CN105720078B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置。一方面，所述显示装置包括：基底；显示单元，形成在基底的上方；薄膜包封层，覆盖显示单元。所述显示装置还包括形成在薄膜包封层的上方并包封所述显示单元的包封基底，以及形成在薄膜包封层的一端上的光电传感器。

Description

显示装置
本申请要求于2014年12月19日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0184962号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
所描述的技术总体上涉及一种显示装置。
背景技术
随着信息技术的发展，作为用于连接用户与信息的介质的显示装置的市场已经扩大。因此，诸如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器(EPD)和等离子显示面板(PDP)的显示装置被广泛地使用。
在上述显示装置之中，LCD、OLED显示器和EPD正被开发成柔性显示装置，它们中的一些柔性显示装置已经被实现为立体图像显示装置。
随着半导体技术的迅速发展，在显示装置中使用的各种显示面板之中的使用OLED的显示面板吸引了最近的许多关注。
在OLED显示器中，每个像素是图像表示的基本单位，像素以矩阵形式布置在基底上，薄膜晶体管(TFT)被包括在每个像素中以独立地控制像素。
这种OLED显示器可以根据发射光的方向而分为顶部发射型显示装置和底部发射型显示装置。
发明内容
一个发明方面涉及一种显示装置。
另一方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底；显示单元，形成在基底上；薄膜包封层，形成在基底的上表面上以覆盖显示单元；包封基底，形成在薄膜包封层的上表面上以包封显示单元；光电传感器，位于薄膜包封层的一端上。
薄膜包封层可以包括交替地堆叠的多个有机层和多个无机层。
多个有机层和多个无机层可以具有彼此不同的折射率。
在薄膜包封层内可以反复地发生光的全反射并且所反射的光向侧面行进。
显示装置还可以包括位于薄膜包封层和包封基底之间的粘结层，粘结层将薄膜包封层附于包封基底。
粘结层可以包括透明的有机材料。
粘结层可以包括金属颗粒。
反射层可以形成在粘结层的上表面上。
另一方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底，具有发光区域和外部区域；包封基底，与基底相对地形成；显示单元，形成在基底的发光区域中；薄膜包封层，形成在基底的上表面上以覆盖显示单元；光电传感器，位于基底的外部区域中。
薄膜包封层可以包括交替地堆叠的多个有机层和多个无机层。
多个有机层和多个无机层可以具有彼此不同的折射率。
在薄膜包封层内可以反复地发生光的全反射并且所反射的光向侧面行进。
光电传感器可以形成在薄膜包封层的侧表面上。
显示装置还可以包括位于薄膜包封层和包封基底之间的粘结层，粘结层将薄膜包封层附于包封基底。
粘结层可以包括透明的有机材料。
粘结层可以包括金属颗粒。
反射层可以形成在粘结层的上表面上。
另一方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底；显示单元，形成在基底的上方；薄膜包封层，覆盖显示单元；包封基底，形成在薄膜包封层的上方并包封显示单元；光电传感器，形成在薄膜包封层的一端上。
在上述显示装置中，薄膜包封层包括交替地堆叠的多个有机层和多个无机层。在上述显示装置中，有机层和无机层具有彼此不同的折射率。在上述显示装置中，当在薄膜包封层内反复地出现光的全反射时，所反射的光被构造为向侧面行进。上述显示装置还包括形成在薄膜包封层和包封基底之间的粘结层，其中，粘结层将薄膜包封层附于包封基底。在上述显示装置中，粘结层由透明的有机材料形成。
在上述显示装置中，粘结层包括多个金属颗粒。上述显示装置还包括形成在粘结层的上表面上方的反射层。在上述显示装置中，光电传感器的厚度与薄膜包封层、粘结层和包封基底的组合厚度基本相同。在上述显示装置中，光电传感器与薄膜包封层、粘结层和包封基底的侧表面接触。
另一方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底，包括发光区域和外部区域；包封基底，与基底相对地形成；显示单元，形成在基底的发光区域中；薄膜包封层，覆盖显示单元；光电传感器，形成在基底的外部区域中。
