JP2014017418A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014017418A5
JP2014017418A5 JP2012154975A JP2012154975A JP2014017418A5 JP 2014017418 A5 JP2014017418 A5 JP 2014017418A5 JP 2012154975 A JP2012154975 A JP 2012154975A JP 2012154975 A JP2012154975 A JP 2012154975A JP 2014017418 A5 JP2014017418 A5 JP 2014017418A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
wafer
film thickness
film
thickness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012154975A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP6046933B2 (ja
JP2014017418A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2012154975A external-priority patent/JP6046933B2/ja
Priority to JP2012154975A priority Critical patent/JP6046933B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to TW102123143A priority patent/TWI567813B/zh
Priority to KR1020130078854A priority patent/KR101767291B1/ko
Priority to US13/938,018 priority patent/US8951813B2/en
Publication of JP2014017418A publication Critical patent/JP2014017418A/ja
Priority to US14/589,988 priority patent/US20150111314A1/en
Publication of JP2014017418A5 publication Critical patent/JP2014017418A5/ja
Publication of JP6046933B2 publication Critical patent/JP6046933B2/ja
Application granted granted Critical
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2012154975A 2012-07-10 2012-07-10 研磨方法 Active JP6046933B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012154975A JP6046933B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 研磨方法
TW102123143A TWI567813B (zh) 2012-07-10 2013-06-28 Grinding method
KR1020130078854A KR101767291B1 (ko) 2012-07-10 2013-07-05 연마 방법
US13/938,018 US8951813B2 (en) 2012-07-10 2013-07-09 Method of polishing a substrate having a film on a surface of the substrate for semiconductor manufacturing
US14/589,988 US20150111314A1 (en) 2012-07-10 2015-01-05 A method of polishing a substrate having a film on a surface of the substrate for semiconductor manufacturing

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012154975A JP6046933B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 研磨方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014017418A JP2014017418A (ja) 2014-01-30
JP2014017418A5 true JP2014017418A5 (enExample) 2015-08-20
JP6046933B2 JP6046933B2 (ja) 2016-12-21

