JP2014011301A

JP2014011301A - 半導体装置の製造方法

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Publication number: JP2014011301A
Application number: JP2012146820A
Authority: JP
Inventors: Isao Imaoka; 功今岡
Original assignee: Toyota Industries Corp
Current assignee: Toyota Industries Corp
Priority date: 2012-06-29
Filing date: 2012-06-29
Publication date: 2014-01-20
Anticipated expiration: 2032-06-29
Also published as: WO2014002576A1; JP6098048B2

Abstract

【課題】除去容易性を高めた支持基板を用いた、半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ結晶で形成された支持基板を真空中で所定温度に加熱して表面を構成しているＳｉを昇華させ、グラフェンが複数積層されたグラフェン積層膜を支持基板の表面の少なくとも一部に形成する成膜工程を備える。単結晶ＳｉＣで形成された半導体層を、グラフェン積層膜の表面に貼り合わせる貼り合わせ工程を備える。グラフェン積層膜のへき開面を起点として、支持基板に貼り合わせてある半導体層を支持基板から分離する分離工程を備える。
【選択図】図１

Description

本明細書では、半導体層貼り合わせ用の支持基板を用いた、半導体装置の製造方法に関する技術を開示する。

近年、薄膜状の単結晶の半導体層と支持基板とを貼り合わせることによって構成される、貼り合せ基板が開発されている。高品位の単結晶の半導体層を、デバイスの活性領域だけに使用することができるため、デバイスの低コスト化を図ることが可能となる。また、関連する文献として、例えば特許文献１が挙げられる。

特開２０１２−４２３２号公報

貼り合わせ基板の半導体層上にデバイスを製造した後においては、支持基板が不要となる。よって、貼り合わせ基板に用いる支持基板には、除去容易性が要求される。

本明細書では、半導体装置の製造方法を開示する。この半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ結晶で形成された支持基板を真空中で所定温度に加熱して表面を構成しているＳｉを昇華させ、Ｃを主体する層が複数積層された層状膜を支持基板の表面の少なくとも一部に形成する成膜工程を備える。半導体の単結晶で形成された半導体層を、層状膜の表面に貼り合わせる貼り合わせ工程を備える。層状膜のへき開面を起点として、支持基板に貼り合わせてある半導体層を支持基板から分離する分離工程を備える。

上記方法では、支持基板と半導体層とが、Ｃを主体する層が複数積層されている層状膜を介して接着されている、貼り合わせ基板を形成することができる。Ｃを主体する層の一例としては、グラフェンが挙げられる。層状膜は、層内の原子間の結合力よりも、層間の原子間の結合力の方が弱い特性を有している。よって層状膜は、各層に垂直な方向に最も分離し易いという、へき開する性質を有している。これにより分離工程において、層状膜を形成する複数のＣを主体する層を互いにへき開させることで、半導体層を支持基板から分離させることができる。よって、支持基板の除去容易性を高めることが可能となる。

本明細書に開示の技術によれば、除去容易性を高めた支持基板を用いた、半導体装置の製造方法を提供することができる。

貼り合わせ基板の斜視図である。支持基板の部分拡大図である。グラフェンの成長状態を示す模式図である。グラフェンの成長状態を示す模式図である。グラフェン積層膜が成膜されたＳｉＣ結晶粒の一部断面拡大図である。

以下、本明細書で開示する実施例の技術的特徴の幾つかを記す。なお、以下に記す事項は、各々単独で技術的な有用性を有している。

（特徴１）上記の半導体装置の製造方法では、半導体層は単結晶ＳｉＣであってもよい。半導体層を形成する単結晶ＳｉＣの結晶欠陥密度に比して、支持基板を形成するＳｉＣ結晶の結晶欠陥密度の方が高くてもよい。結晶性が低いＳｉＣ結晶（マイクロパイプ等の結晶欠陥が多い結晶）は、結晶性が高いＳｉＣ結晶（結晶欠陥が少ない結晶）よりも安価に製造することができる。そして支持基板は、半導体層を補強する基板であり、高い結晶性が要求されない基板であるため、半導体層を形成する単結晶ＳｉＣよりも結晶性が低い結晶を使用することができる。これにより、貼り合わせ基板のコストを低減することができる。また、半導体層と支持基板に同一材料であるＳｉＣ結晶を用いることで、熱膨張率を同等にすることができるため、貼り合わせ後に剥離が発生してしまう事態を防止することができる。

