TW201418714A - 基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板 - Google Patents

基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板 Download PDF

Info

Publication number
TW201418714A
TW201418714A TW102121738A TW102121738A TW201418714A TW 201418714 A TW201418714 A TW 201418714A TW 102121738 A TW102121738 A TW 102121738A TW 102121738 A TW102121738 A TW 102121738A TW 201418714 A TW201418714 A TW 201418714A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
sensor
substrate
wafer
airflow
data
Prior art date
Application number
TW102121738A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI525324B (zh
Inventor
Hikaru Akada
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201418714A publication Critical patent/TW201418714A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI525324B publication Critical patent/TWI525324B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P13/00—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement
    • G01P13/0006—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement of fluids or of granulous or powder-like substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

[課題]即使感測器用基板之感測器的可配置區域為有限，亦可高精度地檢測基板之表面中複數個測定區域的氣流風向。[解決手段]複數個感測器對係為了取得基板表面之第1及第2測定區域中前述風向的資料，而將設置於由其表面的中央部觀看彼此不同距離的感測器用基板，以第1方向及第2方向載置於前述載置部，該複數個感測器對係由用於取得氣流之向量資料之第1感測器與第2感測器所構成。前述第1測定區域與第2測定區域係其位置偏移前述基板的中心部周圍。且，根據每感測器對事先所設定之基點，合成由形成相同之感測器對的第1感測器及第2感測器所取得之氣流向量，演算來自前述第1測定區域及第2測定區域中各基點之風向。

Description

基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板
本發明係關於具備複數個模組之基板處理裝置的資料取得方法及用於前述資料取得方法之感測器用基板。
在半導體製造工程之一個光阻膜工程中，在作為基板之半導體晶圓(以下稱為晶圓)的表面塗佈光阻劑，以預定之圖案對所形成之光阻膜進行曝光後，進行顯像而形成光阻圖案。在光阻劑之塗佈處理的前後或顯像處理的前後，對晶圓進行加熱處理。
因此，對晶圓進行各處理的模組係存在有於晶圓之表面形成氣流的同時進行處理的情況。例如，在進行前述加熱處理之加熱模組中，為了防止由在該加熱處理中形成於晶圓之光阻膜等的各種膜產生之昇華物附著於晶圓，因此在晶圓的表面形成氣流。又，在形成光阻膜之模組中，藉由旋轉塗佈形成光阻膜，為了防止霧附著於晶 圓，因此同時進行搬入晶圓之凹槽內的排氣與對來自該凹槽之上方的前述晶圓表面供給氣體。
其中，在晶圓之面內各部份所形成之氣流的風向及風速紊亂時，晶圓之面內的溫度分布會有偏差，恐怕會導致晶圓面內之處理的均一性下降。又，對晶圓進行相同處理之模組間發生氣流不穩定時，恐怕也會導致在晶圓間處理的均一性下降。為了防止其問題，因此進行電腦之模擬且計算出風向及風速來調整模組之氣流，而更可提高晶圓之面內及晶圓間中處理的均一性。由該情況來進行以下檢討，其中，具有與晶圓大致相同的形狀，藉由設置於其表面的感測器，使用測定風向及風速之分佈的治具(感測器用晶圓)。在專利文獻1係記載有像這樣的治具。
為了減少測定所需要花費的勞力與時間，前述感測器用晶圓係與晶圓相同地在上述之模組間進行搬送，而自動取得各模組或晶圓之搬送路徑中風向及風速的資料。但，為此，在感測器用晶圓中除了前述感測器之外，亦必須設置各種零件等。具體而言，考慮設置以下零件等：電源部，用於對前述感測器供給電力；記憶體，保存由前述感測器所取得之資料；發送部，對外部發送該資料。
其中，由設置在處理晶圓時之風向及風速的資料該目的，前述感測器用晶圓的形狀並不會與晶圓的形狀相差太多。即，可配置前述零件之位置係有限的。且， 在前述零件所引起之氣流紊亂較少之位置，配置前述感測器。即，可配置前述感測器之位置係有限的，在該條件下，要求進行高精度地測定氣流的技術。在前述專利文獻1中，並沒有考慮像這樣感測器佈線之問題，各感測器係只能夠檢測預定之直線方向的流速，因此對於高精度測定風向及風速的分佈係不足夠的。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]特開2003-106883號公報(0019段)
本發明係在該情況而進行者，其目的係即使感測器用基板之感測器的可配置區域為有限，亦提供能夠高精度地檢測基板處理裝置之載置部之基板的表面中複數個測定區域的氣流風向。
本發明之基板處理裝置的資料取得方法係取得關於載置於基板處理裝置之基板之載置部的前述基板之表面中複數個測定區域之氣流風向的資料，該資料取得方法其特徵係，包含： 複數個感測器對，係為了取得前述基板表面之第1測定區域中前述風向的資料，而將設置於由其表面之中央部觀看且彼此不同距離的感測器用基板，以第1方向載置於前述載置部的工程，複數個感測器對係由用於取得氣流之向量資料的第1感測器與第2感測器所構成；為了取得在前述基板之中心部周圍其位置偏移前述第1測定區域之第2測定區域之風向的資料，而將該載置部中感測器用基板的方向變更為第2方向的工程；由以前述第1方向及第2方向所載置之感測器用基板的各第1感測器，取得關於該第1感測器沿著各個感測器用基板的表面所設定之第1直線方向中氣流之向量資料的工程；由在前述第1方向及第2方向所載置之感測器用基板的各第2感測器，取得關於該第2感測器沿著各個感測器用基板的表面，且與設定為成對之第1感測器之前述第1直線方向為傾斜而設定之第2直線方向中氣流之向量資料的工程；根據每感測器對事先所設定之基點，合成由形成相同之感測器對的第1感測器及第2感測器所取得之氣流向量，演算來自前述第1測定區域及第2測定區域中各基點之風向的工程。
本發明之具體的態樣係例如下述。
(a)在前述感測器用基板之表面，形成有設置前述各感測器對之感測器對配置區域與設置於偏離該感測器用 基板之圓周方向之位置的零件配置區域，前述零件配置區域係具備發送部及記憶體之至少其中之一，該發送部係用於將由前述第1感測器及第2感測器所取得之氣流之向量資料無線發送至感測器用基板之外部；該記憶體係保存前述資料。
(b)前述感測器對配置區域與零件配置區域係各自形成於感測器用基板的左右。
(c)在前述基板處理裝置中，隔著前述載置部且設置有氣體供給口與氣體的排氣口，以前述第1方向及第2方向，載置感測器用基板之工程係包含：由前述供給口朝向前述排氣口觀看，前述感測器對配置區域及前述零件配置區域係各別配置於左右，而載置感測器用基板的工程。
