CN103513055B - 基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板 - Google Patents
基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103513055B CN103513055B CN201310250020.XA CN201310250020A CN103513055B CN 103513055 B CN103513055 B CN 103513055B CN 201310250020 A CN201310250020 A CN 201310250020A CN 103513055 B CN103513055 B CN 103513055B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sensor
- substrate
- air
- flow
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P13/00—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement
- G01P13/0006—Indicating or recording presence, absence, or direction, of movement of fluids or of granulous or powder-like substances
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P5/00—Measuring speed of fluids, e.g. of air stream; Measuring speed of bodies relative to fluids, e.g. of ship, of aircraft
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Aviation & Aerospace Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Indicating Or Recording The Presence, Absence, Or Direction Of Movement (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Measuring Volume Flow (AREA)
Abstract
即使传感器用基板的能够配置传感器的区域受到限制,也能够高精度地检测基板表面的多个测定区域的气流的风向。为了取得基板的表面的第一和第二测定区域中的上述风向的数据,将传感器用基板以第一朝向和第二朝向载置于上述载置部,其中,上述传感器用基板上,包括用于取得气流的矢量数据的第一传感器和第二传感器的传感器对设置在从上述传感器用基板的表面的中央部观察时彼此不同的距离。上述第一测定区域的位置和第二测定区域的位置在上述基板在中心部周围错开。并且,将由构成同一传感器对的第一传感器和第二传感器取得的气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成,计算上述第一测定区域和第二测定区域中来自各基点的风向。
Description
技术领域
本发明涉及具备多个模块的基板处理装置的数据取得方法和上述数据取得方法所使用的传感器用基板。
背景技术
在作为半导体制造工序之一的光致抗蚀工序中,在作为基板的半导体晶片(以下称为晶片)的表面涂敷抗蚀剂,使所形成的抗蚀剂膜以规定的图案曝光后,进行显影,形成抗蚀剂图案。在抗蚀剂的涂敷处理前后、显影处理前后,对晶片进行加热处理。
这样对晶片进行各种处理的模块,有时一边在晶片的表面形成气流一边进行处理。例如,在进行上述加热处理的加热模块中,为了防止由该加热处理中形成在晶片上的抗蚀剂膜等各种膜所产生的升华物附着在晶片上,在晶片的表面形成气流。另外,在形成抗蚀剂膜的模块中,通过旋涂而形成抗蚀剂膜,但是为了防止喷雾(mist)附着在晶片上,同时进行搬入有晶片的杯部内的排气和从该杯部的上方向上述晶片表面的气体的供给。