（特徴２）上記の半導体装置の製造方法では、支持基板を形成するＳｉＣ結晶は多結晶ＳｉＣであってもよい。分離工程は、半導体層が貼り合わせてある支持基板を複数に分割した後に、半導体層を支持基板から分離してもよい。支持基板は多結晶ＳｉＣで形成されているため、さまざまな面方くらいを有する結晶粒が支持基板の表面に表出している。また、層状膜は、ＳｉＣ結晶のある特定の面に対するオフセット角度が所定角度の範囲内である表面を有する結晶粒に、選択的に形成される場合がある。この場合、これらの面方位を有する結晶粒に選択的に層状膜を形成させることができるため、支持基板の表面に層状膜を点在させることが可能となる。よって、支持基板表面の全面に層状膜を形成する場合に比して、半導体層と支持基板との接着力を高めることができるため、意図せずに半導体層と支持基板とが分離してしまう事態を防止することが可能となる。また、支持基板を複数に分割することによって、半導体層と支持基板との接着面積を減らすことができる。よって、半導体層と支持基板との接着力の絶対値を、支持基板の分割前に比して小さくすることができる。これにより、支持基板の除去容易性を高めることが可能となる。なお、支持基板の分割方法の例としては、ダイシングによりチップを切り出す方法が挙げられる。

（特徴３）上記の半導体装置の製造方法では、支持基板を形成するＳｉＣ結晶は、主表面の面方位が（０００１）面である六方晶の単結晶ＳｉＣであってもよい。分離工程は、半導体層が貼り合わせてある支持基板を分割しない状態で、半導体層を支持基板から分離してもよい。層状膜は、六方晶のＳｉＣ結晶の（０００１）面に形成されやすい特性を有しているため、支持基板表面の全面に層状膜を成膜することができる。これにより、支持基板表面の一部に層状膜が成膜されている場合に比して、半導体層を支持基板から分離させやすくすることができる。よって、支持基板を分割しない状態で、半導体層を支持基板から分離させることができるため、分離後の支持基板を再利用することが可能となる。

（特徴４）上記の半導体装置の製造方法では、所定温度は１３００℃以上であってもよい。Ｃを主体する層はグラフェン（graphene）であってもよい。真空中で１３００℃以上でＳｉＣ結晶を加熱することで、ＳｉＣ結晶表面のＳｉ原子を昇華させ、残存したＣ原子によって自己組織的にグラフェンを形成させることができる。グラフェンは厚さ１原子層の炭素材料であるため、グラフェンを積層させることで層状膜を形成することができる。

＜貼り合わせ基板の構成＞
図１に、本実施例に係る貼り合わせ基板１０の斜視図を示す。貼り合わせ基板１０は略円盤状に形成されている。貼り合わせ基板１０は、下側に配置された支持基板１１と、支持基板１１の上面に配置されたグラフェン積層膜１２と、グラフェン積層膜１２の上面に貼り合わされた半導体層１３とを備えている。支持基板１１は、６Ｈポリタイプや４Ｈポリタイプなどの、多結晶ＳｉＣによって形成されていてもよい。グラフェン積層膜１２は、グラフェンが複数積層された層状膜である。グラフェンとは、二次元蜂の巣格子の格子点にＣ原子を配置した、厚さ１原子層の炭素材料である。またグラフェン積層膜１２は、層内の原子間の結合力よりも、層間の原子間の結合力の方が弱い特性を有している。よってグラフェン積層膜１２は、各層に垂直な方向に最も分離し易いという、へき開する性質を有している。半導体層１３は、例えば、化合物半導体（例：６Ｈ−ＳｉＣ、４Ｈ−ＳｉＣ、ＧａＮ、ＡｌＮ）の単結晶によって形成されていてもよい。また例えば、単元素半導体（例：Ｓｉ、Ｃ）の単結晶によって形成されていてもよい。また、半導体層１３を形成する半導体の単結晶の方が、支持基板１１を形成する多結晶ＳｉＣに比して、結晶欠陥密度が低くされている。