在上述显示装置中，薄膜包封层包括交替地堆叠的多个有机层和多个无机层。在上述显示装置中，有机层和无机层具有彼此不同的折射率。在上述显示装置中，光电传感器形成在薄膜包封层的侧表面上。上述显示装置还包括形成在薄膜包封层和包封基底之间的粘结层，其中，粘结层将薄膜包封层附于包封基底。在上述显示装置中，光电传感器的厚度与薄膜包封层、粘结层和包封基底的组合厚度基本相同。在上述显示装置中，光电传感器与薄膜包封层、粘结层和包封基底的侧表面接触。
另一方面在于一种显示装置，该显示装置包括：基底；显示单元，形成在基底上方并被构造成输出光；薄膜包封层，覆盖显示单元；光电传感器，与薄膜包封层的侧表面接触并被构造成感测从显示单元输出的光的至少一部分。
上述显示装置还包括形成在薄膜包封层上方并包封显示单元的包封基底，其中，光电传感器与包封基底的侧表面接触。在上述显示装置中，光电传感器的厚度大于薄膜包封层和包封基底的组合厚度。
附图说明
图1是示出根据实施例的显示单元的剖视图。
图2是示出根据实施例的包括图1的显示单元的显示装置的剖视图。
图3是示出根据实施例的薄膜包封结构或薄膜包封层的剖视图。
图4是示出根据另一个实施例的显示装置的剖视图。
图5是示出根据另一个实施例的显示装置的剖视图。
具体实施方式
由于所描述的技术允许各种变化和众多实施例，所以将在附图中示出具体的实施例并且将在书面描述中详细地描述具体的实施例。在下文中，将参照示出示例性实施例的附图更充分地描述所描述技术的效果和特征以及实现这些效果和特征的方法。然而，可按照许多不同的形式来实施本发明，并且本发明不应该被解释为限于在此阐述的示例性实施例。
下面将参照附图更详细地描述一个或更多个实施例。不管图号如何，相同或相应的那些组件被给予相同的附图标记，并且省略冗余的说明。
将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但是这些组件不受这些术语的限制。这些组件仅用于将一个组件和另一个组件区分开来。
如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
将理解的是，当层、区域或组件被称为“形成在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接地或间接地形成在所述另一层、区域或组件上。即，例如，可以存在中间层、中间区域或中间组件。
为了便于说明，会夸大附图中元件的尺寸。换句话说，由于附图中组件的尺寸和厚度是为了便于说明而任意地示出的，所以下面的实施例不限制于此。
当可以不同地实现某个实施例时，具体的工艺顺序可以不同于所描述的顺序。例如，两个连续地描述的工艺可以基本上同时执行，或者可以按照与所描述的顺序相反的顺序执行。
如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件之后时，修饰整列元件而不修饰该列中的单个元件。在本公开中，术语“基本上”包括完全、几乎完全或根据本领域技术人员在某些应用下任何显著程度的含义。术语“连接”可包括电连接。
图1是根据实施例的显示单元20的剖视图，图2是根据实施例的包括图1的显示单元的显示装置的剖视图。
如图2所示，根据本实施例的显示装置包括基底10、显示单元20、薄膜包封层30、包封基底50和光电传感器60。
基底可由包含SiO2作为主要组份的透明玻璃材料形成。然而，用于形成基底10的材料不限制于此，基底10可由透明塑料材料形成。
在形成在基底10上的显示单元20中，可以形成像素的阵列。每个像素可以包括薄膜晶体管和通过薄膜晶体管控制的发光器件。发光器件可以是有机发光器件(自发射型器件)。
为了便于说明，现在将仅对显示单元20包括有机发光器件的情况进行描述。
现在将参照图1对显示单元20进行更详细地描述。
如图1所示，在根据本实施例的显示装置中，缓冲层21形成在基底10上。缓冲层21可以用作用于防止杂质离子的扩散以及水分或外部空气的渗透并且使基底10的上表面平坦化的阻碍层和/或阻挡层。
薄膜晶体管TFT的半导体层A形成在缓冲层21上。半导体层A可以由多晶硅形成，并可以包括未掺杂有杂质的沟道区以及掺杂有杂质并分别形成在沟道区的两侧的源区和漏区。杂质可以根据薄膜晶体管的类型而改变，并可以是N型杂质或P型杂质。
半导体层A可以由包括非晶硅或晶体硅的半导体形成，并可以使用各种沉积方法中的任何一种来沉积。晶体硅可以通过使非晶硅结晶来形成。非晶硅可以使用诸如快速热退火(RTA)、固相结晶(SPC)、准分子激光退火(ELA)、金属诱导结晶(MIC)、金属诱导横向结晶(MILC)和顺序横向结晶(SLS)的各种方法中的任何方法来结晶。可以通过光刻使半导体层A形成图案。