(d)前述氣流之向量資料係關於氣流之風速的資料，包含：根據每感測器對所預先設定之基點，合成前述氣流之向量，演算來自各基點之風速的工程。
(e)前述第1直線方向與第2直線方向之所形成傾斜的角度為90°。
本發明之感測器用基板係用於取得關於在基板處理裝置之基板的載置部所載置之前述基板的表面中複數個測定區域之氣流風向的資料，該感測器用基板其特徵係，具備： 複數個第1感測器，用於取得沿著前述感測器用基板的表面所設定之第1直線方向中氣流之向量資料；複數個第2感測器，與各個前述第1感測器構成感測器對，該感測器對係設置於由其表面之中央部觀看而彼此不同距離，且用於取得沿著前述感測器用基板的表面，與前述第1直線方向為傾斜而設定之第2直線方向中氣流向量的資料；發送部或記憶體，該發送部係為了根據每感測器對事先所設定之基點，合成由形成相同之感測器對的第1感測器及第2感測器所各別取得之氣流向量，並演算來自各基點的風向，因此將由前述第1及第2感測器所取得之資料無線發送至感測器用基板的外部；該記憶體係保存前述資料。
根據本發明，複數個感測器對係將複數設置於由其表面的中央部觀看且彼此不同距離之感測器用基板，以第1方向載置於基板的載置部，而該複數個感測器對係由用於取得氣流之向量資料之第1感測器與第2感測器所構成，接下來，在中心周圍變更感測器用基板其位置且設為第2方向。當設為第1及第2方向時，根據每感測器對所預先設定之基點合成由各感測器所得到之氣流的向量，取得前述第1測定區域及第2測定區域之風向的資料。藉此，在感測器基板中，即使可配置感測器的位置為 有限，亦能夠高精度地測定基板之各部份的風向。
1、9‧‧‧感測器用晶圓
12‧‧‧感測器對配置區域
13‧‧‧零件配置區域
14‧‧‧感測器對
2A、2B‧‧‧風速感測器
22‧‧‧加熱器
22B‧‧‧接線
23、24‧‧‧熱電堆
25‧‧‧溫度感測器
38‧‧‧無線發送部
39‧‧‧電源部
4‧‧‧塗佈、顯像裝置
5‧‧‧控制部
61‧‧‧光阻塗佈模組
65‧‧‧周緣曝光模組
71‧‧‧加熱模組
91‧‧‧記憶體
[圖1]關於本發明之實施形態之感測器用晶圓的平面圖。
[圖2]前述感測器用晶圓之側視圖。
[圖3]設置於前述感測器用晶圓之感測器對的立體圖。
[圖4]構成前述感測器對之風速感測器的縱向側視圖。
[圖5]前述風速感測器對之縱向側視圖。
[圖6]包含構成前述風速感測器之電路元件的電路圖。
[圖7]包含構成前述風速感測器之電路元件的電路圖。
[圖8]表示感測器用晶圓之測定原理的說明圖。
[圖9]表示前述感測器用晶圓之概略構成的方塊圖。
[圖10]表示藉由感測器用晶圓進行測定之狀況的說明圖。
[圖11]表示藉由感測器用晶圓進行測定之狀況的說明圖。
[圖12]連接於感測器用晶圓之控制部的方塊圖。
[圖13]記憶於前述控制部之圖表的說明圖。
[圖14]顯示於前述控制部之顯示部之風向及風速分佈的影像圖。
[圖15]使用前述感測器用晶圓之塗佈、顯像裝置的平面圖。
[圖16]前述塗佈、顯像裝置的立體圖。
[圖17]前述塗佈、顯像裝置之概略縱向側視圖。
[圖18]設置於前述塗佈、顯像裝置之加熱模組的平面圖。
[圖19]前述加熱模組之側視圖。
[圖20]使用感測器用晶圓之測定步驟的流程圖。
[圖21]表示前述感測器用晶圓之測定步驟的說明圖。
[圖22]表示前述感測器用晶圓表面之氣流的說明圖。
[圖23]表示前述感測器用晶圓表面之氣流的說明圖。
[圖24]表示其他加熱模組中測定的說明圖。
[圖25]表示其他感測器用晶圓之構成例的方塊圖。
[圖26]表示感測器用晶圓之其他例子的概略平面圖。
[圖27]表示感測器用晶圓之其他例子的概略平面圖。
[圖28]另外表示感測器用晶圓之其他例子的概略平面圖。
[圖29]另外表示感測器用晶圓之其他例子的概略平面圖。
[圖30]表示感測器用晶圓之其他例子的概略平面圖。
[圖31]表示感測器用晶圓之其他例子的概略平面圖。
[圖32]表示感測器用晶圓之其他例子的背面側立體 圖。
[圖33]表示前述感測器用晶圓之測定之狀況的說明圖。
(第1實施形態)
說明關於本發明之第1實施形態的感測器用晶圓1。該感測器用晶圓1係為了估算半導體製造用之晶圓W面內之複數個各部份的風向及風速而使用的治具。更進一步說明，該感測器用晶圓1係與前述晶圓W相同地在基板處理裝置之塗佈、顯像裝置4內進行搬送，在其面內的複數個位置，將檢測之關於風速的資料無線發送至前述塗佈、顯像裝置4的控制部5(參閱圖9)。且，藉由控制部5根據前述資料，演算前述風速及風向的分佈。
圖1、圖2係各別表示感測器用晶圓1之平面圖、側視圖。該感測器用晶圓1係具備基板本體11。基板本體11係由矽構成，與前述晶圓W相同例如構成為直徑300mm之圓形板。圖2所示之其高度H1係例如為7mm。在基板本體11之周緣部中，形成有用於特定其方向之切口的槽口N。
在基板本體11之表面，設置有感測器對配置區域12與零件配置區域13，該感測器對配置區域12係將該基板本體11分成2部分，彼此朝向相反方向大致半 圓形之區域。在前述感測器對配置區域12中，設置有用於測定風向及風速之19個彼此間隔的感測器對14。感測器對14係由基板本體11之中心部朝向周緣部放射狀地延伸至5個方向而配置，作為該配置位置係含有包含基板本體11之中心部的直徑上。
零件配置區域13係與感測器對配置區域12朝向相反方向所形成之大致半圓形狀的區域。在零件配置區域13中，設置有形成多數個電路元件或積體電路之電路元件15或後述之電源部(電池)等。在圖1中，為了簡略圖面，因此僅表示以虛線所包圍之區域內之一部份的電路元件15。為了抑制在感測器對14的周圍對所形成之氣流產生的影響，因此在遠離感測器對配置區域12處設置有零件配置區域13。零件配置區域13側之感測器對14與感測器對配置區域12側之電路元件15之間隔距離L1係例如為80mm。
由零件配置區域13以朝向各感測器對14延伸之方式，形成配線形成區域16。在該配線形成區域16中，形成由例如鋁所構成之薄膜狀的導電路圖案17，電性地連接於零件配置區域13之各零件。實際上，導電路圖案17係由多數條線所構成，在圖1中為了方便起見，將並行而形成之多數條線進行匯集且表示為1條線。在配線形成區域16之外側，形成鋁之網目狀的圖案18，具有接地的作用。該圖案18係具有抑制導電路圖案17之阻抗並抑制傳輸該導電路圖案17之信號的雜訊之作用。在基 板本體11之周緣，在使用者之操作用形成有未形成該些導電路圖案17、圖案18之區域19。
關於19個感測器對14，設為通道(Ch)1~19。各通道之感測器對14係彼此具有相同之構成。圖3係表示感測器用晶圓1之中心部之Ch5的感測器對14，以該感測器對14作為例子進行說明。感測器對14係由用於取得風速之資料的風速感測器2A、2B所構成，風速感測器2A、2B係因應流經其表面之預定直線方向之氣流的風速來輸出信號。風速感測器2A、2B係除了配置為能夠檢測前述風速之不同方向之外，彼此具有相同構成。
以風速感測器2A作為例子，亦同時參閱圖4、圖5之縱向側視圖加以說明。風速感測器2A係例如平面視圖矩形之晶片。在晶片之中央部形成空隙部21，以覆蓋該空隙部21之表面的方式形成絕緣薄膜20。在絕緣薄膜20中，形成有加熱器22與隔著該加熱器22之熱電堆23、24。又，在晶片中設置有作為電阻溫度檢測器之溫度感測器25，該溫度感測器25的電阻值會因應周圍溫度而進行變化。
該加熱器22、溫度感測器25及前述零件配置區域13之電路元件15係各別構成圖6所示之溫度補償電路31。該溫度補償電路31中，加熱器22、溫度感測器25係各別串聯於固定電阻R1、R2。加熱器22與固定電阻R1之中點、溫度感測器25與固定電阻R2之中點係各別連接於運算放大器OP1之反相輸入端子、非反相輸入 端子。運算放大器OP1之輸出端子係連接於固定電阻R1、R2。
加熱器22及溫度感測器25係連接至接地，因此，加熱器22、溫度感測器25及固定電阻R1、R2係構成電橋電路。又，在施加電源電壓Vcc之電極、接地間設置有電流供給電路30，電流供給電路30係連接於固定電阻R2與溫度感測器25之間。電流供給電路30係對前述電橋電路控制供給之電流。當周圍溫度越高，則溫度感測器25之電阻值越高。因此，當溫度感測器25之電阻值越高時，固定電阻R2與溫度感測器25之間的電壓將越高，該電壓越高，由電流供給電路30供給到電橋電路之電流將變小。
