2025-12-02 武汉国科光领半导体科技有限公司 一种可调谐激光器的制备方法及结构

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2825508B2 (ja) 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
FR2737353B1 (fr) * 1995-07-25 1997-09-05 Delorme Franck Laser a reflecteur de bragg distribue et a reseau echantillonne, tres largement accordable par variation de phase, et procede d'utilisation de ce laser
JPH0969666A (ja) * 1995-09-01 1997-03-11 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体レーザ装置及びその動作方法
GB2371920A (en) 2001-02-02 2002-08-07 Marconi Caswell Ltd Sampled Gating Distribiuted Reflector Laser
GB2378311A (en) * 2001-08-03 2003-02-05 Marconi Caswell Ltd Tunable Laser
KR20040098421A (ko) 2003-05-15 2004-11-20 한국전자통신연구원 광대역 파장 가변 추출 격자 분포 궤환 레이저 다이오드
JP4657853B2 (ja) * 2005-08-11 2011-03-23 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体レーザ、レーザモジュール、光学部品、レーザ装置、半導体レーザの製造方法および半導体レーザの制御方法
JP4629022B2 (ja) * 2005-12-27 2011-02-09 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 レーザ装置、レーザモジュール、および、半導体レーザ
JP2007273650A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Eudyna Devices Inc 光半導体装置
JP2007273644A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Eudyna Devices Inc 光半導体装置、レーザチップおよびレーザモジュール
US7894693B2 (en) * 2007-04-05 2011-02-22 Eudyna Devices Inc. Optical semiconductor device and method of controlling the same
US7760777B2 (en) 2007-04-13 2010-07-20 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
US7778295B2 (en) 2007-05-14 2010-08-17 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
US7848599B2 (en) * 2009-03-31 2010-12-07 Oracle America, Inc. Optical device with large thermal impedance
US8971674B2 (en) 2010-03-24 2015-03-03 Oracle International Corporation Optical device with high thermal tuning efficiency

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