JP2014007251A - 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 - Google Patents

基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 Download PDF

Info

Publication number
JP2014007251A
JP2014007251A JP2012141247A JP2012141247A JP2014007251A JP 2014007251 A JP2014007251 A JP 2014007251A JP 2012141247 A JP2012141247 A JP 2012141247A JP 2012141247 A JP2012141247 A JP 2012141247A JP 2014007251 A JP2014007251 A JP 2014007251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
substrate
wafer
airflow
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012141247A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5704129B2 (ja
Inventor
Hikaru Akata
光 赤田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2012141247A priority Critical patent/JP5704129B2/ja
Priority to KR1020130060580A priority patent/KR101805952B1/ko
Priority to TW102121738A priority patent/TWI525324B/zh
Priority to CN201310250020.XA priority patent/CN103513055B/zh
Priority to US13/923,501 priority patent/US9389242B2/en
Publication of JP2014007251A publication Critical patent/JP2014007251A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5704129B2 publication Critical patent/JP5704129B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P13/00Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement
    • G01P13/0006Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement of fluids or of granulous or powder-like substances
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P5/00Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

【課題】センサ用基板のセンサの配置可能な領域が限られていても、基板の表面における複数の測定領域の気流の風向を、精度高く検出すること。
【解決手段】気流のベクトルのデータを取得するための第1のセンサと、第2のセンサとからなる複数のセンサ対が、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ用基板を、基板の表面の第1及び第2の測定領域における前記風向のデータを取得するために前記載置部に第1の向き及び第2の向きで載置する。前記第1の測定領域と第2の測定領域とは、前記基板の中心部周りにその位置がずれている。そして、同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、前記第1の測定領域及び第2の測定領域における各基点からの風向を演算する。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数のモジュールを備える基板処理装置のデータ取得方法及び前記データ取得方法に用いられるセンサ用基板に関する。
半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、基板である半導体ウエハ(以下、ウエハという)の表面にレジストを塗布し、形成されたレジスト膜を所定のパターンで露光した後に現像してレジストパターンを形成している。レジストの塗布処理の前後や現像処理の前後ではウエハに加熱処理が行われる。
このようにウエハに各処理を行うモジュールは、ウエハの表面に気流を形成しながら処理を行う場合がある。例えば前記加熱処理を行う加熱モジュールにおいては、当該加熱処理中にウエハに形成されたレジスト膜などの各種の膜から発生した昇華物がウエハに付着することを防ぐために、ウエハの表面に気流が形成される。また、レジスト膜の形成を行うモジュールでは、スピンコーティングによりレジスト膜が形成されるが、ミストのウエハへの付着を防ぐために、ウエハが搬入されたカップ内の排気と、当該カップの上方からの前記ウエハ表面への気体の供給とが並行して行われる。
ところで、ウエハの面内各部で形成される気流の風向及び風速が乱れると、ウエハの面内の温度分布がばらつき、ウエハの面内の処理の均一性が低下してしまうおそれがある。また、ウエハに対して同じ処理を行うモジュール間においても気流のばらつきが発生すると、ウエハ間で処理の均一性が低下するおそれがある。それを防ぐために、コンピュータによるシミュレーションを行って風向及び風速を算出し、モジュールの気流の調整を行っていたが、ウエハの面内及びウエハ間での処理の均一性をより高くすることが求められている。このような事情から、ウエハと概ね同様の形状を有し、その表面に設けられたセンサにより風向及び風速の分布を測定する冶具(センサ用ウエハ)を使用することが検討されている。特許文献1にはそのような冶具について記載されている。
測定に要する手間を軽減させるために、前記センサ用ウエハは、ウエハと同様に上記のモジュール間を搬送され、各モジュールやウエハの搬送路における風向及び風速のデータを自動で取得することが考えられる。しかし、そのためにはセンサ用ウエハに前記センサの他に、様々な部品を設ける必要がある。具体的には、前記センサに電力を供給するための電源部、前記センサで取得したデータを保存するメモリ、当該データを外部に送信する送信部などを設けることが考えられる。
しかし、ウエハの処理時における風向及び風速のデータを設けるという目的から、前記センサ用ウエハの形状はウエハの形状から大きく逸脱することができない。つまり、前記部品を配置可能な場所は限られる。そして、前記部品による気流の乱れが少ない場所に前記センサが配置されることになる。つまり、前記センサを配置可能な場所は限られており、そのような条件下で精度高く気流の測定を行う技術が求められていた。前記特許文献1にはこのようなセンサのレイアウトの問題に付いては考慮されていないし、各センサは、所定の直線方向の流速しか検出することができないため、精度高く風向及び風速の分布を測定するには不十分である。
特開2003−106883(段落0019)
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、センサ用基板のセンサの配置可能な領域が限られていても、基板処理装置の載置部の基板の表面における複数の測定領域の気流の風向を、精度高く検出することができる技術を提供することである。
本発明の基板処理装置のデータ取得方法は、基板処理装置の基板の載置部に載置された前記基板の表面における複数の測定領域の気流の風向についてのデータを取得するデータ取得方法において、
気流のベクトルのデータを取得するための第1のセンサと、第2のセンサとからなる複数のセンサ対が、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ用基板を、前記基板の表面の第1の測定領域における前記風向のデータを取得するために前記載置部に第1の向きで載置する工程と、
前記第1の測定領域とは前記基板の中心部周りにその位置がずれた第2の測定領域の風向のデータを取得するために、当該載置部におけるセンサ用基板の向きを第2の向きに変更する工程と、
前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第1のセンサから、当該第1のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第2のセンサから、当該第2のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿い、且つ対となる第1のセンサに設定された前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、前記第1の測定領域及び第2の測定領域における各基点からの風向を演算する工程と、
を含むことを特徴とする。
本発明の具体的な態様は、例えば下記の通りである。
(a)前記センサ用基板の表面には、前記各センサ対が設けられるセンサ対配置領域と、当該センサ用基板の周方向にずれた位置に設けられる部品配置領域と、が形成され、
前記部品配置領域は、前記第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルのデータをセンサ用基板の外部に無線送信するための送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方を備える。
(b)前記センサ対配置領域と、部品配置領域とは、センサ用基板の左右に各々形成される。
(c)前記基板処理装置には、前記載置部を挟んで気体の供給口と、気体の排気口とが設けられ、
前記第1の向き及び第2の向きでセンサ用基板を載置する工程は、
前記供給口から前記排気口に向かって見て、前記センサ対配置領域及び前記部品配置領域が各々左右に配置されるようにセンサ用基板を載置する工程を含む。
(d)前記気流のベクトルのデータは気流の風速についてのデータであり、
前記気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、各基点からの風速を演算する工程を含む。