栅极绝缘层23沉积在基底10的整个表面上，使得栅极绝缘层23覆盖半导体层A。栅极绝缘层23可以由无机材料(诸如氧化硅或氮化硅)形成，并且可以具有多层结构或单层结构。在一些实施例中，栅极绝缘层23可以由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)、铪(Hf)氧化物或氧化铝形成。栅极绝缘层23可以使用诸如化学气相沉积(CVD)和等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的各种沉积方法中的任何方法而形成。栅极绝缘层23使半导体层A与栅电极G绝缘。
栅电极G可以由从由钼(Mo)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)组成的组中选择的至少一种金属形成。
层间绝缘层25沉积在基底10的整个表面上，使得层间绝缘层25覆盖栅电极G。
层间绝缘层25可以由无机材料或有机材料形成。在一些实施例中，层间绝缘层25可以由无机材料形成。例如，层间绝缘层25可以由金属氧化物或金属氮化物形成。详细地，无机材料可以包括氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锆(ZrO2)等。层间绝缘层25可以以多层或单层结构由无机材料(诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx))形成。在一些实施例中，层间绝缘层25可以具有SiOx/SiNy或SiNx/SiOy的双层结构。层间绝缘层25可以使用各种沉积方法(诸如CVD和PECVD)中的任何方法形成。
层间绝缘层25可以使栅电极G与形成在层间绝缘层25的上表面上的布线绝缘。
薄膜晶体管TFT的源电极S和漏电极D形成在层间绝缘层25上。
平坦化层27可以基本上形成在基底10的整个表面上，使得平坦化层27覆盖源电极S和漏电极D。像素电极281可以形成在平坦化层27上。像素电极281穿过通孔连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D。
平坦化层27可由绝缘材料形成。例如，平坦化层27能够以单层或多层结构由无机材料、有机材料或有机/无机混合物形成，并可以使用各种沉积方法中的任何方法来形成。在一些实施例中，平坦化层27可以由从由聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫树脂和苯并环丁烯(BCB)组成的组中选择的至少一种形成。
有机发光二极管(OLED)可以形成在薄膜晶体管TFT上。OLED包括像素电极281、包括有机发射层的中间层283以及对电极285。根据本实施例的显示装置还可以包括像素限定层29和分隔件(未示出)。
像素电极281可以通过填充平坦化层27的通孔来电连接到薄膜晶体管TFT的漏电极D。像素电极281和/或对电极285可以是透明电极或反射电极。当像素电极281和/或对电极285是透明电极时，像素电极281和/或对电极285可以由从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)组成的组中选择的材料形成。当像素电极281和/或对电极285是反射电极时，像素电极281和/或对电极285可以包括反射层和透明层，其中，反射层由从由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)及其组合组成的组中选择的材料形成，透明层由从由ITO、IZO、ZnO和In2O3组成的组中选择的材料形成。在一些实施例中，像素电极281或对电极285可以具有ITO/Ag/ITO结构。
像素限定层29可以限定像素区和非像素区。像素限定层29包括使像素电极281暴露所经由的开口，并且可以形成为覆盖基底10的整个表面。中间层283(后面将描述)可以形成在开口中，因此开口可以用作基本像素区。
像素电极281、中间层283和对电极285构成OLED。注入到OLED的像素电极281和对电极285中的空穴和电子可以在中间层283的有机发射层中彼此结合，从而产生光。
中间层283可以包括有机发射层。作为另一个示例，中间层283包括有机发射层。然而，中间层283还可以包括从空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中选择的至少一种。本实施例不限制于此，中间层283还可以包括除有机发射层之外的其他功能层。
