JP2014010452A - ハプティック表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】小型化、薄型化および柔軟化が可能なハプティック表示装置を提供する。
【解決手段】ハプティック表示装置は、基板と、基板上に形成されており、スキャン信号を伝達する複数のスキャン線１２１と、スキャン線１２１と絶縁されて交差しており、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１と、スキャン線１２１またはデータ線１７１と絶縁され、ハプティック信号を伝達する複数のハプティック制御線４１０と、スキャン線１２１およびデータ線１７１に連結されており、行列形態に配列された複数の画素内にそれぞれ形成されている薄膜トランジスタ５０と、薄膜トランジスタ５０に連結されている第１電極１９０と、第１電極１９０に対向している第２電極２７０と、第１電極１９０と第２電極２７０との間に形成されている光調整部材とを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、ハプティック表示装置に関するものである。
表示装置（Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）には、液晶表示装置（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマ表示装置（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｄｅｖｉｃｅ）、有機発光表示装置（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ Ｄｉｓｐｌａｙ）などの平らで厚さの薄い薄型の表示装置がある。
このような表示装置のユーザインタフェースを提供するために視覚的または聴覚的信号を用いてきたが、最近は、ユーザインタフェースを向上させるために、ハプティック（ｈａｐｔｉｃ）として知られている触覚性フィードバックが研究されている。ハプティックとは、物体に触る時、人の指先に感じられる触覚性感覚であって、肌が物体の表面に当たって感じる触感フィードバックと、関節や筋肉の動きが妨げられる時に感じられる運動感覚性フィードバック（ｋｉｎｅｓｔｈｅｔｉｃ ｆｅｅｄｂａｃｋ）とを包括する概念である。このようなハプティック効果を提供するためには、振動素子のようなハプティックアクチュエータ（ｈａｐｔｉｃ ａｃｔｕａｔｏｒ）が追加的に内蔵され、別の装着空間が確保されなければならない。特に、小型化および薄型化が切実なモバイル機器の場合には、ハプティックアクチュエータの装着空間が制限され、表示装置の体積および重量が増加する問題があった。また、フレキシブル（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置に適用する場合、硬いハプティックアクチュエータによって表示装置が曲がりにくくなる。
本発明は、上述した背景技術の問題を解決するためのものであって、小型化、薄型化および柔軟化が可能なハプティック表示装置に関するものである。
本発明の一実施形態にかかるハプティック表示装置は、基板と、前記基板上に形成されており、スキャン信号を伝達する複数のスキャン線と、前記スキャン線と絶縁されて交差しており、データ信号を伝達する複数のデータ線と、前記スキャン線またはデータ線と絶縁され、ハプティック信号を伝達する複数のハプティック制御線と、前記スキャン線およびデータ線に連結されており、行列形態に配列された複数の画素内にそれぞれ形成されている薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに連結されている第１電極と、前記第１電極に対向している第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている光調整部材とを含むことができる。
前記ハプティック制御線は、前記第１電極と同層に形成されていてよい。
前記ハプティック制御線は、前記データ線と平行に形成されていてよい。
前記スキャン線と前記ハプティック制御線との交差部にはハプティック部材が形成されていてよい。
前記ハプティック制御線は、前記データ線と同数で形成されるか、前記データ線より少ない数で形成され得る。
前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成され得る。
前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と平行に形成されており、前記データ線と前記ハプティック制御線との交差部にはハプティック部材が形成されていてよい。
前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と同数で形成されるか、前記ハプティック制御線は、前記スキャン線より少ない数で形成され得る。
前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていてよい。
前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と同層に形成されていてよく、前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と平行に形成されていてよいし、前記ハプティック制御線と前記データ線との間にハプティック部材が形成されていてよい。
前記ハプティック制御線と前記第１電極との間にハプティック部材が形成されていてよく、前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていてよい。
前記ハプティック制御線は、前記データ線と同層に形成されており、前記ハプティック制御線は、前記データ線と平行に形成されており、前記スキャン線と前記ハプティック制御線との間にハプティック部材が形成されていてよい。
前記ハプティック制御線と前記第１電極との間にハプティック部材が形成されるか、前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていてよい。
また、本発明の他の実施形態にかかるハプティック表示装置は、基板と、前記基板上に形成されており、スキャン信号を伝達する複数のスキャン線と、前記スキャン線と絶縁されて交差しており、データ信号を伝達する複数のデータ線と、前記スキャン線と絶縁されて交差しており、駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線と、前記スキャン線またはデータ線と絶縁されて交差し、ハプティック信号を伝達する複数のハプティック制御線と、前記スキャン線およびデータ線に連結されているスイッチング薄膜トランジスタと、前記スイッチング薄膜トランジスタおよび前記駆動電圧線に連結されている駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタに連結されている第１電極と、前記第１電極上に形成されている有機発光素子と、前記有機発光素子上に形成されている第２電極とを含むことができる。
前記ハプティック制御線は、前記第１電極と同層に形成されており、前記ハプティック制御線は、前記データ線と平行に形成されており、前記スキャン線と前記ハプティック制御線との交差部にはハプティック部材が形成されていてよい。
本発明によれば、ハプティック表示装置の内部にハプティック制御線およびハプティック部材を形成することにより、ハプティック表示装置の小型化および薄型化が可能である。
また、別のハプティックアクチュエータを必要としないため、フレキシブル表示装置にも適用可能である。
さらに、ハプティック部材を画素の数だけ形成できるため、ハプティックの解像度が向上する。
本発明の第１実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図１のハプティック表示装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 本発明の第３実施形態にかかるハプティック表示装置を図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第４実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図５のハプティック表示装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第５実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 本発明の第６実施形態にかかるハプティック表示装置を図５のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第７実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図９のハプティック表示装置をＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第８実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図１１のハプティック表示装置をＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第９実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図１３のハプティック表示装置をＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第１０実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図１５のハプティック表示装置をＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第１１実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図１７のハプティック表示装置をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第１２実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図１９のハプティック表示装置をＸＸ−ＸＸ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第１３実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。 図２１のハプティック表示装置をＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図２１のハプティック表示装置をＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。 本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の１画素の等価回路図である。 本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の１画素における複数の薄膜トランジスタおよびキャパシタの位置を概略的に示す図である。 本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の画素の配置図である。 図２６のハプティック表示装置をＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿って切断した断面図である。 図２６のハプティック表示装置をＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