藉由氣流的大小，加熱器22之溫度會產生變化，由運算放大器OP1供給電力，以補償該加熱器22之熱能。具體地進行說明，氣流將變大，當加熱器22之溫度下降時，加熱器22之電阻值(Rh)會下降，運算放大器OP1之-側的輸入電壓會降低，因此由運算放大器OP1輸出至電橋電路的電壓會上升。且，施加於加熱器22及電阻溫度檢測器之溫度感測器25的電壓會上升，且加熱器22之溫度會上升。相反地，當氣流變小時，由運算放大器OP1至電橋電路的輸出電壓會降低，而加熱器22之溫度會下降。藉由此作用，加熱器22之溫度會保持固定。
又，當周圍溫度發生變化且溫度感測器25之 電阻值發生變化時，固定電阻R2與溫度感測器25之分壓比將產生變化，對運算放大器OP1之反相輸入端子的電位會產生變化，而運算放大器OP1之輸出會產生變化且加熱器22之輸出會產生變化。更詳細地進行說明，藉由周圍溫度之上升，溫度感測器25之溫度會上升且溫度感測器25之電阻值(Rb)會變大。固定電阻R1、R2之電阻值係構成為不會因氣流產生變化，由於電橋電路之平衡條件Rh/Rb=固定，因此Rh會上升且加熱器22之溫度會上升。相反地，當周圍溫度下降時，溫度感測器25之電阻值會下降，而Rh會下降且加熱器22之溫度會下降。藉由該作用，加熱器22係對周圍溫度進行溫度補償，以使恆溫成為較高的溫度。前述電流供給電路30係具有以下之作用，其作用係如上述藉由控制電流，對周圍溫度之變化而抑制加熱器22之溫度變化的偏差。在圖6中，將運算放大器OP1、固定電阻R1、R2及電流供給電路30表示為構成零件群32，該構成零件群32係由上述之多數個電路元件15而構成。
熱電堆23、24係構成圖7所示之風速檢測電路33。熱電堆23、24係各別串聯於固定電阻R3、R4，該些之中點係各別連接於運算放大器OP2之反相輸入端子、非反相輸入端子。又，固定電阻R3、R4係連接於施加電源電壓Vcc之電極，熱電堆23、24係連接於接地，構成電橋電路。在圖中，將固定電阻R3、R4及運算放大器OP2表示為構成零件群34，該構成零件群34係由上述 之多數個電路元件15而構成。
亦使用前述圖4、圖5，說明風速檢測電路33之作用。在圖4、圖5中，朝向加熱器22將由加熱器22所放射之熱能的分佈表示為區域27a、27b、27c，各區域係溫度依該順序而越高。如圖4所示，在熱電堆23、24之排列方向不形成氣流的狀態下，熱電堆23、24係彼此接收相同的熱量，而由運算放大器OP2輸出預定電壓。如圖5所示在前述排列方向形成氣流時，因應其風速上述之加熱器22的熱分佈會偏移，與上流側之熱電堆(圖中為24)相比較，下流側之熱電堆(圖中為23)的溫度會升高。
接收該溫度變化且熱電堆24、23的電阻值會產生變化，因應該電阻值的變化，由運算放大器OP2的輸出會產生變化。即，因應前述排列方向的風速，由運算放大器OP2的輸出會產生變化。
對於圖4之狀態，在熱電堆23之溫度升高之圖5的狀態下，與熱電堆24相比較，熱電堆23之電阻值會上升，運算放大器OP2之-側的輸入會變大。與圖5相反，當朝向熱電堆24側形成氣流，且熱電堆24的溫度上升時，與熱電堆23相比較，熱電堆24之電阻值會上升，運算放大器OP2之+側的輸入部會變大。即，風速感測器2A、2B係能夠檢測前述排列方向中的風向與該排列方向中的風速。將來自包含風速感測器2A之風速檢測電路33之前述所輸出的電壓值設為Vx，將來自包含風速 感測器2B之風速檢測電路33之前述所輸出的電壓值設為Vy。
圖3、圖6、圖7所示之22A~26A係形成於風速感測器2A、2B之表面的電極。各電極22A~26A係如圖3所示，介隔著接線22B連接於導電路圖案17，形成上述之溫度補償電路31及風速檢測電路33。此外，為了簡略圖3以外之各圖，因而省略接線22B。
各感測器對14之風速感測器2A的熱電堆23、24係彼此排列於相同方向，將該方向設為X方向。在該例中，前述熱電堆23被配置於圖1中的右側，將該右側設為+X側。各感測器對14之風速感測器2B的熱電堆23、24係彼此排列於相同方向，將該方向設為Y方向。在該例中，前述熱電堆23被配置於圖1中的上側，將該上側設為+Y側。X方向與Y方向彼此相差90°。
使用圖8，說明各感測器對14之風向及風速之測定方法的概略。在圖8中，以箭頭表示感測器用晶圓1表面之氣流的流動。如前文所述，藉由風速感測器2A、2B，檢測X方向之風速、Y方向之風速。由於構成相同感測器對14之風速感測器2A、2B係彼此靠近配置，因此能夠在該些之風速感測器2A、2B的表面，觀看形成彼此相同方向且相同風速之氣流。且，由風速感測器2A所檢測之氣流的風速由於是前述X方向的風速，因此能夠觀看氣流之X方向的向量分量3A。又，由風速感測器2B所檢測之氣流的風速由於是前述Y方向的風速，因此能夠 觀看氣流之Y方向的向量分量3B。且，後述之控制部5係將每感測器對14事先所設定之點P作為基點，合成該XY方向之各向量分量，使構成為能夠演算且顯示風向及風速。
在圖8中，為了簡略圖面，因此藉由虛線之箭頭拉出基點P並表示於所偏移的位置，但實際上基點P係被設定為靠近圖中表示為白點之風速感測器2A、2B的位置。因此，在該基點P之周圍亦能夠看出形成與風速感測器2A、2B相同方向且相同風速之氣流。在後述之控制部5，各基點P的位置係例如由將晶圓W之中心位置作為原點之XY座標系統來定義。
使用圖9，進一步對感測器用晶圓1之構成進行說明。在各通道Ch1~Ch19之構成零件群34的後段側中，設置有由電路元件15所構成之類比/數位轉換器(ADC)37及無線發送部38。對應於由各通道之構成零件群34所輸出之風速的前述電壓值Vx、Vy係，透過前述ADC37由類比資料變換為數位資料，該數位資料係由無線發送部38無線發送至塗佈、顯像裝置4的控制部5。該無線發送部38係為了進行前述發送，因此包含控制天線、通信電路及前述通信電路之動作的控制電路等。又，在零件配置區域13，設置有例如由鋰電池所構成之電源部39。該電源部39係對各感測器對14及零件配置區域13之各零件供給例如穩定電力，藉此由無線發送部38無線發送穩定、電壓值Vx、Vy。
而，前述感測器對配置區域12係僅覆蓋感測器用晶圓1之表面大致一半的區域。因此，在塗佈、顯像裝置4中晶圓W之載置部(載置區域)41載置晶圓W且進行測定時，僅可測定該載置部41之大致一半區域之各部份的風向及風速。因此，例如如圖10所示，在載置部41以預定方向載置感測器用晶圓1，且取得各通道之Vx、Vy，如圖11所示使載置部41中感測器用晶圓1之方向變更180度。且，再次取得Vx、Vy。即，第2次測定Vx、Vy時，配置感測器用晶圓1，以使該感測器對配置區域12位於第1次配置零件配置區域13之區域的位置而進行測定。藉此，能夠取得載置部41全體中各部份之風向及風速的分佈。圖10、圖11係表示載置於塗佈、顯像裝置4之加熱模組71之載置部41的情況。而關於加熱模組71將後述。
參閱圖12，對塗佈、顯像裝置4之控制部5進行說明。控制部5係具備匯流排51，在匯流排51連接有CPU52、程式儲存部53、第1記憶體55、第2記憶體56、顯示部57及操作部58。在程式儲存部53中儲存有程式59。例如該程式59係如後所述，在塗佈、顯像裝置4之模組間，切換且執行以下2種模式：處理模式，搬送晶圓W且進行處理；測定模式，進行感測器用晶圓1之測定。且，該程式59係使能夠各別進行晶圓W之搬送及處理、感測器用晶圓1之搬送及上述之測定，而對塗佈、顯像裝置4之各部份發送控制信號，且控制晶圓W之搬 送機構的動作及模組的動作。程式儲存部53係由電腦記憶媒體例如軟碟片、光碟、硬碟、MO(光磁碟)等來構成。
在第1記憶體55中，記憶有每通道之各種資料。由無線發送之電壓值Vx，Vy、由該些Vx，Vy之各個所演算之X方向，Y方向之風速值Cx，Cy、由前述Cx，Cy所演算之上述點P設為基點之風速值Cxy及上述之基點P的XY座標作為該資料。該些各值係各別與每通道相關聯而被記憶。又，該些Vx、Vy、Cx、Cy、Cxy係記憶於設置在塗佈、顯像裝置4之每個模組。另外，如上述在各模組中，由於進行了2次風向、風速的測定，該些Vx、Vy、Cx、Cy、Cxy係與測定次數相關聯而被記憶。又，前述Vx、Vy係開始取得資料後且連續取得，每隔一段時間該些Vx、Vy會被記憶於第1記憶體55。因此，能夠在顯示部57顯示由開始測定而經過任何時間後之風向、風速的分佈。