(e)前記第1の直線方向と、第2の直線方向との傾きのなす角は90°である。
本発明のセンサ用基板は、基板処理装置の基板の載置部に載置された前記基板の表面における複数の測定領域の気流の風向についてのデータを取得するためのセンサ用基板であって、
前記センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得するための複数の第1のセンサと、
前記第1のセンサと共に各々、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ対を構成し、且つ前記センサ用基板の表面に沿い、前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流ベクトルのデータを取得するための複数の第2のセンサと、
同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより各々取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成して各基点からの風向を演算するために、前記第1及び第2のセンサで取得されたデータをセンサ用基板の外部に無線送信する送信部または前記データを保存するメモリと、
を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、気流のベクトルのデータを取得するための第1のセンサと、第2のセンサとからなる複数のセンサ対が、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に複数設けられるセンサ用基板を、基板の載置部に第1の向きで載置し、次いでセンサ用基板を中心周りにその位置を変更して第2の向きにする。第1及び第2の向きにしたときに各センサから得られた気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、前記第1の測定領域及び第2の測定領域の風向きのデータを取得する。それによって、センサ基板においてセンサを配置可能な位置が限られていても、基板の各部の風向を精度高く測定することができる。
本発明の実施の形態に係るセンサ用ウエハの平面図である。 前記センサ用ウエハの側面図である。 前記センサ用ウエハに設けられるセンサ対の斜視図である。 前記センサ対を構成する風速センサの縦断側面図である。 前記風速センサの縦断側面図である。 前記風速センサを構成する回路素子を含む回路図である。 前記風速センサを構成する回路素子を含む回路図である。 センサ用ウエハによる測定原理を示す説明図である。 前記センサ用ウエハの概略構成を示すブロック図である。 センサ用ウエハにより測定が行われる様子を示す説明図である。 センサ用ウエハにより測定が行われる様子を示す説明図である。 センサ用ウエハに接続される制御部のブロック図である。 前記制御部に記憶されるグラフの説明図である。 前記制御部の表示部に表示される風向及び風速分布のイメージ図である。 前記センサ用ウエハが用いられる塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置の斜視図である。 前記塗布、現像装置の概略縦断側面図である。 前記塗布、現像装置に設けられる加熱モジュールの平面図である。 前記加熱モジュールの側面図である センサ用ウエハを用いた測定手順のフローチャートである。 前記センサ用ウエハによる測定手順を示す説明図である。 前記センサ用ウエハ表面の気流を示す説明図である。 前記センサ用ウエハ表面の気流を示す説明図である。 他の加熱モジュールにおける測定を示す説明図である。 他のセンサ用ウエハの構成例を示すブロック図である。 センサ用ウエハの他の例を示す概略平面図である。 センサ用ウエハの他の例を示す概略平面図である。 センサ用ウエハのさらに他の例を示す概略平面図である。 センサ用ウエハのさらに他の例を示す概略平面図である。 センサ用ウエハの他の例を示す概略平面図である。 センサ用ウエハの他の例を示す概略平面図である。 センサ用ウエハの他の例を示す裏面側斜視図である。 前記センサ用ウエハによる測定を行う様子を示す説明図である。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施形態に係るセンサ用ウエハ1について説明する。このセンサ用ウエハ1は、半導体製造用のウエハWの面内の複数の各部の風向及び風速を推定するために用いる冶具である。更に説明すると、このセンサ用ウエハ1は、基板処理装置である塗布、現像装置4内を前記ウエハWと同様に搬送されて、その面内の複数箇所で風速について検出したデータを前記塗布、現像装置4の制御部5に無線送信する。そして、制御部5により前記データに基づいて前記風速及び風向の分布が演算される。
図1、図2はセンサ用ウエハ1の平面図、側面図を夫々示している。このセンサ用ウエハ1は基板本体11を備えている。基板本体11は、シリコンにより構成され、前記ウエハWと同様に例えば直径が300mmの円形の板として構成されている。図2に示すその高さH1は例えば7mmである。基板本体11の周縁部には、その向きを特定するための切り欠きであるノッチNが形成されている。
基板本体11の表面には、当該基板本体11を2分するように、互いに反対方向に向かう概ね半円形の領域であるセンサ対配置領域12と、部品配置領域13とが設けられている。前記センサ対配置領域12には風向及び風速を測定するための19個のセンサ対14が、互いに間隔をおいて設けられている。センサ対14は基板本体11の中心部から周縁部に向けて5方向に放射状に広がるように配置されており、その配置場所としては基板本体11の中心部を含む直径上が含まれている。
部品配置領域13は、センサ対配置領域12とは反対方向に向かって形成された概ね半円形状の領域である。部品配置領域13には多数の回路素子や集積回路をなす回路部品15や後述の電源部(バッテリ)などが設けられている。図1では図の煩雑化を避けるために破断線で囲んだ領域内の一部の回路部品15のみを示している。センサ対14の周囲に形成される気流に与える影響を抑えるために、部品配置領域13はセンサ対配置領域12から離れて設けられている。部品配置領域13側のセンサ対14と、センサ対配置領域12側の回路部品15との離間距離L1は、例えば80mmである。
部品配置領域13から各センサ対14に向かって伸びるように配線形成領域16が形成されている。この配線形成領域16には、例えばアルミニウムからなる薄膜状の導電路パターン17が形成され、部品配置領域13の各部品に電気的に接続されている。導電路パターン17は、実際には多数のラインにより構成されるが、図1では便宜上、並行して形成される多数のラインをまとめて1本の線として示している。配線形成領域16の外側には、アルミニウムによる網目状のパターン18が形成され、グランドの役割を有している。当該パターン18は、導電路パターン17のインピーダンスを抑え、当該導電路パターン17を伝わる信号のノイズを抑える役割を有する。基板本体11の周縁には、ユーザのハンドリング用にこれらパターン17、18が形成されていない領域19が形成されている。
19個のセンサ対14について、チャンネル(Ch)1〜19とする。各チャンネルのセンサ対14は互いに同様に構成されている。図3はセンサ用ウエハ1の中心部のCh5のセンサ対14を示しており、このセンサ対14を例に挙げて説明する。センサ対14は、風速のデータを取得するための風速センサ2A、2Bからなり、風速センサ2A、2Bはその表面の所定の直線方向を流れる気流の風速に応じて信号を出力する。風速センサ2A、2Bは前記風速を検出できる方向が異なるように配置されることを除いて、互いに同様に構成されている。
風速センサ2Aを例に挙げて図4、図5の縦断側面図も参照しながら説明する。風速センサ2Aは例えば平面視矩形のチップである。チップの中央部には空隙部21が形成され、この空隙部21の表面を覆うように絶縁薄膜20が形成されている。絶縁薄膜20にはヒータ22と、このヒータ22を挟むようにサーモパイル23、24とが形成されている。また、チップには測温抵抗体である温度センサ25が設けられており、周囲温度に応じて当該温度センサ25の抵抗値が変化する。
このヒータ22、温度センサ25及び前記部品配置領域13の回路部品15は、夫々図6に示す温度補償回路31を構成している。この温度補償回路31において、ヒータ22、温度センサ25が固定抵抗R1、R2に夫々直列に接続されている。ヒータ22と固定抵抗R1との中点、温度センサ25と固定抵抗R1との中点は、夫々オペアンプOP1の反転入力端子、非反転入力端子に接続されている。オペアンプOP1の出力端子は固定抵抗R1、R2に接続される。
ヒータ22及び温度センサ25はグランドに接続されており、このようにヒータ22、温度センサ25及び固定抵抗R1、R2はブリッジ回路を構成している。また、電源電圧Vccを印加する電極、グランド間に電流供給回路30が設けられ、電流供給回路30は、固定抵抗R2と温度センサ25との間に接続されている。電流供給回路30は前記ブリッジ回路に供給する電流を制御する。周囲温度が高くなるほど温度センサ25の抵抗値が高くなる。このように、温度センサ25の抵抗値が高くなるほど固定抵抗R2と温度センサ25との間の電圧が高くなり、この電圧が高くなるほど、電流供給回路30からブリッジ回路へ供給する電流が小さくなる。
気流の大きさによりヒータ22の温度が変化し、オペアンプOP1からはこのヒータ22の熱を補償するように電力が供給される。具体的に説明すると、気流が大きくなり、ヒータ22の温度が下がるとヒータ22の抵抗値(Rh)が下がり、オペアンプOP1の−側の入力電圧が低くなるのでオペアンプOP1からブリッジ回路に出力される電圧が高くなる。そして、ヒータ22及び測温抵抗体である温度センサ25に加わる電圧が高くなり、ヒータ22の温度が上がる。逆に気流が小さくなるとオペアンプOP1からブリッジ回路への出力電圧が低くなり、ヒータ22の温度が下がる。このような作用によりヒータ22の温度は一定に保たれる。
また、周囲温度が変化して温度センサ25の抵抗値が変化すると、固定抵抗R2と温度センサ25との分圧比が変化し、オペアンプOP1への反転入力端子の電位が変化し、オペアンプOP1の出力が変化して、ヒータ22の出力が変化する。詳しく説明すると、周囲温度の上昇により温度センサ25の温度が上がって温度センサ25の抵抗値(Rb)が高くなる。固定抵抗R1、R2の抵抗値は気流により変化しないように構成され、ブリッジ回路の平衡条件よりRh/Rb=一定であるため、Rhが上昇してヒータ22の温度が上昇する。逆に周囲温度が低下したときは温度センサ25の抵抗値が下がり、Rhが下降してヒータ22の温度が下降する。このような作用によりヒータ22は周囲温度に対して一定温度だけ高い温度になるように温度補償される。前記電流供給回路30は、上記のように電流を制御することで周囲温度の変化に対してヒータ22の温度の変化のずれを抑える役割を有している。オペアンプOP1、固定抵抗R1、R2及び電流供給回路30を図6中に構成部品群32として示しており、この構成部品群32は上記の多数の回路部品15により構成されている。