以下、添付した図面を参考にして、本発明の様々な実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。本発明は、種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
本発明を明確に説明するために説明上不必要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似の構成要素については同一の参照符号を付す。
また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは説明の便宜のために任意に示したので、本発明が必ずしも図示したものに限定されない。
図面において、様々な層および領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。そして、図面において、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分「の上に」または「上に」あるとする時、これは、他の部分の「直上に」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
以下、本発明の第１実施形態にかかるハプティック表示装置について、図１および図２を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図２は、図１のハプティック表示装置をＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
図１および図２に示すように、本発明の第１実施形態にかかるハプティック表示装置は、基板１１０と、基板１１０上に形成されており、スキャン信号を伝達する複数のスキャン線１２１と、スキャン線１２１と絶縁されて交差しており、データ信号を伝達する複数のデータ線１７１と、ハプティック信号を伝達する複数のハプティック制御線４１０と、スキャン線１２１およびデータ線１７１に連結されている薄膜トランジスタ５０と、薄膜トランジスタ５０に連結されている第１電極１９０と、第１電極１９０に対向している第２電極２７０とを含む。
基板１１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板として形成され得る。
スキャン線１２１は、行方向に沿って長く延びており、基板１１０とスキャン線１２１との間には別のバッファ層（図示せず）を形成し、不純元素の浸透を防止し表面を平坦化することができ、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などで形成され得る。
スキャン線１２１とデータ線１７１との間には、スキャン線１２１とデータ線１７１とを互いに絶縁させる層間絶縁膜１６０が形成されており、層間絶縁膜１６０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成され得る。
データ線１７１は、スキャン線１２１に垂直な列方向に沿って長く延びており、データ線１７１上には保護膜１８０が形成されている。
薄膜トランジスタ５０は、行列形態に配列された複数の画素内にそれぞれ形成されており、別の半導体層（図示せず）と、スキャン線１２１に連結されたゲート電極と、データ線１７１に連結されたソース電極およびドレイン電極とからなる。
半導体層は、ポリシリコンまたは酸化物半導体からなり得る。酸化物半導体は、チタン（Ｔｉ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）またはインジウム（Ｉｎ）を基本とする酸化物、これらの複合酸化物である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム−ガリウム−亜鉛酸化物（ＩｎＧａＺｎＯ４）、インジウム−亜鉛酸化物（Ｚｎ−Ｉｎ−Ｏ）、亜鉛−スズ酸化物（Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ジルコニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｒ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−亜鉛−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−スズ−アルミニウム酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｏ）、インジウム−アルミニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−タンタル酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｏ）、インジウム−タンタル−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−タンタル−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−タンタル−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｔａ−Ｇａ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｚｎ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−スズ酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｓｎ−Ｏ）、インジウム−ゲルマニウム−ガリウム酸化物（Ｉｎ−Ｇｅ−Ｇａ−Ｏ）、チタン−インジウム−亜鉛酸化物（Ｔｉ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）、ハフニウム−インジウム−亜鉛酸化物（Ｈｆ−Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）のうちのいずれか１つを含むことができる。半導体層が酸化物半導体からなる場合には、高温などの外部環境に脆弱な酸化物半導体を保護するために、別の保護層が追加可能である。
第１電極１９０は、保護膜１８０上に形成されており、第１電極１９０の周縁に隣接して第１電極１９０を露出する隔壁３５０が形成されており、第１電極１９０と第２電極２７０との間には、液晶層、有機発光層などの光調整部材３００が形成され得る。
ハプティック制御線４１０は、スキャン線１２１と絶縁され、第１電極１９０と同層に形成されており、データ線１７１と平行に形成されている。
行方向のスキャン線１２１と列方向のハプティック制御線４１０との交差部にはハプティック部材５１０が形成されている。ハプティック部材５１０は、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間に形成されており、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間の層間絶縁膜１６０および保護膜１８０にそれぞれ形成されたハプティック口１６１、１８１にハプティック部材５１０が満たされている。ハプティック制御線４１０は、データ線１７１と同数で形成されているため、ハプティック部材５１０は、画素の数と同数で形成され得る。このようなハプティック部材５１０は、インクジェットプリンティング装置でハプティック部材５１０を基板に直接載せて硬化させるインクジェットプリンティング工程により、数μｍの大きさに形成することができる。
ハプティック部材５１０は、電気活性高分子（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ａｃｔｉｖｅ Ｐｏｌｙｍｅｒ、ＥＡＰ）、ピエゾ（Ｐｉｅｚｏ）物質を含み、電位差により物理的膨張収縮が可能な物質である。ハプティック部材５１０としては、ポリビニリデンフルオライド（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ、ＰＶＤＦ）、ポリジメチルシロキサン（Ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｙｌ ｓｉｌｏｘａｎ、ＰＤＭＳ）、ポリビニリデンフルオライド−コ−トリフルオロエチレン（Ｐｏｌｙｖｉｎｙｌｉｄｅｎｅ ｆｌｕｏｒｉｄｅ−ｃｏ−ｔｒｉｆｌｕｏｒｏｅｔｈｙｌｅｎｅ、ＰＶＦＴ）などがその例である。
ハプティック部材５１０に使用されるピエゾ物質は、バイエル社のｖｉｖｉ ｔｏｕｃｈ、３Ｍ社のＶＨＢ４９１０などを含み、３Ｍ社のＶＨＢ４９１０は、アクリルエラストマー（Ａｃｒｙｌｉｃ ｅｌａｓｔｏｍｅｒ）に相当する。
ハプティック部材５１０の下部に位置するスキャン線１２１とハプティック部材５１０の上部に位置するハプティック制御線４１０との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５１０をなす電気活性高分子の分極によって生成されるクーロン力によりハプティック部材５１０の高さが変形し、ハプティック部材５１０の高さの変形を利用してハプティック振動を生成する。
このように、表示装置の内部にハプティック制御線４１０およびハプティック部材５１０を形成することにより、別のハプティックアクチュエータを必要としないため、ハプティック表示装置の小型化および薄型化が可能で、フレキシブル表示装置にも適用可能である。
