KR20140007266A - 종점 검출 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 - Google Patents

종점 검출 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판의 표면에 형성되는 형상이 변화하여도, 형상 형성 처리의 종점을 확실히 검출할 수 있는 종점 검출 방법을 제공한다.
피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상의 형성 완료시와, 강도의 시간 변화가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 모니터광으로서 선정하고, 기판 S에 플라즈마를 이용하여 에칭 처리를 실시할 때, 조사 유닛(14)에 의해서 기판 S의 표면의 피처리 영역 A를 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 조사광 L로 조사하고, 수광 유닛(15)에 의해서 수광하는 반사광 R 중에서 선정된 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고, 모니터광의 강도의 시간 변화가, 모니터광의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 모니터광의 강도의 시간 변화가 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단한다.

Description

종점 검출 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치{ENDPOINT DETECTING METHOD, PROGRAM AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판으로 광을 조사하고, 해당 기판으로부터의 반사광을 모니터하여 기판에 실시하는 처리의 종점을 검출하는 종점 검출 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판으로서의 FPD(Flat Panel Display)용 기판에 플라즈마에 의해서 에칭 처리를 실시하여 해당 기판의 표면에 특정 형상을 형성할 때, 예를 들면, 기판 상에 성막된 금속층을 에칭해서 배선 패턴을 형성할 때, 특정 형상의 형성이 완료된 타이밍, 이른바 종점을 검출하는 것이 요구되고 있다.
통상, 플라즈마를 이용한 에칭 처리의 종점 검출 방법으로서, FPD용 기판의 처리에 한정되지 않고 반도체 기판의 처리 등을 포함하는 기판의 처리에서 기판 상에 발생하는 플라즈마의 발광 상태를 관찰하는 방법이 널리 이용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조). 이 방법에서는, 피처리층에서 특정 형상으로서 트렌치가 형성되어 해당 트렌치의 바닥부에 피처리층과 다른 층이 나타났을 때, 플라즈마의 에칭에 의해서 다른 층을 구성하는 원소가 비산하기 때문에, 플라즈마의 발광을 스펙트럼 분석하여 당해 원소에 대응하는 파장의 광의 강도가 크게 변화했을 때에, 트렌치의 바닥부에 다른 층이 나타난, 즉, 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단할 수 있다.
그런데, 상술한 종점 검출 방법은, 에칭되는 층의 종류가 바뀌는 것을 플라즈마의 발광의 스펙트럼 분석에 의해서 찾아내고 있는 것에 지나지 않기 때문에, 에칭되는 층의 종류가 변하지 않는 처리에서는 이용할 수 없다. 예를 들면, 트렌치의 형성을 피처리층의 도중에 정지할 필요가 있는 처리에서는, 트렌치가 소망하는 깊이에 도달하여도 에칭에 의해서 비산되는 원소의 종류는 변하지 않기 때문에, 플라즈마의 발광을 스펙트럼 분석하여도, 광의 강도 분포는 변함없이, 트렌치가 소망하는 깊이에 도달했는지 여부를 판단할 수 없다 .
거기서, 에칭되는 층의 종류가 변하지 않는 에칭 처리의 종점 검출 방법으로서, 특정 형상이 형성되는 기판의 표면에 단일 파장의 레이저 빔을 조사하고, 해당 표면으로부터의 반사광을 관찰하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 2 참조). 이 방법에서는, 특정 형상이 표면에 형성되었을 때, 해당 표면에서의 레이저 빔의 반사율이 변하여, 반사광의 강도가 변하는 것에 근거해서 특정 형상의 형성 완료를 판단한다. 구체적으로는, 에칭에 의해서 표면에 단차가 형성되었을 때, 단차에 의한 산란에 의해, 레이저 빔의 반사율이 급격하게 저하하여 반사광의 강도가 급격하게 저하하는 것에 근거해서 단차 형상의 형성 완료를 판단한다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2011-199072호 특허문헌 2: 일본 특허 공개 소62-171127호
그러나, 특정 형상의 형성 완료에서 레이저 빔의 반사율이 급격하게 저하하는지 여부는 표면에 형성되는 형상에 의존한다. 예를 들면, 동일한 파장의 레이저 빔을 조사하는 경우이더라도, 하나의 형상의 형성 완료에서는 레이저 빔의 반사율이 급격하게 저하하는데 반해, 다른 형상의 형성 완료에서는 레이저 빔의 반사율이 급격하게 저하하지 않는 일이 있다. 예를 들면, 대략 수직인 측벽을 갖는 트렌치와는 달라, 테이퍼면을 갖는 뿔 형상으로 이루어지는 텍스쳐 구조에서는, 뿔 형상의 테이퍼각은 여러 가지이고, 또한, 에칭의 진행에 따라 테이퍼각도 변화한다. 즉, 텍스쳐 구조의 경우, 현저한 변화를 나타내는 레이저 빔의 파장은 일정하다고는 할 수 없다.
따라서, 특허문헌 2에 기재된 기술과 같이 단일 파장의 레이저 빔을 이용한 경우, 형성되는 형상이 변화하여도 당해 형상의 형성 처리의 종점을 검출할 수 없을 우려가 있다.