Family

ID=49914311

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012154975A Active JP6046933B2 (ja) 2012-07-10 2012-07-10 研磨方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US8951813B2 (enExample)
JP (1) JP6046933B2 (enExample)
KR (1) KR101767291B1 (enExample)
TW (1) TWI567813B (enExample)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI675721B (zh) * 2013-07-11 2019-11-01 日商荏原製作所股份有限公司 研磨裝置及研磨狀態監視方法
US9997420B2 (en) * 2013-12-27 2018-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method and/or system for chemical mechanical planarization (CMP)
JP6293519B2 (ja) * 2014-03-05 2018-03-14 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6266493B2 (ja) 2014-03-20 2018-01-24 株式会社荏原製作所 研磨装置及び研磨方法
JP6370084B2 (ja) * 2014-04-10 2018-08-08 株式会社荏原製作所 基板処理装置
CN111584355B (zh) 2014-04-18 2021-07-13 株式会社荏原制作所 基板处理装置及基板处理系统
WO2016035673A1 (ja) * 2014-09-02 2016-03-10 株式会社荏原製作所 終点検出方法、研磨装置、及び研磨方法
JP6321579B2 (ja) * 2015-06-01 2018-05-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理システム、基板処理装置及びプログラム
JP6566897B2 (ja) * 2016-03-17 2019-08-28 東京エレクトロン株式会社 制御装置、基板処理システム、基板処理方法及びプログラム
US11626315B2 (en) * 2016-11-29 2023-04-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor structure and planarization method thereof
JP7023063B2 (ja) * 2017-08-08 2022-02-21 株式会社荏原製作所 基板研磨装置及び方法
JP6902452B2 (ja) * 2017-10-19 2021-07-14 株式会社荏原製作所 研磨装置
JP7081919B2 (ja) * 2017-12-26 2022-06-07 株式会社ディスコ 加工装置
JP7316785B2 (ja) 2018-12-26 2023-07-28 株式会社荏原製作所 光学式膜厚測定システムの洗浄方法
US11623320B2 (en) * 2019-08-21 2023-04-11 Applied Materials, Inc. Polishing head with membrane position control
JP7517832B2 (ja) * 2020-01-17 2024-07-17 株式会社荏原製作所 研磨ヘッドシステムおよび研磨装置
JP7361637B2 (ja) * 2020-03-09 2023-10-16 株式会社荏原製作所 研磨方法、研磨装置、およびプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7503418B2 (ja) * 2020-05-14 2024-06-20 株式会社荏原製作所 膜厚測定装置、研磨装置及び膜厚測定方法
JP7466434B2 (ja) * 2020-11-19 2024-04-12 株式会社荏原製作所 基板処理装置および基板処理方法
KR20230148373A (ko) 2021-03-05 2023-10-24 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판 세차운동을 이용한 기판 연마를 위한 처리 파라미터들의 제어
CN114000192B (zh) * 2021-10-29 2023-10-13 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备以及晶圆位置状态的监测方法
JP7680347B2 (ja) * 2021-12-24 2025-05-20 株式会社荏原製作所 膜厚測定方法および膜厚測定装置
JP2024155058A (ja) * 2023-04-20 2024-10-31 株式会社荏原製作所 膜厚測定装置、膜厚測定方法及び基板研磨装置
CN119897756B (zh) * 2025-04-02 2025-07-11 天通控股股份有限公司 一种提高钽酸锂键合片膜厚均匀性的方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3218881B2 (ja) * 1994-03-22 2001-10-15 三菱マテリアル株式会社 ウェーハ膜厚測定装置、ウェーハ膜厚測定方法およびウェーハ研磨装置
US5492594A (en) 1994-09-26 1996-02-20 International Business Machines Corp. Chemical-mechanical polishing tool with end point measurement station
JPH08240413A (ja) * 1995-01-06 1996-09-17 Toshiba Corp 膜厚測定装置及びポリシング装置
IL113829A (en) 1995-05-23 2000-12-06 Nova Measuring Instr Ltd Apparatus for optical inspection of wafers during polishing
JP3863624B2 (ja) * 1997-03-24 2006-12-27 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置及びウェーハの研磨方法
US6626736B2 (en) * 2000-06-30 2003-09-30 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6447370B1 (en) 2001-04-17 2002-09-10 Speedfam-Ipec Corporation Inline metrology device
US6939198B1 (en) 2001-12-28 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Polishing system with in-line and in-situ metrology
JP2004012302A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Hitachi Ltd 膜厚分布計測方法及びその装置
JP2005203729A (ja) * 2003-12-19 2005-07-28 Ebara Corp 基板研磨装置
US7118451B2 (en) 2004-02-27 2006-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. CMP apparatus and process sequence method
JP2006231471A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Speedfam Co Ltd 両面ポリッシュ加工機とその定寸制御方法
JP2010186866A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Ebara Corp 研磨方法
JP2010087243A (ja) * 2008-09-30 2010-04-15 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法
US20110300776A1 (en) 2010-06-03 2011-12-08 Applied Materials, Inc. Tuning of polishing process in multi-carrier head per platen polishing station
JP2012009692A (ja) * 2010-06-25 2012-01-12 Toshiba Corp ドレス方法、研磨方法および研磨装置
US20140141694A1 (en) 2012-11-21 2014-05-22 Applied Materials, Inc. In-Sequence Spectrographic Sensor

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014017418A5 (enExample)
JP2015136775A5 (enExample)
JP2016100407A5 (enExample)
WO2010053924A3 (en) In-line wafer thickness sensing
CN102328272B (zh) 化学机械抛光方法
JP2013541827A5 (enExample)
US9835449B2 (en) Surface measuring device and method thereof
US20090286332A1 (en) Polishing method
KR102709571B1 (ko) 인-시튜 전자기 유도 모니터링을 위한 기판 도핑에 대한 보상
JP2016213418A5 (enExample)
JP2011235406A5 (enExample)
US20160121452A1 (en) Polishing apparatus and polishing method
TW201143975A (en) Apparatus and method for monitoring glass plate polishing state
US9524913B2 (en) Polishing method and polishing apparatus
TW202123329A (zh) 經由定向的晶圓裝載作不對稱性校正
JP6215602B2 (ja) 研磨装置および研磨状態監視方法
TW202008449A (zh) 工件的兩面研磨裝置及兩面研磨方法
JP2010186866A (ja) 研磨方法
CN102765023B (zh) 一种打磨钢轨表面的方法及检测钢轨的残余应力的方法
JP2014198359A5 (enExample)
TWI611867B (zh) 半導體晶圓之兩面研磨方法及其兩面研磨裝置
JP6844530B2 (ja) ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
JP2014154874A (ja) 膜厚モニタ装置、研磨装置および膜厚モニタ方法
CN113021183B (zh) 工件孔检测装置以及工件孔检测方法
CN103033734B (zh) 基于非接触式霍尔效应测量石墨烯载流子迁移率的方法