また、ハプティック部材５１０を画素の数だけ形成可能なため、ハプティック解像度を向上させることができる。
前記第１実施形態では、別のハプティック制御線４１０を形成したが、別のハプティック制御線４１０を形成せずにスキャン線１２１またはデータ線１７１をハプティック制御線として用いることができ、この場合には、ハプティック振動を発生させるための電圧差生成のために別の基準電極線が設置され得る。
一方、前記第１実施形態では、ハプティック制御線４１０は、データ線１７１と同数で形成されているが、ハプティック制御線４１０は、データ線１７１より少ない数で形成される第２実施形態も可能である。
以下、図３を参照して、本発明の第２実施形態にかかるハプティック表示装置について詳細に説明する。
図３は、本発明の第２実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。
第２実施形態は、図１および図２に示された第１実施形態と比較して、ハプティック制御線の数だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図３に示すように、本発明の第２実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４１０は、データ線１７１より少ない数で形成され得る。図３に示されたハプティック制御線４１０は、２つのデータ線１７１ごとに１つずつ形成されている。したがって、ハプティック制御線４１０とスキャン線１２１との交差部に形成されるハプティック部材５１０の数も第１実施形態より少なくなる。ハプティック部材５１０による振動は指などの触覚を通して認知することになるため、指の大きさより非常に小さい大きさのハプティック部材５１０がすべての画素ごとに形成されずに一部の画素にのみ形成されても、指などはハプティック振動を十分に認知することができる。
一方、前記第１実施形態では、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間にハプティック部材５１０が形成されているが、ハプティック制御線４１０と第２電極２７０との間にハプティック部材５１０が形成される第３実施形態も可能である。
以下、図４を参照して、本発明の第３実施形態にかかるハプティック表示装置について詳細に説明する。
図４は、本発明の第３実施形態にかかるハプティック表示装置を図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
第３実施形態は、図１および図２に示された第１実施形態と比較して、ハプティック部材の位置だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図４に示すように、本発明の第３実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック部材５１０は、ハプティック制御線４１０と第２電極２７０との間に形成されており、ハプティック制御線４１０と第２電極２７０との間の隔壁３５０に形成されたハプティック口３５２にハプティック部材５１０が満たされている。ハプティック制御線４１０は、データ線１７１と同数で形成されているため、ハプティック部材５１０は、画素の数と同数で形成され得る。
ハプティック制御線４１０にハプティック信号が印加され、ハプティック部材５１０の下部に位置するハプティック制御線４１０とハプティック部材５１０の上部に位置する第２電極２７０との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５１０をなす電気活性高分子の分極によって生成されるクーロン力によりハプティック部材５１０の高さが変形し、ハプティック部材５１０の高さの変形を利用してハプティック振動を生成する。
一方、前記第１実施形態では、ハプティック制御線がデータ線と平行に形成されているが、ハプティック制御線がスキャン線と平行に形成される第４実施形態も可能である。
以下、図５を参照して、本発明の第４実施形態にかかるハプティック表示装置について詳細に説明する。
図５は、本発明の第４実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図６は、図５のハプティック表示装置をＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
第４実施形態は、図１および図２に示された第１実施形態と比較して、ハプティック制御線だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図５および図６に示すように、本発明の第４実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４２０は、データ線１７１と絶縁されて第１電極１９０と同層に形成されており、スキャン線１２１と平行に形成されている。
列方向のデータ線１７１と行方向のハプティック制御線４２０との交差部にはハプティック部材５２０が形成されている。ハプティック部材５２０は、データ線１７１とハプティック制御線４２０との間に形成されており、データ線１７１とハプティック制御線４２０との間の保護膜１８０に形成されたハプティック口１８１にハプティック部材５２０が満たされている。ハプティック制御線４２０は、スキャン線１２１と同数で形成されているため、ハプティック部材５２０は、画素の数と同数で形成され得る。
ハプティック制御線４２０にハプティック信号が印加され、ハプティック部材５２０の下部に位置するデータ線１７１とハプティック部材５２０の上部に位置するハプティック制御線４２０との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５２０をなす電気活性高分子の分極によって生成されるクーロン力によりハプティック部材５２０の高さが変形し、ハプティック部材５２０の高さの変形を利用してハプティック振動を生成する。
一方、前記第４実施形態では、ハプティック制御線は、スキャン線と同数で形成されているが、ハプティック制御線は、スキャン線より少ない数で形成される第５実施形態も可能である。
図７は、本発明の第５実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図である。
第５実施形態は、図５および図６に示された第４実施形態と比較して、ハプティック制御線の数だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図７に示すように、本発明の第５実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４２０は、スキャン線１２１より少ない数で形成され得る。図７に示されたハプティック制御線４２０は、２つのスキャン線１２１ごとに１つずつ形成されている。したがって、ハプティック制御線４２０とスキャン線１２１との交差部に形成されるハプティック部材５２０の数も第４実施形態より少なくなる。ハプティック部材５２０による振動は指などの触覚を通して認知することになるため、指の大きさより非常に小さい大きさのハプティック部材５２０がすべての画素ごとに形成されずに一部の画素にのみ形成されても、指などはハプティック振動を十分に認知することができる。
一方、前記第４実施形態では、データ線１７１とハプティック制御線４２０との間にハプティック部材５２０が形成されているが、ハプティック制御線４２０と第２電極２７０との間にハプティック部材５２０が形成される第６実施形態も可能である。
図８は、本発明の第６実施形態にかかるハプティック表示装置を図５のＶＩ−ＶＩ線に沿って切断した断面図である。
第６実施形態は、図５および図６に示された第４実施形態と比較して、ハプティック部材の位置だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図８に示すように、本発明の第６実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック部材５２０は、第１電極１９０と同層に形成されたハプティック制御線４２０と第２電極２７０との間に形成されており、ハプティック制御線４２０と第２電極２７０との間の隔壁３５０に形成されたハプティック口３５２にハプティック部材５２０が満たされている。
ハプティック制御線４２０にハプティック信号が印加され、ハプティック部材５２０の下部に位置するハプティック制御線４２０とハプティック部材５２０の上部に位置する第２電極２７０との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５２０の高さが変形し、ハプティック振動を生成する。
一方、前記第４実施形態では、ハプティック制御線が第１電極と同層に形成されるが、ハプティック制御線がスキャン線と同層に形成される第７実施形態も可能である。
図９は、本発明の第７実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図１０は、図９のハプティック表示装置をＸ−Ｘ線に沿って切断した断面図である。
第７実施形態は、図５および図６に示された第４実施形態と比較して、ハプティック制御線の位置だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図９および図１０に示すように、本発明の第７実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４３０は、データ線１７１と絶縁されてスキャン線１２１と同層に形成されており、スキャン線１２１と平行に形成されている。
列方向のデータ線１７１と行方向のハプティック制御線４３０との交差部にはハプティック部材５３１が形成されている。ハプティック部材５３１は、データ線１７１とハプティック制御線４３０との間に形成されており、データ線１７１とハプティック制御線４３０との間の層間絶縁膜１６０に形成されたハプティック口１６１にハプティック部材５３１が満たされている。ハプティック制御線４３０は、スキャン線１２１と同数で形成されるか、スキャン線１２１より少ない数で形成され得る。
ハプティック制御線４３０にハプティック信号が印加され、ハプティック部材５３１の下部に位置するハプティック制御線４３０とハプティック部材５３１の上部に位置するデータ線１７１との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５３１をなす電気活性高分子の分極によって生成されるクーロン力によりハプティック部材５３１の高さが変形し、ハプティック部材５３１の高さの変形を利用してハプティック振動を生成する。