본 발명의 목적은, 기판의 표면에 형성되는 형상이 변화하여도, 형상 형성 처리의 종점을 확실히 검출할 수 있는 종점 검출 방법, 프로그램 및 기판 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 1에 기재된 종점 검출 방법은, 기판의 표면에서 특정 형상을 형성하는 처리 중에 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 갖는 조사광을 상기 기판의 표면에 조사하는 조사 스텝과, 상기 기판의 표면으로부터의 반사광을 수광하는 수광 스텝과, 상기 반사광에 포함되는 적어도 1개의 파장의 광인 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 스텝과, 특이적으로 변화하는 모니터광의 강도의 시간 변화가, 상기 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 판정 스텝과, 상기 모니터광의 강도의 시간 변화가 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 특정 형상의 형성이 완료되었다고 판단하는 판단 스텝을 가지는 것을 특징으로 한다.
청구항 2에 기재된 종점 검출 방법은, 청구항 1에 기재된 종점 검출 방법에 있어서, 상기 특정 형상의 형성 완료시와 상기 소정의 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 상기 모니터광으로서 미리 선정하는 선정 스텝을 더 가지는 것을 특징으로 한다.
청구항 3에 기재된 종점 검출 방법은, 청구항 2에 기재된 종점 검출 방법에 있어서, 상기 선정 스텝에서는, 상기 처리 중에 순차적으로 나타나는 복수의 상기 특정 형상의 각각에 대해, 상기 소정의 특이점을 가지는 상기 모니터광을 선정하고, 상기 모니터 스텝에서는, 상기 복수의 특정 형상에 대해 선정된 복수의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고, 상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 각각의 강도의 시간 변화가, 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 것을 특징으로 한다.
청구항 4에 기재된 종점 검출 방법은, 청구항 2에 기재된 종점 검출 방법에 있어서, 상기 선정 스텝에서는, 1개의 상기 특정 형상에 대해, 상기 소정의 특이점을 가지는 상기 모니터광을 복수 선정하고, 상기 모니터 스텝에서는, 상기 선정된 복수의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고, 상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 각각의 강도의 시간 변화가, 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 상기 판단 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 강도의 시간 변화의 모두가 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 1개의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 것을 특징으로 한다.
청구항 5에 기재된 종점 검출 방법은, 청구항 2에 기재된 종점 검출 방법에 있어서, 상기 선정 스텝에서는, 1개의 상기 특정 형상에 대해, 상기 소정의 특이점을 가지는 상기 모니터광을 복수 선정하고, 상기 모니터 스텝에서는, 상기 선정된 복수의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고, 상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 각각의 강도의 시간 변화가, 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 강도의 시간 변화의 적어도 1개가 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 1개의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 것을 특징으로 한다.
청구항 6에 기재된 종점 검출 방법은, 청구항 1 내지 5 중 어느 한 항에 기재된 종점 검출 방법에 있어서, 상기 모니터광의 강도는 상기 반사광에 포함되는 다른 파장의 광과의 대비로 규정되는 것을 특징으로 한다.
청구항 7에 기재된 종점 검출 방법은, 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 종점 검출 방법에 있어서, 상기 소정의 파장 대역을 가지는 조사광은 백색광인 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 8에 기재된 프로그램은, 기판의 표면에서의 특정 형상의 형성의 완료를 검출하는 종점 검출 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램으로서, 기판의 표면에서 특정 형상을 형성하는 처리 중에 상기 기판의 표면으로 조사된 복수의 파장을 포함한 소정의 파장 대역을 가지는 조사광의 상기 기판의 표면으로부터의 반사광에 포함되는 적어도 1개의 파장의 광인 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 모듈을 구비하며, 상기 모니터 모듈은, 특이적으로 변화하는 상기 모니터광의 강도의 시간 변화가, 상기 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 판정 모듈과, 상기 모니터광의 강도의 시간 변화가 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 판단 모듈을 가지는 것을 특징으로 한다.
청구항 9에 기재된 프로그램은, 청구항 8에 기재된 프로그램에 있어서, 상기 특정 형상의 형성 완료시와 상기 소정의 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 상기 모니터광으로서 미리 선정하는 선정 모듈을 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 청구항 10에 기재된 기판 처리 장치는, 기판의 표면에서 특정 형상을 형성하는 처리 중에 복수의 파장을 포함한 소정의 파장 대역을 가지는 조사광을 상기 기판의 표면에 조사하는 조사 유닛과, 상기 기판의 표면으로부터의 반사광을 수광하는 수광 유닛과, 상기 반사광에 포함되는 적어도 1개의 파장의 광인 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 유닛을 구비하며, 상기 모니터 유닛은, 상기 모니터광의 강도의 시간 변화가, 상기 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 상기 모니터광의 강도가 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 조사광이 기판의 표면에 조사되기 때문에, 기판의 표면으로부터의 반사광은 복수의 파장을 포함한다. 따라서, 기판의 표면에 형성되는 형상이 변화하더라도, 당해 변화 후의 형상의 형성이 완료되었을 때에 강도가 급격하게 변화하는 파장의 반사광을 선정할 수 있다. 즉, 변화 후의 형상의 형성이 완료되었을 때에 강도가 급격하게 변화하는 파장의 반사광을 모니터광으로서 다시 선정하고, 당해 모니터광의 강도를 모니터하는 것에 의해, 기판의 표면에 형성되는 형상이 변화하더라도, 조사광의 광원을, 변화 전의 형상의 형성의 완료시에 강도가 급격하게 변화하는 광의 파장과는 다른 파장의 광을 발하는 광원으로 교환하는 일없이, 형상 형성 처리의 종점을 검출할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 형태에 따른 종점 검출 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내 보이는 단면도이다.
도 2는 텍스쳐 구조를 형성할 때의 반사광에서의 강도 분포의 변화를 나타내는 도면으로서, 도 2(a)는 에칭 처리의 초기에서의 반사광의 강도 분포의 프로파일이고, 도 2(b)는 에칭 처리의 초기에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 2(c)는 텍스쳐 구조의 형성 완료시에서의 반사광의 강도 분포의 프로파일이고, 도 2(d)는 텍스쳐 구조의 형성 완료시에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이다.