但是,如果在晶片的面内各部形成的气流的风量和风速杂乱,则可能会导致晶片面内的温度分布不均衡,晶片的面内的处理均匀性降低。另外,如果在对晶片进行相同的处理的模块之间发生气流的不均衡,则可能会导致晶片间的处理的均匀性降低。为了防止这种现象,利用计算机进行模拟算出风向和风速,进行模块的气流的调整,但是,需要进一步提高晶片的面内和晶片间的处理的均匀性。基于这种状况,探讨使用具有与晶片基本相同的形状、利用设置于其表面的传感器测定风向和风速的分布的治具(传感器用晶片)。在专利文献1中记载有这种治具。
为了减轻测定所需要的劳动,考虑上述传感器用晶片被与晶片同样在上述的模块间搬送,自动地取得各模块、晶片的搬送路上的风向和风速的数据。但是,为此传感器用晶片除了需要设置上述传感器之外,还需要设置各种部件。具体而言,需要设置用于向上述传感器供给电力的电源部、保存上述传感器所取得的数据的存储器、将该数据向外部发送的发送部等。
但是,从设置晶片处理时的风向和风速的数据的目的出发,上述传感器用晶片的形状不能大幅度偏离晶片的形状。即,能够配置上述部件的部位受到限制。于是,在由上述部件引起的气流的杂乱少的部位配置上述传感器。即,能够配置上述传感器的部位受到限制,需求在这种条件下能够以高精度进行气流的测定的技术。上述专利文献1中没有考虑这种传感器的布局问题,由于各传感器仅能检测规定的直线方向上的流速,因而对于以高精度测定风向和风速的分布而言并不充分。
专利文献1:日本特开2003-106883(第0019段)
发明内容
发明要解决的问题
本发明是鉴于上述问题而完成的,其目的在于提供一种即使传感器用基板的传感器的能够配置的区域受到限制,也能够以高精度检测基板处理装置的载置部的基板表面的多个测定区域的气流的风向的技术。
用于解决问题的技术方案
本发明的基板处理装置的数据取得方法,用于取得基板处理装置的基板的载置部所载置的所述基板的表面的多个测定区域的关于气流的风向的数据,上述基板处理装置的数据取得方法的特征在于,包括:
为了取得上述基板的表面的第一测定区域中的上述风向的数据,而将传感器用基板以第一朝向载置于上述载置部的工序,其中,上述传感器用基板上,包括用于取得气流的矢量数据的第一传感器和第二传感器的多个传感器对设置在从上述传感器用基板的表面的中央部观察时彼此不同的距离;
为了取得第二测定区域的风向的数据,将该载置部上的传感器用基板的朝向变更为第二朝向的工序,其中,在上述基板的中心部周围,第二测定区域的位置与上述第一测定区域的位置错开;
由以上述第一朝向和第二朝向载置的传感器用基板的各第一传感器,取得对于该第一传感器沿着各传感器用基板的表面设定的第一直线方向上的气流的矢量数据的工序;
由以上述第一朝向和第二朝向载置的传感器用基板的各第二传感器,取得对于该第二传感器沿着各传感器用基板的表面、并且与对于成对的第一传感器设定的上述第一直线方向倾斜地设定的第二直线方向上的气流的矢量数据的工序;和
将由构成同一传感器对的第一传感器和第二传感器取得的气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成,计算上述第一测定区域和第二测定区域中来自各基点的风向的工序。
本发明的具体的方式例如如下所述。
(a)在上述传感器用基板的表面形成有:设置有上述各传感器对的传感器对配置区域;和设置于在该传感器用基板的周方向上错开的位置的部件配置区域,
上述部件配置区域具备发送部和存储器中的至少一个,其中,上述发送部用于向传感器用基板的外部无线发送由上述第一传感器和第二传感器取得的气流的矢量数据,上述存储器用于保存上述数据。
(b)上述传感器对配置区域和上述部件配置区域分别形成于传感器用基板的左右。
(c)在上述基板处理装置中,夹着上述载置部设置有气体的供给口和气体的排气口,
以上述第一朝向和第二朝向载置传感器用基板的工序,包括:
以从上述供给口向上述排气口观察时、上述传感器对配置区域和上述部件配置区域分别配置于左右的方式,载置传感器用基板的工序。