サーモパイル23、24は図7に示す風速検出回路33を構成している。サーモパイル23、24は固定抵抗R3、R4に夫々直列に接続されており、これらの中点が夫々オペアンプOP2の反転入力端子、非反転入力端子に接続されている。また、固定抵抗R3、R4は電源電圧Vccが印加される電極に接続され、サーモパイル23、24はグランドに接続され、ブリッジ回路が構成されている。固定抵抗R3、R4及びオペアンプOP2を図中に構成部品群34として示しており、この構成部品群34は上記の多数の回路部品15により構成されている。
前記図4、図5も用いて風速検出回路33の作用を説明する。図4、図5ではヒータ22から放射される熱の分布をヒータ22に向かって領域27a、27b、27cとして示し、各領域はこの順に温度が高い。図4に示すようにサーモパイル23、24の配列方向に気流が形成されていない状態では、サーモパイル23、24は互いに同様の熱量を受け、オペアンプOP2からは所定の電圧が出力される。図5に示すように前記配列方向に気流が形成されると、その風速に応じて上記のヒータ22の熱分布が偏り、上流側のサーモパイル(図では24)に比べて下流側のサーモパイル(図では23)の温度が高くなる。この温度変化を受けてサーモパイル24、23の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に応じてオペアンプOP2からの出力が変化する。つまり、前記配列方向の風速に応じてオペアンプOP2からの出力が変化する。
図4の状態に対してサーモパイル23の温度が高くなる図5の状態では、サーモパイル24に比べてサーモパイル23の抵抗値が上昇し、オペアンプOP2の−側の入力が大きくなる。図5とは逆に、サーモパイル24側に向かって気流が形成されてサーモパイル24の温度が高くなるとサーモパイル23に比べてサーモパイル24の抵抗値が上昇し、オペアンプOP2の+側の入力が大きくなる。つまり、風速センサ2A、2Bは前記配列方向における風向きと、当該配列方向における風速とを検出することができる。風速センサ2Aが含まれる風速検出回路33からの前記出力をVx、風速センサ2Bが含まれる風速検出回路33からの前記出力をVyとする。
図3、図6及び図7に示す22A〜26Aは、風速センサ2A、2Bの表面に形成される電極である。各電極22A〜26Aは、図3に示すようにボンディングワイヤー22Bを介して導電路パターン17に接続され、上記の温度補償回路31及び風速検出回路33が形成される。なお、図3以外の各図では煩雑化を防ぐためにボンディングワイヤー22Bを省略している。
各センサ対14の風速センサ2Aのサーモパイル23、24は互いに同じ方向に配列され、この方向をX方向とする。この例では前記サーモパイル23が図1中の右側に配置され、この右側を+X側とする。各センサ対14の風速センサ2Bのサーモパイル23、24は互いに同じ方向に配列され、この方向をY方向とする。この例では前記サーモパイル23が図1中の上側に配置され、この上側を+Y側とする。X方向とY方向とは互いに90°異なっている。
図8を用いて各センサ対14による風向及び風速の測定方法の概略について説明する。図8では矢印でセンサ用ウエハ1の表面の気流の流れを示している。既述のように風速センサ2A、2BによりX方向の風速、Y方向の風速が検出される。同じセンサ対14を構成する風速センサ2A、2Bは互いに近接して配置されていることから、これらの風速センサ2A、2Bの表面には互いに同じ方向且つ同じ風速の気流が形成されていると見ることができる。そして、風速センサ2Aにより検出される気流の風速は前記X方向の風速であることから、気流のX方向のベクトル成分3Aと見ることができる。また、風速センサ2Bにより検出される気流の風速は前記Y方向の風速であることから、気流のY方向のベクトル成分3Bと見ることができる。そして、後述の制御部5は、このXY方向の各ベクトル成分をセンサ対14毎に予め設定された点Pを基点として合成し、風向及び風速を演算して表示できるように構成されている。
図8では図の煩雑化を防ぐために基点Pを鎖線の矢印により引き出してずらした位置に示しているが、実際には基点Pは図中に白い点として示した風速センサ2A、2Bに近接する位置に設定される。従ってこの基点Pの周囲にも風速センサ2A、2Bと同じ方向且つ同じ風速の気流が形成されていると見ることができる。後述の制御部5において各基点Pの位置は、例えばウエハWの中心位置を原点としたXY座標系により定義されている。
図9を用いてセンサ用ウエハ1の構成について更に説明する。各チャンネルCh1〜Ch19の構成部品群34の後段側には回路部品15からなるアナログ/デジタル変換器(ADC)37及び無線送信部38が設けられる。各チャンネルの構成部品群34から出力される風速に対応した前記電圧値Vx、Vyは、前記ADC37にてアナログデータからディジタルデータに変換され、当該ディジタルデータが無線送信部38から塗布、現像装置4の制御部5に無線送信される。この無線送信部38は前記送信を行うために、アンテナ、通信回路及び前記通信回路の動作を制御する制御回路などを含んでいる。また、部品配置領域13には、例えばリチウム電池からなる電源部39が設けられている。この電源部39は、各センサ対14及び部品配置領域13の各部品に例えば常時電力を供給し、それによって無線送信部38から常時、電圧値Vx、Vyが無線送信される。
ところで、前記センサ対配置領域12はセンサ用ウエハ1の表面の概ね半分の領域しかカバーしていない。従って、塗布、現像装置4におけるウエハWの載置部(載置領域)41にウエハWを載置して測定を行うと、この当該載置部41の概ね半分の領域の各部の風向及び風速しか測定することができない。そこで、例えば図10に示すように、載置部41に所定の向きでセンサ用ウエハ1を載置して、各チャンネルのVx、Vyを取得したら、図11に示すように載置部41におけるセンサ用ウエハ1の向きを180度変更する。そして再び、Vx、Vyを取得する。つまり、2回目のVx、Vyの測定時には、1回目で部品配置領域13が配置されていた領域に当該センサ対配置領域12が位置して、測定が行われるように、センサ用ウエハ1が配置される。これによって載置部41全体における各部の風向及び風速の分布を取得することができる。図10、図11は、塗布、現像装置4の加熱モジュール71の載置部41に載置した場合を示している。加熱モジュール71については後述する。
塗布、現像装置4の制御部5について図12を参照しながら説明する。制御部5はバス51を備え、バス51にはCPU52、プログラム格納部53、第1のメモリ55、第2のメモリ56、表示部57及び操作部58が接続されている。プログラム格納部53にはプログラム59が格納されている。例えばこのプログラム59は、後述するように塗布、現像装置4のモジュール間においてウエハWを搬送して処理を行う処理モードと、センサ用ウエハ1による測定を行う測定モードとを切り替えて実行する。そして、当該プログラム59は、ウエハWの搬送及び処理と、センサ用ウエハ1の搬送及び上記の測定とが夫々行えるように塗布、現像装置4の各部に制御信号を送信して、ウエハWの搬送機構の動作及びモジュールの動作を制御する。プログラム格納部53は、コンピュータ記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、ハードディスク、MO(光磁気ディスク)等により構成されている。
第1のメモリ55には、チャンネル毎に各種のデータが記憶される。このデータとしては無線送信された電圧値Vx、Vy、これらVx、Vyから夫々演算されるX方向、Y方向の風速値Cx、Cy、前記Cx、Cyから演算される上記の点Pを基点とする風速値Cxy、及び上記の基点PのXY座標である。これらの各値が、チャンネル毎に夫々互いに対応付けられて記憶される。また、これらVx、Vy、Cx、Cy、Cxyは、塗布、現像装置4に設けられるモジュールごとに記憶される。さらに、上記のように各モジュールにおいて、風向、風速は2回測定されるため、これらVx、Vy、Cx、Cy、Cxyが測定回数に対応付けられて記憶される。また、前記Vx、Vyはデータの取得を開始してから連続して取得され、時間毎にこれらVx、Vyが第1のメモリ55に記憶される。それによって、測定開始から任意の時間経過後の風向、風速の分布を表示部57に表示することができる。
第2のメモリ56には、図13に示すグラフ56Aが記憶されている。このグラフ49は前記電圧Vx、Vyと、前記風速Cx、Cy(単位m/秒)との対応関係を示したものであり、縦軸は前記出力電圧、横軸は前記風速を夫々示している。プログラム59により、第1のメモリ55に記憶されたVx、Vyからグラフ56Aにおいて対応するCx、Cyの値が読み出される。読み出されたCx、Cyは、前記Vx、Vyに対応付けられて当該第1のメモリ55に記憶される。
表示部57はディスプレイである。プログラム59は、上記のように各センサ対14により得られたX方向の風速及びY方向の風速を、点Pを基点にして合成して風向を算出する。また、X方向とY方向のなす角が90°であることから{(Cx)+(Cy)}1/2=Cxyを演算し、このCxyを演算に用いた、Cx、Cyに対応付けて第1のメモリ55に記憶する。これら各種の演算はCPU51により行われる。
例えば同じモジュールについて1回目の測定、2回目の測定ともにモジュール内は同じ環境になるように設定されている。そして、センサ用ウエハ1は各モジュールについて予め設定された向きにされた状態で各測定が行われる。前記プログラム59は、これら2回の測定において例えば測定開始から同じ時間経過後に取得されたVx、Vyに基づいて、夫々の測定回の風速Cx、Cy、Cxyを演算する。そして、この演算結果と各基点Pの座標とに基づいて、載置部41全体の風向、風速の分布を表示部57に表示する。
図14は一例として、図10、図11に示したようにセンサ用ウエハ1を載置部41に載置して測定を行ったときの表示部57の表示を示している。設定された座標に基づいてこの表示部57の所定の場所に、1回目及び2回目の各測定時における基点Pが同時に表示されると共に、算出した風向がこれら基点Pから伸びる矢印として表示される。つまり、ウエハWの載置部41を半円ごと2回に分けて測定を行っているが、画面表示は載置部41全体の風速、風向の分布を示すように行われる。図中各基点Pについてはチャンネルに対応する番号を付して示している。前記矢印は、演算された風速値Cxyが大きいほど長く表示される。