도 3은 반사광이 포함하는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화를 설명하기 위한 도면으로서, 도 3(a)는 반사광이 포함하는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 3(b)는 마스크 패턴이 기판에 충분히 존재하는 경우의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 3(c)는 에칭 처리가 어느 정도 진행된 경우의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 3(d)는 텍스쳐 구조의 형성 완료시에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 종점 검출 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 5는 피처리 영역에서 형성되는 특정 형상과, 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일의 관계를 나타내는 도면으로서, 도 5(a)는 제 1 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 5(b)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 1 형상의 단면도이고, 도 5(c)는 제 2 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 5(d)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 2 형상의 단면도이다.
도 6은 일련의 처리에서 시간 변화와 함께 피처리 영역에 형성되는 복수의 특정 형상과, 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일의 관계를 나타내는 도면으로서, 도 6(a)는 제 3 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 6(b)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 3 형상의 단면도이고, 도 6(c)는 제 4 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 6(d)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 4 형상의 단면도이다.
도 7은 플라즈마를 이용한 성막 처리에서의 반사광이 포함한 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화를 설명하기 위한 도면으로서, 도 7(a)는 반사광이 포함하는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 7(b)는 막이 형성되어 있지 않은 경우의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 7(c)는 성막 처리가 어느 정도 진행된 경우의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 7(d)는 성막 완료시에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1은, 본 실시 형태에 따른 종점 검출 방법을 실행하는 기판 처리 장치의 구성을 개략적으로 나타내 보이는 단면도이다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(10)는, FPD용 기판 등의 기판 S를 수용하는 통 형상의 챔버(11)와, 해당 챔버(11)의 바닥부에 배치되어 기판 S를 탑재하는 스테이지(12)와, 챔버(11)의 천정부에 배치되어 스테이지(12)와 대향하는 샤워 헤드(13)와, 챔버(11)의 외부에 마련되어 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 광, 예를 들면, 백색광을 조사광 L로서 조사하는 조사 유닛(14)과, 챔버(11)의 외부로서 챔버(11)를 사이에 두고 조사 유닛(14)과 대향하도록 배치되는 수광 유닛(15)을 구비한다. 본 실시 형태에서, 백색광은 모든 파장의 광이 균질하게 포함되는 광에 엄격하게 한정되지 않고, 시각적으로 백색이라고 인식되는 정도의 광이면 되며, 환언하면, 색상이 일반적으로 시판되는 조명 기구의 백색광으로 여겨지는 광 정도의 색상의 편차의 범위 내에 있는 광이면 좋다. 또한, 연속 스펙트럼으로 구성되는 것에 한정되지 않고, 형광등으로부터 발하게 되는 광과 같이 휘선 스펙트럼으로 구성되는 광이어도 좋다.
챔버(11)는 조사 유닛(14)과 대향하는 측벽(11a)에서 조사광 투과창(16)을 갖고, 수광 유닛(15)과 대향하는 측벽(11b)에서 반사광 투과창(17)을 가진다. 조사광 투과창(16)은 조사 유닛(14) 및 기판 S의 표면에서의 특정 형상, 예를 들면, 텍스쳐 구조가 형성되는 피처리 영역 A를 연결하는 직선 상에 위치하고, 반사광 투과창(17)은 피처리 영역 A 및 수광 유닛(15)을 연결하는 직선 상에 위치한다. 일반적으로, 텍스쳐 구조란 기판 등의 표면에 형성되는 미소한 요철로 구성된 표면 구조이며, 대표적인 것으로서는, 복수의 원추나 각뿔 등의 뿔 형상에 의해서 미소한 볼록부가 형성되는 요철 구조나, 그 외, 하니컴 형상으로 요철이 형성되는 하니컴 텍스쳐 구조를 들 수 있지만, 본 실시 형태에서는, 복수의 원추형 혹은 각뿔형의 볼록부로부터 완성되는 텍스쳐 구조가 형성되는 경우에 대해 설명한다.
스테이지(12)는 고주파 전원(18)이 접속되어 하부 전극으로서 기능하고, 샤워 헤드(13)는 접지되어 상부 전극으로서 기능하며, 스테이지(12) 및 샤워 헤드(13)는 1쌍의 평행 평판 전극을 구성한다. 특히 하부 전극인 스테이지(12)는 챔버(11) 내에서의 스테이지(12) 및 샤워 헤드(13) 사이의 처리 공간 PS에 고주파 전력을 인가한다. 또한, 샤워 헤드(13)는 외부의 처리 가스 공급 유닛(도시하지 않음)에 접속되고, 처리 공간 PS에 처리 가스를 공급한다.
기판 처리 장치(10)에서는, 처리 공간 PS에 공급된 처리 가스를 고주파 전력에 의해서 여기하여 플라즈마를 발생시키고, 해당 플라즈마에 의해서 기판 S에 소정의 플라즈마 처리, 예를 들면, 에칭 처리를 실시한다. 이 때, 피처리 영역 A에서는 형성된 마스크 패턴에 따라 특정 형상, 예를 들면, 텍스쳐 구조가 형성된다. 예를 들면, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이, 다수의 비즈를 마스크로서 사용하여 텍스쳐 구조가 형성된다.
피처리 영역 A에서 특정 형상이 형성될 때, 조사 유닛(14)은 조사광 L을 피처리 영역 A에 조사하고, 수광 유닛(15)은 피처리 영역 A로부터의 조사광 L의 반사광 R을 수광한다. 수광 유닛(15)은 콘트롤러(19)에 접속되고, 해당 콘트롤러(19)는 수광한 반사광 R을 분광 분석한다.