(d)上述气流的矢量数据是关于气流的风速的数据,
包括:将上述气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成,计算来自各基点的风速的工序。
(e)上述第一直线方向与上述第二直线方向的倾斜所成的角度为90°。
本发明的传感器用基板,用于取得基板处理装置的基板的载置部所载置的上述基板的表面的多个测定区域的关于气流的风向的数据,上述传感器用基板的特征在于,包括:
多个第一传感器,用于取得沿着上述传感器用基板的表面设定的第一直线方向上的气流的矢量数据;
多个第二传感器,与上述第一传感器一起构成传感器对,在从上述传感器用基板的表面的中央部观察时分别设置在不同距离,并且该多个第二传感器用于取得沿着上述传感器用基板的表面、相对上述第一直线方向倾斜地设定的第二直线方向上的气流的矢量数据;和
为了将由构成同一传感器对的第一传感器和第二传感器分别取得的气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成、计算来自各基点的风向,而将由上述第一传感器和第二传感器取得的数据向传感器用基板的外部无线发送的发送部和保存上述数据的存储器中的至少一个。
发明效果
根据本发明,将传感器用基板以第一朝向载置在基板的载置部上,其中,包括用于取得气流的矢量数据的第一传感器和第二传感器的多个传感器对,设置在从传感器用基板的表面的中央部观察时彼此不同的距离,接着,以传感器用基板为中心,改变其位置使其为第二朝向。在为第一朝向和第二朝向时,将由各传感器取得的气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成,取得上述第一测定区域和第二测定区域的风向的数据。由此,在传感器用基板中,即使能够配置传感器的区域受到限制,也能够高精度地检测出基板的各部的风向。
附图说明
图1是本发明的实施方式的传感器用晶片的俯视图。
图2是上述传感器用晶片的侧视图。
图3是设置于上述传感器用晶片的传感器对的立体图。
图4是构成上述传感器对的风速传感器的纵截侧视图。
图5是上述风速传感器的纵截侧视图。
图6是包括构成上述风速传感器的电路元件的电路图。
图7是包括构成上述风速传感器的电路元件的电路图。
图8是表示传感器用晶片的测定原理的说明图。
图9是表示上述传感器用晶片的大致构成的框图。
图10是表示利用传感器用晶片进行测定的状态的说明图。
图11是表示利用传感器用晶片进行测定的状态的说明图。
图12是与传感器用晶片连接的控制部的框图。
图13是存储于上述控制部中的坐标图的说明图。
图14是上述控制部的显示部所显示的风向和风速分布的图像。
图15是使用上述传感器用晶片的涂敷、显影装置的俯视图。
图16是上述涂敷、显影装置的立体图。
图17是上述涂敷、显影装置的概略纵截侧视图。
图18是设置于上述涂敷、显影装置的加热模块的俯视图。
图19是上述加热模块的侧视图。
图20是使用传感器用晶片的测定顺序的流程图。
图21是表示利用上述传感器用晶片的测定顺序的说明图。
图22是表示上述传感器用晶片表面的气流的说明图。
图23是表示上述传感器用晶片表面的气流的说明图。
图24是表示其它的加热模块中的测定的说明图。
图25是表示其它的传感器用晶片的构成例的框图。
图26是表示传感器用晶片的其它例的概略俯视图。
图27是表示传感器用晶片的其它例的概略俯视图。
图28是表示传感器用晶片的另一例的概略俯视图。
图29是表示传感器用晶片的另一例的概略俯视图。
图30是表示传感器用晶片的其它例的概略俯视图。
图31是表示传感器用晶片的其它例的概略俯视图。
图32是表示传感器用晶片的其它例的背面立体图。
图33是表示利用上述传感器用晶片进行测定的状态的说明图。
附图标记说明
1、9 传感器用晶片
12 传感器对配置区域
13 部件配置区域
14 传感器对
2A、2B 风速传感器
22 加热器
22B 接合线
23、24 热电元件
25 温度传感器
38 无线发送部
39 电源部
4 涂敷、显影装置
5 控制部
61 抗蚀剂涂敷模块
65 周缘曝光模块
71 加热模块
91 存储器
具体实施方式
(第一实施方式)
