CN105759350A - 一种有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法，该光栅包括：基底层，其上表面上具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料；芯层，形成于所述基底层上，所述芯层的材料包括紫外聚合式氟化聚合物材料，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料；上包层，形成于所述芯层四周，所述上包层采用聚合物材料；加热电极层，形成于所述上包层上且位于所述凹槽部上方。本发明的有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法可实现低功耗、大范围的波长调制。

Description

一种有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法
技术领域
本发明涉及波导光栅及其制备方法的技术领域，具体地说涉及一种有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法。
背景技术
目前，光栅器件的制作主要是在采用二氧化硅等无机光学材料，例如，在单晶硅衬底上沉积一层二氧化硅材料作为下包层，经过高温致密化处理后再在下包层上沉积一层掺杂二氧化硅作为芯层，再次经过高温致密化处理后在芯层上刻蚀出光栅图案，最后沉积一层二氧化硅作为上包层，第三次经过高温致密化处理后完成光栅的制备。
这种光栅器件全采用二氧化硅无机光学材料，且制备过程中需经过三次高温致密化处理，由于衬底硅材料和波导二氧化硅材料的热膨胀系数相差很大，高温处理后在室温时会在二者之间形成较大的应力，从而很容易造成波导薄膜的龟裂，同时，全二氧化硅光栅制造工艺复杂、材料选择单一、制作过程中对波导芯层的厚度及掺杂成分不易控制，且其结构设计不灵活、热光调制效应不明显，导致波长调制所需的功耗较高、可调范围也较小。
发明内容
为此，本发明所要解决的技术问题在于至少部分地克服现有技术中全二氧化硅光栅热光调制效应不明显等上述缺点，从而提出一种可实现低功耗、大范围的波长调制的有机无机混合集成热光调制型光栅及其制备方法。
本发明的一种有机无机混合集成热光调制型光栅，包括：
基底层，其上表面上具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料；
芯层，形成于所述基底层上，所述芯层的材料包括紫外聚合式氟化聚合物材料，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料；
上包层，形成于所述芯层四周，所述上包层采用聚合物材料；
加热电极层，形成于所述上包层上且位于所述凹槽部上方。
优选地，所述上包层采用的聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷树脂。
优选地，所述紫外聚合式氟化聚合物材料包括氟化丙烯酸酯。
优选地，所述基底层材料包括二氧化硅。
本发明的一种制备有机无机混合集成热光调制型光栅的方法，包括以下步骤：
在基底层的上表面形成具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料；
在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，形成芯层结构，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料；
在芯层四周旋涂聚合物材料，形成上包层结构；
在所述上包层上形成加热电极层结构。
优选地，所述在基底层的上表面形成具有多个等间距排列的凹槽部的步骤包括：
在基底层上溅射一层铝保护层；
在铝保护层上旋涂光刻胶，进行光刻和显影以获得所需图案；
采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层；
通过感应耦合等离子体刻蚀对基底层进行刻蚀，形成多个等间距排列的凹槽部；
去除剩余的光刻胶和铝保护层。
优选地，所述在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，形成芯层结构，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料的步骤包括：
在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，同时所述凹槽部内也填充入了紫外聚合式氟化聚合物材料；
在紫外聚合式氟化聚合物材料层上溅射一层铝保护层；
在铝保护层上旋涂光刻胶，进行光刻和显影以获得所需图案；
采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层；
通过反应离子刻蚀形成条形直波导形貌；
去除剩余的光刻胶和铝保护层，形成芯层结构。
优选地，所述在所述上包层上形成加热电极层结构的步骤包括：
在上包层上旋涂加热电极层材料；
在所述加热电极层材料上溅射一层铝保护层；