기판 처리 장치(10)에서는, 에칭 처리가 진행됨에 따라 피처리 영역 A의 표면의 형상이 변화하고, 해당 영역 A에서의 조사광 L의 반사율이 변화해서 반사광 R의 강도가 변화된다. 여기서, 반사율과는 조사 유닛(14)으로부터 피처리 영역 A에 조사된 조사광 L의 광량에 대한 수광 유닛(15)을 향해 반사된 반사광 R의 광량의 비율을 의미한다. 도 2는 텍스쳐 구조를 형성할 때의 반사광에서의 강도 분포의 변화를 나타내는 도면으로서, 도 2(a)는 에칭 처리의 초기에서의 반사광의 강도 분포의 프로파일이고, 도 2(b)는 에칭 처리의 초기에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 2(c)는 텍스쳐 구조의 형성 완료시에서의 반사광의 강도 분포의 프로파일이고, 도 2(d)는 텍스쳐 구조의 형성 완료시에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이다 .
에칭 처리가 진행되어 피처리 영역 A의 표면의 형상이 변화함에 따라, 피처리 영역 A로부터의 반사광 R이 포함하는 복수의 파장의 강도 분포(이하, 간단히 「반사광 R의 강도 분포」라고 함)의 프로파일이 변화된다. 구체적으로는, 에칭 처리의 초기에서는 피처리 영역 A에서 바닥부가 거의 평면으로 되는 완만한 곡면으로 이루어지는 오목부의 비율이 많기 때문에(도 2(b)), 전체적으로 반사광의 강도는 높지만(도 2(a)), 에칭 처리가 진행됨에 따라 복수의 뿔 형상이 성장하여 오목부가 깊어지기 때문에(도 2(d)), 각 트렌치의 오목부에 들어가 반사되지 않는 광이 증가함과 아울러, 조사광 L에 대한 반사면으로서 기능하는 피처리 영역 A에서의 표면의 각도도 다양하게 되어, 산란하는 광이 증가하여 수광 유닛(15)으로 향해 반사되는 반사광 R의 강도가 전체적으로 저하한다(도 2(d)). 따라서, 반사광 R의 강도를 모니터하는 것에 의해서 텍스쳐 구조의 형성 완료를 판단할 수 있다.
그러나, 하나의 광이 오목부에 흡수되거나 혹은 당해 하나의 광의 산란 형태가 변화하는 것은, 오목부의 깊이, 피처리 영역 A의 표면의 각도 및 당당 하나의 광의 파장에 의존하기 때문에, 도 2(a) 및 도 2(c)에 나타내는 바와 같이, 반사광 R의 강도 분포는 일정하게 변화되지 않고, 강도가 크게 변화하는 파장의 광(도면 중 「R1」로 나타냄)이나 강도가 남아 변화하지 않는 파장의 광(도면 중 「R2」로 나타냄)이 혼재한다. 따라서, 텍스쳐 구조의 형성 완료시, 즉, 종점을 검출하기 위해서는, 반사광 R 중 강도가 크게 변화하는 파장(R2)의 광을 모니터하는 것이 바람직하다.
또한, 반사광 R에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도도, 피처리 영역 A의 표면의 형상이 변화함에 따라 일정하게 변화하는 것이 아니고, 텍스쳐 구조의 오목부의 깊이나 피처리 영역 A의 표면의 각도의 변화에 따라 다양하게 변화한다.
도 3은 반사광이 포함하는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화를 설명하기 위한 도면으로서, 도 3(a)는 반사광이 포함하는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 3(b)는 마스크 패턴이 기판에 충분히 존재하는 경우의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 3(c)는 에칭 처리가 어느 정도 진행된 경우의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이고, 도 3(d)는 텍스쳐 구조의 형성 완료시에서의 피처리 영역의 표면의 형상을 나타내는 단면도이다.
하나의 파장의 광의 오목부로의 흡수 혹은 당해 하나의 파장의 광의 산란 형태의 변화는 오목부의 깊이나 피처리 영역 A의 표면의 각도에 의존하기 때문에, 하나의 파장의 광의 강도는 에칭 처리의 진행, 즉, 시간의 경과에 따라 일정하게 변화하는 것이 아니고, 예를 들면, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 형상이 도 3(b) 내지 도 3(d)에 나타내는 바와 같이 변화함에 따라 증감을 반복한다. 또, 도 3(a) 중의 가로축에서의 시간 「A」는 도 3(b)에 나타내는 피처리 영역 A의 표면의 형상에 대응하고, 시간 「B」는 도 3(c)에 나타내는 피처리 영역 A의 표면의 형상에 대응하고, 시간 「C」는 도 3(d)에 나타내는 피처리 영역 A의 표면의 형상에 대응한다.
또한, 파장에 따라서는 당해 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일(이하, 간단히 「강도 변화 프로파일」이라고 함)에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 특정 형상의 형성 완료시에 일치하는 일이 있다. 구체적으로는, 도 3(a)에 나타내는 프로파일에서는, 극값 D의 출현 타이밍이 텍스쳐 구조의 형성 완료시에 일치한다.
본 실시 형태에서는, 특정 형상의 형성 완료시인 종점을 확실히 검출하기 위해서, 반사광 R이 포함하는 복수의 파장의 광 중에서, 특정 형상의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 콘트롤러(19)에 의해서 모니터하는 모니터광으로서 선정하고, 해당 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터한다.
