KR101672586B1 - 파장 조율이 가능한 구조를 갖는 광 격자 커플러 - Google Patents
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Abstract
도파로(waveguide)에 배치된, 일정 주기 및 깊이를 갖도록 형성된 격자를 포함하는 광 격자 커플러에 있어서, 상기 광 격자 커플러의 내부 또는 외부에 포함되는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키기 위한 신호가 인가된다.
Description
본 발명은 파장 조율이 가능한 구조를 갖는 광 격자 커플러에 관한 것으로, 구체적으로, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시킴으로써, 도파로에 진행되는 광 신호의 중심파장을 조율하는 광 격자 커플러의 구조에 관한 기술이다.
기존의 광 격자 커플러는 브래그(bragg) 격자 이론을 기반으로 일정한 주기를 갖는 격자 구조에 의해 생기는 빛의 회절과 간섭 현상을 이용하는 수동 소자이다. 이러한 광 격자 커플러를 사용하면, 빛의 진행방향을 다양한 방향으로 전환이 가능하며, 수직 방향으로 진행되는 빛을 수평 방향으로 전환도 가능하다. 광 격자 커플러는 외부에서 칩 또는 광 도파로에 광 신호를 공급하기 위해 이용할 뿐만 아니라, 칩과 칩의 수직 연결에서의 커플링 방법으로 이용되고 있다.
그러나, 기존의 광 격자 커플러는 격자의 물리적 구조 특성에 의한 파장 의존성을 갖고 있다. 이로부터 특정 중심파장에서 최대 커플링 효율을 보여주나, 특정 중심파장이 아닌 파장영역에서는 광 격자 커플러의 커플링 효율 감소로 인한 추가적인 광 손실이 발생하게 된다.
따라서, 기존의 광 격자 커플러는 특정 중심파장이 아닌 다른 파장을 신호로 사용하기 위해 물리적 구조를 달리 만들어야만 하므로, 서로 다른 중심파장을 요구하는 시스템에서는 여러 가지 구조의 격자를 만들어줘야 하는 단점이 있다.
이에, 본 명세서에서는 광 격자 커플러의 유효굴절률을 전기적 제어를 통해 변화시킴으로써, 중심파장을 능동적으로 변조하는 광 격자 커플러의 구조를 제안한다.
본 발명의 실시예들은 광 격자 커플러의 유효굴절률을 전기적 제어를 통해 변화시킴으로써, 중심파장을 능동적으로 변조하는 광 격자 커플러를 제공한다.
또한, 본 발명의 실시예들은 전기적 제어를 통한 유효 굴절률 변화의 구체적인 수단으로써, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 과정에서, 열 광학 효과(thermo-optic effect), 전기 광학 효과(electro-optic effect) 및 음향 광학 효과(acousto-optic effect)를 이용하는 광 격자 커플러 구조들을 제공한다.
본 발명의 일실시예에 따른 도파로(waveguide)에 배치된, 일정 주기 및 깊이를 갖도록 형성된 격자를 포함하는 광 격자 커플러에 있어서, 상기 광 격자 커플러의 내부 또는 외부에 포함되는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키기 위한 신호가 인가된다.
상기 광 격자 커플러의 최대 효율을 갖는 중심파장은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률이 변화함에 응답하여 변조될 수 있다.
상기 광 격자 커플러는 최대 효율을 갖는 중심파장을 선택적으로 변조하는 광 스위치에 이용될 수 있다.
상기 광 격자 커플러는 최대 효율을 갖는 중심파장을 변조하거나, 선택하는 광 필터에 이용될 수 있다.
상기 광 격자 커플러는 특정 파장에 대한 커플링의 효율을 변화시키는 광 신호 변조기에 이용될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 열 신호가 인가됨으로써, 열 광학 효과(thermo-optic effect)에 의해 변화될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 열 광학 효과를 이용하기 위해, 일정 기준치 이상의 열 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 열 광학 효과를 이용하기 위해, 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성되고, 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 바이어스(bias)에 따른 줄열(joule heating)에 의해 변화될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 전기 신호가 인가됨으로써, 전기 광학 효과(electro-optic effect)에 의해 변화될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 전기 광학 효과를 이용하기 위해, 일정 기준치 이상의 전기 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은 상기 전기 광학 효과를 이용하기 위해 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성되고, 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 캐리어 플라즈마 분산 효과(carrier plasma dispersion effect)에 의해 변화될 수 있다.