HIL可以由诸如铜酞菁的酞菁化合物或者作为星状放射型胺的TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB形成。
HTL可以由N,N'-二(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)和N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基联苯胺(α-NPD)等形成。
EIL可以由诸如LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或Liq的材料形成。
ETL可以由Alq3形成。
有机发射层可以包括主体材料和掺杂剂材料。有机发射层的主体材料的示例可以包括三(8-羟基-喹啉)铝(Alq3)、9,10-二(萘-2-基)蒽(AND)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、4,4'-双(2,2-二苯乙烯基)-1,1'-联苯(DPVBi)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二甲基苯基(p-DMDPVBi)、叔(9,9-二芳基芴)(TDAF)、2-(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(BSDF)、2,7-双(9,9'-螺二芴-2-基)-9,9'-螺二芴(TSDF)、双(9,9-二芳基芴)(BDAF)、4,4'-双(2,2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4'-二-(叔丁基)苯基(p-TDPVBi)、1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4',4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4,4'-双(咔唑-9-基)联苯(CBP)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基联苯(CBDP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-芴(DMFL-CBP)、4,4'-二(咔唑-9-基)-9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-4CBP)、4,4'-双(咔唑-9-基)-9,9-二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)和9,9-双(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)等。
有机发射层的掺杂剂材料的示例可以包括4,4'-双[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)和3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)等。
对电极285形成在中间层283上。对电极285与像素电极281一起形成电场，从而通过中间层283发光。像素电极281可以在每个像素中被图案化，对电极285可以形成为使得将共电压施加到所有像素。
像素电极281和对电极285可以形成为透明电极或反射电极。像素电极281可以充当阳极，对电极285可以充当阴极，但本发明不限制于此。例如，像素电极281可以充当阴极，对电极285可以充当阳极。
尽管在图2中仅示出一个OLED，但是显示面板可以包括多个OLED。可以在每个OLED中形成一个像素。每个像素可以发射红色、绿色、蓝色或白色的光。
然而，本发明不限制于此。中间层283可以共同形成在像素电极281的整个表面上，而与像素的位置无关。在这种情况下，有机发射层可以通过将发射红光的发光物质、发射绿光的发光物质和发射蓝光的发光物质彼此堆叠或者通过将发射红光的发光物质、发射绿光的发光物质和发射蓝光的发光物质混合而形成。除红色、绿色和蓝色的组合之外，还可以采用能够发射白光的其他各种颜色的任意组合。显示装置还可以包括颜色转换层或将白光转换成预定颜色的光的滤色器。
保护层(未示出)可以形成在对电极285上并且可以覆盖和保护OLED。无机绝缘层和/或有机绝缘层可以用作保护层。
分隔件(未示出)可以在显示区中形成在像素区之间。分隔件可以保持基底10和包封基底50之间的间隔，并且可以防止由外部冲击引起的显示特性的下降。
分隔件可以形成在像素限定层29上。分隔件可以从像素限定层29朝向包封基底50突出。