一方、前記第７実施形態では、ハプティック部材は、ハプティック制御線とデータ線との間に形成されるが、ハプティック部材がハプティック制御線と第２電極との間またはハプティック制御線と第１電極との間にそれぞれ形成される第８実施形態および第９実施形態も可能である。
図１１は、本発明の第８実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図１２は、図１１のハプティック表示装置をＸＩＩ−ＸＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図１３は、本発明の第９実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図１４は、図１３のハプティック表示装置をＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切断した断面図である。
第８実施形態および第９実施形態は、図９および図１０に示された第７実施形態と比較して、ハプティック部材の位置だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図１１および図１２に示すように、本発明の第８実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４３０は、データ線１７１と絶縁されてスキャン線１２１と同層に形成されており、スキャン線１２１と平行に形成されている。
ハプティック部材５３２は、ハプティック制御線４３０と第２電極２７０との間に形成されており、ハプティック制御線４３０と第２電極２７０との間の層間絶縁膜１６０、保護膜１８０および隔壁３５０にそれぞれ形成されたハプティック口１６１、１８１、３５２にハプティック部材５３２が満たされている。ハプティック制御線４３０は、スキャン線１２１と同数で形成されるか、スキャン線１２１より少ない数で形成され得る。
また、図１３および図１４に示すように、本発明の第９実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック部材５３３は、ハプティック制御線４３０と第１電極１９０との間に形成されており、ハプティック制御線４３０と第１電極１９０との間の層間絶縁膜１６０および保護膜１８０にそれぞれ形成されたハプティック口１６１、１８１にハプティック部材５３３が満たされている。ハプティック制御線４３０は、スキャン線１２１と同数で形成されるか、スキャン線１２１より少ない数で形成され得る。
一方、前記第１実施形態では、ハプティック制御線が第１電極と同層に形成されるが、ハプティック制御線がデータ線と同層に形成される第１０実施形態も可能である。
図１５は、本発明の第１０実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図１６は、図１５のハプティック表示装置をＸＶＩ−ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
第１０実施形態は、図１および図２に示された第１実施形態と比較して、ハプティック制御線の位置だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図１５および図１６に示すように、本発明の第１０実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４４０は、スキャン線１２１と絶縁されてデータ線１７１と同層に形成されており、データ線１７１に隣接して平行に形成されている。
行方向のスキャン線１２１と列方向のハプティック制御線４４０との交差部にはハプティック部材５４１が形成されている。ハプティック部材５４１は、スキャン線１２１とハプティック制御線４４０との間に形成されており、スキャン線１２１とハプティック制御線４４０との間の層間絶縁膜１６０に形成されたハプティック口１６１にハプティック部材５４１が満たされている。ハプティック制御線４４０は、データ線１７１と同数で形成されるか、データ線１７１より少ない数で形成され得る。
一方、前記第１０実施形態では、ハプティック部材がスキャン線とハプティック制御線との間に形成されるが、ハプティック部材がハプティック制御線と第２電極との間またはハプティック制御線と第１電極との間にそれぞれ形成される第１１実施形態および第１２実施形態も可能である。
図１７は、本発明の第１１実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図１８は、図１７のハプティック表示装置をＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図１９は、本発明の第１２実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図２０は、図１９のハプティック表示装置をＸＸ−ＸＸ線に沿って切断した断面図である。
第１１実施形態および第１２実施形態は、図１５および図１６に示された第１０実施形態と比較して、ハプティック部材の位置だけを除いて実質的に同一であるので、繰り返しの説明は省略する。
図１７および図１８に示すように、本発明の第１１実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック制御線４４０は、スキャン線１２１と絶縁されてデータ線１７１と同層に形成されており、データ線１７１に隣接して平行に形成されている。
ハプティック部材５４２は、ハプティック制御線４４０と第２電極２７０との間に形成されており、ハプティック制御線４４０と第２電極２７０との間の保護膜１８０および隔壁３５０にそれぞれ形成されたハプティック口１８１、３５２にハプティック部材５４２が満たされている。ハプティック制御線４４０は、データ線１７１と同数で形成されるか、データ線１７１より少ない数で形成され得る。
また、図１９および図２０に示すように、本発明の第１２実施形態にかかるハプティック表示装置のハプティック部材５４３は、ハプティック制御線４４０と第１電極１９０との間に形成されており、ハプティック制御線４４０と第１電極１９０との間の保護膜１８０に形成されたハプティック口１８１にハプティック部材５４３が満たされている。ハプティック制御線４４０は、データ線１７１と同数で形成されるか、データ線１７１より少ない数で形成され得る。
一方、以上では、ハプティック表示装置の概略的な構造に適用されるハプティック制御線およびハプティック部材に関する実施形態について説明したが、以下、有機発光表示装置に適用された第１３実施形態にかかるハプティック表示装置について具体的に説明する。
図２１は、本発明の第１３実施形態にかかるハプティック表示装置の配置図であり、図２２は、図２１のハプティック表示装置をＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図２３は、図２１のハプティック表示装置をＸＸＩＩＩ−ＸＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
図２１ないし図２３に示すように、本発明の第１３実施形態にかかるハプティック表示装置は、１画素ごとにそれぞれ形成されたスイッチング薄膜トランジスタ１０と、駆動薄膜トランジスタ２０と、蓄電素子８０と、有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇ ｄｉｏｄｅ、ＯＬＥＤ）７０とを含む。そして、行方向に沿って配置されるスキャン線１２１と、スキャン線１２１と絶縁交差するデータ線１７１および駆動電圧線１７２とをさらに含む。ここで、１画素は、スキャン線１２１、データ線１７１および駆動電圧線１７２を境界として定義できるが、必ずしもこれに限定されるものではない。
有機発光素子７０は、第１電極１９０と、第１電極１９０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された第２電極２７０とを含む。ここで、第１電極１９０は正孔注入電極の陽（＋）極であり、第２電極２７０は電子注入電極の陰（−）極となる。しかし、本発明にかかる実施形態が必ずしもこれに限定されるものではなく、駆動方法によっては、第１電極１９０が陰極となり、第２電極２７０が陽極となっていてもよい。第１電極１９０および第２電極２７０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入される。注入された正孔と電子とが結合したエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光が行われる。
有機発光層７２０は、低分子有機物またはＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）などの高分子有機物からなる。また、有機発光層７２０は、発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの１つ以上とを含む多重膜で形成され得る。これらすべてを含む場合、正孔注入層が陽極の第１電極１９０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
有機発光層７２０は、赤色を発光する赤色有機発光層と、緑色を発光する緑色有機発光層と、青色を発光する青色有機発光層とを含むことができ、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層はそれぞれ、赤色画素、緑色画素および青色画素に形成されてカラー画像を実現することになる。
また、有機発光層７２０は、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層を赤色画素、緑色画素および青色画素にすべて共に積層し、各画素ごとに赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することができる。他の例として、白色を発光する白色有機発光層を赤色画素、緑色画素および青色画素のすべてに形成し、各画素ごとにそれぞれ赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタおよび青色カラーフィルタを形成してカラー画像を実現することもできる。白色有機発光層とカラーフィルタを用いてカラー画像を実現する場合、赤色有機発光層、緑色有機発光層および青色有機発光層をそれぞれの個別画素、つまり、赤色画素、緑色画素および青色画素に蒸着するための蒸着マスクを用いなくてもよい。