도 4는 본 실시 형태에 따른 종점 검출 방법을 나타내는 흐름도이다.
도 4에 있어서, 우선, 콘트롤러(19)는, 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 모니터광으로서 선정하고(스텝 S41)(선정 스텝), 기판 S에 플라즈마를 이용하여 에칭 처리를 실시할 때, 조사 유닛(14)에 의해서 기판 S의 표면의 피처리 영역 A를 조사광 L로 조사하고(조사 스텝), 수광 유닛(15)에 의해서 피처리 영역 A로부터의 반사광 R을 수광하고(수광 스텝), 수광 유닛(15)에 의해서 수광하는 반사광 R 중에서 선정된 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고(스텝 S42)(모니터 스텝), 모니터광의 강도의 시간 변화가 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고(스텝 S43)(판정 스텝), 모니터광의 강도의 시간 변화가 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달하고 있지 않다고 판정된 경우(스텝 S43에서 아니오), 스텝 S42로 되돌아가고, 모니터광의 강도의 시간 변화가 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했다고 판정된 경우(스텝 S43에서 예), 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상의 형성이 완료했다고 판단하여(스텝 S44), 본 처리를 종료한다.
본 처리의 스텝 S43에서 모니터광의 강도의 시간 변화가 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부는, 극값 D에서의 특정의 수치에만 근거하여 판정되는 것이 아니라, 모니터광의 강도의 시간 변화의 프로파일 전체에서의 극값 D의 위치의 특정 요소, 예를 들면, 시간 변화의 프로파일에서의 극대점이나 극소점의 출현 회수 또는 이들의 출현 간격의 변화, 시간 변화의 프로파일에서 극값 D와 동일한 값을 가지는 개소의 프로파일 곡선의 미분값의 비교, 시간 변화의 프로파일에서의 극값 D의 출현까지의 경과 시간 등에 근거하여 판정된다. 즉, 모니터광의 강도의 시간 변화가 소정의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부는, 시간 변화의 프로파일의 특정 개소에만 근거하여 판정하지 않고, 시간 변화의 프로파일 전체에 근거하여 판단된다. 즉, 본 명세서에서의 「도달」이란, 변화하는 모니터광의 강도가 극값 D(특이점에서의 강도)에 일치하는 것만을 의미하는 것이 아니고, 변화하는 모니터광의 강도가, 모니터 개시부터의 변화 이력이 고려된 후에 특이점에 도달했다고 생각되는 상태를 말한다. 또, 극값 D의 위치의 특정 요소는 상술한 것에 한정되지 않는다.
또, 도 4의 스텝 S42에서 모니터되는 모니터광의 강도는, 절대값으로 표시하여도 좋지만, 반사광 R에 포함되는 다른 복수의 광과의 대비로 규정되어도 좋고, 예를 들면, 강도가 특이적으로 변화하는 특이점을 갖지 않는 강도 변화 프로파일을 나타내는 다수의 파장의 광을 대표하는 광의 강도에 의해서 모니터광의 강도가 표준화되고, 모니터되는 모니터광의 강도의 단위는 AU(Arbitrary Unit)로 나타내어도 좋다. 이것에 의해, 모니터광의 강도의 변화를 용이하게 검지할 수 있다.
또한, 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 특정 형상의 형성 완료시에 일치하는 광의 파장은 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상에 따라 상이하다.
도 5는 피처리 영역에서 형성되는 특정 형상과, 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일의 관계를 모식적으로 나타내는 도면으로서, 도 5(a)는 제 1 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장(제 1 파장)의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 5(b)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 1 형상의 단면도이고, 도 5(c)는 제 2 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장(제 2 파장)의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 5(d)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 2 형상의 단면도이다. 도 5에서는, 이해를 용이하게 하기 위해, 트렌치(도 5(a), (b))가 형성되는 경우와 계단식 트렌치(도 5(c), (d))가 형성되는 경우를 비교하여 설명을 행한다.
도 5(b)에 나타내는 복수의 평행한 트렌치가 형성되는 경우에서, 복수의 평행한 트렌치의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서 극값 E의 출현 타이밍이 일치하는 광의 파장이 제 1 파장일 때, 도 5(d)에 나타내는 계단식 트렌치가 형성되는 경우에서는, 상기 제 1 파장의 광의 강도 변화 프로파일은 파선으로 나타내는 바와 같이 급격한 변화를 나타내지 않고, 오히려, 제 1 파장과는 다른 제 2 파장의 광의 강도 변화 프로파일이 급격하게 변화하고, 또한 당해 제 2 파장의 광의 강도 변화 프로파일에서의 극값 F의 출현 타이밍이, 도 5(d)에 나타내는 계단식 트렌치의 형성 완료시와 일치하는 일이 있다.
이러한 경우, 도 5(b)에 나타내는 복수의 평행한 트렌치의 형성 완료시(종점)를 검출할 때에는, 반사광 R로부터 제 1 파장의 광을 모니터광으로서 선정하고, 도 5(d)에 나타내는 계단식 트렌치의 형성 완료시(종점)를 검출할 때에는, 반사광 R로부터 제 2 파장의 광을 모니터광으로서 선정한다.
한편, 기판 처리 장치(10)에서는, 조사광 L로서 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 광인 백색광이 피처리 영역 A에 조사되어 반사광 R이 발생하기 때문에, 해당 반사광 R은 복수의 파장의 광, 예를 들면, 제 1 파장의 광이나 제 2 파장의 광을 포함한다. 따라서, 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상이 변화하여도, 변화 후의 형상의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 선정할 수 있다.