对于本发明第一实施方式的传感器用晶片1进行说明。该传感器用晶片1是用于推断半导体制造用的晶片W的面内的多个各部的风向和风速的治具。进一步进行说明,该传感器用晶片1被与上述晶片W同样在作为基板处理装置的涂敷、显影装置4内搬送,将在该面内的多个部位检测出的关于风速的数据无线发送至显影装置4的控制部5(参照图9)。并且,通过控制部5基于上述数据运算上述风速和风向的分布。
图1和图2分别表示传感器用晶片1的俯视图和立体图。该传感器用晶片1具备基板主体11。基板主体11由硅构成,与上述晶片W同样,例如构成为直径为300mm的圆形的板。图2所示的传感器用晶片的高度H1例如为7mm。在基板主体11的周缘部形成用于确定其朝向的作为槽口的缺口N。
在基板主体11的表面,以将该基板主体11分为两部分的方式设置有彼此朝向相反方向的大致半圆形区域的传感器对配置区域12、和部件配置区域13。在上述传感器对配置区域12,彼此隔开间隔地配置有用于测定风向和风速的19个传感器对14。传感器对14从基板主体11的中心部向周缘部以在五个方向上呈放射状扩展的方式配置,作为其配置部位,包括包含基板主体11的中心部的直径上。
部件配置区域13是在与传感器对配置区域12相反的方向上形成的大致半圆形的区域。在部件配置区域13设置多个构成电路元件或集成电路的电路部件15、和后述的电源部(电池组)等。在图1中,简便起见,仅表示出由虚线包围的区域内的一部分电路部件15。为了抑制对在传感器对14的周围形成的气流所造成的影响,部件配置区域13设置为离开传感器对配置区域12。部件配置区域13侧的传感器对14与传感器对配置区域12侧的电路部件15之间的离开距离L1例如为80mm。
以从部件配置区域13向传感器对14延伸的方式形成配线形成区域16。在该配线形成区域16中,形成例如由铝构成的薄膜状的导电路图案17,与部件配置区域13的各部件电连接。导电路图案17实际上由多条线构成,简便起见,在图1中将并行形成的多条线汇总表示为1条线。在配线形成区域16的外侧,形成由铝构成的网目状的图案18,具有接地的作用。该图案18具有抑制导电路图案17的阻抗、抑制在该导电路17中传输的信号的噪声的作用。在基板主体11的周缘形成有未形成这些导电路图案17、图案18的区域19,用于用户的操作。
将19个传感器对14作为通道(Ch)1~19。各通道的传感器对14彼此同样地构成。图3表示传感器用晶片1的中心部的Ch5的传感器对14,列举该传感器对14为例进行说明。传感器对14包括用于取得风速的数据的风速传感器2A、2B,风速传感器2A、2B根据在其表面的规定的直线方向上流通的气流的风速输出信号。风速传感器2A、2B以能够检测上述风速的方向不同的方式配置,除此之外彼此同样地构成。
列举风速传感器2A为例,并参照图4、图5的纵截侧视图进行说明。风速传感器2A例如是在俯视观看时呈矩形的芯片。在芯片的中央部形成空隙部21,以覆盖该空隙部21的表面的方式形成绝缘薄膜20。在绝缘薄膜20上形成有加热器22、和夹着该加热器22的热电元件23、24。另外,在芯片上设置用作为测温电阻的温度传感器25,对应于周围温度,该温度传感器25的电阻值发生变化。
该加热器22、温度传感器25和上述部件配置区域13的电路部件15分别构成图6所示的温度补偿电路31。在该温度补偿电路31中,加热器22、温度传感器25分别与固定电阻R1、R2串联连接。加热器22与固定电阻R1的中点、温度传感器25与固定电阻R2的中点,分别与运算放大器OP1的反向输入端子、非反向输入端子连接。运算放大器OP1的输出端子与固定电阻R1、R2连接。
加热器22和温度传感器25接地,由此,加热器22、温度传感器25和固定电阻R1、R2构成桥电路。另外,在施加电源电压Vcc的电极、接地之间设置有电流供给电路30,电流供给电路30连接于固定电阻R2与温度传感器25之间。电流供给电路30控制向上述桥电路供给的电流。周围温度越高,温度传感器25的电阻值就越高。这样一来,温度传感器25的电阻值越高,固定电阻R2与温度传感器25之间的电压就越高,该电压越高,从电流供给电路30向桥电路供给的电流越小。