他の例で説明した白色有機発光層は、１つの有機発光層で形成できることはいうまでもなく、複数の有機発光層を積層して白色を発光できるようにした構成までを含む。例として、少なくとも１つのイエロー有機発光層と少なくとも１つの青色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能とした構成、少なくとも１つのシアン有機発光層と少なくとも１つの赤色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能とした構成、少なくとも１つのマゼンタ有機発光層と少なくとも１つの緑色有機発光層とを組み合わせて白色発光を可能とした構成なども含むことができる。
蓄電素子８０は、層間絶縁膜１６０を挟んで配置された第１蓄電板１２８と第２蓄電板１７８とを含む。ここで、層間絶縁膜１６０は誘電体となる。蓄電素子８０で蓄電された電荷と両蓄電板１２８、１７８との間の電圧により蓄電容量が決定される。
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スイッチング半導体層１３１ｂと、スイッチングゲート電極１２２と、スイッチングソース電極１７３およびスイッチングドレイン電極１７５とを含み、駆動薄膜トランジスタ２０は、駆動半導体層１３１ａと、駆動ゲート電極１２５と、駆動ソース電極１７６および駆動ドレイン電極１７７とを含む。
スイッチング薄膜トランジスタ１０は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１２２はスキャン線１２１に連結される。スイッチングソース電極１７３はデータ線１７１に連結される。スイッチングドレイン電極１７５は、スイッチングソース電極１７３から離隔配置され、第１蓄電板１２８に連結される。
駆動薄膜トランジスタ２０は、選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を第１電極１９０に印加する。駆動ゲート電極１２５は第１蓄電板１２８に連結される。駆動ソース電極１７６および第２蓄電板１７８はそれぞれ駆動電圧線１７２に連結される。駆動ドレイン電極１７７は、電極コンタクトホール（ｃｏｎｔａｃｔ ｈｏｌｅ）１８２を介して有機発光素子７０の第１電極１９０に連結される。
この構造により、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、スキャン線１２１に印加されるゲート電圧によって作動し、データ線１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスタ２０に伝達する役割を果たす。駆動電圧線１７２から駆動薄膜トランジスタ２０に印加される共通電圧と、スイッチング薄膜トランジスタ１０から伝達されたデータ電圧との差に相当する電圧が蓄電素子８０に格納され、蓄電素子８０に格納された電圧に対応する電流が、駆動薄膜トランジスタ２０を介して有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光することになる。
ハプティック制御線４１０は、ハプティック信号を伝達する役割を果たし、スキャン線１２１と絶縁されて第１電極１９０と同層に形成されており、データ線１７１と平行に形成されている。
行方向のスキャン線１２１と列方向のハプティック制御線４１０との交差部にはハプティック部材５１０が形成されている。
以下、図２２および図２３を参照して、本発明の第１３実施形態にかかるハプティック表示装置の構造について、積層順序に従って具体的に説明する。
また、以下、駆動薄膜トランジスタ２０を中心として薄膜トランジスタの構造について説明する。そして、スイッチング薄膜トランジスタ１０は、駆動薄膜トランジスタとの相違点だけを簡略に説明する。
本発明の実施形態にかかるハプティック表示装置は、基板１１０上にバッファ層１２０が形成されている。バッファ層１２０は、不純元素の浸透を防止し表面を平坦化する役割を果たすもので、このような役割を果たせる多様な物質で形成され得る。一例として、バッファ層１２０は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちのいずれか１つが使用可能である。
バッファ層１２０上には駆動半導体層１３１ａが形成される。駆動半導体層１３１ａは、多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３１ａは、不純物がドーピングされないチャネル領域１３５と、チャネル領域１３５の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域１３６およびドレイン領域１３７とを含む。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスタの種類に応じて異なる。
本発明の第１３実施形態では、駆動薄膜トランジスタ２０として、Ｐ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスタが用いられたが、これに限定されるものではない。したがって、駆動薄膜トランジスタ２０として、ＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスタもすべて使用可能である。
また、図２２に示された駆動薄膜トランジスタ２０は、多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスタであるが、図２２に示されていないスイッチング薄膜トランジスタ１０は、多結晶薄膜トランジスタであってもよく、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスタであってもよい。
駆動半導体層１３１ａ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１２５を含むゲート配線が形成される。また、ゲート配線は、スキャン線１２１、第１蓄電板１２８、およびその他配線をさらに含む。そして、駆動ゲート電極１２５は、駆動半導体層１３１ａの少なくとも一部、特に、チャネル領域１３５と重なるように形成される。
ゲート絶縁膜１４０上には、駆動ゲート電極１２５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は、駆動半導体層１３１ａのソース領域１３６およびドレイン領域１３７を露出する貫通孔を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などのセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）系の素材を用いて作られる。
層間絶縁膜１６０上には、駆動ソース電極１７６および駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。また、データ配線は、データ線１７１、駆動電圧線１７２、第２蓄電板１７８、およびその他配線をさらに含む。そして、駆動ソース電極１７６および駆動ドレイン電極１７７はそれぞれ、層間絶縁膜１６０およびゲート絶縁膜１４０に形成された貫通孔を介して駆動半導体層１３１ａのソース領域１３６およびドレイン領域１３７に連結される。
このように、駆動半導体層１３１ａ、駆動ゲート電極１２５、駆動ソース電極１７６および駆動ドレイン電極１７７を含む駆動薄膜トランジスタ２０が形成される。駆動薄膜トランジスタ２０の構成は、前述した例に限定されず、当該技術分野における専門家が容易に実施できる公知の構成に多様に変形可能である。
層間絶縁膜１６０上には、データ配線１７２、１７６、１７７、１７８を覆う保護膜１８０が形成される。保護膜１８０は、その上に形成される有機発光素子７０の発光効率を向上させるために、段差を無くして平坦化させる役割を果たす。また、保護膜１８０は、ドレイン電極１７７の一部を露出させるコンタクトホール１８２を有する。
保護膜１８０は、アクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ ｒｅｓｉｎ）、フェノール樹脂（ｐｈｅｎｏｌｉｃ ｒｅｓｉｎ）、ポリアミド系樹脂（ｐｏｌｙａｍｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド系樹脂（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ ｒｅｉｎ）、不飽和ポリエステル系樹脂（ｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄ ｐｏｌｙｅｓｔｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレン系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｔｈｅｒｓ ｒｅｓｉｎ）、ポリフェニレンスルフィド系樹脂（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅｓｕｌｆｉｄｅｓ ｒｅｓｉｎ）、およびベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）のうちの１つ以上の物質などで作ることができる。
また、本発明にかかる実施形態は、前述した構造に限定されるものではなく、場合によっては、保護膜１８０および層間絶縁膜１６０のうちのいずれか１つは省略されてもよい。
ハプティック部材５１０は、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間に形成されており、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間の層間絶縁膜１６０および保護膜１８０にそれぞれ形成されたハプティック口１６１、１８１にハプティック部材５１０が満たされている。ハプティック制御線４１０は、データ線１７１と同数で形成されているため、ハプティック部材５１０は、画素の数と同数で形成され得る。
ハプティック部材５１０の下部に位置するスキャン線１２１とハプティック部材５１０の上部に位置するハプティック制御線４１０との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５１０をなす電気活性高分子の分極によって生成されるクーロン力によりハプティック部材５１０の高さが変形し、ハプティック部材５１０の高さの変形を利用してハプティック振動を生成する。
このように、表示装置の内部にハプティック制御線４１０およびハプティック部材５１０を形成することにより、別のハプティックアクチュエータを必要としないため、ハプティック表示装置の小型化および薄型化が可能で、フレキシブル表示装置にも適用可能である。
また、ハプティック部材５１０を画素の数だけ形成可能なため、ハプティック解像度を向上させることができる。