在铝保护层上旋涂光刻胶，进行光刻和显影以获得所需图案；
采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层；
通过反应离子刻蚀去除多余的加热电极层材料；
去除剩余的光刻胶和铝保护层，形成加热电极层结构。
优选地，所述在铝保护层上旋涂光刻胶具体包括以下步骤：
以2500-3500转每分钟的转速在铝保护层上旋涂光刻胶，之后在60-70℃温度下坚膜10-20分钟，再进行自然降温。
优选地，所述在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料具体包括以下步骤：
以1500-2500转每分钟的转速在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，之后在125-175℃温度下坚膜110-130分钟，再进行自然降温。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
本发明中通过直接将芯层形成于基底层上，通过基底层上表面上直接设置多个等间距排列的凹槽部，形成光栅形貌，即利用基底层直接作为下包层，而无需另外再生长出下包层，既简化了光栅结构，又由于无需另外生长下包层，简化了制作工艺并且减少了制作成本。通过采用紫外聚合式氟化聚合物材料作为芯层材料，由于紫外聚合式氟化聚合物材料这类材料具有极高的化学、物理稳定性以及良好的光学特性，并且其具有极高的热光系数，因而可以较大地改变光栅的有效折射率，从而使其反射中心波长发生漂移，实现光栅的低功耗、大范围热光调制功能。
本发明中通过设置上包层采用的聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷树脂，由于这种聚合物材料价格低、透明度优良、有突出的耐老化性、良好的绝缘性和机械强度等优点，通过旋涂可形成良好的薄膜，从而可以降低所制作光栅的成本和提高产品质量。
本发明中通过设置基底层材料和芯层材料为二氧化硅，由于目前二氧化硅是主流的平面光波导材料，所以有利于与主流平面光波导实现无缝对接，不用额外增加研发投入而减少研发成本。并且还能使得所获得的光栅具有二氧化硅光波导损耗低、可靠性高、后续封装工艺成熟等的优点。
本发明的方法中通过在基底层上刻蚀出光栅形貌后，只需再在其上分别依次制作一层包括紫外聚合式氟化聚合物材料的芯层、包括聚合物材料的上包层和加热电极层就可以了，该光栅的制作方法相比于制备全二氧化硅光栅的方法具有制备工艺简单、制备成本低等的优点。通过采用ICP刻蚀法来刻蚀形成凹槽部(光栅形貌)，提高了所制作的光栅形貌的精度。
本发明中通过设置以2500-3500转每分钟的转速在铝保护层上旋涂光刻胶并在60-70℃温度下坚膜10-20分钟并自然降温，提高了光刻胶成膜的均匀性和平整度，有利于后续光刻和显影中形成垂直度好的图案。
本发明中通过设置以1500-2500转每分钟的转速在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料并在125-175℃温度下坚膜110-130分钟并自然降温，提高了聚合物材料成膜的均匀性和平整度，提高了所制备的光栅结构的质量。
本发明中通过设置以1500-2500转每分钟的转速在芯层四周旋涂聚合物材料，之后在100-120℃温度下坚膜130-150分钟，再进行自然降温，提高了聚合物材料成膜的均匀性和平整度，提高了所制备的光栅结构的质量。
本发明中通过分别用直径不同的研磨粉配置成相应地多种研磨液，分别用所述多种研磨液并按照其所用研磨粉的直径由大到小的顺序依次对平面光波导端面进行研磨并均研磨25-35分钟的步骤，逐级分层次地实施研磨步骤，提高了研磨的效果，以及通过设置端面抛光步骤，提高了平面光波导的端面平整度及其精度，保证了其与其他光波导连接的有效性，从而进一步减小了光传输损耗。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明一种实施例的一种有机无机混合集成热光调制型光栅的结构图示意图；
图2是图1中光栅的横截面结构示意图；
图3是一种具体实施方式的光栅反射率与入射光波长之间关系的matlab模拟计算曲线；
图4是另一种实施例的一种制备有机无机混合集成热光调制型光栅的方法的流程图；
图5是一种优选实施方式的制备有机无机混合集成热光调制型光栅的生长过程图。
图中附图标记表示为：1-基底层，2-芯层，3-上包层，4-加热电极层，5-布拉格光栅中的凹槽部。
具体实施方式
参考图1，是一种实施例的一种有机无机混合集成热光调制型光栅的结构图示意图，该光栅可以称为波导布拉格光栅，具体包括：基底层1，其上表面上具有布拉格光栅结构，该布拉格光栅结构包括多个等间距排列的凹槽部5，所述基底层采用无机光学材料；芯层2，形成于所述基底层1上，该芯层2是作为波导布拉格光栅的波导芯层，所述芯层2的材料包括紫外聚合式氟化聚合物材料，所述凹槽部5内填充有所述芯层的材料；上包层3，形成于所述芯层2四周，所述上包层3采用聚合物材料；以及加热电极层4，形成于所述上包层3上且位于所述凹槽部5上方，以实施对光栅的热光调制。