由于气流的大小,加热器22的温度会发生变化,从运算放大器OP1供给电力以补偿该加热器22的热量。具体而言,如果气流增大、加热器22的温度下降,则加热器22的电阻值(Rh)下降,运算放大器OP1一侧的输入电压降低,因而从运算放大器OP1向桥电路的输出电压增高。并且,加热器22和作为测温电阻体的温度传感器25上所施加的电压增高,加热器22的温度上升。反之,如果气流减小,则从运算放大器OP1向桥电路的输出电压降低,加热器22的温度下降。由于这种作用,加热器22的温度保持恒定。
并且,如果周围温度变化、温度传感器25的电阻值发生变化,则固定电阻R2与温度传感器25的分压比发生变化,向运算放大器OP1的反向输入端子的电位发生变化,运算放大器OP1的输出变化,加热器22的输出变化。具体而言,由于周围温度的上升,温度传感器25的温度上升,温度传感器25的电阻值(Rb)变高。固定电阻R1、R2的电阻值构成为不会因气流而变化,根据桥电路的平衡条件,Rh/Rb=固定,因而Rh上升,加热器22的温度上升。反之,在周围温度下降时,温度传感器25的电阻值降低,Rh降低,加热器22的温度降低。由于这种作用,能够进行温度补偿使得加热器22的温度比周围温度仅高固定温度。上述电流供给电路30,通过如上所述控制电流,具有抑制加热器22的温度的变化相对于周围温度的变化的偏差的作用。运算放大器OP1、固定电阻R1、R2和电流供给电路30在图6中表示为结构部件组32,该结构部件组32由上述多个电路部件15构成。
热电元件23、24构成图7所示的风速检测电路33。热电元件23、24分别与固定电阻R3、R4串联连接,它们的中点分别与运算放大器OP2的反向输入端子、非反向输入端子连接。并且,固定电阻R3、R4与被施加电源电压Vcc的电极连接,热电元件23、24接地,构成桥电路。固定电阻R3、R4和运算放大器OP2在图中表示为结构部件组34,该结构部件组34由上述多个电路部件15构成。
也使用上述图4、图5对风速检测电路33的作用进行说明。在图4、图5中,将从加热器22放射的热的分布朝向加热器22表示为区域27a、27b、27c,各区域的温度依次升高。如图4所示,在热电元件23、24的配列方向上不形成气流的状态下,热电元件23、24彼此接收相同的热量,从运算放大器OP2输出规定的电压。如图5所示,当在上述配列方向上形成气流时,对应于该风速,上述加热器22的热分布偏斜,与上游侧的热电元件(在图中为24)相比,下游侧的热电元件(在图中为23)的温度变高。接收到该温度变化,热电元件24、23的电阻值发生变化,对应于该电阻值的变化,来自运算放大器OP2的输出变化。即,对应于上述配列方向的风速,来自运算放大器OP2的输出发生变化。
在热电元件23的温度比图4的状态高的图5的状态中,与热电元件24相比,热电元件23的电阻值上升,运算放大器OP2的一侧的输入增大。与图5相反,在向热电元件24侧形成气流、热电元件24的温度升高时,与热电元件23相比,热电元件24的电阻值上升,运算放大器OP2的+侧的输入增大。即,风速传感器2A、2B能够检测上述配列方向上的风向和该配列方向上的风速。将来自包括风速传感器2A的风速检测电路33的上述被输出的电压值设为Vx,将来自包括风速传感器2B的风速检测电路33的上述被输出的电压值设为Vy。
图3、图6和图7所示的22A~26A是形成在风速传感器2A、2B的表面的电极。如图3所示,各电极22A~26A通过接合线22B与导电路图案17连接,形成上述温度补偿电路31和风速检测电路33。其中,在图3以外的图中,为了避免复杂化,省略了接合线22B。
各传感器对14的风速传感器2A的热电元件23、24彼此配列在相同的方向上,将该方向设为X方向。在本例中,上述热电元件23配置在图1中的右侧,将该右侧设为+X侧。各传感器对14的风速传感器2B的热电元件23、24彼此配列在相同的方向上,将该方向设为Y方向。在本例中,上述热电元件23配置在图1中的上侧,将该上侧设为+Y侧。X方向和Y方向彼此相差90°。