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 음향 신호가 인가됨으로써, 음향 광학 효과(acousto-optic effect)에 의해 변화될 수 있다.
본 발명의 실시예들은 광 격자 커플러의 유효굴절률을 전기적 제어를 통해 변화시킴으로써, 중심파장을 능동적으로 변조하는 광 격자 커플러를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들은 전기적 제어를 통한 유효 굴절률 변화의 구체적인 수단으로써, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 과정에서, 열 광학 효과(thermo-optic effect), 전기 광학 효과(electro-optic effect) 및 음향 광학 효과(acousto-optic effect)를 이용하는 광 격자 커플러 구조들을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 중심파장을 변조하는 광 격자 커플러 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 의해, 중심파장이 변조됨으로써, 다양한 중심파장을 갖는 광 신호를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 격자를 형성하는 제1 방식 및 제2 방식을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 격자를 형성하는 제3 방식을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러를 나타낸 입체도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 의해, 중심파장이 변조됨으로써, 다양한 중심파장을 갖는 광 신호를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 격자를 형성하는 제1 방식 및 제2 방식을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 격자를 형성하는 제3 방식을 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러를 나타낸 입체도이다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 중심파장을 변조하는 광 격자 커플러 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러(110)는 미리 설정된 방향으로 형성된 도파로(120)에 연결되도록 배치된다. 여기서, 광 격자 커플러(110) 및 도파로(120)는 클래드 층(130) 위에 적층된 코어 층(140)에 형성될 수 있다. 예를 들어, 코어 층(140)은 실리콘으로 구성될 수 있고, 클래드 층(130)은 실리콘 산화막으로 구성될 수 있다.
광 격자 커플러(110)에는 일정 주기(111) 및 일정 깊이(112)를 갖는 격자(113)가 형성되어 있다. 따라서, 광 격자 커플러(110)는 격자(113)의 물리적 구조를 이용하여, 광 격자 커플러(110)로 입사되는 수직 성분의 광 신호(150)를 광 격자 커플러(110)의 최대 효율을 갖는 미리 설정된 중심파장을 갖는 수평 성분의 광 신호(160)로 변화시킴으로써, 수평 성분의 광 신호(160)를 도파로(120)에 진행되게 할 수 있다. 이하, 수평 성분의 광 신호(160)의 중심 파장은 광 격자 커플러(110)의 최대 효율을 갖는 중심파장을 의미할 수 있다.
이 때, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)는 수학식 1과 같이 표현할 수 있다.
<수학식 1>
수학식 1에서, 
는 광 격자 커플러(110)로 입사되는 수직 성분의 광 신호(150)로서, 수학식 2와 같이 표현할 수 있다.
<수학식 2>
수학식 2에서, 
는 광 격자 커플러(110)로 입사되는 수직 성분의 광 신호(150)의 파장을 의미한다.
또한, 수학식 1에서, 
는 광 격자 커플러(110)에 대해, 광 격자 커플러(110)로 입사되는 수직 성분의 광 신호(150)의 입사 각도(114)를 의미한다. 또한, 
는 광 격자 커플러(110)에 형성된 격자(113)의 물리적 구조와 관련된 성분이다. 구체적으로, p는 격자(113)의 깊이(112)를 의미하고, 
는 격자(113)의 주기(111)를 의미한다. 
은 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 벡터값으로, 수학식 3과 같이 표현될 수 있다.
<수학식 3>
수학식 3에서, 
는 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률로서, 
이 변화함에 응답하여, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 중심파장이 변조된다.
따라서, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 중심파장을 변조하기 위해서는, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률 
를 변화시켜야 한다.
이에, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 중심파장을 변조하기 위하여, 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러(110)는 내부 또는 외부에 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)을 포함할 수 있다. 이 때, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에는 유효굴절률을 변화시키기 위한 신호가 인가될 수 있다.
예를 들어, 유효굴절률은 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 열 신호가 인가됨으로써, 열 광학 효과에 의해 변화될 수 있다. 이 때, 열 신호가 인가되는 것은 열이 가해지는 것을 의미할 수 있다.
더 구체적인 예를 들면, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)이 일정 기준치 이상의 열 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성됨으로써, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 열이 가해지면, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)의 온도 상승에 따른 열 광학 계수에 기초하여 유효굴절률이 변화될 수 있다. 이 때, 일정 기준치 이상의 열 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질은 열 광학 폴리머(thermo-optic polymer) 또는 실리콘(silicon) 등을 포함할 수 있다.