また、表示部57にはこの矢印の他にカラー画像で風速分布が表示される。画面内に載置部41、即ちセンサ用ウエハ1の外形が表示され、その面内が演算された各チャンネルのCxyに応じたカラーで表示される。実際の画像表示はカラーのグラデーションであるが、図14では便宜上それに代えて等高線を用いており、風速の強度に応じた模様を付して示している。前記グラデーション中のカラーと風速Cxyの数値との対応を示すバー57Aが前記風速分布と共に表示され、ユーザは載置部41の面内各部の風速Cxyの値が分かるようになっている。
図14中、2回目の測定時において1回目の測定時の基点と重なる位置にある基点を括弧内に示している。センサ用ウエハ1の向きを変えて測定を行うため、このように基点Pが重なる、つまり載置部41において1回目と2回目とで共に測定が行われる箇所があるが、このような箇所は、例えば各測定回の測定結果の平均値が演算されて表示が行われる。
図12に戻って、操作部58について説明する。この操作部58は、例えばマウス、キーボード、タッチパネルなどにより構成されている。ユーザはこの操作部58から、センサ用ウエハ1で測定を行うモジュールを設定することができる。また、前記測定を行うモジュールが、センサ用ウエハ1の向きを変更できる機能を持たない場合、センサ用ウエハ1を他のモジュールに搬送して、前記向きの変更を行うが、このように向きの変更を行うモジュールも、この操作部58から設定する。
また、ユーザはこの操作部58により、表示部57へ上記の画像表示の指示を行う。測定を行ったモジュールについて、測定を開始してからの時間を指定すると、その指定した時間に取得された電圧値Vx、Vyから上記の風速値Cx、Cy、Cxyが演算され、図14に示したように風向及び風速分布の表示が行われる。また、測定開始から測定終了までの任意の区間を指定することにより、当該区間に取得されたVx、Vyに対応する前記風速値Cx、Cy、Cxyが演算され、この風速値に基づいて時系列に従って表示が行われる。つまり、風向及び風速の経時的な変化を示す動画として表示部57に表示させることができる。これらの表示部57への表示もプログラム59により制御される。
続いて、塗布、現像装置4の一例について図15〜17を参照しながら説明する。図15、16、17は夫々塗布、現像装置4の平面図、斜視図、概略縦断側面図である。この塗布、現像装置4は、互いに直線状に配列されたキャリアブロックD1と、処理ブロックD2と、インターフェイスブロックD3とを備えている。インターフェイスブロックD3には露光装置D4が接続されている。以降の説明ではブロックD1〜D3の配列方向を前後方向とする。キャリアブロックD1は、ウエハWを含むキャリアCを装置内に搬入出する役割を有し、キャリアCの載置台42と、キャリアCからウエハWを搬送するための移載機構43とを備えている。
処理ブロックD2は、ウエハWに液処理を行う第1〜第6の単位ブロックB1〜B6が下から順に積層されて構成されている。説明の便宜上ウエハWに下層側の反射防止膜を形成する処理を「BCT」、ウエハWにレジスト膜を形成する処理を「COT」、露光後のウエハWにレジストパターンを形成するための処理を「DEV」と夫々表現する場合がある。また、図16では単位ブロックを「層」と表現して記載の繁雑化を避けている。この例では、下からBCT層、COT層、DEV層が2層ずつ積み上げられており、代表してCOT層B3について図15を参照しながら説明する。キャリアブロックD1からインターフェイスブロックD3へ向かう搬送領域Rの左右の一方側には棚ユニットU1〜U6が前後方向に配置され、他方側には夫々液処理モジュールであるレジスト塗布モジュール61と、保護膜形成モジュール62とが前後に並べて設けられている。搬送領域Rには図示しないエア供給部からエアが供給されている。
レジスト塗布モジュール61はカップ63を備えている。このカップ63内にはウエハWの裏面を吸着保持すると共に鉛直軸回りに回転自在なステージ64が設けられる。このステージ64によりウエハWを保持して、薬液ノズルからレジストをウエハW上に供給し、スピンコーティングが行われる。このスピンコーティングは、レジスト塗布モジュール61の天井部からエアが供給されると共にカップ63内が排気された状態で行われる。保護膜形成モジュール62は保護膜を形成するための薬液により、同様にしてカップ63を用いて処理が行われるように構成されている。
前記搬送領域Rには、ウエハWの搬送機構である搬送アームA3が設けられている。この搬送アームA3は、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、且つ搬送領域Rの長さ方向に移動自在に構成されており、単位ブロックB3の各モジュール間でウエハWの受け渡しを行うことができる。また、前記棚ユニットU1〜U6は、搬送領域Rの長さ方向に沿って配列され、棚ユニットU1〜U5は、ウエハWの加熱処理を行う加熱モジュール71が例えば2段に積層されて構成されている。棚ユニットU6は、互いに積層された周縁露光モジュール65により構成される。
周縁露光モジュール65は、ウエハWの周縁を露光する露光部と、ウエハWの裏面を支持すると共に回転自在且つ横方向に移動自在なステージと、露光する幅が制御するためにウエハWの周縁位置を決定する光センサと、を備えている。前記光センサは、回転するウエハWの周縁へ投光する投光部と、この投光部と対になる受光部とからなり、前記受光部が投光部から受ける光の入射範囲に基づいて、前記制御部5はウエハWの周縁位置を検出する。後述するようにセンサ用ウエハ1を用いるときには、前記入射範囲に基づいてセンサ用ウエハ1のノッチNの向きの検出を行い、前記ステージによりその向きを調整する。
単位ブロックB4はB3と同様に構成される。他の単位ブロックB1、B2、B5及びB6は、ウエハWに供給する薬液が異なること及び周縁露光モジュール65の代わりに加熱モジュール71が設けられることなどを除き、単位ブロックB3、B4と同様に構成される。単位ブロックB1、B2は、レジスト塗布モジュール61、保護膜形成モジュール62の代わりに反射防止膜形成モジュールを備え、単位ブロックB5、B6は、現像モジュールを備える。図17では各単位ブロックB1〜B6の搬送アームはA1〜A6として示している。
処理ブロックD2におけるキャリアブロックD1側には、各単位ブロックB1〜B6に跨って上下に伸びるタワーT1と、タワーT1に対してウエハWの受け渡しを行うための昇降自在な搬送機構である受け渡しアーム44とが設けられている。タワーT1は、互いに積層された複数のモジュールにより構成されている。実際にはタワーT1には各種のモジュールが設けられるが、説明を簡素化するために、受け渡しアーム44と各単位ブロックB1〜B6の搬送アームA1〜A6との間でウエハWを受け渡すための受け渡しモジュールTRSのみ表示する。
インターフェイスブロックD3は単位ブロックB1〜B6に跨って上下に伸びるタワーT2、T3、T4を備えている。45、46、47はインターフェイスアームである。アーム45はタワーT2とタワーT3とに対してウエハWの受け渡しを行い、アーム46は、タワーT2とタワーT3に対してウエハWの受け渡しを行い、アーム47は、タワーT2と露光装置D4の間でウエハWの受け渡しを行う。タワーT2は、受け渡しモジュールTRS、が互いに積層されて構成されている。なお、T3、T4については説明を省略する。
この塗布、現像装置4及び露光装置D4からなるシステムのウエハWの搬送経路の概略について簡単に説明する。ウエハWは、キャリアC→移載機構43→タワーT1の受け渡しモジュールTRS→受け渡しアーム44→タワーT1の受け渡しモジュールTRS→単位ブロックB1(B2)→単位ブロックB3(B4)→インターフェイスブロックD3→露光装置D4→インターフェイスブロックD3→タワーT1の受け渡しモジュールTRS→移載機構43→キャリアCの順で流れていく。
処理ブロックD2内のウエハWの流れについてより詳しく述べると、反射防止膜を形成する単位ブロックB1、B2、レジスト膜を形成する単位ブロックB3、B4及び現像を行う単位ブロックB5、B6は二重化されており、これら二重化された単位ブロックに対して、ウエハWが振り分けられて搬送される。例えばウエハWを単位ブロックB1に受け渡す場合には、タワーT1のうちの受け渡しモジュールTRSのうち、単位ブロックB1に対応する受け渡しモジュールTRS1(搬送アームA1によりウエハWの受け渡しが可能な受け渡しモジュール)に対して、受け渡しアーム44によりウエハWが受け渡される。タワーT1における受け渡しアーム44の受け取り元のモジュールは、移載機構43により搬入される受け渡しモジュールTRS0である。また単位ブロックB2に対応する受け渡しモジュールをTRS2とすれば、受け渡しモジュールTRS0のウエハWは受け渡しアーム44により受け渡しモジュールTRS2に受け渡される。
また単位ブロックB1あるいはB2にて反射防止膜の形成を終えたウエハWは、例えば受け渡しモジュールTRS1あるいはTRS2を介して、受け渡しアーム54により単位ブロックB3に対応する受け渡しモジュールTRS3と単位ブロックB4に対応する受け渡しモジュールTRS4との間で交互に振り分け搬送されることになる。
ところでウエハWが載置される場所をモジュールと記載している。モジュールには、ウエハWの搬入出を検出するための図示しないセンサが設けられている。各モジュールにおいてウエハWが搬入及び搬出されると、各センサから前記制御部5へそのように搬入、搬出がなされたことを示す搬入信号、搬出信号が夫々送信される。各モジュールでは所定の設定量で常時排気が行われており、また搬送領域Rやレジスト塗布モジュール61などの所定のモジュールでは、所定の量で常時エアが供給されている。
気流の測定手順について説明する前に、前記加熱モジュール71について図18の平面図、図19の側面図を用いて説明しておく。図中72は基台、73はウエハWを加熱する熱板である。74は冷却プレートであり、熱板73上の載置部(載置領域)41で加熱されたウエハWを冷却すると共に搬送アームAから受け渡されたウエハWを熱板73上へ搬送する。75は昇降自在なピンであり、ウエハWを熱板73と冷却プレート74との間で受け渡す。
熱板73が設けられる側を奥側、冷却プレート74が設けられる側を手前側とすると、熱板73の上方、左右及び奥側を囲うようにカバー76が形成されており、カバー76内の奥側には排気口77が左右方向に多数設けられている。カバー76の手前側はガス供給口をなす開口部78を形成し、搬送領域Rのエアがこの開口部78を介してカバー76内に進入し、排気口77から排気される。このように形成される気流に曝されながら、ウエハWの加熱処理が行われる。図中79は排気口77に接続される排気管である。