グラフェン積層膜１２が成膜された支持基板１１と、半導体層１３とは、別途に作製される。そして、常温接合、プラズマ接合、水酸基接合などの各種の接合法によって半導体層１３をグラフェン積層膜１２に貼り合わせることによって、貼り合わせ基板１０が形成される。支持基板１１の厚さＴ１１は、後工程加工に耐えることができる機械的強度が得られるように定めればよい。厚さＴ１１は、例えば、支持基板１１の直径が１００ｍｍである場合には、１００μｍ程度であってもよい。グラフェン積層膜１２の厚さＴ１２は、後述する分離工程を実施できるように定めればよい。半導体層１３の厚さＴ１３は、例えば、ウェハー表面に沿った方向にトランジスタ等の素子を形成する横型デバイスを製造する場合には、５μｍ以上であってもよい。また、ウェハー表面に垂直な方向に素子を形成する縦型デバイスを製造する場合には、厚さＴ１３は数十μｍであってもよい。

実施例１では、例として、半導体層１３が６Ｈポリタイプの単結晶ＳｉＣで形成されており、支持基板１１が６Ｈポリタイプの多結晶ＳｉＣで形成されている場合を、以下に説明する。

＜半導体装置の製造方法＞
実施例１に係る半導体装置の製造方法の製造方法は、成膜工程と、貼り合わせ工程と、分離工程と、を備えている。成膜工程は、グラフェン積層膜１２を支持基板１１の表面の少なくとも一部に形成する工程である。貼り合わせ工程は、ＳｉＣ単結晶で形成された半導体層１３を、グラフェン積層膜１２の表面に貼り合わせる工程である。分離工程は、グラフェン積層膜１２のへき開面を起点として、支持基板１１に貼り合わせてある半導体層１３を支持基板１１から分離する工程である。分離工程は、各種のデバイスが半導体層１３に形成された後に行われても良い。

＜成膜工程＞
成膜工程を説明する。成膜工程では、ＳｉＣ表面分解法によって、支持基板１１の表面の一部にグラフェン積層膜１２が成膜される。図２に、支持基板１１表面の部分拡大図を示す。支持基板１１は多結晶ＳｉＣで形成されているため、図２に示すように、様々な面方位を有する結晶粒が表出している。またＳｉＣ表面分解法を用いる場合には、六方晶のＳｉＣ結晶の特定の面に、グラフェン積層膜１２が選択的に形成されやすくなる。ＳｉＣ結晶の特定の面とは、（０００１）面に対するオフセット角度が所定角度（例えば１０°程度）の範囲内である面である。従って、例えば図２においてハッチングをかけた結晶粒２１が、前述の特定の面を有している場合には、結晶粒２１の表面に選択的にグラフェン積層膜１２を形成させることができる。よって、支持基板１１の表面にグラフェン積層膜１２を点在させることが可能となる。なお、特定の面を有さない結晶粒（図２においてハッチングをかけていない結晶粒）の表面には、成膜工程によって、へき開性を有さない炭素層が成膜される場合がある。

支持基板１１の表面をグラフェン積層膜１２が占める面積割合が大きくなるほど、支持基板１１と半導体層１３との接着力を弱めることができる。グラフェン積層膜１２が占める面積割合は、例えば、３０〜７０％の範囲であってもよい。また、グラフェン積層膜１２が形成される結晶粒の平均粒子径によっても、支持基板１１と半導体層１３との接着力を制御することが可能である。グラフェン積層膜１２が形成される結晶粒の平均粒子径は、例えば、数百μｍであってもよい。また、これらの結晶粒の平均粒子径は、貼り合わせ基板１０から切り出されるチップのチップサイズに応じて定められるとしてもよい。例えば、これらの結晶粒の平均粒子径を、チップの一辺の長さの半分以下にするとしてもよい。

ＳｉＣ表面分解法による、グラフェン積層膜１２の形成方法を説明する。支持基板１１の表面を洗浄した後に、真空炉（不図示）内に支持基板１１を載置する。そして、真空度１０^−４〜１０^−６（Ｔｏｒｒ）、１３５０〜１５００℃で、支持基板１１を加熱する。支持基板１１を真空中で加熱することにより、前述した特定の面を有するＳｉＣ結晶粒の表面では、Ｓｉ原子が昇華して、残存したＣ原子によって自己組織的にグラフェンが形成される。

グラフェンが成長するメカニズムを、図３および図４の模式図を用いて説明する。図３は、グラフェンの成長前の状態を示す図である。図４は、グラフェンの成長後の状態を示す図である。ハッチングされた大きな丸印はＳｉ原子を示しており、ハッチングされていない小さな丸印はＣ原子を示している。図３の支持基板１１では、ＳｉＣバイレイヤーＬ１からＬ６までの６層が存在している。ＳｉＣバイレイヤーとは、六角形格子構造のＣ原子からなる１層のＣ原子層と、六角形格子構造のＳｉ原子からなる１層のＳｉ原子層とが積層して形成されている層である。ＳｉＣバイレイヤーＬ１は、支持基板１１の表面に表出している。ＳｉＣバイレイヤーＬ２ないしＬ６は、支持基板１１のバルクを形成している。なお、ＳｉＣバイレイヤーＬ６の下層にはさらに多数のＳｉＣバイレイヤーが存在するが、図３および図４では図示を省略している。