在一些实施例中，分隔件可以包括与像素限定层29的材料相同的材料，并可以通过使用与用于形成像素限定层29的工艺相同的工艺来形成。换句话说，像素限定层29和分隔件可以通过在曝光工艺期间使用半色调掩模调整曝光的量而基本上同时地或并行地形成。然而，本发明不限制于此。像素限定层29和分隔件可以顺序地或独立地形成，并可以是由不同材料形成的独立的结构。
如图2所示，根据本实施例的显示装置可以被划分为显示单元20发光的发光区域A和作为显示装置的剩余区域的外部区域B。
发光区域A可以包括如图2所示的上述显示单元20。薄膜包封部或薄膜包封层30可以形成在基底10上，使得其覆盖显示单元20。
图3是根据实施例的更详细地示出薄膜包封层30的剖视图。
如图3所示，薄膜包封部30可以形成在基底10上，使得薄膜包封部30覆盖显示单元20。薄膜包封部30可以具有多个薄膜层堆叠的结构。因此，薄膜包封部30可以具有有机层31和无机层33交替地堆叠的结构。
尽管在图3中第一有机层31a、第一无机层33a、第二有机层31b和第二无机层33b顺序地堆叠在显示单元20上，但是堆叠的薄膜层的数量不限于此。
无机层33可以坚固地阻挡氧气或水分的渗透，有机层31可以吸收由无机层33产生的应力，使得薄膜包封部可以是柔性的。
无机层33可以是包括金属氧化物或金属氮化物的单层或层堆叠件。例如，第一无机层33a和第二无机层33b可以包括SiNx、Al2O3、SiO2或TiO2。
有机层31可以包括聚合物，并且可以是包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、环氧树脂、聚乙烯或聚丙烯酸酯的单层或层堆叠件。例如，第一有机层31a和第二有机层31b可以由聚丙烯酸酯形成。详细地，第一有机层31a和第二有机层31b可以包括使包括二丙烯酸酯类单体和三丙烯酸酯类单体的单体组成物聚合而成的产物。单体组成物还可以包括单丙烯酸酯类单体。单体组成物还可以包括公知的光引发剂(诸如三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦(TPO))，但本发明不限于此。
在根据本实施例的显示装置中，由于薄膜包封部30形成为具有有机层31和无机层33交替地堆叠的结构，所以可以防止氧气和水分的渗透并且也可以确保柔性，此外可以控制全反射在薄膜包封部30内顺利地发生。
由于有机层31和无机层33由具有不同的折射率的材料形成，所以由显示单元20发射的光不从外部区域B排出，在薄膜包封部30内反复地发生反射。
换句话说，传统的顶部发光型的显示装置不包括与根据本实施例的薄膜包封部30对应的结构，从而在外部区域B中发生光损失。因此，传输到光电传感器的光的量不充足，从而光电传感器不能感测光。
因此，在根据本实施例的显示装置中，薄膜包封部30形成在基底10上，从而朝向显示装置的顶侧发射的光可以在外部区域B中被薄膜包封部30的有机层31和无机层33反射并且可以被限制在薄膜包封部30内。
换句话说，由于光被交替堆叠的并具有不同折射率的有机层31和无机层33反复地反射，所以光不会朝向顶侧行进而仅朝向横向侧行进。因此，由于光向侧面行进，所以可以将充足的光传输到根据本实施例的形成在薄膜包封部的横向侧上的光电传感器60。
此外，由于根据本实施例的显示装置包括薄膜包封部30，所以薄膜包封部30还可以与包封基底50一起来阻挡显示单元20受到外部的氧气和/或水分的影响。
换句话说，根据本实施例的薄膜包封部30可以将光限制在其内部从而使光不发射到顶侧，并且可以保护显示单元20免受外部影响。
如图2所示，光电传感器60可以被包括在外部区域B中。例如，在根据本实施例的显示装置中，光电传感器60形成在薄膜包封部30的一端上。
在根据本实施例的显示装置中，光电传感器60可以通过使用光电二极管来实现，但本发明不限于此。
光电传感器60感测光并将感测到的光的能量转变为电能。光电传感器60通常用在电子产品中并可以被应用于精确地测量光的强度。由于可以根据所感测到的光的强度来产生输出电压，所以光电传感器60可以测量光的强度。
然而，当传输到光电传感器60的光的量不足时，难以精确地测量光的强度。因此，为了实现精确的测量，由发光器件发射的光需要基本上到达光电传感器60。
在传统的显示装置中，光被与基底相对地形成的包封基底反射，光电传感器直接附于包封基底的上表面或基底的下表面并接收反射的光。包封基底不具有全反射控制能力，因此光电传感器接收微弱的光从而不被期望用作传感器。
另一方面，在根据本实施例的显示装置中，由于如图2中所示包括薄膜包封部30，所以光被薄膜包封部30的有机层31和无机层33反射并向侧面行进。由于光电传感器60形成在薄膜包封部30的一端上，所以可以向光电传感器60传输足够量的光。