続いて、この塗布、現像装置4における単位ブロックB3の加熱モジュール71と、レジスト塗布モジュール61とをこの順で測定する場合を例に挙げて、図20のフローチャートを参照しながら測定手順を説明する。先ず、ユーザが制御部5を用いて上記のようにウエハWを処理する処理モードから、風向及び風速の測定を行う測定モードを行うように切り替える。そして、制御部5から風向、風速の測定を行うモジュールと、モジュールの測定を行う順番を設定する。そして、測定を行うモジュールがセンサ用ウエハ1の向きを変更することができない場合、向きを変更するモジュールについて指定する。この場合は前記加熱モジュール71、次いでレジスト塗布モジュール61の測定を行うように設定する。加熱モジュール71は前記向きを変更することができないため、向きを変更するモジュールも指定する。ここでは例えば前記レジスト塗布モジュール61を指定するものとして説明する(ステップS1)。また、センサ用ウエハ1の搬送経路についても設定する。
続いてウエハWに代わりセンサ用ウエハ1を格納したキャリアCが、キャリアブロックD1に搬送され、移載機構43によりキャリアCからセンサ用ウエハ1が取り出される(ステップS2)。センサ用ウエハ1はタワーT1を介して単位ブロックB3に搬送され、次いで搬送アームA3により周縁露光モジュール65に搬送される。この周縁露光モジュール65にてノッチNの検出が行われ、当該ノッチNが所定の方向を向くようにセンサ用ウエハ1の向きが調整される(ステップS3)。
搬送アームA3により、向きが調整されたセンサ用ウエハ1がステップS1で設定された加熱モジュール71に搬送される。加熱モジュール71のウエハW検出用のセンサから、センサ用ウエハ1が搬送されたことを示す搬入信号が制御部5に送信される(ステップS4)。この搬入信号を受信すると、センサ用ウエハ1から無線で送信されている電圧値Vx、Vyの第1のメモリ55への記憶が開始される(ステップS5)。
ステップS3で向きが調整されたことにより、センサ用ウエハ1は図10に示したように加熱モジュール71の開口部78から排気口77に向かって見て、左右に夫々センサ対配置領域12、部品配置領域13が位置するように熱板73上に受け渡され、前記Vx、Vyの取得が続けられる。図10では矢印で気流の向きを示している。このとき、上記のようにセンサ用ウエハ1が配置されるため、センサ対配置領域12に向かう気流は、部品配置領域13の各部品に衝突すること無く排気口77へ直進するように流れ、センサ対配置領域12にて気流が乱れることが防がれる。前記搬入信号の送信から所定の時間経過後、センサ用ウエハ1は搬送アームA3に受け渡され、加熱モジュール71から搬出される。前記ウエハW検出用のセンサからセンサ用ウエハ1が搬出されたことを示す搬出信号が制御部5に送信され、制御部5が当該信号を受信すると、Vx、Vyの記憶が停止される(ステップS6)。
搬送アームA3により、センサ用ウエハ1の向きを変更するように設定されたレジスト塗布モジュール61に当該センサ用ウエハ1が搬送される。当該センサ用ウエハ1が載置されたステージ64は図21に示すように180度回転し、センサ用ウエハ1の向きが変更される(ステップS7)。向きが変更されたセンサ用ウエハ1は搬送アームA3に受け渡された後、前記加熱モジュール71に再度搬送され、上記のステップS4、S5と同様に搬入信号が制御部5に送信されると、電圧値Vx、Vyのメモリ55への記憶が再開される(ステップS8)。
このとき、レジスト塗布モジュール61にて向きが変更されているため、図11に示すようにウエハWは1回目の測定時とは、180度向きが変わった状態で熱板73上に載置される。従って、この2回目の測定でもセンサ対配置領域12に向かう気流は、部品配置領域13の各部品に衝突すること無く排気口77へ向かって直進して流れる。そして、ステップS6と同様に前記搬入信号の送信から所定の時間経過後、ステップS6と同様にセンサ用ウエハ1は、搬送アームA3により加熱モジュール71から搬出され、加熱モジュール71からは搬出信号が制御部5に送信される。然る後、Vx、Vyの記憶が停止される(ステップS9)。
センサ用ウエハ1は、続いて測定を行うように設定されたレジスト塗布モジュール61へ搬送される(ステップS10)。そして、上記のステップS4、S5と同様に、センサ用ウエハ1の検出、制御部5への搬入信号の送信が順次行われ、制御部5によるVx、Vyの記憶が開始される。図22は、この測定時のセンサ用ウエハ1の周囲の気流を矢印で示している。カップ63内のステージ64上の載置部41に載置されたセンサ用ウエハ1に天井からエアが供給され、カップ63内で行われる排気により、前記エアはセンサ用ウエハ1の中央部側から周縁部側へ向かって放射状に広がるように流れる。このとき、センサ対配置領域12と部品配置領域13とがセンサ用ウエハ1の互いに異なる半円領域に形成されているため、センサ対配置領域12を流れる気流は、部品配置領域13の部品に衝突せずに前記周縁部へ流れる。
このレジスト塗布モジュール61はセンサ用ウエハ1の向きを変更できるため、センサ用ウエハ1を一旦外部に搬出することなく、2回目の測定が行われる。例えば前記搬入信号の送信から所定の時間経過後、一旦制御部5によるデータVx、Vyの記憶が停止され、然る後ステージ64が180度回転され、図23に示すようにセンサ用ウエハ1の向きが変更される。この向きの変更後、制御部5によるVx、Vyの取得が再開され、2回目の測定が行われる。このときも1回目の測定と同様にセンサ対配置領域12を流れる気流は、図23中に矢印で示すように部品配置領域13の部品に衝突せずにセンサ用ウエハ1の周縁部へ流れる。
その後、ステップS9と同様に搬送アームA3によるセンサ用ウエハ1の搬出、レジスト塗布モジュール61から搬出信号の送信が順次行われ、Vx、Vyの記憶が停止される。その後、例えばセンサ用ウエハ1は、搬送アームA3、タワーT1のTRS、移載機構43の順に搬送されてキャリアCに戻される。このように各モジュールのVx、Vyを取得後、ユーザが制御部5より、風向及び風速分布を表示させるモジュールを指定し、図14に示したように画像表示が行われる。
代表して加熱モジュール71及びレジスト塗布モジュール61の気流の測定について説明したが、例えばウエハWの向きを変える機能を持たないTRSなどのモジュールについては加熱モジュール71と同様に測定が行われる。また、周縁露光モジュール65や現像モジュールなどウエハWの向きを変える機能を持つモジュールについてはレジスト塗布モジュール61と同様に測定が行われる。また、載置部41はモジュールの載置部41に限られず、搬送アームAなどのウエハWの搬送機構の載置部も含まれる。つまり、前記搬送機構によりセンサ用ウエハ1を保持した状態で測定を行うことで、ウエハWの搬送領域の風向、風速分布を測定することができる。この場合も、加熱モジュール71の気流の測定を行う場合と同様に1回目の測定と2回目の測定との間に、レジスト塗布モジュール61などでセンサ用ウエハ1の向きが変更される。
上記のセンサ用ウエハ1は、塗布、現像装置4によりウエハWと同様に自動でモジュール間を搬送されてデータを取得するように構成されているため、測定者の手間が抑えられる。より具体的には、前記制御部5とセンサ用ウエハ1とをデータ送信用のワイヤーで接続する構成に比べて、センサ用ウエハ1を搬送するために要する手間を抑えることができるし、例えばモジュールの内部と外部との間で前記ワイヤーを引き回すために、当該モジュールの部品を取り外したりするなどの手間が省かれる。また、前記ワイヤーによるモジュール内の気流の影響を抑えることができるという効果もある。
そして、センサ用ウエハ1の概ね2分割した一方の半円領域をセンサ対配置領域12、他方を部品配置領域13とし、上記のようにセンサ用ウエハ1の向きを変えて2度に分けて測定を行うことで、センサ対配置領域12表面を流れる気流が、部品配置領域13の部品群に衝突して乱流となることを防ぐことができる。
従って、風向及び風速の測定精度を高くすることができる。また、このようなレイアウトとすることで、例えば各部品を基板本体11に埋め込むことで、センサ対配置領域12における気流の影響を抑える必要も無くなるので、部品の形状及び大きさの自由度が高くなり、センサ用ウエハ1の製造コストを抑えることができる。また、前記埋め込みを行うためにセンサ用ウエハ1の厚さがウエハWの厚さよりも大きくなる、つまりセンサ用ウエハ1の形状がウエハWの形状から乖離していくことによる測定精度の低下を防ぐことができる。ただし、センサ用ウエハ1において、そのような各部品の基板本体11への埋め込みが禁止されるものではない。
上記の例では、ウエハW表面に一端側から他端側に向かう気流を形成するモジュール及び中央部から周縁部側に向かう気流を形成するモジュールについての測定例を示したが、それら以外の方向に気流を形成するモジュールについても測定を行うことができる。図24は他の構成の加熱モジュール81を示したものである。熱板73の上方を囲うように蓋体82が設けられ、蓋体82の天井中央部には排気口83が形成される。蓋体82の内周には、熱板73を囲うようにガス供給口84が形成され、熱板73の周縁部から中央部に向かう気流がウエハWの中心部から見て周方向に概ね対称に形成される。
このように気流が形成されるため、加熱モジュール71の気流を測定する場合とは異なり、前記レジスト塗布モジュール61の気流を測定する場合と同様にセンサ用ウエハ1は任意の向きで熱板73上に載置することができる。なお、この加熱モジュール81において、排気口83をガス供給口、ガス供給口84を排気口として、センサ用ウエハ1の中心部から周縁部に向かう気流を測定する場合も、同様にセンサ用ウエハ1によって測定を行うことができる。
(第2の実施形態)
図25には第2の実施形態のセンサ用ウエハ9の概略構成を示している。第1の実施形態との差異点を説明すると、このセンサ用ウエハ9には無線送信部38が設けられておらず、ADC37から出力されるデータが例えば部品配置領域13に着脱自在に設けられるメモリ91に記憶される。また、電源部39にはスイッチ92が設けられている。このスイッチ92により、電源部39から部品配置領域13の各部及びセンサ対14への電力供給のオンオフの切り替えが手動で行われる。