在第2記憶體56中，記憶有圖13所示之圖表56A。該圖表56A係表示前述電壓值Vx，Vy、前述風速值Cx，Cy(單位m/秒)之對應關係者，縱軸係表示前述輸出電壓，橫軸係表示前述風速。藉由程式59，由記憶於第1記憶體55之Vx、Vy，讀出在圖表56A對應之Cx、Cy的值。所讀出之Cx、Cy係與前述Vx、Vy相關聯且記憶於該第1記憶體55。
顯示部57係顯示器。程式59係如上述，將 點P設為基點且合成由各感測器對14所得到之X方向的風速及Y方向的風速並計算風向。又，由X方向與Y方向形成之90°的角度，演算{(Cx)2+(Cy)2}1/2=Cxy，該Cxy與用於演算之Cx、Cy相關聯且記憶於第1記憶體55。該些各種演算係由CPU52來執行。
例如關於相同的模組，在第1次測定、第2次測定中模組內皆被設定為相同的環境。且，感測器用晶圓1係在各模組事先所設定之方向的狀態中，進行各測定。前述程式59係在該些2次的測定中，例如根據由測定開始而經過相同時間後所取得之Vx、Vy，演算各個測定次的風速值Cx、Cy、Cxy。且，根據該演算結果與各基點P的座標，在顯示部57顯示載置部41全體之風向、風速的分佈。
圖14係作為一例，表示如圖10、圖11所示將感測器用晶圓1顯示於載置部41且進行測定時之顯示部57的顯示。根據所設定之座標，在該顯示部57之預定位置同時顯示第1次及第2次之各測定時的基點P，且所計算之風向係被表示為由該些基點P延伸之箭頭。即，晶圓W之載置部41的測定，係利用將每半圓分開2次的方式進行，畫面顯示係進行表示載置部41全體之風向、風速的分佈。對圖中各基點P係標示對應於通道之編號。前述箭頭所顯示的長度係根據所演算之風速值Cxy的大小越大越長。
又，在顯示部57中，除了該箭頭以外，也以 彩色影像來表示風速分佈。在畫面內顯示載置部41即感測器用晶圓1的外形，藉由因應演算其面內之各通道之Cxy的顏色來進行顯示。實際的畫像顯示為顏色之色階，為了方便起見，在圖14使用等高線取代此，並標示因應風速之強度的圖樣。表示前述色階中的顏色與風速值Cxy之數值之對應的條形圖57A係與前述風速分佈共同被顯示，使用者將得知載置部41之面內各部份之風速值Cxy的值。
圖14中，在括號內係表示在第2次測定時，位於與第1次測定時之基點重疊之位置的基點。改變感測器用晶圓1之方向且進行測定，因此基點P會重疊，即，在載置部41有藉由第1次與第2次共同進行測定的位置，該位置係例如演算各測定次數之測定結果的平均值而進行顯示。
回到圖12，對操作部58進行說明。該操作部58係例如由滑鼠、鍵盤、觸控面板等來構成。使用者能夠由該操作部58，設定在感測器用晶圓1進行測定之模組。又，進行前述測定的模組係在不具備能夠變更感測器用晶圓1之方向之功能的狀態下，將感測器用晶圓1搬送至其他模組且變更前述方向，因此變更方向之模組亦由該操作部58進行設定。
又，使用者藉由該操作部58，對顯示部57進行上述畫像顯示的指示。關於進行測定之模組，當指定開始測定後的時間時，則由在其指定之時間所取得之電壓值 Vx、Vy演算上述之風速值Cx、Cy、Cxy，如圖14所示，顯示風向及風速分佈。又，透過指定由開始測定到結束測定之任意區段，演算對應於在該區段所取得之Vx、Vy的前述風速值Cx、Cy、Cxy，根據該風速值按照時間序列來進行顯示。即，能夠在顯示部57顯示作為表示隨時間變化之風向及風速的動畫。對該些顯示部57之顯示亦藉由程式59進行控制。
接下來，參閱圖15~17，對塗佈、顯像裝置4之一例進行說明。圖15、16、17各別為塗佈、顯像裝置4的平面圖、立體圖、概略縱向側視圖。該塗佈、顯像裝置4係具備：載體區塊D1，彼此排列為直線狀；處理區塊D2；介面區塊D3。在介面區塊D3連接有曝光裝置D4。在後述之說明中係將區塊D1~D3的排列方向設為前後方向。載體區塊D1係具有將包含晶圓W之載體C搬入搬出至裝置內的功能，具備載體C之載置台42與用於由載體C搬送晶圓W之移載機構43。
處理區塊D2係在晶圓W進行液處理之第1~第6的單位區塊B1~B6由下依序進行層積而構成。為了方便說明，會有下述各情況，將在晶圓W形成下層側之反射防止膜的處理稱作「BCT」，將在晶圓W形成光阻膜的處理稱作「COT」，將用於在曝光後之晶圓W形成光阻圖案的處理稱作「DEV」。又，在圖16中係將單位區塊稱做為「層」來簡略記載。在該例中，由下每2層層疊BCT層、COT層、DEV層且代表，參閱圖15對COT層 B3進行說明。在由載體區塊D1朝向介面區塊D3之搬送區域R之左右的一方側中，在前後方向配置棚架單元U1~U6，在另一側，於前後各別排列且設置作為液處理模組之光阻塗佈模組61與保護膜形成模組62。在搬送區域R中，由未圖示之空氣供給部供給空氣。
光阻塗佈模組61係具備凹槽63。在該凹槽63內設置有吸附保持晶圓W之背面且在垂直軸系自由旋轉之平台64。藉由該平台64保持晶圓W，且由藥液噴嘴對晶圓W供給光阻劑，並進行旋轉塗佈。該旋轉塗佈係在由光阻塗佈模組61之天井部供給空氣且凹槽63內進行排氣的狀態下進行。保護膜形成模組62係藉由用於形成保護膜之藥液，相同地使用凹槽63進行處理而構成。
在前述搬送區域R中，設置有作為晶圓W之搬送機構的搬送臂A3。該搬送臂A3係構成為自由進退、自由升降、在垂直軸系自由旋轉，且在搬送區域R之長度方向自由移動，能夠在單位區塊B3之各模組間收授晶圓W。又，前述棚架單元U1~U6係沿著搬送區域R之長度方向排列，棚架單元U1~U5其進行晶圓W之加熱處理的加熱模組71係例如層積2段而構成。棚架單元U6係藉由彼此層積之周緣曝光模組65而構成。
周緣曝光模組65係具備：曝光部，對晶圓W之周緣進行曝光；平台，支撐晶圓W的背面並自由旋轉，且在橫向方向自由移動；光感測器，為了控制曝光之寬度，決定晶圓W的周緣位置。前述光感測器係由投光 部與受光部所構成，該投光部係對旋轉之晶圓W的周緣進行投光，該受光部係與該投光部成對，前述受光部係根據由投光部接受之光的入射範圍，前述控制部5係檢測晶圓W之周緣位置。如後所述，使用感測器用晶圓1時係根據前述入射範圍，檢測感測器用晶圓1之槽口N的方向，藉由前述平台調整其方向。
單位區塊B4係與B3相同構成。其他的單位區塊B1、B2、B5及B6係除了對晶圓W供給之藥液不同及設置加熱模組71代替周緣曝光模組65等之外，單位區塊B3、B4係相同構成。單位區塊B1、B2係具備反射防止膜形成模組代替光阻塗佈模組61、保護膜形成模組62，單位區塊B5、B6係具備顯像模組。在圖17中，各單位區塊B1~B6之搬送臂係表示為A1~A6。
在處理區塊D2中載體區塊D1側，設置有塔柱T1與收授臂部44，該塔柱T1係橫跨各單位區塊B1~B6且上下伸縮，該收授臂部44係用於對塔柱T1收授晶圓W之自由升降的搬送機構。塔柱T1係由彼此層積之複數個模組而構成。實際上，在塔柱T1中設置有各種的模組，為了簡化說明，在收授臂部44與各單位區塊B1~B6之搬送臂A1~A6之間，僅表示用於收授晶圓W之收授模組TRS。
介面區塊D3係橫跨單位區塊B1~B6，且具備上下伸縮之塔柱T2、T3、T4。45、46、47係介面臂。臂部45係對塔柱T2與塔柱T4收授晶圓W，臂部46係對 塔柱T2與塔柱T3收授晶圓W，臂部47係在塔柱T2與曝光裝置D4之間收授晶圓W。塔柱T2係收授模組TRS彼此層積而構成。此外，省略T3、T4的說明。
簡單地說明由該塗佈、顯像裝置4及曝光裝置D4所構成之系統之晶圓W之搬送經路的概要。晶圓W係依以下的順序進行流程：載體C→移載機構43→塔柱T1之收授模組TRS→收授臂部44→塔柱T1之收授模組TRS→單位區塊B1(B2)→單位區塊B3(B4)→介面區塊D3→曝光裝置D4→介面區塊D3→單位區塊B5(B6)→塔柱T1之收授模組TRS→移載機構43→載體C。
進一步詳細敍述關於處理區塊D2內之晶圓W的流動，形成反射防止膜之單位區塊B1，B2、形成光阻膜之單位區塊B3，B4及進行顯像之單位區塊B5，B6被二重化，對於該些被二重化之單位區塊，晶圓W被進行分配且搬送。例如，在單位區塊B1收授晶圓W的情況下，塔柱T1中之收授模組TRS中，對於對應單位區塊B1之收授模組TRS1(藉由搬送臂A1可收授晶圓W之收授模組)，藉由收授臂部44收授晶圓W。收取塔柱T1中收授臂部44，原來的模組係由移載機構43所搬入之收授模組TRS0。又，將對應於單位區塊B2之收授模組設為TRS2的話，收授模組TRS0之晶圓W係藉由收授臂部44被收授至收授模組TRS2。