즉, 본 실시 형태에 따른 종점 검출 방법을 실행하는 기판 처리 장치(10)에 의하면, 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상이 변화하여도, 콘트롤러(19)가 변화 후의 형상의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 모니터광으로서 다시 선정하고, 당해 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 것에 의해, 조사 유닛(14)이 조사하는 조사광 L이나 당해 기판 처리 장치(10) 자체의 구성을 바꾸는 일없이, 용이하게 변화 후의 형상의 형성 완료시를 검출할 수 있다.
또한, 상술한 도 4의 종점 검출 방법에 의하면, 피처리 영역 A에서 형성되는 특정 형상의 형성 완료시와 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 모니터광으로서 선정하고, 당해 모니터광의 강도의 시간 변화가 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단한다. 즉, 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 근거하여 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하므로, 형상 형성 처리의 종점을 확실히 검출할 수 있다.
또, 일련의 처리에서 시간 변화와 함께 복수의 특정 형상이 연속적으로 형성되는 경우, 예를 들면, 마스크 패턴이 소실되고, 그 후, 복수의 평행한 트렌치가 형성되는 경우, 각 특정 형상에 대해, 각 특정 형상의 형성 완료시와 강도의 시간 변화의 프로파일에서의 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 광의 파장은 서로 상이하다. 또, 도 5에서는, 기판 S의 표면에 형성되는 트렌치 구조가 상이하면, 특이점을 가지는 시간 변화의 프로파일이 상이한 것에 대해 설명했지만, 기판 S의 표면에 형성되는 구조가 텍스쳐 구조 등의 다른 요철 구조이더라도, 마찬가지로, 요철 구조가 상이하면, 특이점을 가지는 시간 변화의 프로파일은 상이하다.
도 6은 일련의 처리에서 시간 변화와 함께 피처리 영역에 형성되는 복수의 특정 형상과 반사광에 포함되는 하나의 파장의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일의 관계를 나타내는 도면으로서, 도 6(a)는 제 3 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장(제 3 파장)의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 6(b)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 3 형상의 단면도이고, 도 6(c)는 제 4 형상이 형성되는 경우의 반사광에 포함되는 하나의 파장(제 4 파장)의 광의 강도의 시간 변화의 프로파일이고, 도 6(d)는 피처리 영역의 표면에 형성되는 제 4 형상의 단면도이다.
도 6(b)에 나타내는 마스크 패턴(파선)이 소실되는 경우에서, 마스크 패턴의 소실시와 강도 변화 프로파일에서 극값 G의 출현 타이밍이 일치하는 광(도 6(a) 참조)의 파장이 제 3 파장일 때, 마스크 패턴의 소실 후에 도 6(d)에 나타내는 텍스쳐 구조가 형성되는 경우에서는, 상기 제 3의 파장의 광의 강도 변화 프로파일은 텍스쳐 구조 형성 완료시에 대응하는 타이밍 H'에서 급격한 변화를 나타내지 않고, 오히려, 도 4(c)에 나타내는 바와 같이, 제 3 파장과는 다른 제 4 파장의 광의 강도 변화 프로파일이 급격하게 변화하고, 또한 당해 제 4 파장의 광의 강도 변화 프로파일에서의 극값 H의 출현 타이밍(도 6(a)의 H＇에 대응)이 텍스쳐 구조의 형성 완료시와 일치하는 일이 있다.
이러한 경우, 도 6(b)에 나타내는 마스크 패턴의 소실시(종점)를 검출할 때에는, 반사광 R로부터 제 3 파장의 광을 모니터광으로서 선정하고, 도 6(d)에 나타내는 텍스쳐 구조의 형성 완료시(종점)를 검출할 때에는, 반사광 R로부터 제 4 파장의 광을 모니터광으로서 선정한다. 이것에 의해, 일련의 처리에서 시간 변화와 함께 복수의 특정 형상이 형성되는 경우이더라도, 각 특정 형상의 형성 완료시(종점)를 확실히 검출할 수 있다.
또한, 피처리 영역 A에서 하나의 특정 형상이 형성되는 경우이더라도, 당해 하나의 특정 형상의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 광의 파장이 복수 존재하는 경우가 있다.
이러한 경우, 복수의 체크 회로를 가지는 논리 회로를 콘트롤러(19) 내에 구축하고, 각 체크 회로에서 각 파장의 모니터광의 강도가 대응하는 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 모든 체크 회로에서 모니터광의 강도의 시간 변화가 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했다고 판정된 경우에만, 하나의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하여도 좋다.
예를 들면, 하나의 특정 형상의 형성 완료시와 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 광의 파장이 3개(제 5 파장, 제 6 파장, 제 7 파장) 존재하는 경우, 3개의 체크 회로를 가지는 논리 회로를 콘트롤러(19) 내에 구축하고, 제 5 파장에 대응하는 체크 회로에서, 제 5 파장의 모니터광의 강도가 제 5 파장의 광의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 제 6 파장에 대응하는 체크 회로에서, 제 6 파장의 모니터광의 강도가 제 6 파장의 광의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 또한, 제 7 파장에 대응하는 체크 회로에서, 제 7 파장의 모니터광의 강도가 제 7 파장의 광의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 제 5 내지 제 7 파장의 모니터광의 강도가, 각각 대응하는 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했다고 판정된 경우에만, 하나의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하여도 좋다. 이것에 의해, 하나의 특정 형상의 형성 완료를 정확하게 검출할 수 있다.