このセンサ用ウエハ9を用いた測定の一例について説明すると、例えば図15に示すレジスト塗布モジュール61及び保護膜形成モジュール62の内部と、塗布、現像装置4の外部とを区画する区画壁93を取り外し、ユーザが制御部5により、搬送アームA3をモジュール61または62内に進入するように指示する。そして、ユーザがスイッチ92をオンにし、前記区画壁93が取り外されて形成された開口部を介して装置4の外部から前記搬送アームA3にセンサ用ウエハ9を受け渡す。次いで制御部5によりセンサ用ウエハ1の搬送経路を設定して、センサ用ウエハ1を所望のモジュールに搬送する。前記モジュールへ搬送後は、第1の実施形態と同様に、測定回ごとにセンサ用ウエハ1を互いに異なる向きにして測定を行う。
測定終了後、センサ用ウエハ1を前記レジスト塗布モジュール61及び保護膜形成モジュール62に搬送し、ユーザは前記開口部を介してセンサ用ウエハ1を回収し、スイッチ92をオフにする。そして、前記メモリ91のデータをコンピュータに読み込み、Vx、Vyの時系列データのうち、前記モジュールにセンサ用ウエハ1が搬入されていた時刻に取得されたデータを抽出し、第1の実施形態と同様に風向、風速分布を表示画面に表示させる。この第2の実施形態においても第1の実施形態と同様の効果が得られる。なお、メモリ91は第1の実施形態に適用し、バックアップとしてのデータが取得できるようにしてもよい。
ところで、センサ対配置領域12及び部品配置領域13のレイアウトとしては上記の例に限られない。例えば図26に示すセンサ用ウエハ94では部品配置領域13が、その中心角が90度の扇状の領域として構成されている。そして、センサ対配置領域12がその中心角が概ね225度の扇領域とされている。図26以降の各図では図示を明確にするために部品配置領域13に多数の点を付している。この図26は1回目の測定時のセンサ用ウエハ94の向きを示し、図27は2回目の測定時のセンサ用ウエハ94の向きを示している。向きを変更するためにウエハ94を回転させる角度としては、第1の実施形態と同様に1回目の測定時で部品配置領域13が位置していた場所の風向及び風速が2回目の測定で取得されればよく、この例では90度回転させている。
詳しく説明すると、この例では第1の実施形態と同様に、ウエハWの載置部41の中心部から見て8方向に広がる径の各部の気流を測定し、この径は、前記載置部41の中心部周りに等角度で設定されている。センサ用ウエハ94では、その中心部から径に沿って6方向に広がるように配列されたセンサ対14が上記の扇状の配置領域12を構成し、センサ対14が配列される径は、扇の中心部周りに等角度で設定されている。前記図26の1回目の測定では、前記載置部41の中心部から8方向に広がる径のうち、6方向の径の各部の気流が測定される。そして、前記図27の2回目の測定では、1回目の測定において測定できなかった8方向の径のうちの2方向の径を含む6方向の径の各部の気流が測定される。
この図26、27のセンサ用ウエハ94では、部品配置領域13の扇のなす角が180°以下であるため、加熱モジュール71において開口部78から排気口77に向かって見て、部品配置領域13を左右の一方側に配置したとき、センサ対配置領域12において前記左右の他方側に配置されたセンサ対14に向かう気流は、この部品配置領域13に衝突しない。また、レジスト塗布モジュール61及び加熱モジュール81のように載置部41の中央部から周縁部へ広がる気流、及び周縁部から中央部に集まるように流れる気流を形成するモジュールに用いる場合も、センサ対配置領域12に流れる気流は部品配置領域13に衝突しない。従って、この図26、27のセンサ用ウエハ94によれば、センサ用ウエハ1と同様に、これらレジスト塗布モジュール61及び加熱モジュール71、81で精度の高い気流のデータを取得することができる。
図28に示すように部品配置領域13は、その中心角が90度よりも小さい扇状に構成してもよい。図26、図27のセンサ用ウエハ94と同様に、この図28のセンサ用ウエハ94を用いても、レジスト塗布モジュール61や加熱モジュール71、81の気流を精度高く測定することができる。また、図29に示すように部品配置領域13は中心角が180度よりも大きい扇状に構成してもよい。上記の載置部41の中央部から周縁部へ広がる気流、及び周縁部から中央部に集まるように流れる気流を測定する際には、部品配置領域13によるセンサ対14へ向かう気流の遮蔽が起こらない。従ってこのような構成により、精度の高い気流のデータを取得することができる。ただし、そのように前記中心角が180度を超える角度になると、加熱モジュール71のようにウエハWの一端側から他端側へ向かう気流を形成するモジュールを測定するにあたり、センサ対配置領域12に向かう気流が、部品配置領域13に遮蔽されるため、前記中心角は180度以下の扇状に形成することが好ましい。
また、載置部41の中央部から周縁部へ広がる気流及び周縁部から中央部へ集まる気流の測定を行うための、さらに他のセンサ用ウエハ94の構成例について、図30、31に示している。センサ対14としては図30に示すように一つの半径方向にのみ複数配置し、多数回向きを変えて測定を行うことで、載置部41の多数の箇所の風向及び風速の測定を行ってもよい。また、センサ対14は中心部から周縁部に向かって互いに異なる位置に配置すれば、センサ用ウエハ94の向きを変えることで載置部41の多数の箇所の測定を行うことができる。従って、例えば図31に示すようにセンサ対14は、周方向に互いにずれて配置されていてもよい。図中の点線はウエハ94の周に沿った仮想の線である。これら、図30、31のようにセンサ対14を配置しても、各測定時にセンサ対14の周囲の気流は部品配置領域13に遮蔽されること無く流れるので、精度高い測定データが得られる。
また、図32は他のセンサ用ウエハ94の裏面を示している。この例では、部品配置領域13はセンサ用ウエハ94の裏面周縁部にリング状に形成されており、図33に示すようにレジスト塗布モジュール61のステージ64による保持領域の外側に形成されている。それによって、センサ用ウエハ94の基板本体11はウエハWと同じ位置に保持されるため、センサ対14のレイアウトの幅を広げることができ、且つ精度高い測定を行うことができる。ただし、前記加熱モジュール71の熱板73に載置した場合には、ウエハWよりも基板本体11が載置される位置が高くなるため、他の例のようにセンサ用ウエハ1表面に部品配置領域13を設ける方が有利である。
上記の例では周縁露光モジュール65を用いて、加熱モジュール71に搬送されたときにセンサ用ウエハ1の各領域12、13が気流に対して左右に並ぶように当該ウエハ1の向きを調整しているが、このように調整を行うことには限られない。例えば、予め加熱モジュール71に搬送されたときにセンサ用ウエハ1がそのような向きになるように、当該ウエハ1をキャリアCに格納しておき、その状態でキャリアCを塗布、現像装置4に搬送してもよい。例えばキャリアCに周縁露光モジュール65に設けられる回転自在なステージ及び光センサを設け、センサ用ウエハ1の向きを調整してから指定されたモジュールに搬送してもよい。レジスト塗布モジュール61、保護膜形成モジュール62または現像モジュールなど、前記ステージ64を備え、塗布、現像装置4内で液処理を行うモジュールに前記光センサを設けて、そのように向きの調整を行ってもよい。
また、キャリアCにセンサ用ウエハ1を格納することに限られず、例えば塗布、現像装置4内にセンサ用ウエハ1を格納しておいてもよい。例えば移載機構43がアクセス可能な領域にセンサ用ウエハ1の格納部を設けてもよい。そして、ウエハWの処理が行われている間、当該格納部にてセンサ用ウエハ1の電源部39に無線または有線で給電し、当該電源部39を構成する電池が充電されるようにしてもよい。また、電源部39を設けて各部に電力供給を行う代わりに、測定時にウエハWと同様の形状に構成された無線給電を行う冶具を、センサ用ウエハ1の近くに搬送し、無線による電力供給を行ってもよい。上記の例では測定中、塗布、現像装置4内の各部における排気量及びガス供給量はセンサ用ウエハ1の搬入前後で変化しないが、モジュールのセンサがセンサ用ウエハ1を検出すると、初期値から所定値に変化するようになっていてもよい。さらに、上記の例では載置部41を半面ごとに1回ずつ測定しているが、半面を複数回測定し、各回の平均値を算出して各部の風向及び風速分布を取得してもよい。風向及び風速を演算しているが、風向のみを演算によって求めて表示してもよい。
(評価試験1)
部品配置領域13がセンサ対配置領域12の気流に与える影響を調べる実験を行った。この実験では、加熱モジュール71と同様に、載置部41に載置されたウエハWの一端側から他端側へ向かう気流を形成する評価装置を用意した。加熱モジュール71の測定時と同様に、装置の排気口からエア供給口に向かって見て、センサ対配置領域12及び部品配置領域13が左右に配列されるようにセンサ用ウエハ1を配置し、部品配置領域13に沿って配置されたCh1〜Ch3、Ch5、Ch7〜Ch9の各風速センサ2A、2Bにより検出される風速値を調べた。測定を行う度に基板本体11における部品配置領域13の位置をずらし、図1に示すセンサ対14からの離間距離L1を変更した。また、参照冶具として、部品配置領域13の各部品をケーブルにより基板本体11から引き出して離れた位置に形成した他は、センサ用ウエハ1と同様に構成されたウエハを用意し、同様に測定を行った。
ここでは参照冶具の各チャンネルの風速値に対してセンサ用ウエハ1の各チャンネルの風速値との差が0.01m/s以内に収まる場合を合格とした。センサ用ウエハ1において離間距離L1が70mm以下の場合、この許容範囲を逸脱するチャンネルがあったが、離間距離L1を80mmにすると、上記の全てのチャンネルの風速値が許容範囲に収まった。なお、評価装置からの風速は0.1m/s、0.2m/s、0.2m/sに設定したが、離間距離L1を80mmに設定した場合、いずれの風速に設定しても許容範囲に収まっていた。
(評価試験2)
前記評価装置を用いる代わりに実施形態で示した加熱モジュール81を用い、離間距離L1を80mmに設定したセンサ用ウエハ1と、前記参照冶具とを用いて評価試験1と同様に実験を行った。加熱モジュール81の気体供給量は4.0L/分に設定した。その結果、センサ用ウエハ1の上記の全てのチャンネルの風速値が前記許容範囲に収まった。つまり、これらの実験から基板本体11上に部品配置領域13を設けても、センサ対配置領域12との距離を調整することで、前記領域13の部品がセンサ対14周囲の気流に与える影響を防ぐことができることが示された。
1、9 センサ用ウエハ
12 センサ対配置領域
13 部品配置領域
14 センサ対
2A、2B 風速センサ
22 ヒータ
22B ボンディングワイヤー
23、24 サーモパイル
25 温度センサ
38 無線送信部
39 電源部
4 塗布、現像装置
5 制御部
61 レジスト塗布モジュール
65 周縁露光モジュール
71 加熱モジュール
91 メモリ