又，藉由單位區塊B1或B2而完成形成反射防止膜的晶圓W，係例如介隔著收授模組TRS1或 TRS2，藉由收授臂部44在對應於單位區塊B3之收授模組TRS3與對應於單位區塊B4之收授模組TRS4之間，交替地進行分割並搬送。
其中，將載置晶圓W之位置記載於模組。在模組中，設置有用於檢測晶圓W之搬入搬出之未圖示的感測器。在各模組中，當晶圓W進行搬入及搬出時，由各感測器對前述控制部5，各自發送表示進行搬入、搬出之搬入信號、搬出信號。在各模組中，以預定設定量進行穩定排氣，又在搬送區域R或光阻塗佈模組61等之預定模組中，以預定量供給穩定空氣。
說明氣流之測定步驟之前，使用圖18之平面圖、圖19之側視圖，說明前述加熱模組71。圖中72係加熱基台之熱板，73係加熱晶圓W之熱板。74係冷卻板，冷卻由熱板73上之載置部(載置區域)41所加熱之晶圓W，且將由搬送臂A3所收授之晶圓W搬送至熱板73上。75係自由升降之銷，在熱板73與冷卻板74之間收授晶圓W。
將設置有熱板73之側設為背側，而將設置有冷卻板74之側設為前方側時，以包圍熱板73之上方、左右及背側的方式形成罩體76，在罩體76內的背側中，於左右方向設置有多數個排氣口77。罩體76之前方側係形成構成氣體供給口之開口部78，搬送區域R之空氣係介隔著該開口部78進入罩體76內，由排氣口77進行排氣。如此，曝露於所形成之氣流的同時，進行晶圓W之 加熱處理。圖中79係連接於排氣口77之排氣管。
接下來，以該順序測定該塗佈、顯像裝置4中單位區塊B3之加熱模組71與光阻塗佈模組61的情況為例，參照圖20之流程圖來說明測定步驟。首先，使用者使用控制部5，如上述由處理晶圓W之處理模式，以測定風向及風速之測定模式的方式來進行切換。且，由控制部5設定測定風向、風速之模組與測定模組之順序。且，當進行測定之模組在無法變更感測器用晶圓1之方向的情況下，對變更方向之模組進行指定。該情況係以測定前述加熱模組71、接下來測定光阻塗佈模組61的方式來進行設定。由於加熱模組71無法變更前述方向，因此亦指定變更方向之模組。在此例如對作為指定前述光阻塗佈模組61者進行說明(步驟S1)。又，亦對感測器用晶圓1之搬送經路進行設定。
接下來，代替晶圓W而收納感測器用晶圓1之載體C被搬送至載體區塊D1，藉由移載機構43由載體C取出感測器用晶圓1(步驟S2)。感測器用晶圓1係介隔著塔柱T1被搬送至單位區塊B3，接下來藉由搬送臂A3搬送至周緣曝光模組65。透過該周緣曝光模組65檢測槽口N，該槽口N朝向預定方向而調整感測器用晶圓1的方向(步驟S3)。
藉由搬送臂A3，被調整方向之感測器用晶圓1係被搬送至由步驟S1所設定之加熱模組71。由加熱模組71之晶圓W檢測用的感測器，將表示搬送感測器用晶 圓1之搬入信號發送至控制部5(步驟S4)。當接收該搬入信號時，則開始對由感測器用晶圓1以無線方式所發送之電壓值Vx、Vy的第1記憶體55進行記憶(步驟S5)。
藉由以步驟S3調整方向，感測器用晶圓1係如圖10所示由加熱模組71之開口部78朝向排氣口77觀看，感測器對配置區域12、零件配置區域13係各別位於左右而被收授於熱板73上，繼續取得前述Vx、Vy。在圖10中係以箭頭表示氣流的方向。此時，如上述由於配置有感測器用晶圓1，因此朝向感測器對配置區域12之氣流係並不會與零件配置區域13之各零件碰撞而是朝向排氣口77直進流動，能夠藉由感測器對配置區域12防止氣流紊亂。由發送前述搬入信號經過預定時間後，感測器用晶圓1會被收授至搬送臂A3，而由加熱模組71搬出。表示由前述晶圓W檢測用之感測器搬出感測器用晶圓1之搬出信號被發送至控制部5，當控制部5接收該信號時，則停止記憶Vx、Vy(步驟S6)。
藉由搬送臂A3，該感測器用晶圓1搬送至以變更感測器用晶圓1之方向所設定之光阻塗佈模組61。載置該感測器用晶圓1之平台64係如圖21所示180度旋轉，變更感測器用晶圓1之方向(步驟S7)。變更方向之感測器用晶圓1被收授至搬送臂A3後，再次被搬送至前述加熱模組71，當與上述步驟S4、S5相同地發送搬入信號至控制部5時，再次開始對電壓值Vx、Vy之第1記 憶體55進行記憶(步驟S8)。
此時，由於是藉由光阻塗佈模組61變更方向，因此如圖11所示晶圓W在進行第1次測定時係在改變180度方向的狀態下，被載置於熱板73上。因此，即使進行該第2次測定，朝向感測器對配置區域12之氣流亦不會與零件配置區域13之各零件碰撞，而是朝向排氣口77直進流動。且，與步驟S6相同，由發送前述搬入信號經過預定時間後，與步驟S6相同地感測器用晶圓1係藉由搬送臂A3由加熱模組71進行搬出，由加熱模組71發送搬出信號至控制部5。然後，停止記憶Vx、Vy(步驟S9)。
感測器用晶圓1係接下來被搬送至以進行測定所設定之光阻塗佈模組61(步驟S10)。且，與上述步驟S4、S5相同地，依次進行檢測感測器用晶圓1、發送搬入信號至控制部5，開始記憶控制部5之Vx、Vy。圖22係以箭頭表示該測定時之感測器用晶圓1之周圍的氣流。由天井供給空氣到載置於凹槽63內之平台64上之載置部41的感測器用晶圓1，藉由在凹槽63內進行排氣，前述空氣係由感測器用晶圓1之中央部側朝向周緣部側，以放射狀擴散的方式流動。此時，感測器對配置區域12與零件配置區域13係形成為感測器用晶圓1之彼此不同的半圓區域，因此流經感測器對配置區域12之氣流並不會與零件配置區域13之零件碰撞而是流向前述周緣部。
由於該光阻塗佈模組61能夠變更感測器用晶 圓1之方向，因此一旦不將感測器用晶圓1搬出至外部，則進行第2次測定。例如由發送前述搬入信號經過預定時間後，一旦停止記憶控制部5之Vx、Vy的資料，然後平台64會被180度旋轉，如圖23所示感測器用晶圓1的方向會被變更。變更該方向後，再開始取得控制部5之Vx、Vy，進行第2次測定。此時，與第1次測定相同流經感測器對配置區域12之氣流係如圖23中以箭頭所示，並不會與零件配置區域13之零件碰撞而是流向感測器用晶圓1之周緣部。
然後，與步驟S9相同地搬出搬送臂A3的感測器用晶圓1，由光阻塗佈模組61依次發送搬出信號，停止記憶Vx、Vy。然後，例如感測器用晶圓1係依搬送臂A3、塔柱T1之TRS、移載機構43之順序進行搬送且返回載體C。如此，取得各模組的Vx、Vy後，使用者由控制部5指定使顯示風向及風速分佈的模組，如圖14所示進行畫像顯示。
對代表且加熱模組71及光阻塗佈模組61之氣流測定進行說明，例如對不具有改變晶圓W之方向的功能之TRS等的模組，係與加熱模組71相同地進行測定。又，對具有能夠改變周緣曝光模組65或顯像模組等晶圓W之方向之功能的模組，係與光阻塗佈模組61相同地進行測定。又，載置部41係不限於模組之載置部41，亦包含搬送臂A等之晶圓W之搬送機構的載置部。即，透過藉由前述搬送機構保持感測器用晶圓1的狀態下進行 測定，能夠測定晶圓W之搬送區域的風向、風速分佈。在該情況下，在與測定加熱模組71之氣流情況相同地進行第1次測定與第2次測定之間，以光阻塗佈模組61等變更感測器用晶圓1之方向。
上述之感測器用晶圓1係藉由塗佈、顯像裝置4，構成為與晶圓W相同地自動在模組間進行搬送且取得資料，因此能夠省去測試員所花費的勞力與時間。更具體而言，與藉由資料發送用之線組連接前述控制部5與感測器用晶圓1之構成做比較，能夠減少為了搬送感測器用晶圓1所需花費的勞力與時間，例如為了在模組之內部與外部之間引繞前述線組，因此可省去卸下該模組之零件等所花費的勞力與時間。又，亦具有抑制因前述線組所引起之模組內之氣流之影響的效果。
且，將感測器用晶圓1之大概分割為2之一方的半圓區域設為感測器對配置區域12，而將另一方設為零件配置區域13，如上述藉由改變感測器用晶圓1之方向且分為2次進行測定，流經感測器對配置區域12表面之氣流能夠防止與零件配置區域13之零件群組碰撞且成為亂流。