図３の支持基板１１を真空中で加熱開始すると、ＳｉＣバイレイヤーＬ１ないしＬ３の３層分のＳｉ原子が昇華する。そして残存したＣ原子によって、自己組織的にグラフェンが形成される。これにより図４に示すように、Ｓｉ原子層ＳＬ１の上に、１層分のグラフェンＧ１が形成される。グラフェンＧ１のＣ原子の数密度は、Ｓｉ原子層ＳＬ１のＳｉ原子の数密度の３倍である。よって、グラフェン積層膜１２の六角形格子構造の方が、Ｓｉ原子層ＳＬ１の六角形格子構造よりも格子定数が小さい。

以降、真空中でのアニールが続行されると、上記のグラフェン形成のメカニズムに基づき、複数層のグラフェンが形成され、積層していく。これにより、グラフェンが複数積層されたグラフェン積層膜１２が形成される。

グラフェン積層膜１２の形成工程では、支持基板１１の加熱時間を長くするほどグラフェンの積層数を多くすることができる。グラフェンの積層数が多くなるほど、グラフェン積層膜１２がへき開しやすくなるため、支持基板１１と半導体層１３との接着力を弱くすることができる。よって、グラフェンの積層数は、支持基板１１と半導体層１３との接着力の要求値に基づいて決定すればよい。例えば、グラフェン積層膜１２のグラフェンの積層数は１〜５層の範囲内であってもよい。

＜貼り合わせ工程＞
貼り合わせ工程を説明する。例として、常温接合を行う場合を説明する。半導体層１３と支持基板１１を、不図示の常温接合装置のチャンバーにセットする。チャンバー内を真空状態にした上で、半導体層１３の裏面およびグラフェン積層膜１２の接合面に、イオンビームを照射する。これにより、材料表面の酸化膜や吸着層を除去して結合手を表出させることで、表面を活性化させることができる。その後、半導体層１３の裏面とグラフェン積層膜１２の接合面とを接触させることで、両層を接合させることができる。接合時の圧力は、１０〜５０ＭＰａの範囲内であってもよい。これにより、貼り合わせ基板１０が完成する。貼り合わせ基板１０は、通常の半導体装置でハンドリングするための厚みや強度を備えている。よって、貼り合わせ基板１０に対して、フォトリソグラフィやエッチング等の既知の各種の半導体プロセスを実施することができ、半導体層１３の表面に各種のデバイスを形成することができる。

＜分離工程＞
分離工程を説明する。分離工程では、第１のステップとして、貼り合わせ基板１０を複数に分割する。貼り合わせ基板１０の分割方法の例としては、ダイシングによりチップを切り出す方法が挙げられる。

第２のステップとして、分割後の貼り合わせ基板１０に対して、半導体層１３と支持基板１１とを分離させる方向の力を加える。これにより、グラフェン積層膜１２を形成する複数層のグラフェンを互いに分離させることで、グラフェン積層膜１２をへき開させることができる。よって、支持基板１１に貼り合わせてある半導体層１３を、支持基板１１から分離することができる。

＜実施例１の効果＞
グラフェン積層膜１２を介さずに、支持基板１１と半導体層１３とを直接に貼り合わせた場合には、研磨などによって支持基板１１を除去する必要がある。支持基板１１がＳｉＣ結晶で形成されている場合には、ＳｉＣは難削性の材料であるため、除去が困難である。本明細書に記載されている半導体装置の製造方法では、支持基板１１と半導体層１３との間に介在するグラフェン積層膜１２をへき開させることで、半導体層１３を支持基板１１から分離させることができる。これにより、研磨等の必要性を無くすことができるため、支持基板１１の除去容易性を高めることが可能となる。