Claims (9)

  1. 基板処理装置の基板の載置部に載置された前記基板の表面における複数の測定領域の気流の風向についてのデータを取得するデータ取得方法において、
    気流のベクトルのデータを取得するための第1のセンサと、第2のセンサとからなる複数のセンサ対が、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ用基板を、前記基板の表面の第1の測定領域における前記風向のデータを取得するために前記載置部に第1の向きで載置する工程と、
    前記第1の測定領域とは前記基板の中心部周りにその位置がずれた第2の測定領域の風向のデータを取得するために、当該載置部におけるセンサ用基板の向きを第2の向きに変更する工程と、
    前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第1のセンサから、当該第1のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
    前記第1の向き及び第2の向きで載置されたセンサ用基板の各第2のセンサから、当該第2のセンサについて各々センサ用基板の表面に沿い、且つ対となる第1のセンサに設定された前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流のベクトルのデータを取得する工程と、
    同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、前記第1の測定領域及び第2の測定領域における各基点からの風向を演算する工程と、
    を含むことを特徴とする基板処理装置のデータ取得方法。
  2. 前記センサ用基板の表面には、前記各センサ対が設けられるセンサ対配置領域と、当該センサ用基板の周方向にずれた位置に設けられる部品配置領域と、が形成され、
    前記部品配置領域は、前記第1のセンサ及び第2のセンサにより取得された気流のベクトルのデータをセンサ用基板の外部に無線送信するための送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方を備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置のデータ取得方法。
  3. 前記センサ対配置領域と、部品配置領域とは、センサ用基板の左右に各々形成されることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置のデータ取得方法。
  4. 前記基板処理装置には、前記載置部を挟んで気体の供給口と、気体の排気口とが設けられ、
    前記第1の向き及び第2の向きでセンサ用基板を載置する工程は、
    前記供給口から前記排気口に向かって見て、前記センサ対配置領域及び前記部品配置領域が各々左右に配置されるようにセンサ用基板を載置する工程を含むことを特徴とする請求項3記載の基板処理装置のデータ取得方法。
  5. 前記気流のベクトルのデータは気流の風速についてのデータであり、
    前記気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成し、各基点からの風速を演算する工程を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
  6. 前記第1の直線方向と、第2の直線方向との傾きのなす角は90°であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の基板処理装置のデータ取得方法。
  7. 基板処理装置の基板の載置部に載置された前記基板の表面における複数の測定領域の気流の風向についてのデータを取得するためのセンサ用基板であって、
    前記センサ用基板の表面に沿って設定された第1の直線方向における気流のベクトルのデータを取得するための複数の第1のセンサと、
    前記第1のセンサと共に各々、その表面の中央部から見て互いに異なる距離に設けられるセンサ対を構成し、且つ前記センサ用基板の表面に沿い、前記第1の直線方向とは傾いて設定された第2の直線方向における気流ベクトルのデータを取得するための複数の第2のセンサと、
    同じセンサ対をなす第1のセンサ及び第2のセンサにより各々取得された気流のベクトルをセンサ対毎に予め設定された基点に基づいて合成して各基点からの風向を演算するために、前記第1及び第2のセンサで取得されたデータをセンサ用基板の外部に無線送信する送信部及び前記データを保存するメモリのうち少なくとも一方と、
    を備えたことを特徴とするセンサ用基板。
  8. 前記各センサ対が設けられるセンサ対配置領域と、前記送信部またはメモリが設けられる部品配置領域とは、センサ用基板の表面において周方向にずれた位置に互いに設けられることを特徴とする請求項7記載のセンサ用基板。
  9. 前記センサ対配置領域と、部品配置領域とは、センサ用基板の左右に各々形成されることを特徴とする請求項8記載のセンサ用基板。
JP2012141247A 2012-06-22 2012-06-22 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 Active JP5704129B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012141247A JP5704129B2 (ja) 2012-06-22 2012-06-22 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
KR1020130060580A KR101805952B1 (ko) 2012-06-22 2013-05-28 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판
TW102121738A TWI525324B (zh) 2012-06-22 2013-06-19 基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板
CN201310250020.XA CN103513055B (zh) 2012-06-22 2013-06-21 基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板
US13/923,501 US9389242B2 (en) 2012-06-22 2013-06-21 Method for obtaining data of substrate processing apparatus and sensor substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012141247A JP5704129B2 (ja) 2012-06-22 2012-06-22 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014007251A true JP2014007251A (ja) 2014-01-16
JP5704129B2 JP5704129B2 (ja) 2015-04-22