因此，能夠提高風向及風速的測定精度。又，透過該佈局例如將各零件埋入基板本體11，由於不需抑制感測器對配置區域12中氣流的影響，因此零件之形狀及尺寸的靈活性會變高，因而能夠降低感測器用晶圓1之製造成本。又，為了進行前述埋入，感測器用晶圓1之厚度會大 於晶圓W的厚度，即能夠防止感測器用晶圓1之形狀由晶圓W之形狀偏離所引起之測定精度的下降。但是，在感測器用晶圓1中，不該禁止對像這樣的各零件之基板本體11進行埋入。
在上述例中，係表示關於在晶圓W表面形成由一端側朝向另一端側之氣流之模組及形成由中央部朝向周緣部側之氣流之模組的測定例，亦能夠對在該些以外之方向形成氣流之模組進行測定。圖24係表示其他構成之加熱模組81者。以包圍熱板73之上方的方式設置蓋體82，在蓋體82之天井中央部中形成排氣口83。在蓋體82之內周，以包圍熱板73之方式形成氣體供給口84，由熱板73之周緣部朝向中央部之氣流係由晶圓W之中心部來觀看，大致在圓周方向對稱形成。
像這樣形成氣流，故與測定加熱模組71之氣流的情況不同，與測定前述光阻塗佈模組61之氣流的情況相同，感測器用晶圓1係能夠在任意方向載置於熱板73上。此外，在該加熱模組81中，將排氣口83設為氣體供給口，將氣體供給口84設為排氣口，測定由感測器用晶圓1之中心部朝向周緣部之氣流的情況下亦相同地能夠藉由感測器用晶圓1進行測定。
(第2實施形態)
在圖25係表示第2實施形態之感測器用晶圓9的概略構成。對與第1實施形態的差異點進行說明，無線發送 部38不設置於該感測器用晶圓9，由ADC37所輸出之資料例如記憶於記憶體91，該記憶體91係可自由裝卸地設置於零件配置區域13。又，在電源部39中設置有開關92。藉由該開關92，手動切換由電源部39對零件配置區域13之各部份及感測器對14進行電力供給的ON、OFF。
對使用該感測器用晶圓9之測定的一例進行說明，卸下區隔例如圖15所示之光阻塗佈模組61及保護膜形成模組62的內部、塗佈、顯像裝置4的外部之區隔壁93，使用者藉由控制部5，指示搬送臂A3以使進入光阻塗佈模組61或保護膜形成模組62內。且，使用者將開關92設為ON，前述區隔壁93會被卸下且介隔著所形成之開口部，由塗佈、顯像裝置4之外部將感測器用晶圓9收授至前述搬送臂A3。接下來，藉由控制部5設定感測器用晶圓1之搬送經路，且將感測器用晶圓1搬送至所期望之模組。搬送至前述模組後，與第1實施形態相同地在每測定回，將感測器用晶圓1設為彼此不同的方向且進行測定。
結束測定後，將感測器用晶圓1搬送至前述光阻塗佈模組61及保護膜形成模組62，使用者透過前述開口部來回收感測器用晶圓1，將開關92設為OFF。且，將前述記憶體91的資料讀入電腦，Vx、Vy的時間序列資料中，在感測器用晶圓1被搬入至前述模組時，抽出所取得之資料，與第1實施形態相同地使風向、風速分佈 顯示於顯示畫面。在該第2實施形態中亦可得到與第1實施形態相同之效果。此外，記憶體91係適用於第1實施形態，亦能夠取得作為備份之資料。
其中，作為感測器對配置區域12及零件配置區域13之佈線係不限於上述之例子。例如圖26所示之感測器用晶圓94中，零件配置區域13其中心角係構成為90度之扇形形狀的區域。且，感測器對配置區域12其中心角係被設為大約225度之扇形區域。在圖26以後的各圖中，為了使圖示明確，而在零件配置區域13標示多數個點。該圖26係表示第1次測定時之感測器用晶圓94的方向，圖27係表示第2次測定時之感測器用晶圓94的方向。作為為了變更方向而使感測器用晶圓94旋轉的角度，係與第1實施形態相同進行第1次測定時，位於零件配置區域13位置之風向及風速係亦可在第2次測定下取得，在該例中係使旋轉90度。
進行詳細說明，該例子係與第1實施形態相同，由晶圓W之載置部41之中心部觀看且測定擴散至8個方向之徑之各部份的氣流，該徑係在前述載置部41的中心部周圍以等角度來被設定。在感測器用晶圓94中，由其中心部沿著徑且擴散至6個方向而排列之感測器對14係構成上述之扇形形狀的感測器對配置區域12，排列感測器對14之徑係在扇的中心部周圍以等角度來設定。在前述圖26之第1次的測定中，測定由前述載置部41之中心部擴散至8個方向之徑中的6個方向之徑之各部份的 氣流。且，在前述圖27之第2次測定係測定6個方向之徑之各部份的氣流，其中係包含在第1次測定中，無法進行測定之8個方向之徑中的2個方向的徑。
在該圖26、27之感測器用晶圓94中，零件配置區域13之扇形所形成的角度係180°以下，因此在加熱模組71中，由開口部78朝向排氣口77觀看，且在左右之一方側配置零件配置區域13時，在零件配置區域12中，朝向配置於前述左右之另一側之感測器對14的氣流並不會與該零件配置區域13碰撞。又，用於形成如光阻塗佈模組61及加熱模組81，由載置部41之中央部擴散至周緣部之氣流及由周緣部集中至中央部所流動之氣流的模組之情況下，流入於感測器對配置區域12之氣流係不會與零件配置區域13碰撞。因此，根據該圖26、27之感測器用晶圓94，與感測器用晶圓1相同地，能夠藉由該些光阻塗佈模組61及加熱模組71、81來取得高精度之氣流的資料。
如圖28所示，零件配置區域13其中心角亦可構成為比90度小的扇形形狀。與圖26、圖27之感測器用晶圓94相同，即使使用該圖28之感測器用晶圓94，亦能夠高精度地測定光阻塗佈模組61或加熱模組71、81的氣流。又，如圖29所示，零件配置區域13其中心角亦可構成為比180度大的扇形形狀。在測定由上述載置部41之中央部擴散至周緣部的氣流及由周緣部集中至中央部所流動的氣流時，不會發生朝向零件配置區域 13之感測器對14之氣流的遮蔽。因此能夠藉由像這樣的構成，取得高精度之氣流的資料。其中，若前述中心角超過180度之角度時，則如加熱模組71在測定形成由晶圓W之一端側朝向另一端之氣流的模組時，朝向感測器對配置區域12之氣流會被零件配置區域13遮蔽，因此前述中心角係形成180度以下之扇形形狀為較佳。
又，在圖30、31中係進一步表示關於其他感測器用晶圓94之構成例，其他感測器用晶圓94之構成例係用於測定由載置部41之中央部擴散至周緣部的氣流及由周緣部集中至中央部的氣流。作為感測器對14係如圖30所示，亦可藉由僅在一半徑方向配置複數個，多數次改變方向且進行測定，來測定載置部41之多數個位置的風向及風速。又，若感測器對14配置於由中心部朝向周緣部且彼此不同位置的話，則能夠藉由改變感測器用晶圓94之方向，測定載置部41之多數個位置。因此，例如圖31所示感測器對14係亦可被配置於彼此偏離之圓周方向。圖中之點線係沿著感測器用晶圓94之圓周的虛擬線段。如該些圖30、31，即使配置感測器對14，在各測定時感測器對14之周圍的氣流亦不會被零件配置區域13遮蔽而流動，因此能夠得到高精度的測定資料。
又，圖32係表示其他感測器用晶圓94之背面。在該例子中，零件配置區域13係在感測器用晶圓94之背面周緣部形成為環狀，如圖33所示形成於光阻塗佈模組61之平台64之保持區域的外側。藉此，感測器用晶 圓94之基板本體11係保持於與晶圓W相同的位置，因此能夠增大感測器對14之佈線的寬度且能夠進行高精度的測定。其中，載置於前述加熱模組71之熱板73的情況係載置有基板本體11的位置會變得比晶圓W更高，因此，如其他例子，將零件配置區域13配置於感測器用晶圓1表面設置係較有利。
在上述的例子中，使用周緣曝光模組65且搬送至加熱模組71時，感測器用晶圓1之感測器對配置區域12、零件配置區域13係面對氣流且左右排列而調整該晶圓1的方向，但並不限於進行像這樣的調整。例如，事先被搬送至加熱模組71時，事先將該晶圓1收納於載體C，而在該狀態下，亦可將載體C搬送至塗佈、顯像裝置4，以使感測器用晶圓1成為該方向。例如亦可於載體C設置在周緣曝光模組65所設置之自由旋轉的平台及光感測器，調整感測器用晶圓1之方向後而搬送至所指定之模組。具備光阻塗佈模組61、保護膜形成模組62或顯像模組等、前述平台，亦可在塗佈、顯像裝置4內，將前述光感測器64設置於液處理之模組且調整其方向。
又，並不限於將感測器用晶圓1收納於載體C，例如亦可事先將感測器用晶圓1收納於塗佈、顯像裝置4內。例如移載機構43亦可將感測器用晶圓1的收納部設置於可存取之區域。且，在處理晶圓W之間，透過該收納部對感測器用晶圓1之電源部39以無線或有線進行給電，構成該電源部39之電池亦可進行充電。又，亦 可藉由在測定時將進行構成為與晶圓W相同之形狀之無線供電的治具搬送至感測器用晶圓1的附近並進行無線之電力供給，來代替設置電源部39且對各部份進行電力供給。在上述例中，測定中、塗佈、顯像裝置4內之各部份中的排氣量及氣體供給量係不會在搬入感測器用晶圓1的前後發生變化，當模組之感測器檢測感測器用晶圓1時，亦可由初始值變化為預定值。且，在上述例中，在載置部41的每半個面一次次地進行測定，亦可在半個面進行複數次測定，計算各次的平均值且取得各部份之風向及風速分佈。演算風向及風速，亦可藉由演算僅求出風向而進行顯示。