所述芯层2所采用的紫外聚合式氟化聚合物材料具有极高的化学、物理稳定性以及良好的光学特性，并且其具有极高的热光系数，一般可高达200-300ppm/℃(普通二氧化硅材质的热光系数为10ppm/℃)，而且其折射率和热光系数可根据具体要求在一定范围内任意调整，只需利用匀胶法即可均匀地被旋涂在芯片上，工艺十分简单且成本较低。优选地，所述紫外聚合式氟化聚合物材料包括氟化丙烯酸酯。
上述热光调制型光栅为折射率调整型光栅结构，折射率调整型光栅的工作原理为：光沿着光波导向前传播时，由于受到光栅结构的微扰动影响会发生反向模式耦合，这些反向耦合模会沿着光波导返回。决定折射率调整型光栅性能的主要有三个参数，分别是光栅高度、光栅周期个数、芯包层折射率对比度。光栅高度越大反射率越高，但传输损耗会增大；芯包层折射率对比度越大光栅反射率越高，光波导单模尺寸越小，但反射谱的单色性会变差，同时会增加光波导与光纤的端面耦合损耗；光栅周期个数越多反射率越高、反射谱的带宽越窄，但传输损耗会增大、器件长度会增加。因此，需要对上述热光调制型光栅的参数采取全局优化策略，一种具体实施方式的优化设计如下：光栅采用掩埋条形波导结构，利用OptiwaveBPM软件设计光波导界面结构并对其进行仿真计算，设定占空比为1:1，室温下反射中心波长λ＝1.565μm，通过调整紫外聚合式氟化聚合物材料的折射率，使室温下波导有效折射率Neff＝1.5048，由式λ＝2×Neff×Λ可得，一阶光栅周期Λ大约为0.52μm。选取光栅高度为0.5μm(凹槽部的槽深)，光栅长度为5.2mm(10000个光栅周期)，芯层的厚度和宽度均为6um，上包层的总厚度为8um。利用matlab软件对其室温下反射谱进行了模拟计算，综合来看，其反射谱的反射率、带宽、边模抑制比、中心波长总体符合实际应用要求，计算结果如图3所示，图中横坐标是中心波长λ(单位为um),纵坐标是反射率R。
上述热光调制型光栅利用上述加热电极层5通过改变电源电压来调节加热功率，进而改变聚合物材料的温度，使其折射率发生变化，由于选用的紫外聚合式氟化聚合物材料具有极高的热光系数，因而可以较大地改变波导光栅有效折射率，从而使其反射中心波长发生漂移，实现波导光栅的大范围热光调制功能。上述加热电极层5可以根据光场能量在上包层里的分布，进行一些优化设计，以降低器件的热功耗并增大器件的波长可调制范围。例如，可进行最小化上包层厚度和加热电极宽度的设计，以最小化热场纵向分布梯度和横向分布范围，实现电极的加热效率最大化。还可以通过实现金属电极电阻与电源内阻和导线电阻之和的功率传输阻抗匹配，使得电源对加热电极的功率传输效率达到最大。一种具体实施例的加热电极层5的长度为5.2mm，宽度为8μm,厚度为100nm。
本实施例中通过直接将芯层形成于基底层上，通过基底层上表面上直接设置多个等间距排列的凹槽部，形成光栅形貌，即利用基底层直接作为下包层，而无需另外再生长出下包层，既简化了光栅结构，又由于无需另外生长下包层，简化了制作工艺并且减少了制作成本。通过采用紫外聚合式氟化聚合物材料作为芯层材料，由于紫外聚合式氟化聚合物材料这类材料具有极高的化学、物理稳定性以及良好的光学特性，并且其具有极高的热光系数，因而可以较大地改变光栅的有效折射率，从而使其反射中心波长发生漂移，实现光栅的低功耗、大范围热光调制功能。
作为一种优选实施方式，所述上包层采用的聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷树脂。
本实施例中通过设置上包层采用的聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷树脂，由于这种聚合物材料价格低、透明度优良、有突出的耐老化性、良好的绝缘性和机械强度等优点，通过旋涂可形成良好的薄膜，从而可以降低所制作光栅的成本和提高产品质量。
作为一种优选实施方式，所述基底层材料包括二氧化硅。
本实施例中通过设置基底层材料和芯层材料为二氧化硅，由于目前二氧化硅是主流的平面光波导材料，所以有利于与主流平面光波导实现无缝对接，不用额外增加研发投入而减少研发成本。并且还能使得所获得的光栅具有二氧化硅光波导损耗低、可靠性高、后续封装工艺成熟等的优点。
参考图4，是另一种实施例的一种制备有机无机混合集成热光调制型光栅的方法的流程图，该制备方法包括以下步骤：
步骤S1：在基底层的上表面形成具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料。
步骤S2：在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，形成芯层结构，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料。
步骤S3：在芯层四周旋涂聚合物材料，形成上包层结构。
步骤S4：在所述上包层上形成加热电极层结构。
作为一种优选实施方式，该制备有机无机混合集成热光调制型光栅的方法顺次进行以下步骤，以及相应于该制备方法的具体步骤，该有机无机混合集成热光调制型光栅的生成过程如图5所示。