따라서, 열 광학 효과에 의해, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률이 변화함에 따라, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 중심파장이 변조될 수 있다. 이 때, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)의 열 광학 계수는 광 격자 커플러(110)가 어떤 물질로 구성되는지에 따라, 결정될 수 있다.
또한, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역이 열 광학 효과를 이용하기 위해, 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성됨으로써, 유효굴절률은 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 바이어스(bias)에 따른 줄 열(joule heating)에 의해 변화될 수 있다.
또한, 유효굴절률은 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 전기 신호가 인가됨으로써, 전기 광학 효과에 의해 변화될 수 있다. 이 때, 전기 신호가 인가되는 것은 전압이 인가되는 것을 의미할 수 있다.
예를 들어, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)이 일정 기준치 이상의 전기 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성됨으로써, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 전압이 인가되면, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)의 전기장 변화에 기초하여 유효굴절률이 변화될 수 있다. 이 때, 일정 기준치 이상의 전기 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질은 전기 광학 폴리머(electro-optic polymer) 등을 포함할 수 있다.
따라서, 전기 광학 효과에 의해, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률이 변화함에 따라, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 중심파장이 변조될 수 있다. 이 때 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)의 전기장 변화는 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 인가되는 전압의 세기에 따라, 발생될 수 있다.
더 구체적인 예를 들면, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)이 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성됨으로써, 유효굴절률은 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 캐리어 플라즈마 분산 효과(carrier plasma dispersion effect)에 의해 변화될 수 있다.
또한, 유효굴절률은 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률을 변화시키는 영역(115)에 음향 신호가 인가됨으로써, 음향 광학 효과에 의해 변화될 수 있다. 따라서, 음향 광학 효과에 의해, 광 격자 커플러(110)의 유효굴절률이 변화함에 따라, 도파로(120)에 진행되는 수평 성분의 광 신호(160)의 중심파장이 변조될 수 있다.
위에서 상술한 구조를 갖는 광 격자 커플러(110)는 최대 효율을 갖는 중심파장을 선택적으로 변조하는 광 스위치, 최대 효율을 갖는 중심파장을 변조하거나, 선택하는 광 필터 또는 특정 파장에 대한 커플링의 효율을 변화시키는 광 신호 변조기 등에 이용될 수 있다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 의해, 중심파장이 변조됨으로써, 다양한 중심파장을 갖는 광 신호를 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러는 유효굴절률을 제어함으로써, 광 격자 커플러에 일정 각도(211)를 형성하도록 광 격자 커플러로 입사되는 수직 성분의 광 신호(210)를 다양한 중심파장을 갖는 수평 성분의 광 신호들(220, 230, 240, 250)로 변화시켜, 도파로에 진행되게 할 수 있다.
예를 들어, 광 격자 커플러는 수직 성분의 광 신호(210)가 입사되는 경우, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 제1 신호가 인가됨으로써, 유효굴절률이 변화될 수 있다. 이에 응답하여, 수직 성분의 광 신호(210)는 제1 중심파장을 갖는 제1 수평 성분의 광 신호(250)로 변화될 수 있다. 또한, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 제2 신호가 인가되면, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 제1 신호가 인가되는 경우보다 유효굴절률이 덜 변화됨으로써, 수직 성분의 광 신호(210)는 제2 중심파장을 갖는 제2 수평 성분의 광 신호(240)로 변화될 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 광 커플러 구조에서, 광 커플러의 최대 효율을 갖는 광 신호의 중심파장은 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 유효굴절률을 변화시키기 위한 신호가 인가됨으로써, 변조될 수 있다. 이 때, 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 인가되는 신호는, 열 광학 효과, 전기 광학 효과 또는 음성 광학 효과 중 어느 하나를 이용할 것인지에 따라, 열 신호, 전기 신호 또는 음향 신호 중 어느 하나로 설정될 수 있다.
따라서, 광 커플러는 다양한 중심파장을 갖는 수평성분의 광 신호를 도파로로 진행시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 격자를 형성하는 제1 방식 및 제2 방식을 나타낸 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 포함되는 격자는 다양한 방식으로 형성될 수 있다.
예를 들어, 제1 방식에 따르면, 격자(310)는 광 격자 커플러가 배치되는 코어 층(320)의 일부분(321)을 제거함으로써, 형성될 수 있다. 이 때, 격자(310)의 깊이(311)는 제거된 코어 층(320)의 일부분(321)의 높이(322)에 기초하여 설정될 수 있다.