Family

ID=49775128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012141247A Active JP5704129B2 (ja) 2012-06-22 2012-06-22 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9389242B2 (ja)
JP (1) JP5704129B2 (ja)
KR (1) KR101805952B1 (ja)
CN (1) CN103513055B (ja)
TW (1) TWI525324B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108344662A (zh) * 2017-01-23 2018-07-31 株式会社平间理化研究所 显影液的二氧化碳浓度显示装置及显影液管理装置

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6211968B2 (ja) * 2014-03-20 2017-10-11 株式会社東芝 圧力センサ、マイクロフォン及び音響処理システム
JP6645993B2 (ja) * 2016-03-29 2020-02-14 株式会社Kokusai Electric 処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム並びに半導体装置の製造方法
US11139149B2 (en) * 2017-11-29 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas injector
JP7029983B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-04 東京エレクトロン株式会社 測定器及び測定器のずれ量を求める方法
JP7140351B2 (ja) * 2018-06-11 2022-09-21 ミネベアミツミ株式会社 センサユニット
KR102249046B1 (ko) 2020-07-16 2021-05-07 윤여신 작물 재배용 베드 어셈블리
KR20220041300A (ko) 2020-09-24 2022-04-01 세메스 주식회사 웨이퍼형 센서 유닛 및 웨이퍼형 센서 유닛을 이용한 데이터 취득 방법
KR102654891B1 (ko) 2020-12-28 2024-04-05 세메스 주식회사 이상 진단 시스템 및 이상 진단 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06265564A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Yamatake Honeywell Co Ltd 気体の流速検出装置
JP2003106883A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Yamatake Corp 気流センサ
JP2004507753A (ja) * 2000-09-01 2004-03-11 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 入射気流の速度および角度方向を測定するためのマイクロセンサ
JP2007317705A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
JP2008506267A (ja) * 2004-07-10 2008-02-28 オンウェハーテクノロジーズ インコーポレーテッド パラメータ測定の歪みを小さくする方法および装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810231B2 (ja) * 1987-03-31 1996-01-31 シャープ株式会社 フローセンサ
US8323521B2 (en) 2009-08-12 2012-12-04 Tokyo Electron Limited Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques
JP5445335B2 (ja) * 2010-05-31 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理システム
JP5293719B2 (ja) * 2010-10-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP5696605B2 (ja) * 2011-07-01 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理装置
JP5673577B2 (ja) * 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06265564A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Yamatake Honeywell Co Ltd 気体の流速検出装置
JP2004507753A (ja) * 2000-09-01 2004-03-11 ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド 入射気流の速度および角度方向を測定するためのマイクロセンサ
JP2003106883A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Yamatake Corp 気流センサ
JP2008506267A (ja) * 2004-07-10 2008-02-28 オンウェハーテクノロジーズ インコーポレーテッド パラメータ測定の歪みを小さくする方法および装置
JP2007317705A (ja) * 2006-05-23 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
US20090292491A1 (en) * 2006-05-23 2009-11-26 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, device inspecting method, device inspecting program and recording medium having the program recorded therein

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108344662A (zh) * 2017-01-23 2018-07-31 株式会社平间理化研究所 显影液的二氧化碳浓度显示装置及显影液管理装置
JP2018120896A (ja) * 2017-01-23 2018-08-02 株式会社平間理化研究所 現像液の二酸化炭素濃度表示装置、及び現像液管理装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20130346018A1 (en) 2013-12-26
US9389242B2 (en) 2016-07-12
KR101805952B1 (ko) 2017-12-06
TW201418714A (zh) 2014-05-16
KR20140000147A (ko) 2014-01-02
CN103513055B (zh) 2017-08-01
JP5704129B2 (ja) 2015-04-22
TWI525324B (zh) 2016-03-11
CN103513055A (zh) 2014-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5704129B2 (ja) 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
KR101853505B1 (ko) 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판
JP5712975B2 (ja) 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
US6229116B1 (en) Heat treatment apparatus
JP2009054993A (ja) 位置検出用治具
KR101676500B1 (ko) 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판
US8326559B2 (en) Substrate processing system, system inspecting method, system inspecting program and recording medium storing the program recorded therein
JP2017146161A (ja) 熱板の温度測定装置及び熱板の温度測定方法
KR101332511B1 (ko) 물리량 계측 장치 및 물리량 계측 방법
TW201543542A (zh) 基板處理系統、基板運送方法、程式及電腦記憶媒體
JP2016147246A (ja) 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
JP4067053B2 (ja) 静電容量センサ式計測装置
JP3641162B2 (ja) 塗布膜形成装置及びその方法並びにパターン形成方法
JP3761081B2 (ja) 基板処理装置
JP2002033254A (ja) 基板加熱装置及びその方法
JP3718633B2 (ja) 基板処理方法及び基板処理装置
JP2002064048A (ja) 塗布膜形成装置及びその方法
JP2011091435A (ja) 基板処理装置
JP2008111683A (ja) 基板処理システム

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140613

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141014

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141104

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141224

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150127

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150209

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5704129

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250