换句话说，由于光电传感器60形成在薄膜包封部30的一端上，所以光电传感器60可以从薄膜包封部30的横向侧接收足够量的光。此外，由于光电传感器60形成在外部区域B内的空的空间中，所以空间的实际使用可以提高。
如图2所示，包封基底50可以与基底10相对地形成，以保护包括在基底10中的显示单元20免受外部水分和空气等的影响。
包封基底50可以由与基底10相同的材料形成，例如，由透明的玻璃或塑料材料形成。
在根据本实施例的显示装置中，形成在显示单元20上的薄膜包封部30和包封基底50可以额外地防止显示单元20受到外部水分和空气等的渗透影响。
如图2所示，为了将包封基底50附于薄膜包封部30的上表面，还可以在薄膜包封部30和包封基底50之间形成粘结层40。
粘结层40如图2所示可以位于薄膜包封部30和包封基底50的相应的端部之间，并且密封薄膜包封部30和包封基底50。因此，如图2所示，光电传感器60可以与薄膜包封部30的侧表面、粘结层40的侧表面和包封基底50的侧表面接触。另外，根据本发明的示例性实施例，光电传感器的厚度可以与薄膜包封部30、粘结层40和包封基底50的组合厚度基本相同。
粘结层40可以包括含有光固化材料的有机材料(诸如环氧树脂、亚克力或硅树脂)或者可以包括有机和无机材料，在有机和无机材料中，滑石粉、氧化钙(CaO)、氧化钡(BaO)、沸石或SiO等被包括在有机材料中。粘结层40可以由于诸如紫外(UV)线的光而处于硬化状态。
换句话说，粘结层40可以由粘结性有机物、无机材料和透明材料形成。粘结层40可以阻挡薄膜包封部30和包封基底50之间的空间受到外部的水分或空气的影响。
图4是根据另一实施例的显示装置的剖视图。图1-3和图4中的相同的标号表示相同的元件并省略对其重复描述。
在根据本实施例的显示装置中，为将包封基底50附于薄膜包封部30，还可以在薄膜包封部30和包封基底50之间形成反射光的粘结层41。
在根据本实施例的显示装置中，粘结层41可以包括金属颗粒410。
金属颗粒410可以是金属，例如具有高反射率的Al或Ag。由于粘结层41包括具有高反射率的金属颗粒410，所以可以减小光损失。
例如，当由显示单元20发射的光被薄膜包封部30全反射并在向侧面行进的同时到达粘结层41时，包括在粘结层41中的金属颗粒410可以防止光穿过粘结层41。
当金属颗粒410(诸如具有高反射率的Al或Ag)被包括在粘结层41中时，到达粘结层41的光可以被金属颗粒410反射回薄膜包封部30。
因此，在根据本实施例的显示装置中，光经由透明的粘结层41发射到环境中，例如，可以防止光损失。
图5是根据另一实施例的显示装置的剖视图。图1-3和图5中的相同的标号表示相同的元件并省略对其重复描述。
在根据本实施例的显示装置中，为了将包封基底50附于薄膜包封部30，还可以在薄膜包封部30和包封基底50之间形成粘结层43，反射层430可以形成在粘结层43的上表面上。
反射层430可以以薄膜的形式形成在粘结层43的上表面上并可以反射朝向粘结层43行进的光。
例如，当由显示单元20发射的光被薄膜包封部30全反射并在向侧面行进的同时到达粘结层43时，光可以朝向顶侧行进，因此，可能发生光损失。为了防止这样的光损失，反射层430可以形成在粘结层43的上表面上。
图4和图5示出了能够反射入射到其上的光以防止光损失的粘结层41和粘结层43。然而，本发明不限制于此，可以包括任意的粘结层，只要粘结层由能够反射光的材料形成或具有能够反射光的结构即可。
返回参照图2，盖70可以被包括在外部区域B中以包围根据本实施例的显示装置。
盖70与TV的框架或移动电话的边框等对应。为了防止用户看到内部的布线、电路和其他不必要的结构，盖70可以形成为围绕显示装置。
此外，由于盖70围绕显示装置，所以显示装置可以以刚性且牢固的状态进行设置。
如上所述，根据所公开的实施例的至少一个，在顶部发射型显示装置中，防止光损失，并且向光电传感器传输足够量的光。
应该理解的是，在此描述的示例性实施例应被理解为仅是描述性的，而不是出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其他实施例中的其他相似的特征或方面。
尽管已经参照发明技术的示例性实施例具体示出和描述了发明技术，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离权利要求的精神和范围的情况下，可做出形式和细节上的各种改变。

Claims (18)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