또한, 제2 방식에 따르면, 격자(310)는 광 격자 커플러가 배치되는 코어 층(320)에 코어 층(320)과 구별되는 다른 물질 또는 동일한 물질 중 어느 하나(330)가 적층됨으로써, 형성될 수 있다. 이 때, 격자(310)의 깊이(311)는 적층되는 코어 층(320)과 구별되는 다른 물질 또는 동일한 물질 중 어느 하나(330)의 높이(331)에 기초하여 설정될 수 있다.
또한, 격자(310)는 제1 방식 및 제2 방식 모두가 적용되어 형성될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 도 4를 참조하여 기재하기로 한다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 격자를 형성하는 제3 방식을 나타낸 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러에 포함되는 격자는 위에서 상술한 제1 방식 및 제2 방식 모두가 적용된, 제3 방식에 의해 형성될 수 있다.
예를 들어, 제3 방식에 따르면, 격자(410)는 광 격자 커플러가 배치되는 코어 층(420)의 일부분(421)을 제거한 이후에, 코어 층(420)과 구별되는 다른 물질 또는 동일한 물질 중 어느 하나(430)가 적층됨으로써, 형성될 수 있다. 이 때, 격자(410)의 깊이(411)는 제거된 코어 층(420)의 일부분(421)의 높이(422) 및 적층되는 코어 층(420)과 구별되는 다른 물질 또는 동일한 물질 중 어느 하나(430)의 높이(431)에 기초하여 설정될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러를 나타낸 입체도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 광 격자 커플러는 격자(511)의 유효굴절률을 전기적 제어를 통해 변화시킴으로써, 최대 효율을 갖는 중심파장을 능동적으로 변조할 수 있다. 이 때, 격자(511)의 유효굴절률은 패드(512)를 통하여 인가되는 신호에 응답하여, 변화될 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (12)
- 도파로(waveguide)에 배치된, 일정 주기 및 깊이를 갖도록 형성된 격자
를 포함하는 광 격자 커플러에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 내부 또는 외부에 포함되는 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에는
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키기 위한 신호가 인가되고,
상기 광 격자 커플러는
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 인가되는 신호에 의해 상기 광 격자 커플러의 유효굴절률이 변화됨에 기초하여, 상기 광 격자 커플러로 입사되는 수직 성분의 광 신호를 상기 광 격자 커플러의 최대 효율의 중심파장을 갖는 수평 성분의 광 신호로 변화시켜 상기 도파로에 진행시키고,
상기 광 격자 커플러의 최대 효율을 갖는 중심파장은
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률이 변화함에 응답하여 변조되는 광 격자 커플러. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 광 격자 커플러는
최대 효율을 갖는 중심파장을 선택적으로 변조하는 광 스위치에 이용되는 광 격자 커플러. - 제1항에 있어서,
상기 광 격자 커플러는
최대 효율을 갖는 중심파장을 변조하거나, 선택하는 광 필터에 이용되는 광 격자 커플러. - 제1항에 있어서,
상기 광 격자 커플러는
특정 파장에 대한 커플링의 효율을 변화시키는 광 신호 변조기에 이용되는 광 격자 커플러. - 제1항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 열 신호가 인가됨으로써, 열 광학 효과(thermo-optic effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러. - 제6항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은
상기 열 광학 효과를 이용하기 위해, 일정 기준치 이상의 열 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성되는 광 격자 커플러. - 제6항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은
상기 열 광학 효과를 이용하기 위해, 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성되고,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 바이어스(bias)에 따른 줄열(joule heating)에 의해 변화되는 광 격자 커플러. - 제1항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 전기 신호가 인가됨으로써, 전기 광학 효과(electro-optic effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러. - 제9항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은
상기 전기 광학 효과를 이용하기 위해, 일정 기준치 이상의 전기 광학 계수를 갖는 물질 또는 반도체 물질 중 적어도 어느 하나를 기반으로 형성되는 광 격자 커플러. - 제9항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역은
상기 전기 광학 효과를 이용하기 위해 실리콘 포토닉스(silicon photonics)를 기반으로 형성되고,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 불순물이 주입되는 경우, PN 접합 또는 P-i-N 접합에서의 캐리어 플라즈마 분산 효과(carrier plasma dispersion effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러. - 제1항에 있어서,
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률은
상기 광 격자 커플러의 유효굴절률을 변화시키는 영역에 음향 신호가 인가됨으로써, 음향 광학 효과(acousto-optic effect)에 의해 변화되는 광 격자 커플러.
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