(評定試驗1)
進行檢查零件配置區域13對感測器對配置區域12之氣流產生之影響的實驗。在該實驗中，與加熱模組71相同，準備形成由載置於載置部41之晶圓W的一端側朝向另一端之氣流的評估裝置。與加熱模組71之測定時相同，由裝置之排氣口朝向空氣供給口觀看，感測器對配置區域12及零件配置區域13排列於左右而配置感測器用晶圓1，檢查由沿著零件配置區域13所配置之Ch1~Ch3、Ch5、Ch7~Ch9之各風速感測器2A、2B所檢測之風速值。每當進行測定時，移動基板本體11中零件配置區域13的位置，變更由如圖1所示之感測器對14的間隔距離L1。又，作為參照治具，藉由纜線將零件配置區域13之 各零件由基板本體11拉出且形成於遠離之位置的其他係準備與感測器用晶圓1相同構成之晶圓，進行相同測定。
在此，對於參照治具之各通道的風速值，與感測器用晶圓1之各通道的風速值的差係可落在0.01m/s以內的情況。在感測器用晶圓1，間隔距離L1為70mm以下的情況下，會有偏離該容許範圍之通道，若將間隔距離L1設為80mm，則上述之所有通道的風速值會落在容許範圍。此外，來自評估裝置的風速係設定為0.1m/s、0.2m/s、0.3m/s，將間隔距離L1設定為80mm的情況，即使設定為任意的風速亦可落在容許範圍。
(評定試驗2)
使用在實施形態所示之加熱模組81代替使用前述評估裝置，使用將間隔距離L1設為80mm之感測器用晶圓1與前述參照治具，且進行與評定試驗1相同之實驗。加熱模組81之氣體供給量係設定為4.0L/分。其結果，感測器用晶圓1之上述之所有通道的風速值會落在前述容許範圍。即，即使由該些的實驗將零件配置區域13設置於基板本體11上，亦可藉由調整與感測器對配置區域12之距離，來表示防止前述零件配置區域13之零件對感測器對14周圍之氣流產生的影響。
1‧‧‧感測器用晶圓
12‧‧‧感測器對配置區域
13‧‧‧零件配置區域
14(Ch1~CH19)‧‧‧感測器對
15‧‧‧電路元件
16‧‧‧配線形成區域
18‧‧‧圖案
19‧‧‧區域
N‧‧‧槽口
L1‧‧‧間隔距離

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置的資料取得方法，係取得關於載置於基板處理裝置之基板之載置部之前述基板的表面中複數個測定區域之氣流風向的資料，該資料取得方法其特徵係，包含：複數個感測器對，係為了取得前述基板表面之第1測定區域中前述風向的資料，而將設置於由其表面之中央部觀看且彼此不同距離的感測器用基板，以第1方向載置於前述載置部的工程，複數個感測器對係由用於取得氣流之向量資料的第1感測器與第2感測器所構成；為了取得在前述基板之中心部周圍其位置偏移前述第1測定區域之第2測定區域之風向的資料，而將該載置部中感測器用基板的方向變更為第2方向的工程；由以前述第1方向及第2方向所載置之感測器用基板的各第1感測器，取得關於該第1感測器沿著各個感測器用基板的表面所設定之第1直線方向中氣流之向量資料的工程；由在前述第1方向及第2方向所載置之感測器用基板的各第2感測器，取得關於該第2感測器沿著各個感測器用基板的表面，且與設定為成對之第1感測器之前述第1直線方向為傾斜而設定之第2直線方向中氣流之向量資料的工程；根據每感測器對事先所設定之基點，合成由形成相同之感測器對的第1感測器及第2感測器所取得之氣流的向 量，演算來自前述第1測定區域及第2測定區域中各基點之風向的工程。
  2. 如請求項1之基板處理裝置的資料取得方法，其中，在前述感測器用基板的表面，形成有：感測器對配置區域，設置有前述各感測器對；零件配置區域，設置於偏移該感測器用基板之圓周方向的位置，前述零件配置區域係具備發送部或記憶體之至少其中一方，該發送部係用於將由前述第1感測器及第2感測器所取得之氣流的向量資料無線發送至感測器用基板的外部；該記憶體係保存前述資料。
  3. 如請求項2之基板處理裝置的資料取得方法，其中，前述感測器對配置區域與零件配置區域係各自形成於感測器用基板的左右。
  4. 如請求項3之基板處理裝置的資料取得方法，其中，在前述基板處理裝置中，隔著前述載置部且設置有氣體供給口與氣體的排氣口，以前述第1方向及第2方向，載置感測器用基板之工程係包含：由前述供給口朝向前述排氣口觀看，前述感測器對配置區域及前述零件配置區域係各自被配置於左右，而載置感測器用基板的工程。
  5. 如請求項1~4中任一項之基板處理裝置的資料取得方法，其中，前述氣流之向量資料係關於氣流之風速的資料，包含：根據每感測器對事先所設定之基點來合成前述氣流的向量，演算來自各基點之風速的工程。
  6. 如請求項1~4中任一項之基板處理裝置的資料取得方法，其中，前述第1直線方向與第2直線方向之傾斜形成的角度為90°。
  7. 一種感測器用基板，係用於取得關於載置於基板處理裝置之基板之載置部的前述基板之表面中複數個測定區域之氣流風向的資料，該感測器用基板其特徵係，具備：複數個第1感測器，用於取得沿著前述感測器用基板的表面所設定之第1直線方向中氣流之向量資料；複數個第2感測器，與各個前述第1感測器構成感測器對，該感測器對係設置於由其表面之中央部觀看而彼此不同距離，且用於取得沿著前述感測器用基板的表面，與前述第1直線方向為傾斜而設定之第2直線方向中氣流向量的資料；發送部或記憶體的至少其中一方，該發送部係為了根據每感測器對事先所設定之基點，合成由形成相同之感測器對的第1感測器及第2感測器所各別取得之氣流的向量，且演算來自各基點的風向，因此將由前述第1及第2 感測器所取得的資料無線發送至感測器用基板之外部；該記憶體係保存前述資料。
  8. 如請求項7之感測器用基板，其中，設置有前述各感測器對之感測器對配置區域與設置有前述發送部或記憶體之零件配置區域，係彼此被設置於感測器用基板的表面而偏離圓周方向的位置。
  9. 如請求項8之感測器用基板，其中，前述感測器對配置區域與零件配置區域係各別形成於感測器用基板的左右。
TW102121738A 2012-06-22 2013-06-19 基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板 TWI525324B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012141247A JP5704129B2 (ja) 2012-06-22 2012-06-22 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201418714A true TW201418714A (zh) 2014-05-16
TWI525324B TWI525324B (zh) 2016-03-11

Family

ID=49775128

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102121738A TWI525324B (zh) 2012-06-22 2013-06-19 基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9389242B2 (zh)
JP (1) JP5704129B2 (zh)
KR (1) KR101805952B1 (zh)
CN (1) CN103513055B (zh)
TW (1) TWI525324B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641932B (zh) * 2016-03-29 2018-11-21 日商國際電氣股份有限公司 Processing device, device management controller, and recording medium