保護膜１８０上には有機発光素子７０の第１電極１９０が形成されている。複数の画素ごとにそれぞれ複数の第１電極１９０が形成されている。この時、複数の第１電極１９０は互いに離隔配置される。第１電極１９０は、保護膜１８０のコンタクトホール１８２を介してドレイン電極１７７に連結される。
また、保護膜１８０上には、第１電極１９０を露出する開口部を有する隔壁３５０が形成される。つまり、隔壁３５０は、各画素ごとに形成された複数の開口部を有する。そして、第１電極１９０は、隔壁３５０の開口部に対応するように配置される。しかし、第１電極１９０が必ずしも隔壁３５０の開口部にのみ配置されるものではなく、第１電極１９０の一部が隔壁３５０と重なるように隔壁３５０の下に配置可能である。隔壁３５０は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）およびポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂またはシリカ系の無機物などで作ることができる。
第１電極１９０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には第２電極２７０が形成される。このように、第１電極１９０と、有機発光層７２０と、第２電極２７０とを含む有機発光素子７０が形成される。
有機発光層７２０は、低分子有機物または高分子有機物からなる。また、有機発光層７２０は、発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの１つ以上とを含む多重膜で形成され得る。これらすべてを含む場合、正孔注入層が陽極の第１電極１９０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。
また、図２２において、有機発光層７２０は、隔壁３５０の開口部内にのみ配置されたが、本発明にかかる実施形態がこれに限定されるものではない。したがって、有機発光層７２０は、隔壁３５０の開口部内において第１電極１９０上に形成されるだけでなく、隔壁３５０と第２電極２７０との間にも配置できる。具体的には、有機発光層７２０は、発光層と共に、正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、および電子注入層（ＥＩＬ）などのような様々な膜をさらに含むことができる。この時、発光層を除いた残りの正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、および電子注入層（ＥＩＬ）は、製造過程でオープンマスク（ｏｐｅｎ ｍａｓｋ）を用いて、第２電極２７０と同様に、第１電極１９０の上だけでなく、隔壁３５０の上にも形成され得る。つまり、有機発光層７２０に属する様々な膜のうちの１つ以上の膜が隔壁３５０と第２電極２７０との間に配置可能である。
第１電極１９０と第２電極２７０はそれぞれ、透明な導電性物質で形成されるか、半透過型または反射型導電性物質で形成され得る。第１電極１９０および第２電極２７０を形成する物質の種類に応じて、前面発光型、背面発光型または両面発光型となり得る。
透明な導電性物質としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ Ｏｘｉｄｅ）などの物質を用いることができる。反射型物質および半透過型物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの物質を用いることができる。
第２電極２７０上には、密封部材２１０が表示基板１１０に対して対向配置される。密封部材２１０は、ガラスおよびプラスチックなどのような透明な物質で作られるか、複数の薄膜を含む薄膜封止層で形成され得る。薄膜封止層は、１つ以上の有機層と１つ以上の無機層とが（相互）交互に積層形成され得る。
有機層は、高分子で形成され、好ましくは、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキシ、ポリエチレンおよびポリアクリレートのうちのいずれか１つで形成される単一膜または積層膜であり得る。より好ましくは、有機層は、ポリアクリレートで形成され得、具体的には、ジアクリレート系モノマーとトリアクリレート系モノマーとを含むモノマー組成物が高分子化されたものを含む。モノマー組成物にモノアクリレート系モノマーがさらに含まれ得る。また、モノマー組成物にＴＰＯのような公知の光開始剤がさらに含まれ得るが、これに限定されるものではない。
無機層は、金属酸化物または金属窒化物を含む単一膜または積層膜であり得る。具体的には、無機層は、ＳｉＮｘ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２のうちのいずれか１つを含むことができる。薄膜封止層のうち、外部に露出した最上層は、有機発光素子に対する透湿を防止するために無機層で形成され得る。
また、薄膜封止層は、少なくとも２つの無基層の間に少なくとも１つの有機層が挿入されたサンドイッチ構造を少なくとも１つ含むことができる。また、薄膜封止層は、少なくとも２つの有機層の間に少なくとも１つの無機層が挿入されたサンドイッチ構造を少なくとも１つ含むことができる。
さらに、薄膜封止層は、有機発光素子の上部から順次に、第１無機層、第１有機層、第２無機層を含むことができる。また、薄膜封止層は、有機発光素子の上部から順次に、第１無機層、第１有機層、第２無機層、第２有機層、第３無機層を含むことができる。さらに、薄膜封止層は、有機発光素子の上部から順次に、第１無機層、第１有機層、第２無機層、第２有機層、第３無機層、第３有機層、第４無機層を含むことができる。
有機発光素子と第１無基層との間にＬｉＦを含むハロゲン化金属層が追加的に含まれ得、ハロゲン化金属層は、第１無機層をスパッタリング方式またはプラズマ蒸着方式で形成する時、有機発光素子が損傷するのを防止することができる。
第１有機層は、第２無機層より面積が狭くなり得、第２有機層も、第３無機層より面積が狭くなり得る。また、第１有機層は、第２無機層によって完全に覆われ、第２有機層も第３無機層によって完全に覆われることがある。
一方、前記第１３実施形態では、２トランジスタ１キャパシタ（２Ｔｒ１ｃａｐ）構造のハプティック表示装置について説明したが、６トランジスタ２キャパシタ（６Ｔｒ２ｃａｐ）構造のハプティック表示装置である第１４実施形態も可能である。
以下、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置について、図２４ないし図２８を参照して詳細に説明する。
図２４は、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の１画素の等価回路図である。
図２４に示すように、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の１画素は、複数の信号線１２１、１２２、１２３、１２４、１７１、１７２と、複数の信号線に連結されている複数の薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６と、キャパシタＣｓｔ、Ｃｂと、有機発光ダイオード（ｏｒｇａｎｉｃ ｌｉｇｈｔ ｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ）ＯＬＥＤとを含む。
薄膜トランジスタは、駆動薄膜トランジスタ（ｄｒｉｖｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ１と、スイッチング薄膜トランジスタ（ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）Ｔ２と、補償薄膜トランジスタＴ３と、初期化薄膜トランジスタＴ４と、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５と、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６とを含み、キャパシタＣｓｔ、Ｃｂは、ストレージキャパシタ（ｓｔｏｒａｇｅ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｓｔと、ブースティングキャパシタ（ｂｏｏｓｔｉｎｇ ｃａｐａｃｉｔｏｒ）Ｃｂとを含む。
信号線は、スキャン信号Ｓｎを伝達するスキャン線１２１と、初期化薄膜トランジスタＴ４に前のスキャン信号Ｓｎ−１を伝達する前のスキャン線１２２と、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５および第２発光制御薄膜トランジスタＴ６に発光制御信号Ｅｎを伝達する発光制御線１２３と、スキャン線１２１と交差し、データ信号Ｄｍを伝達するデータ線１７１と、駆動電圧ＥＬＶＤＤを伝達し、データ線１７１とほぼ平行に形成されている駆動電圧線１７２と、駆動薄膜トランジスタＴ１を初期化する初期化電圧Ｖｉｎｔを伝達する初期化電圧線１２４とを含む。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２のゲート電極はスキャン線１２１に連結されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のソース電極はデータ線１７１に連結されており、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のドレイン電極は駆動薄膜トランジスタＴ１のソース電極および駆動電圧線１７２と電気的に連結されている。スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スキャン線１２１を介して伝達されたスキャン信号に応じてスイッチング動作を行う。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のスイッチング動作に応じてデータ信号が伝達され、有機発光ダイオードＯＬＥＤに駆動電流を供給する。
駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極はストレージキャパシタＣｓｔの一端に連結されており、ストレージキャパシタＣｓｔの他端は駆動電圧線１７２に連結されている。そして、スイッチング薄膜トランジスタＴ２のゲート電極に連結されたスキャン線１２１は、ブースティングキャパシタＣｂの一端に連結されており、ブースティングキャパシタＣｂの他端は駆動薄膜トランジスタＴ１のゲート電極に連結されている。