上述步骤S1在基底层的上表面形成具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料的具体步骤包括：
步骤S11：在基底层1上溅射一层铝保护层6。优选地，所述铝保护层6的厚度为100nm。
步骤S12：在铝保护层6上旋涂光刻胶7，进行光刻和显影以获得所需图案后；本领域的技术人员应当理解，所述光刻胶选用正胶或负胶都能满足应用需求，例如可以选用BP212正型光刻胶。由于光栅周期尺寸较小，上述光刻方法可以采用stepper光刻工艺(先将器件等比例放大制作成光刻板，然后再通过一组光学透镜将光刻板上的图形等比例缩小到芯片上)，曝光5s后将器件放在浓度为5‰的NaOH溶液中显影，提高了所获得图案的边缘垂直度和质量。
步骤S13：采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层6。
步骤S14：通过感应耦合等离子体刻蚀(ICP刻蚀)对基底层1进行刻蚀，形成多个等间距排列的凹槽部5，即刻蚀出平面波导光栅形貌。
步骤S15：去除剩余的光刻胶7和铝保护层6。
上述步骤S2在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，形成芯层结构，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料的具体步骤包括：
步骤S21：在基底层1上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，同时所述凹槽部内也填充入了紫外聚合式氟化聚合物材料。
步骤S22：在紫外聚合式氟化聚合物材料层上溅射一层铝保护层8。
步骤S23：在铝保护层8上旋涂光刻胶9，进行光刻和显影以获得所需图案。上述光刻方法可以采用紫外光刻，曝光5s后将器件放在浓度为5‰的NaOH溶液中显影，提高了所获得图案的边缘垂直度。
步骤S24：采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层8。
步骤S25：通过反应离子刻蚀(RIE刻蚀)形成条形直波导形貌。
步骤S26：去除剩余的光刻胶9和铝保护层8，形成芯层2结构。
然后进行步骤S3：在芯层四周旋涂聚合物材料，形成上包层结构。
上述步骤S4在所述上包层上形成加热电极层结构的具体步骤包括：
步骤S41：在上包层3上旋涂加热电极层材料。
步骤S42：在加热电极层材料上溅射一层铝保护层10。
步骤S43：在铝保护层10上旋涂光刻胶11，进行光刻和显影以获得所需图案。
步骤S44：采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层10。
步骤S45：通过RIE刻蚀去除多余的加热电极层材料。
步骤S46：去除剩余的光刻胶11和铝保护层10，形成加热电极层4结构。
本实施例中通过在基底层上刻蚀出光栅形貌后，只需再在其上分别依次制作一层包括紫外聚合式氟化聚合物材料的芯层、包括聚合物材料的上包层和加热电极层就可以了，该光栅的制作方法相比于制备全二氧化硅光栅的方法具有制备工艺简单、制备成本低等的优点。通过采用ICP刻蚀法来刻蚀形成凹槽部(光栅形貌)，提高了所制作的光栅形貌的精度。
作为一种优选实施方式，所述在铝保护层上旋涂光刻胶具体包括以下步骤：
以2500-3500转每分钟的转速在铝保护层上旋涂光刻胶，之后在60-70℃温度下坚膜10-20分钟，再进行自然降温。优选地，采用转速为3000转每分钟，温度为65℃，坚膜时间为15分钟。
本实施例中通过设置以2500-3500转每分钟的转速在铝保护层上旋涂光刻胶并在60-70℃温度下坚膜10-20分钟并自然降温，提高了光刻胶成膜的均匀性和平整度，有利于后续光刻和显影中形成垂直度好的图案。
作为一种优选实施方式，所述在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料具体包括以下步骤：
以1500-2500转每分钟的转速在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，之后在125-175℃温度下坚膜110-130分钟，再进行自然降温。优选地，采用转速为2000转每分钟，温度为150℃，坚膜时间为120分钟，旋涂获得的紫外聚合式氟化聚合物层的厚度为6um。
本实施例中通过设置以1500-2500转每分钟的转速在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料并在125-175℃温度下坚膜110-130分钟并自然降温，提高了聚合物材料成膜的均匀性和平整度，提高了所制备的光栅结构的质量。
作为一种优选实施方式，所述在芯层四周旋涂聚合物材料具体包括以下步骤：
以1500-2500转每分钟的转速在芯层四周旋涂聚合物材料，之后在100-120℃温度下坚膜130-150分钟，再进行自然降温。优选地，采用转速为2000转每分钟，温度为110℃，坚膜时间为140分钟，旋涂获得的聚合物层的厚度为8um。
本实施例中通过设置以1500-2500转每分钟的转速在芯层四周旋涂聚合物材料，之后在100-120℃温度下坚膜130-150分钟，再进行自然降温，提高了聚合物材料成膜的均匀性和平整度，提高了所制备的光栅结构的质量。