使用图8对各传感器对14的风向和风速的测定方法的概略进行说明。在图8中,用箭头表示传感器用晶片1的表面的气流的流动。如上所述,利用风速传感器2A、2B检测X方向的风速、Y方向的风速。构成相同传感器对14的风速传感器2A、2B彼此接近配置,因而能够看到在这些风速传感器2A、2B的表面形成彼此相同方向、且相同风速的气流。而且,由于由风速传感器2A检测出的气流的风速为上述X方向的风速,因而能够看到气流的X方向的矢量成分3A。并且,由于由风速传感器2B检测出的气流的风速为上述Y方向的风速,因而能够看到气流的Y方向的矢量成分3B。然后,后述的控制部5将对按照每对传感器对14预先设定的点P作为基点,合成该XY方向的各矢量成分,计算风向和风速并进行显示。
在图8中,为了避免图的复杂化,将基点P表示于利用点划线的箭头引出错开的位置,但实际上基点P设置在与图中表示为白点的风速传感器2A、2B接近的位置。因此,能够看到在该基点P的周围也形成与风速传感器2A、2B相同风向且相同风速的气流。在后述的控制部5中,各基点P的位置例如由以晶片W的中心位置为原点的XY坐标轴定义。
使用图9对传感器用晶片1的结构进行进一步说明。在各通道Ch1~Ch19的结构部件组34的后级侧设置有由电路部件15构成的模拟/数字转换器(ADC)37和无线发送部38。与从各通道的结构部件组34输出的风速相对应的上述电压值Vx、Vy,被上述ADC37从模拟数据转换为数字数据,该数字数据从无线发送部38被无线发送到涂敷、显影装置4的控制部5。该无线发送部38为了进行上述发送,包括天线、通信电路和用于控制上述通信电路动作的控制电路等。并且,在部件配置区域13设置有例如由锂电池构成的电源部39。该电源部39例如总是向各传感器对14和各部件配置区域13的各部件供给电力,由此总是从无线发送部38无线发送电压值Vx、Vy。
但是,上述传感器对配置区域12仅覆盖传感器用晶片1的表面的大概一半的区域。因此,如果将晶片W载置在涂敷、显影装置4的晶片W的载置部(载置区域)41进行测定,则只能检测该载置部41的大概一半的区域的各部的风向和风速。因此,例如图10所示,将传感器用晶片1以规定的朝向载置在载置部41,一旦取得各通道的Vx、Vy,则如图11所示,将载置部41的传感器用晶片1的朝向变换180°。然后,再次取得Vx、Vy。即,在测定第二次的Vx、Vy时,该传感器对配置区域12位于在第一次时不配置部件配置区域13的区域,配置传感器用晶片1以进行测定。由此,能够取得载置部41整体的各部的风向和风速的分布。图10、图11表示载置于涂敷、显影装置4的加热模块71的载置部41的情况。加热模块71在后面描述。
参照图12对涂敷、显影装置4的控制部5进行说明。控制部5具备总线51,总线51连接有CPU52、程序存储部53、第一存储器55、第二存储器56、显示部57和操作部58。程序存储部53中存储有程序59。该程序59例如交替实施后述的在涂敷、显影装置4的模块间搬送晶片W并进行处理的处理模式、和利用传感器用晶片1进行测定的测定模式。并且,该程序59向涂敷、显影装置4的各部发送控制信号以分别进行晶片W的搬送和处理、以及传感器用晶片1的搬送和上述测定,对晶片W的搬送机构的动作和模块的动作进行控制。程序存储部53由计算机存储介质例如软盘、光盘、硬盘、MO(磁光盘)等构成。
第一存储器55中按每个通道存储有各种数据。这些数据为无线发送的电压值Vx、Vy,由这些Vx、Vy分别计算的X方向、Y方向的风速值Cx、Cy,由上述Cx、Cy计算的以上述点P为基点的风速值Cxy,以及上述基点P的XY坐标。这些各值分别与每个通道彼此对应地存储。并且,这些Vx、Vy、Cx、Cy、Cxy存储在每个涂敷、显影装置4中设置的模块。并且,如上所述,在各模块中测定两次风向、风速,因而这些Vx、Vy、Cx、Cy、Cxy存储与测定次数相对应地存储。并且,上述Vx、Vy从取得数据开始连续地取得,这些Vx、Vy按时间存储在第一存储器55。由此,显示部57能够显示从测定开始经过任意时间后的风向、风速的分布。
第二存储器56中存储有图13所示的坐标图56A。该坐标图56A表示上述电压值Vx、Vy与上述风速值Cx、Cy(单位:米/秒)之间的对应关系,纵轴表示上述输出电压,横轴表示上述风速。利用程序59,根据存储在第一存储器55中的Vx、Vy在坐标图56A中读取对应的Cx、Cy的值。所读取的Cx、Cy与上述Vx、Vy相对应,存储在该第一存储器55中。