显示单元，形成在所述基底的上方；
薄膜包封层，覆盖所述显示单元；
包封基底，形成在所述薄膜包封层的上方并包封所述显示单元；以及
光电传感器，形成在所述薄膜包封层的一端上，
其中，所述光电传感器与所述薄膜包封层的侧表面接触，并且所述光电传感器被构造成感测从所述显示单元输出的光的至少一部分，
其中，当在所述薄膜包封层内反复地发生光的全反射时，被反射的光被构造为向侧面行进。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜包封层包括交替地堆叠的多个有机层和多个无机层。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述有机层和所述无机层具有彼此不同的折射率。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括形成在所述薄膜包封层和所述包封基底之间的粘结层，其中，所述粘结层使所述薄膜包封层附于所述包封基底。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述粘结层由透明的有机材料形成。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述粘结层包括多个金属颗粒。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括形成在所述粘结层的上表面上方的反射层。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述光电传感器的厚度与所述薄膜包封层、所述粘结层和所述包封基底的组合厚度基本相同。
9.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述光电传感器与所述薄膜包封层的侧表面、所述粘结层的侧表面和所述包封基底的侧表面接触。
10.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底，包括发光区域和外部区域；
包封基底，与所述基底相对地形成；
显示单元，形成在所述基底的所述发光区域中；
薄膜包封层，覆盖所述显示单元；以及
光电传感器，形成在所述基底的所述外部区域中，
其中，所述光电传感器与所述薄膜包封层的侧表面接触，并且所述光电传感器被构造成感测从所述显示单元输出的光的至少一部分，
其中，当在所述薄膜包封层内反复地发生光的全反射时，被反射的光被构造为向侧面行进。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜包封层包括交替地堆叠的多个有机层和多个无机层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，所述有机层和所述无机层具有彼此不同的折射率。
13.根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括形成在所述薄膜包封层和所述包封基底之间的粘结层，其中，所述粘结层使所述薄膜包封层附于所述包封基底。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述光电传感器的厚度与所述薄膜包封层、所述粘结层和所述包封基底的组合厚度基本相同。
15.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述光电传感器与所述薄膜包封层的侧表面、所述粘结层的侧表面和所述包封基底的侧表面接触。
16.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
显示单元，形成在所述基底上方并被构造成输出光；
薄膜包封层，覆盖所述显示单元；以及
光电传感器，与所述薄膜包封层的侧表面接触并被构造成感测从所述显示单元输出的光的至少一部分，
其中，当在所述薄膜包封层内反复地发生光的全反射时，被反射的光被构造为向侧面行进。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括形成在所述薄膜包封层上方并包封所述显示单元的包封基底，其中，所述光电传感器与所述包封基底的侧表面接触。
18.根据权利要求17所述的显示装置，其特征在于，所述光电传感器的厚度大于所述薄膜包封层和所述包封基底的组合厚度。
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