駆動薄膜トランジスタＴ１のドレイン電極は有機発光ダイオードＯＬＥＤのアノード（ａｎｏｄｅ）と電気的に連結される。そして、有機発光ダイオードＯＬＥＤのカソード（ｃａｔｈｏｄｅ）は共通電圧（ＥＬＶＳＳ）に連結されている。これにより、有機発光ダイオードＯＬＥＤは、駆動薄膜トランジスタＴ１から駆動電流が伝達されて発光することにより、映像を表示する。
以下、図２４に示したハプティック表示装置の１画素の詳細構造について、図２５ないし図２８を図２４と共に参照して詳細に説明する。
図２５は、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の１画素における複数の薄膜トランジスタおよびキャパシタの位置を概略的に示す図であり、図２６は、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の画素の配置図であり、図２７は、図２６のハプティック表示装置をＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図２８は、図２６のハプティック表示装置をＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図である。
図２５ないし図２８に示すように、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の画素は、スキャン信号Ｓｎ、前のスキャン信号Ｓｎ−１、発光制御信号Ｅｎおよび初期化電圧Ｖｉｎｔをそれぞれ印加し、行方向に沿って形成されているスキャン線１２１、前のスキャン線１２２、発光制御線１２３および初期化電圧線１２４と、スキャン線１２１、前のスキャン線１２２、発光制御線１２３および初期化電圧線１２４と交差しており、画素にデータ信号Ｄｍおよび駆動電圧ＥＬＶＤＤをそれぞれ印加するデータ線１７１および駆動電圧線１７２とを含む。そして、前のスキャン線１２２、発光制御線１２３および初期化電圧線１２４、スキャン線１２１と交差しており、画素にハプティック信号Ｈを伝達するハプティック制御線４１０を含む。
また、画素には、駆動薄膜トランジスタＴ１、スイッチング薄膜トランジスタＴ２、補償薄膜トランジスタＴ３、初期化薄膜トランジスタＴ４、第１発光制御薄膜トランジスタＴ５、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６、ストレージキャパシタＣｓｔ、ブースティングキャパシタＣｂ、そして、有機発光ダイオードＯＬＥＤ７０が形成されている。
駆動薄膜トランジスタＴ１は、駆動半導体層１３１ａと、駆動ゲート電極１２５ａと、駆動ソース電極１７６ａおよび駆動ドレイン電極１７７ａとを含む。駆動ソース電極１７６ａは、駆動半導体層１３１ａの駆動ソース領域に相当し、駆動ドレイン電極１７７ａは、駆動半導体層１３１ａの駆動ドレイン領域に相当する。
スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、スイッチング半導体層１３１ｂと、スイッチングゲート電極１２５ｂと、スイッチングソース電極１７６ｂおよびスイッチングドレイン電極１７７ｂとを含む。
補償薄膜トランジスタＴ３は、補償半導体層１３１ｃと、補償ゲート電極１２５ｃと、補償ソース電極１７６ｃおよび補償ドレイン電極１７７ｃとを含み、初期化薄膜トランジスタＴ４は、初期化半導体層１３１ｄと、初期化ゲート電極１２５ｄと、初期化ソース電極１７６ｄおよび初期化ドレイン電極１７７ｄとを含む。
第１発光制御薄膜トランジスタＴ５は、第１発光制御半導体層１３１ｅと、第１発光制御ゲート電極１２５ｅと、第１発光制御ソース電極１７６ｅおよび第１発光制御ドレイン電極１７７ｅとを含み、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６は、第２発光制御半導体層１３１ｆと、第２発光制御ゲート電極１２５ｆと、第２発光制御ソース電極１７６ｆおよび第２発光制御ドレイン電極１７７ｆとを含む。
ストレージキャパシタＣｓｔは、ゲート絶縁膜１４０を挟んで配置される第１ストレージ蓄電板１３２と第２ストレージ蓄電板１２７とを含む。ここで、ゲート絶縁膜１４０は誘電体となり、ストレージキャパシタＣｓｔで蓄電された電荷と両蓄電板１３２、１２７との間の電圧によりストレージキャパシタンス（Ｓｔｏｒａｇｅ Ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ）が決定される。
第１ストレージ蓄電板１３２は、駆動半導体層１３１ａ、スイッチング半導体層１３１ｂ、補償半導体層１３１ｃ、第１発光制御半導体層１３１ｅおよび第２発光制御半導体層１３１ｆと同層に形成されており、第２ストレージ蓄電板１２７は、スキャン線１２１、前のスキャン線１２２などと同層に形成されている。
駆動薄膜トランジスタＴ１の駆動半導体層１３１ａは、スイッチング半導体層１３１ｂおよび補償半導体層１３１ｃと、第１発光制御半導体層１３１ｅおよび第２発光制御半導体層１３１ｆとを互いに連結する。
したがって、駆動ソース電極１７６ａはスイッチングドレイン電極１７７ｂおよび第１発光制御ドレイン電極１７７ｅに連結され、駆動ドレイン電極１７７ａは補償ドレイン電極１７７ｃおよび第２発光制御ソース電極１７６ｆに連結される。
ストレージキャパシタＣｓｔの第１ストレージ蓄電板１３２は補償ソース電極１７６ｃおよび初期化ドレイン電極１７７ｄに連結され、連結部材１７４を介して駆動ゲート電極１２５ａに連結される。この時、連結部材１７４は、データ線１７１と同層に形成される。このような連結部材１７４は、層間絶縁膜１６０およびゲート絶縁膜１４０に形成された接触孔１６６を介して第１ストレージ蓄電板１３２に連結され、層間絶縁膜１６０に形成された接触孔１６７を介して駆動ゲート電極１２５ａに連結される。
ストレージキャパシタＣｓｔの第２ストレージ蓄電板１２７は、駆動電圧線１７２に連結され、スキャン線１２１とほぼ平行に形成される。
ブースティングキャパシタＣｂの第１ブースティング蓄電板１３３は、第１ストレージ蓄電板１３２から延びた延長部であり、第２ブースティング蓄電板１２９は、スキャン線１２１から上下に突出した突出部である。
第１ブースティング蓄電板１３３は、ハンマー形状を有し、第１ブースティング蓄電板１３３は、駆動電圧線１７２と平行な取っ手部１３３ａと、取っ手部１３３ａの端部に形成されたヘッド部１３３ｂとを含む。
第１ブースティング蓄電板１３３のヘッド部１３３ｂの内部に第２ブースティング蓄電板１２９の突出部がすべて重なって位置している。したがって、ブースティングキャパシタＣｂの第１ブースティング蓄電板１３３の面積は、第２ブースティング蓄電板１２９の面積より大きい。
一方、スイッチング薄膜トランジスタＴ２は、発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１２５ｂはスキャン線１２１に連結される。スイッチングソース電極１７６ｂはデータ線１７１に連結される。スイッチングドレイン電極１７７ｂは駆動薄膜トランジスタＴ１および第１発光制御薄膜トランジスタＴ５に連結される。
第２発光制御薄膜トランジスタＴ６の第２発光制御ドレイン電極１７７ｆは、保護膜１８０のコンタクトホール１８２を介して有機発光ダイオード７０の画素電極１９０に直接連結される。
以下、図２７および図２８を参照して、本発明の第１４実施形態にかかるハプティック表示装置の構造について、積層順序に従って具体的に説明する。
この時、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６を中心として薄膜トランジスタの構造について説明する。そして、残りの薄膜トランジスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５は、第２発光制御薄膜トランジスタＴ６の積層構造とほぼ同一であるので、詳細な説明は省略する。
基板１１０上にはバッファ層１２０が形成されており、バッファ層１２０上に、第２発光制御半導体層１３１ｆと、ブースティングキャパシタＣｂをなす第１ブースティング蓄電板１３３とが形成されている。基板１１０は、ガラス、石英、セラミック、プラスチックなどからなる絶縁性基板として形成される。第２発光制御半導体層１３１ｆおよび第１ブースティング蓄電板１３３は、多結晶シリコン膜で形成される。また、第２発光制御半導体層１３１ｆは、不純物がドーピングされないチャネル領域と、チャネル領域の両側にｐ＋ドーピングされて形成されたソース領域およびドレイン領域とを含む。ここで、このような不純物は、薄膜トランジスタの種類に応じて異なる。
第２発光制御半導体層１３１ｆ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成されている。
ゲート絶縁膜１４０上に、スイッチングゲート電極１２５ｂおよび補償ゲート電極１２５ｃを含むスキャン線１２１と、初期化ゲート電極１２５ｄを含む前のスキャン線１２２と、駆動ゲート電極１２５ａ、第２発光制御ゲート電極１２５ｆを含む発光制御線１２３とを含むゲート配線が形成されている。そして、第２発光制御ゲート電極１２５ｆは、第２発光制御半導体層１３１ｆの少なくとも一部、特に、チャネル領域と重なるように形成される。ゲート配線は、ストレージキャパシタＣｓｔをなす第２ストレージ蓄電板１２７と、ブースティングキャパシタＣｂをなす第２ブースティング蓄電板１２９とをさらに含む。
第２ストレージ蓄電板１２７は、駆動電圧線１７２と接触孔１６８を介して連結され、第２ブースティング蓄電板１２９はスキャン線１２１に連結される。
ゲート絶縁膜１４０上には、第２発光制御ゲート電極１２５ｆを覆う層間絶縁膜１６０が形成されている。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は、第２発光制御半導体層１３１ｆのドレイン領域を露出する接触孔１６３を共に有する。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などのセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）系の素材を用いて作られる。
層間絶縁膜１６０上には、スイッチングソース電極１７６ｂを含むデータ線１７１、連結部材１７４、第２発光制御ドレイン電極１７７ｆ、駆動電圧線１７２を含むデータ配線が形成されている。
そして、スイッチングソース電極１７６ｂと第２発光制御ドレイン電極１７７ｆはそれぞれ、層間絶縁膜１６０およびゲート絶縁膜１４０に形成された接触孔１６２、１６３を介してそれぞれスイッチング半導体層１３１ｂのソース領域、第２発光制御半導体層１３１ｆのドレイン領域に連結される。
層間絶縁膜１６０上には、データ配線１７１、１７４、１７７ｆ、１７２を覆う保護膜１８０が形成されており、保護膜１８０上には画素電極１９０およびハプティック制御線４１０が形成されている。保護膜１８０に形成されたコンタクトホール１８２を介して、画素電極１９０は第２発光制御ドレイン電極１７７ｆに連結される。