显示部57是显示器。程序59以点P为基点,合成如上所述由各传感器对14得到的X方向的风速值和Y方向的风速,算出风向。并且,由于X方向与Y方向所呈的角度为90°,所以计算{(Cx)2+(Cy)2}1/2=Cxy,将该Cxy与计算中使用的Cx、Cy相对应存储在第一存储器55中。这些各种计算由CPU52进行。
例如,对于同一模块,设定第一次测定、第二次测定在模块内都为同样的环境。并且,传感器用晶片1在处于对于各模块预先设定的朝向的状态下进行各测定。上述程序59,在这两次测定中,例如基于从测定开始经过相同时间后取得的Vx、Vy,计算各次测定的风速值Cx、Cy、Cxy。并且,基于该计算结果和各基点P的坐标,将载置部41整体的风向、风速的分布显示在显示部57。
在图14中,作为一例,表示如图10、图11所示将传感器用晶片1载置在载置部41进行了测定时的显示部57的显示。基于所设定的坐标,在该显示部57的规定部位同时显示第一次和第二次的各测定时的基点P,并且所算出的风向表示为从该基点P延伸的箭头。即,将晶片W的载置部41每个半圆分两次进行测定,但是以表示载置部41整体的风向、风速的分布的方式进行画面显示。对于图中的各基点P标注与通道相对应的编号。计算出的风速值Cxy越大,上述箭头越长。
另外,显示部57中除了显示该箭头之外,还以彩色图像显示风速分布。画面内显示载置部41、即传感器用晶片1的外形,其面内以与计算出的各通道的Cxy相对应的彩色表示。虽然实际的图像显示是彩色的层次,但是为了方便起见,在图14中取而代之使用等高线,表示为与风速的强度相对应的模式。上述层次中表示彩色与风速值Cxy的数值之间的对应的棒状图57A与上述风速分布一起显示,用户可知载置部41的面内各部的风速值Cxy的值。
在图14中,将第二次测定时位于与第一次测定时的基点重合的位置的基点表示在括号内。为了改变传感器用晶片1的朝向进行测定,如上所述存在基点P重合、即载置部41中具有第一次和第二次均进行测定的部位,这种部位例如计算各次测定的测定结果的平均值进行显示。
返回图12,对操作58进行说明。该操作部58例如由鼠标、键盘、触摸面板等构成。用户能够经由该操作部58设定用传感器用晶片1进行测定的模块。并且,在上述进行测定的模块不具有变更传感器用晶片1的朝向的功能的情况下,将传感器用晶片1搬送到其它的模块进行这种朝向的变更,但是这样进行朝向的变更的模块也经由该操作部58进行设定。
并且,用户通过该操作部58向显示部57进行上述图像显示的指示。对于进行了测定的模块,在指定从开始测定起的时间时,根据该指定的时间取得的电压值Vx、Vy计算上述风速值Cx、Cy、Cxy,如图14所示,进行风向和风速分布的显示。并且,通过指定从测定开始到测定结束的任意的区间,计算与该区间取得的Vx、Vy相对应的上述风速值Cx、Cy、Cxy,基于该风速值,按照时序进行显示。即,能够以表示风向和风速的随着时间的变化的动画的方式在显示部57中显示。这些显示部57中的显示也可以由程序59控制。
下面,参照图15~17对涂敷、显影装置4的一个例子进行说明。图15、16、17分别为涂敷、显影装置4的俯视图、立体图和概略纵截侧视图。该涂敷、显影装置4具备彼此直线状配列的装载块D1、处理块D2和接口块D3。接口块D3与曝光装置D4连接。在以后的说明中,将块D1~D3的配列方向作为前后方向。装载块D1具有将含有晶片W的载体C搬入装置内或将其搬出的作用,具备载体C的载置台42和用于从载体C搬送晶片W的移载机构43。
处理块D2从下部起依次叠层对晶片W进行液处理的第一~第六的单元块B1~B6而构成。为了便于说明,有时将在晶片W上形成下层侧的反射防止膜的处理表示为“BCT”,将在晶片W上形成抗蚀剂膜的处理表示为“COT”,将用于在曝光后的晶片W上形成抗蚀剂图案的处理表示为“DEV”。并且,在图16中将各单元块表现为“层”,以避免记载的复杂化。在本例子中,从下部起,BCT层、COT层、DEV层各叠层有2层,以COT层B3作为代表,参照图15进行说明。在从装载块D1向接口块D3的搬送区域R的左右的一侧,在前后方向上配置有搁板单元U1~U6,在另一侧,作为各液处理模块的抗蚀剂涂敷模块61、和保护膜形成模块62前后排列设置。从未图示的空气供给部向搬送区域R供给空气。