グラフェン積層膜１２はへき開する性質を有するため、グラフェン積層膜１２が支持基板１１表面に成膜されている面積が大きくなるほど、支持基板１１と半導体層１３との接着力が弱くなる。実施例１に記載されている半導体装置の製造方法では、支持基板１１に多結晶ＳｉＣを用いているため、支持基板１１表面にグラフェン積層膜１２を点在させるように成膜することができる。よって、支持基板１１表面の全面にグラフェン積層膜１２を成膜する場合に比して、半導体層１３と支持基板１１との接着力を高めることができる。また分離工程では、貼り合わせ基板１０を複数に分割した後に、半導体層１３と支持基板１１とを分離する。貼り合わせ基板１０を分割することによって、半導体層１３と支持基板１１との接合面積を減少させることができる。よって、半導体層１３と支持基板１１との接着力の絶対値を、支持基板１１の分割前に比して小さくすることができるため、分割前に比して半導体層１３を支持基板１１から分離しやすくすることができる。以上より、貼り合わせ基板１０の分割前の状態においては、半導体層１３と支持基板１１との間に十分な接着力を発生させることができるため、貼り合わせ基板１０に各種の半導体プロセスを実施する場合に、半導体層１３と支持基板１１とが剥離してしまう事態を防止できる。また、貼り合わせ基板１０の分割後の状態においては、半導体層１３と支持基板１１との接着力を低下させることができるため、支持基板１１の除去容易性を高めることが可能となる。

支持基板１１は、半導体層１３を補強するための基板であり、高い結晶性が要求されない。よって支持基板１１には、半導体層１３を形成する単結晶ＳｉＣよりも結晶欠陥が多いＳｉＣ結晶を使用することができる。結晶欠陥が多いＳｉＣ結晶は、結晶欠陥が少ないＳｉＣ結晶よりも成長速度を高めることができ、安価に製造することができるため、支持基板１１の製造コストを低減することが可能となる。また、半導体層１３と支持基板１１に同一材料であるＳｉＣ結晶を用いることで、熱膨張率を同等にすることができるため、貼り合わせ後に剥離が発生してしまう事態を防止することができる。

図５に、グラフェン積層膜１２が成膜されたＳｉＣ結晶粒の、一部断面拡大図を示す。図５に示す結晶粒は、表面Ｆ２を備えている。表面Ｆ２の、ＳｉＣ結晶の（０００１）面に対するオフセット角度は、角度αである。また、角度αは、前述した所定角度の範囲内である。図５に示すように、表面Ｆ２には、（０００１）面の面方位を備える面Ｆ１がステップ状に断続的に表出している。面Ｆ１上には、面Ｆ１に対して垂直な方向Ｄ１に、グラフェン積層膜１２が成膜されている。ここで、面Ｆ２に対して垂直な方向を方向Ｄ２とすると、方向Ｄ１は方向Ｄ２に対して角度αだけ傾いている。また、支持基板１１の表面には様々な面方位を有する結晶粒が表出しているため、上述した角度αは、グラフェン積層膜１２が成膜されている結晶粒の各々ごとに異なる値となる。これにより、グラフェン積層膜１２がへき開しやすい方向である方向Ｄ１を、グラフェン積層膜１２が成膜されている結晶粒ごとに異ならせることができる。よって、貼り合わせ基板１０の全体を考えた場合に、半導体層１３と支持基板１１との間に、あらゆる方向の剥離力に対する十分な接着力を発生させることが可能となる。

＜貼り合わせ基板の構成＞
実施例１では、支持基板１１が多結晶ＳｉＣで形成されている形態を説明した。実施例２は、支持基板１１が単結晶ＳｉＣで形成されている形態を説明する。実施例２では、例として、支持基板１１が６Ｈポリタイプの単結晶ＳｉＣで形成されており、支持基板１１の主表面の面方位が（０００１）面である場合を説明する。なお、実施例２に係る貼り合わせ基板１０のその他の構成は、実施例１の貼り合わせ基板１０の構成と同様であるため、ここでは説明を省略する。

＜半導体装置の製造方法＞
支持基板１１は６Ｈポリタイプの単結晶ＳｉＣで形成されており、その主表面が（０００１）面とされている。また、ＳｉＣ表面分解法によって成膜されるグラフェン積層膜は、六方晶のＳｉＣ結晶の（０００１）面に成膜されやすい特性を有している。よって成膜工程では、支持基板１１の表面の全面にグラフェン積層膜１２が成膜される。なお、成膜されるグラフェン積層膜１２は、多結晶状態である。次に貼り合わせ工程において、半導体層１３の裏面とグラフェン積層膜１２の接合面とが貼り合わされる。なお、成膜工程および貼り合わせ工程の内容は、実施例１で説明済みであるため、ここでは説明を省略する。