ハプティック部材５１０は、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間に形成されており、スキャン線１２１とハプティック制御線４１０との間の層間絶縁膜１６０および保護膜１８０にそれぞれ形成されたハプティック口１６１、１８１にハプティック部材５１０が満たされている。ハプティック制御線４１０は、データ線１７１と同数で形成されているため、ハプティック部材５１０は、画素の数と同数で形成され得る。
ハプティック部材５１０の下部に位置するスキャン線１２１とハプティック部材５１０の上部に位置するハプティック制御線４１０との間に電位差が発生した場合、ハプティック部材５１０をなす電気活性高分子の分極によって生成されるクーロン力によりハプティック部材５１０の高さが変形し、ハプティック部材５１０の高さの変形を利用してハプティック振動を生成する。
このように、表示装置の内部にハプティック制御線４１０およびハプティック部材５１０を形成することにより、別のハプティックアクチュエータを必要としないため、ハプティック表示装置の小型化および薄型化が可能で、フレキシブル表示装置にも適用可能である。
画素電極１９０の周縁および保護膜１８０上には隔壁３５０が形成されており、隔壁３５０は、画素電極１９０を露出する隔壁開口部３５１を有する。隔壁３５０は、ポリアクリル系樹脂（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ ｒｅｓｉｎ）およびポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）などの樹脂またはシリカ系の無機物などで作ることができる。
隔壁開口部３５１に露出した画素電極１９０上には有機発光層７２０が形成され、有機発光層７２０上には共通電極２７０が形成される。このように、画素電極１９０と、有機発光層７２０と、共通電極２７０とを含む有機発光ダイオード７０が形成される。
ここで、画素電極１９０は正孔注入電極のアノードであり、共通電極２７０は電子注入電極のカソードとなる。しかし、本発明にかかる一実施形態は、必ずしもこれに限定されるものではなく、有機発光表示装置の駆動方法によっては、画素電極１９０がカソードとなり、共通電極２７０がアノードとなっていてもよい。画素電極１９０および共通電極２７０からそれぞれ正孔と電子が有機発光層７２０の内部に注入され、注入された正孔と電子とが結合したエキシトン（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光が行われる。
有機発光層７２０は、低分子有機物またはＰＥＤＯＴ（Ｐｏｌｙ３，４−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）などの高分子有機物からなる。また、有機発光層７２０は、発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、および電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうちの１つ以上とを含む多重膜で形成され得る。これらすべてを含む場合、正孔注入層が陽極の画素電極１９０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順に積層される。共通電極２７０は、反射型導電性物質で形成されるため、背面発光型の有機発光表示装置となる。反射型物質としては、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）などの物質を用いることができる。
本発明を上述したように好ましい実施形態を通じて説明したが、本発明は、これに限定されず、以下に記載する特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正および変形が可能であることを、本発明の属する技術分野に従事する者は容易に理解するはずである。
１１０：基板
１２１：スキャン線
１６０：層間絶縁膜
１７１：データ線
１８０：保護膜
１９０：第１電極
２７０：第２電極
４１０、４２０、４３０、４４０：ハプティック制御線
５１０、５２０、５３１、５３２、５３３、５４１、５４２、５４３：ハプティック部材

Claims (26)

  1. 基板と、
    前記基板上に形成されており、スキャン信号を伝達する複数のスキャン線と、
    前記スキャン線と絶縁されて交差しており、データ信号を伝達する複数のデータ線と、
    前記スキャン線または前記データ線と絶縁され、ハプティック信号を伝達する複数のハプティック制御線と、
    前記スキャン線および前記データ線に連結されており、行列形態に配列された複数の画素内にそれぞれ形成されている薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタに連結されている第１電極と、
    前記第１電極に対向している第２電極と、
    前記第１電極と前記第２電極との間に形成されている光調整部材とを含むことを特徴とするハプティック表示装置。
  2. 前記ハプティック制御線は、前記第１電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項１記載のハプティック表示装置。
  3. 前記ハプティック制御線は、前記データ線と平行に形成されていることを特徴とする請求項２記載のハプティック表示装置。
  4. 前記スキャン線と前記ハプティック制御線との交差部にはハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項３記載のハプティック表示装置。
  5. 前記ハプティック制御線は、前記データ線と同数で形成されていることを特徴とする請求項４記載のハプティック表示装置。
  6. 前記ハプティック制御線は、前記データ線より少ない数で形成されていることを特徴とする請求項４記載のハプティック表示装置。
  7. 前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項３記載のハプティック表示装置。
  8. 前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と平行に形成されていることを特徴とする請求項２記載のハプティック表示装置。
  9. 前記データ線と前記ハプティック制御線との交差部にはハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項８記載のハプティック表示装置。
  10. 前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と同数で形成されていることを特徴とする請求項４記載のハプティック表示装置。
  11. 前記ハプティック制御線は、前記スキャン線より少ない数で形成されていることを特徴とする請求項４記載のハプティック表示装置。
  12. 前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項８記載のハプティック表示装置。
  13. 前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と同層に形成されていることを特徴とする請求項１記載のハプティック表示装置。
  14. 前記ハプティック制御線は、前記スキャン線と平行に形成されていることを特徴とする請求項１３記載のハプティック表示装置。
  15. 前記ハプティック制御線と前記データ線との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項１４記載のハプティック表示装置。
  16. 前記ハプティック制御線と前記第１電極との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項１４記載のハプティック表示装置。
  17. 前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項１４記載のハプティック表示装置。
  18. 前記ハプティック制御線は、前記データ線と同層に形成されていることを特徴とする請求項１記載のハプティック表示装置。
  19. 前記ハプティック制御線は、前記データ線と平行に形成されていることを特徴とする請求項１８記載のハプティック表示装置。
  20. 前記スキャン線と前記ハプティック制御線との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項１９記載のハプティック表示装置。
  21. 前記ハプティック制御線と前記第１電極との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項１９記載のハプティック表示装置。
  22. 前記ハプティック制御線と前記第２電極との間にハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項１９記載のハプティック表示装置。
  23. 基板と、
    前記基板上に形成されており、スキャン信号を伝達する複数のスキャン線と、
    前記スキャン線と絶縁されて交差しており、データ信号を伝達する複数のデータ線と、
    前記スキャン線と絶縁されて交差しており、駆動電圧を伝達する複数の駆動電圧線と、
    前記スキャン線または前記データ線と絶縁されて交差し、ハプティック信号を伝達する複数のハプティック制御線と、
    前記スキャン線および前記データ線に連結されているスイッチング薄膜トランジスタと、
    前記スイッチング薄膜トランジスタおよび前記駆動電圧線に連結されている駆動トランジスタと、
    前記駆動トランジスタに連結されている第１電極と、
    前記第１電極上に形成されている有機発光素子と、
    前記有機発光素子上に形成されている第２電極とを含むことを特徴とするハプティック表示装置。
  24. 前記ハプティック制御線は、前記第１電極と同層に形成されていることを特徴とする請求項２３記載のハプティック表示装置。
  25. 前記ハプティック制御線は、前記データ線と平行に形成されていることを特徴とする請求項２４記載のハプティック表示装置。
  26. 前記スキャン線と前記ハプティック制御線との交差部にはハプティック部材が形成されていることを特徴とする請求項２５記載のハプティック表示装置。
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