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6211968B2 (ja) * 2014-03-20 2017-10-11 株式会社東芝 圧力センサ、マイクロフォン及び音響処理システム
JP6763608B2 (ja) * 2017-01-23 2020-09-30 株式会社平間理化研究所 現像液の二酸化炭素濃度表示装置、及び現像液管理装置
US11139149B2 (en) * 2017-11-29 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas injector
JP7029983B2 (ja) * 2018-03-09 2022-03-04 東京エレクトロン株式会社 測定器及び測定器のずれ量を求める方法
JP7140351B2 (ja) * 2018-06-11 2022-09-21 ミネベアミツミ株式会社 センサユニット
KR102249046B1 (ko) 2020-07-16 2021-05-07 윤여신 작물 재배용 베드 어셈블리
KR20220041300A (ko) 2020-09-24 2022-04-01 세메스 주식회사 웨이퍼형 센서 유닛 및 웨이퍼형 센서 유닛을 이용한 데이터 취득 방법
KR102654891B1 (ko) 2020-12-28 2024-04-05 세메스 주식회사 이상 진단 시스템 및 이상 진단 방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810231B2 (ja) * 1987-03-31 1996-01-31 シャープ株式会社 フローセンサ
JPH06265564A (ja) * 1993-03-12 1994-09-22 Yamatake Honeywell Co Ltd 気体の流速検出装置
US6502459B1 (en) * 2000-09-01 2003-01-07 Honeywell International Inc. Microsensor for measuring velocity and angular direction of an incoming air stream
JP2003106883A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Yamatake Corp 気流センサ
JP5137573B2 (ja) * 2004-07-10 2013-02-06 ケーエルエー−テンカー コーポレイション パラメータ測定の歪みを小さくする方法および装置
JP4726070B2 (ja) * 2006-05-23 2011-07-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
US8323521B2 (en) 2009-08-12 2012-12-04 Tokyo Electron Limited Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques
JP5445335B2 (ja) * 2010-05-31 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理システム
JP5293719B2 (ja) * 2010-10-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板
JP5696605B2 (ja) * 2011-07-01 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理装置
JP5673577B2 (ja) * 2012-02-07 2015-02-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI641932B (zh) * 2016-03-29 2018-11-21 日商國際電氣股份有限公司 Processing device, device management controller, and recording medium

Also Published As

Publication number Publication date
CN103513055A (zh) 2014-01-15
KR20140000147A (ko) 2014-01-02
US20130346018A1 (en) 2013-12-26
JP5704129B2 (ja) 2015-04-22
JP2014007251A (ja) 2014-01-16
CN103513055B (zh) 2017-08-01
KR101805952B1 (ko) 2017-12-06
TWI525324B (zh) 2016-03-11
US9389242B2 (en) 2016-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI525324B (zh) 基板處理裝置之資料取得方法及感測器用基板
KR101853505B1 (ko) 기판 처리 장치의 데이터 취득 방법 및 센서용 기판
US9476900B2 (en) Measuring substrate, substrate treatment apparatus and substrate treatment apparatus operation method
TWI382491B (zh) Position control fixture
US20120275484A1 (en) Temperature measuring device, temperature calibrating device and temperature calibrating method
KR101052106B1 (ko) 가열플레이트의 온도측정방법, 기판처리장치 및 가열플레이트의 온도측정용의 컴퓨터 프로그램을 저장한 기억 매체
JP6512089B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の調整方法
TW201504603A (zh) 用以量測熱通量之方法及系統
JP6481636B2 (ja) 熱板の温度測定装置及び熱板の温度測定方法
US20180136276A1 (en) Temperature-measuring apparatus, inspection apparatus, and control method
TWI305932B (zh)
WO2007135834A1 (ja) 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
JP2012230022A (ja) 温度校正装置及び温度校正方法
JP4090986B2 (ja) 線幅測定方法，基板の処理方法及び基板の処理装置
TW509966B (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
CN102564631B (zh) 物理量测量装置及物理量测量方法
JP6299624B2 (ja) 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体
JP2001274109A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
JP4043408B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH0239520A (ja) レジスト膜厚の測定方法
JP2002033254A (ja) 基板加熱装置及びその方法
JP2001144010A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2008111683A (ja) 基板処理システム