또한, 상술한 예와는 달리, 제 5 파장, 제 6 파장, 제 7 파장의 적어도 1개가 각각의 파장의 광의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달하면, 하나의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하여도 좋다. 플라즈마 처리에서는, 자주 반응 생성물이 발생하고, 해당 반응 생성물이 특정의 파장의 광을 강하게 흡수하는 일이 있다. 이러한 반응 생성물이 피처리 영역 A에 부착되거나 혹은 조사광 투과창(16)이나 반사광 투과창(17)에 부착되고, 제 5 파장, 제 6 파장, 제 7 파장 중 어느 하나의 파장의 모니터광이 반응 생성물에 흡수되어 당해 모니터광을 이용한 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에의 도달의 판정이 불가능하게 된 경우이더라도, 다른 파장의 모니터광이 흡수되지 않으면, 다른 파장의 모니터광의 강도의 시간 변화의 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점으로의 도달 판정에 근거하여 하나의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단할 수 있다. 관계되는 경우에서도 콘트롤러(19)에서, 예를 들면, 논리합에 의해 판정하는 논리 회로를 구성할 수 있다.
또한, 도 4의 종점 검출 방법을 적용 가능한 플라즈마 처리는, 에칭에 의해 텍스쳐 구조를 형성하는 처리에 한정되지 않고, 트렌치 형상이나 홀 형상, 그 외의 피처리 영역 A의 표면에 요철 구조를 형성하는 처리를 포함하며, 또, 도 4의 종점 검출 방법을 적용 가능한 처리는, 에칭 처리에 한정되지 않고, 처리의 진행에 따라 피처리 영역 A의 표면의 형상이 변화하는 처리이더라도 좋다.
예를 들면, 플라즈마를 이용한 성막 처리에서 피처리 영역 A에 성막되는 막(20)이 다수의 빈 구멍을 갖고, 막(20)이 성장할수록 당해 막(20)의 표면의 면 조도가 커지는 경우(도 7(b) 내지도 7(d)), 특정의 두께의 막(20)의 성막 완료시와 강도의 시간 변화의 프로파일(도 7(a))에서의 극값 I의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 반사광 R로부터 모니터광으로서 선정하고, 피처리 영역 A에 조사광 L을 조사하고, 해당 피처리 영역 A로부터의 반사광 R을 수광하면서, 반사광 R에서의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 특정의 두께의 막(20)의 성막 완료를 확실히 검출할 수 있다.
이상, 본 발명에 대해, 상기 실시 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다.
상술한 실시 형태에서는, 특이점으로서 극값을 이용했지만, 특이점은 극값에 한정되지 않고, 광의 강도 변화 프로파일이 극단적으로 변화하는 개소, 예를 들면, 굴곡점과 같은 개소이더라도 좋다. 또한, 특정 형상의 형성 완료시의 판정은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 하나의 강도 변화 프로파일에서 특이점인 극값 D와 동일한 강도가 수회 나타나는 일(도 3 중의 D1이나 D2)이 있으며, 이러한 경우, 모니터광의 강도가 극값 D와 동일한 값에 도달했는지 여부에만 근거하여 모니터광의 강도가 특이점에 도달했는지를 정확하게 판정하는 것은 곤란하기 때문에, 극값 D와 동일한 값의 모니터광의 강도의 출현 회수를 모니터하거나 혹은, 모니터광의 강도의 변화 정도, 예를 들면, 미분값을 함께 모니터하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 특정 형상의 형성 완료시의 오류 검출을 방지할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태에서는, 조사 유닛(14)이 백색광을 조사하는 경우에 대해 설명했지만, 조사되는 광은 백색광에 한정되지 않고, 일정한 파장폭을 가지는 광 등, 파장의 선택에 자유도를 확보할 수 있는 복수의 주파수의 광을 포함하는 광이면, 일정한 색상을 가지는 광이더라도 좋다.
본 발명의 목적은, 상술한 실시 형태의 기능을 실현하는 소프트웨어의 프로그램을 기록한 기억 매체를, 컴퓨터 등에 공급하고, 컴퓨터의 CPU가 기억 매체에 저장된 프로그램을 판독하여 실행하는 것에 의해서도 달성된다. 당해 프로그램은, 상술한 실시 형태에 따른 종점 검출 방법을 실행하기 위해서, 적어도, 상술한 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 모듈과, 모니터광의 강도의 시간 변화가, 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된, 강도 변화 프로파일에서의 강도가 특이적으로 변화하는 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 판정 모듈과, 모니터광의 강도의 시간 변화가 미리 설정된 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 판단 모듈을 가지는 것이 바람직하고, 판정 모듈 및 판단 모듈은 모니터 모듈로부터 호출되는 호출 함수로 표현되어도 좋고, 또한, 모니터 모듈과 시계열적으로 나열되어 표현되어도 좋다. 또, 상기 프로그램은, 상술한 실시 형태에 따른 종점 검출 방법뿐만 아니라, 상술한 변형예를 포함하는 모든 종점 검출 방법에 대해 실행할 수 있도록 구성된다.
상술한 경우, 기억 매체로부터 판독된 프로그램 자체가 상술한 실시 형태의 기능을 실현하는 것으로 되고, 프로그램 및 그 프로그램을 기억한 기억 매체는 본 발명을 구성하게 된다.
또한, 프로그램을 공급하기 위한 기억 매체로서는, 예를 들면, RAM, NV-RAM, 플로피(등록 상표) 디스크, 하드 디스크, 광학 자기 디스크, CD-ROM, CD-R, CD-RW, DVD(DVD-ROM, DVD-RAM, DVD-RW, DVD+RW) 등의 광디스크, 자기 테이프, 비휘발성의 메모리 카드, 다른 ROM 등의 상기 프로그램을 기억할 수 있는 것이면 좋다. 혹은, 상기 프로그램은 인터넷, 상용 네트워크, 혹은 근거리 통신망 등에 접속되는 도시하지 않은 다른 컴퓨터나 데이터베이스 등으로부터 다운로드하는 것에 의해 컴퓨터에 공급되어도 좋다.