作为一种优选实施方式，本实施例的方法还包括以下步骤：
分别用直径不同的研磨粉配置成相应地多种研磨液，分别用所述多种研磨液按照其所用研磨粉的直径由大到小的顺序依次对平面光波导端面进行研磨，研磨时间均为25-35分钟；优选地，分别选用25um、14um、7um、3.5um直径的研磨粉配置成研磨液，采用该四种直径的研磨粉能够在提高研磨效率的同时，获得更好地研磨效果。
采用碱性抛光液对研磨后的平面光波导进行端面抛光，抛光时间为4-6个小时。
本实施例中通过分别用直径不同的研磨粉配置成相应地多种研磨液，分别用所述多种研磨液并按照其所用研磨粉的直径由大到小的顺序依次对平面光波导端面进行研磨并均研磨25-35分钟的步骤，逐级分层次地实施研磨步骤，提高了研磨的效果，以及通过设置端面抛光步骤，提高了平面光波导的端面平整度及其精度，保证了其与其他光波导连接的有效性，从而进一步减小了光传输损耗。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种有机无机混合集成热光调制型光栅，其特征在于，包括：
基底层，其上表面上具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料；
芯层，形成于所述基底层上，所述芯层的材料包括紫外聚合式氟化聚合物材料，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料；
上包层，形成于所述芯层四周，所述上包层采用聚合物材料；
加热电极层，形成于所述上包层上且位于所述凹槽部上方。
2.根据权利要求1所述的光栅，其特征在于，所述上包层采用的聚合物材料包括聚二甲基硅氧烷树脂。
3.根据权利要求1所述的光栅，其特征在于，所述紫外聚合式氟化聚合物材料包括氟化丙烯酸酯。
4.根据权利要求1-3任一所述的光栅，其特征在于，所述基底层材料包括二氧化硅。
5.一种制备有机无机混合集成热光调制型光栅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
在基底层的上表面形成具有多个等间距排列的凹槽部，所述基底层采用无机光学材料；
在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，形成芯层结构，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料；
在芯层四周旋涂聚合物材料，形成上包层结构；
在所述上包层上形成加热电极层结构。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在基底层的上表面形成具有多个等间距排列的凹槽部的步骤包括：
在基底层上溅射一层铝保护层；
在铝保护层上旋涂光刻胶，进行光刻和显影以获得所需图案；
采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层；
通过感应耦合等离子体刻蚀对基底层进行刻蚀，形成多个等间距排列的凹槽部；
去除剩余的光刻胶和铝保护层。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，形成芯层结构，所述凹槽部内填充有所述芯层的材料的步骤包括：
在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，同时所述凹槽部内也填充入了紫外聚合式氟化聚合物材料；
在紫外聚合式氟化聚合物材料层上溅射一层铝保护层；
在铝保护层上旋涂光刻胶，进行光刻和显影以获得所需图案；
采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层；
通过反应离子刻蚀形成条形直波导形貌；
去除剩余的光刻胶和铝保护层，形成芯层结构。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述上包层上形成加热电极层结构的步骤包括：
在上包层上旋涂加热电极层材料；
在所述加热电极层材料上溅射一层铝保护层；
在铝保护层上旋涂光刻胶，进行光刻和显影以获得所需图案；
采用铝腐蚀剂去除多余的铝保护层；
通过反应离子刻蚀去除多余的加热电极层材料；
去除剩余的光刻胶和铝保护层，形成加热电极层结构。
9.根据权利要求6-8所述的方法，其特征在于，所述在铝保护层上旋涂光刻胶具体包括以下步骤：
以2500-3500转每分钟的转速在铝保护层上旋涂光刻胶，之后在60-70℃温度下坚膜10-20分钟，再进行自然降温。
10.根据权利要求5或7所述的方法，其特征在于，所述在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料具体包括以下步骤：
以1500-2500转每分钟的转速在基底层上旋涂紫外聚合式氟化聚合物材料，之后在125-175℃温度下坚膜110-130分钟，再进行自然降温。
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