JP2014017359A - 終点検出方法、プログラム及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理領域Aにおいて形成される特定の形状の形成完了時と、強度の時間変化が特異的に変化する特異点の出現タイミングとが一致する波長の光をモニタ光として選定し、基板Sにプラズマを用いてエッチング処理を施す際、照射ユニット14によって基板Sの表面の被処理領域Aを複数の波長を含む所定の波長域を有する照射光Lで照射し、受光ユニット15によって受光する反射光Rの中から選定されたモニタ光の強度の時間変化をモニタし、モニタ光の強度の時間変化が、モニタ光の強度変化プロファイルにおける強度が特異的に変化する特異点へ到達したか否かを判定し、モニタ光の強度の時間変化が特異点へ到達したと判定された場合、被処理領域Aにおいて形成される特定の形状の形成が完了したと判断する。
【選択図】図4
Description
L 白色光
S 基板
R 反射光
10 基板処理装置
14 照射ユニット
15 受光ユニット
19 コントローラ
Claims (10)
- 基板の表面において特定の形状を形成する処理中に複数の波長を含む所定の波長域を有する照射光を前記基板の表面に照射する照射ステップと、
前記基板の表面からの反射光を受光する受光ステップと、
前記反射光に含まれる少なくとも1つの波長の光であるモニタ光の強度の時間変化をモニタするモニタステップと、
特異的に変化するモニタ光の強度の時間変化が、前記特定の形状の形成の完了に対応する予め設定された所定の特異点へ到達したか否かを判定する判定ステップと、
前記モニタ光の強度の時間変化が前記所定の特異点へ到達したと判定された場合、前記特定の形状の形成が完了したと判断する判断ステップとを有することを特徴とする終点検出方法。 - 前記特定の形状の形成完了時と、前記所定の特異点の出現タイミングとが一致する波長の光を前記モニタ光として予め選定する選定ステップをさらに有することを特徴とする請求項1記載の終点検出方法。
- 前記選定ステップでは、前記処理中に順次現れる複数の前記特定の形状のそれぞれについて、前記所定の特異点を有する前記モニタ光を選定し、
前記モニタステップでは、前記複数の特定の形状について選定された複数の前記モニタ光の強度の時間変化をモニタし、
前記判定ステップでは、前記複数のモニタ光のそれぞれの強度の時間変化が、対応する前記所定の特異点へ到達したか否かを判定することを特徴とする請求項2記載の終点検出方法。 - 前記選定ステップでは、1つの前記特定の形状について、前記所定の特異点を有する前記モニタ光を複数選定し、
前記モニタステップでは、前記選定された複数の前記モニタ光の強度の時間変化をモニタし、
前記判定ステップでは、前記複数のモニタ光のそれぞれの強度の時間変化が、対応する前記所定の特異点へ到達したか否かを判定し、
前記判断ステップでは、前記複数のモニタ光の強度の時間変化の全てが対応する前記所定の特異点へ到達したと判定された場合、前記1つの特定の形状の形成が完了したと判断することを特徴とする請求項2記載の終点検出方法。 - 前記選定ステップでは、1つの前記特定の形状について、前記所定の特異点を有する前記モニタ光を複数選定し、
前記モニタステップでは、前記選定された複数の前記モニタ光の強度の時間変化をモニタし、
前記判定ステップでは、前記複数のモニタ光のそれぞれの強度の時間変化が、対応する前記所定の特異点へ到達したか否かを判定し、
前記判定ステップでは、前記複数のモニタ光の強度の時間変化の少なくとも1つが対応する前記所定の特異点へ到達したと判定された場合、前記1つの特定の形状の形成が完了したと判断することを特徴とする請求項2記載の終点検出方法。 - 前記モニタ光の強度は、前記反射光に含まれる他の波長の光との対比で規定されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の終点検出方法。
- 前記所定の波長域を有する照射光は白色光であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の終点検出方法。
- 基板の表面における特定の形状の形成の完了を検出する終点検出方法をコンピュータに実行させるプログラムであって、
基板の表面において特定の形状を形成する処理中に前記基板の表面へ照射された複数の波長を含む所定の波長域を有する照射光の前記基板の表面からの反射光に含まれる少なくとも1つの波長の光であるモニタ光の強度の時間変化をモニタするモニタモジュールを備え、
前記モニタモジュールは、
特異的に変化する前記モニタ光の強度の時間変化が、前記特定の形状の形成の完了に対応する予め設定された所定の特異点へ到達したか否かを判定する判定モジュールと、
前記モニタ光の強度の時間変化が前記所定の特異点へ到達したと判定された場合、前記特定の形状の形成が完了したと判断する判断モジュールとを有することを特徴とするプログラム。 - 前記特定の形状の形成完了時と、前記所定の特異点の出現タイミングとが一致する波長の光を前記モニタ光として予め選定する選定モジュールをさらに備えることを特徴とする請求項8記載のプログラム。
- 基板の表面において特定の形状を形成する処理中に複数の波長を含む所定の波長域を有する照射光を前記基板の表面に照射する照射ユニットと、
前記基板の表面からの反射光を受光する受光ユニットと、
前記反射光に含まれる少なくとも1つの波長の光であるモニタ光の強度の時間変化をモニタするモニタユニットとを備え、
前記モニタユニットは、前記モニタ光の強度の時間変化が、前記特定の形状の形成の完了に対応する予め設定された所定の特異点へ到達したか否かを判定し、前記モニタ光の強度が前記所定の特異点へ到達したと判定された場合、前記特定の形状の形成が完了したと判断することを特徴とする基板処理装置。
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Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JPH05175164A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエッチングにおける終点検出方法 |
JP2001085388A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Tokyo Electron Ltd | 終点検出方法 |
JP2001210619A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Nec Corp | エッチング終点検出装置およびそれを用いたエッチング終点検出方法 |
JP2002541663A (ja) * | 1999-04-05 | 2002-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイスの製造の終点検出 |
JP2004022939A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Shibaura Mechatronics Corp | ドライエッチングの終点検出方法および装置 |
JP2004063748A (ja) * | 2002-07-29 | 2004-02-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理における処理終了点の検出方法ならびに基板処理方法および基板処理装置 |
JP2008112965A (ja) * | 2006-10-30 | 2008-05-15 | Applied Materials Inc | 均一なエッチング速度分布の陰極を備えたマスクエッチングプラズマリアクタ |
JP2009117685A (ja) * | 2007-11-08 | 2009-05-28 | Hitachi High-Technologies Corp | high−k/メタル構造を備えた半導体素子のプラズマ処理方法 |
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Patent Citations (8)
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---|---|---|---|---|
JPH05175164A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-07-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | ドライエッチングにおける終点検出方法 |
JP2002541663A (ja) * | 1999-04-05 | 2002-12-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 電子デバイスの製造の終点検出 |
JP2001085388A (ja) * | 1999-09-14 | 2001-03-30 | Tokyo Electron Ltd | 終点検出方法 |
JP2001210619A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Nec Corp | エッチング終点検出装置およびそれを用いたエッチング終点検出方法 |
JP2004022939A (ja) * | 2002-06-19 | 2004-01-22 | Shibaura Mechatronics Corp | ドライエッチングの終点検出方法および装置 |
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