또, 컴퓨터의 CPU가 판독한 프로그램을 실행하는 것에 의해, 상기 실시 형태의 기능이 실현될 뿐만 아니라, 그 프로그램의 지시에 근거하여, CPU 상에서 가동하고 있는 OS(operating system) 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해서 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
또, 기억 매체로부터 판독된 프로그램이, 컴퓨터에 삽입된 기능 확장 보드나 컴퓨터에 접속된 기능 확장 유닛에 구비되는 메모리에 기입된 후, 그 프로그램의 지시에 근거하여, 그 기능 확장 보드나 기능 확장 유닛에 구비되는 CPU 등이 실제 처리의 일부 또는 전부를 행하고, 그 처리에 의해서 상술한 실시 형태의 기능이 실현되는 경우도 포함된다.
상기 프로그램의 형태는 오브젝트 코드, 인터프리터(interpreter)에 의해 실행되는 프로그램, OS에 공급되는 스크립트 데이터 등의 형태로 이루어져도 좋다.
D, E, F, G, H, I: 극값
L: 백색광
S: 기판
R: 반사광
10: 기판 처리 장치
14: 조사 유닛
15: 수광 유닛
19: 콘트롤러

Claims (10)

  1. 기판의 표면에서 특정 형상을 형성하는 처리 중에 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 조사광을 상기 기판의 표면에 조사하는 조사 스텝과,
    상기 기판의 표면으로부터의 반사광을 수광하는 수광 스텝과,
    상기 반사광에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광인 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 스텝과,
    특이적으로 변화하는 모니터광의 강도의 시간 변화가, 상기 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 판정 스텝과,
    상기 모니터광의 강도의 시간 변화가 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 판단 스텝
    을 가지는 것을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 특정 형상의 형성 완료시와, 상기 소정의 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 상기 모니터광으로서 미리 선정하는 선정 스텝을 더 가지는 것
    을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 선정 스텝에서는, 상기 처리 중에 순차적으로 나타나는 복수의 상기 특정 형상의 각각에 대해, 상기 소정의 특이점을 가지는 상기 모니터광을 선정하고,
    상기 모니터 스텝에서는, 상기 복수의 특정 형상에 대해 선정된 복수의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고,
    상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 각각의 강도의 시간 변화가, 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 것
    을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 선정 스텝에서는, 하나의 상기 특정 형상에 대해, 상기 소정의 특이점을 가지는 상기 모니터광을 복수 선정하고,
    상기 모니터 스텝에서는, 상기 선정된 복수의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고,
    상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 각각의 강도의 시간 변화가, 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고,
    상기 판단 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 강도의 시간 변화의 모두가 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 하나의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 것
    을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 선정 스텝에서는, 하나의 상기 특정 형상에 대해, 상기 소정의 특이점을 가지는 상기 모니터광을 복수 선정하고,
    상기 모니터 스텝에서는, 상기 선정된 복수의 상기 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하고,
    상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 각각의 강도의 시간 변화가, 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고,
    상기 판정 스텝에서는, 상기 복수의 모니터광의 강도의 시간 변화의 적어도 하나가 대응하는 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 하나의 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 것
    을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 모니터광의 강도는 상기 반사광에 포함되는 다른 파장의 광과의 대비로 규정되는 것
    을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 소정의 파장 대역을 가지는 조사광은 백색광인 것
    을 특징으로 하는 종점 검출 방법.
  8. 기판의 표면에서의 특정 형상의 형성의 완료를 검출하는 종점 검출 방법을 컴퓨터에게 실행시키는 프로그램으로서,
    기판의 표면에서 특정 형상을 형성하는 처리 중에 상기 기판의 표면에 조사된 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 조사광의 상기 기판의 표면으로부터의 반사광에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광인 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 모듈
    을 구비하되,
    상기 모니터 모듈은,
    특이적으로 변화하는 상기 모니터광의 강도의 시간 변화가, 상기 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하는 판정 모듈과,
    상기 모니터광의 강도의 시간 변화가 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 특정 형상의 형성이 완료돼다고 판단하는 판단 모듈을 가지는 것
    을 특징으로 하는 프로그램.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 특정 형상의 형성 완료시와, 상기 소정의 특이점의 출현 타이밍이 일치하는 파장의 광을 상기 모니터광으로서 미리 선정하는 선정 모듈을 더 구비하는 것
    을 특징으로 하는 프로그램.
  10. 기판의 표면에서 특정 형상을 형성하는 처리 중에 복수의 파장을 포함하는 소정의 파장 대역을 가지는 조사광을 상기 기판의 표면에 조사하는 조사 유닛과,
    상기 기판의 표면으로부터의 반사광을 수광하는 수광 유닛과,
    상기 반사광에 포함되는 적어도 하나의 파장의 광인 모니터광의 강도의 시간 변화를 모니터하는 모니터 유닛
    을 구비하되,
    상기 모니터 유닛은, 상기 모니터광의 강도의 시간 변화가, 상기 특정 형상의 형성의 완료에 대응하는 미리 설정된 소정의 특이점에 도달했는지 여부를 판정하고, 상기 모니터광의 강도가 상기 소정의 특이점에 도달했다고 판정된 경우, 상기 특정 형상의 형성이 완료됐다고 판단하는 것
    을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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