支持基板１１表面の全面にグラフェン積層膜１２が成膜されているため、実施例１で説明したような支持基板１１表面の一部にグラフェン積層膜１２が成膜されている場合に比して、半導体層１３と支持基板１１との接着力を低減させることができる。よって分離工程では、貼り合わせ基板１０を分割しない状態で、半導体層１３と支持基板１１とを分離させることができる。

＜実施例２の効果＞
実施例２の貼り合わせ基板１０では、貼り合わせ基板１０を分割しない状態で、半導体層１３を支持基板１１から分離させることができるため、分離後の支持基板１１を再利用することが可能となる。また、グラフェン積層膜１２は、厚さ１原子層のグラフェンが数層〜数十層分積層した膜であるため、非常に薄い。よって、グラフェン積層膜１２を支持基板１１に繰り返し成膜しても、支持基板１１の厚さの減少量は無視できるほど小さいため、支持基板１１を繰り返して再利用することができる。

以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

＜変形例＞
本実施形態では、支持基板１１に６ＨポリタイプのＳｉＣ結晶を用いる場合を説明したが、この形態に限られない。ＳｉＣ表面分解法によってグラフェン積層膜を成膜できるＳｉＣ結晶であれば、何れのポリタイプのＳｉＣ結晶を支持基板１１に用いてもよい。例えば、４ＨポリタイプのＳｉＣ結晶を支持基板１１に用いることも可能である。

実施例２において、支持基板１１は、複数のポリタイプ（例：４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣなど）が混合している結晶構造のＳｉＣによって形成されていてもよい。複数のポリタイプが混合している結晶構造のＳｉＣでは、グラフェンが成膜される結晶構造を有する面と、グラフェンが成膜されない結晶構造を有する面が、支持基板１１の主表面に混在して表出している場合がある。よって、単一ポリタイプの結晶構造のＳｉＣにグラフェン積層膜１２を成膜する場合に比して、グラフェン積層膜１２が成膜される面積割合を低くすることができる。これにより、単一のポリタイプの結晶構造のＳｉＣを用いる場合に比して、半導体層１３と支持基板１１との接着力を高めることができる。また、複数のポリタイプが混合している結晶構造のＳｉＣは、厳密な温度制御を行うことなく成長させることができるため、単一ポリタイプの結晶構造のＳｉＣよりも成長速度を高めることができる。よって、支持基板を製造するコストを低減させることが可能となる。また、複数のポリタイプが混合している結晶構造のＳｉＣでは、マイクロパイプが表面に表出する場合がある。この場合、ＳｉＣの表面に各種の層を成膜することで、表面のマイクロパイプを埋め込んで平坦化することにより、マイクロパイプの影響を小さくすることが可能である。

貼り合わせ工程において、グラフェン積層膜１２に貼り合わされる半導体層１３は、１種類に限られない。例えば、グラフェン積層膜１２の接合面を複数のエリアに分割し、各エリアに異なる半導体層１３を貼り合わせるとしてもよい。

本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

１０：貼り合わせ基板、１１：支持基板、１２：グラフェン積層膜、１３：半導体層、２１：結晶粒

Claims

ＳｉＣ結晶で形成された支持基板を真空中で所定温度に加熱して表面を構成しているＳｉを昇華させ、Ｃを主体する層が複数積層された層状膜を前記支持基板の表面の少なくとも一部に形成する成膜工程と、
半導体の単結晶で形成された半導体層を、前記層状膜の表面に貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記層状膜のへき開面を起点として、前記支持基板に貼り合わせてある前記半導体層を前記支持基板から分離する分離工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記半導体層は単結晶ＳｉＣであり、
前記半導体層を形成する単結晶ＳｉＣの結晶欠陥密度に比して、前記支持基板を形成するＳｉＣ結晶の結晶欠陥密度の方が高いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
前記支持基板を形成する前記ＳｉＣ結晶は多結晶ＳｉＣであり、
前記分離工程は、前記半導体層が貼り合わせてある前記支持基板を複数に分割した後に、前記半導体層を前記支持基板から分離することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
前記支持基板を形成する前記ＳｉＣ結晶は、主表面の面方位が（０００１）面である六方晶の単結晶ＳｉＣであり、
前記分離工程は、前記半導体層が貼り合わせてある前記支持基板を分割しない状態で、前記半導体層を前記支持基板から分離することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
前記所定温度は１３００℃以上であり、
前記Ｃを主体する層はグラフェン（graphene）であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法。