抗蚀剂涂敷模块61具备杯部63。在该杯部63内设置有吸附保持晶片W的背面、并且能够围绕铅直轴自由旋转的台64。由该台64保持晶片W,从药液喷嘴向晶片W供给抗蚀剂,进行旋涂。在从抗蚀剂涂敷模块61的天井供给空气、并且杯部63内被排气后的状态下,进行该旋涂。保护膜形成模块62以利用用于形成保护膜的药液同样使用杯部63进行处理的方式构成。
在上述搬送区域R设置有作为晶片W的搬送机构的搬送臂A3。该搬送臂A3以自由进退、自由升降、围绕铅直轴自由旋转、并且能够在搬送区域R的长度方向上自由移动的方式构成,能够在单元块B3的各模块间进行晶片W的交接。并且,上述搁板单元U1~U6沿着搬送区域R的长度方向配列,搁板单元U1~U5由进行晶片W的加热处理的加热模块71例如叠层为2层而构成。搁板单元U6由相互叠层的周缘曝光模块65构成。
周缘曝光模块65具备:将晶片W的周缘曝光的曝光部;支承晶片W的背面、并且能够自由旋转且在横向自由移动的台;和为了控制曝光的宽度,决定晶片W的周缘位置的光传感器。上述光传感器包括向旋转的晶片W的周缘投光的投光部、和与该投光部成对的受光部,基于上述受光部从投光部接收的光的入射范围,上述控制部5检测晶片W的周缘位置。如后所述,在使用传感器用晶片1时,基于上述入射范围,进行传感器用晶片1的缺口N的方向的检测,通过上述台来调整其方向。
单元块B4与B3同样地构成。其它的单元块B1、B2、B5和B6,除了向晶片W供给的药液不同、以及设置加热模块71代替周缘曝光模块65之外,与单元块B3、B4同样地构成。单元块B1、B2具备反射防止膜形成模块以代替抗蚀剂涂敷模块61、保护膜形成模块62,单元块B5、B6具备显影模块。在图17中,各单元块B1~B6的搬送臂表示为A1~A6。
在处理块D2的装载块D1一侧,设置有跨越各单元块B1~B6上下延伸的塔T1、和用于对塔T1进行晶片W的交接的自由升降的作为搬送机构的交接臂44。塔T1由彼此叠层的多个模块构成。实际上,在塔T1中设置有各种模块,但是为了简化说明,仅表示出用于在交接臂44与各单元块B1~B6的搬送臂A1~A6之间交接晶片W的交接模块TRS。
接口块D3具备跨越各单元块B1~B6上下延伸的塔T2、T3、T4。45、46、47是接口臂。臂45对于塔T2和塔T4进行晶片W的交接,臂46对于塔T2和塔T3进行晶片W的交接,臂47在塔T2和曝光装置D4之间进行晶片W的交接。塔T2以交接模块TRS彼此叠层的方式构成。其中,省略对于T3、T4的说明。
对于包括该涂敷、显影装置4和曝光装置D4的系统的晶片W的搬送路经的概况进行说明。晶片W按照下述顺序输送:载体C→移载机构43→塔T1的交接模块TRS→交接臂44→塔T1的交接模块TRS→单元块B1(B2)→单元块B3(B4)→接口块D3→曝光装置D4→接口块D3→单位块B5(B6)→塔T1的交接模块TRS→移载机构43→载体C。
在处理块D2内的晶片W的输送进行详细说明,形成反射防止膜的单元块B1、B2、形成抗蚀剂膜的单元块B3、B4和进行显影的单元块B5、B6被双重化,相对于这些双重化的单元块,分开搬送晶片W。例如,在将晶片W交接到单元块B1的情况下,对于塔T1中的交接模块TRS中与单位块B1相对应的交接模块TRS1(能够利用搬送臂A1进行晶片W的交接的交接模块),利用交接臂44交接晶片W。塔T1中交接臂44的交接起点的模块是由移载机构43搬入的交接模块TRS0。此外,如果将与单元块B2相对应的交接模块作为TRS2,交接模块TRS0的晶片W由交接臂44交接到交接模块TRS2。
此外,在单元块B1或B2中结束形成反射防止膜后的晶片W,例如通过交接模块TRS1或TRS2,由交接臂44在与单元块B3相对应的交接模块TRS3和与单元块B4相对应的交接模块TRS4之间彼此分开搬送。
将载置晶片W的位置记为模块。在模块设置有用于检测晶片W的搬出搬入的未图示的传感器。在各模块中搬入搬出晶片W时,从各传感器分别向上述控制部5发送表示如上所述进行了搬入、搬出的搬入信号、搬出信号。在各模块中总是以规定的设定量进行排气,并且在搬送区域R、抗蚀剂涂敷模块61等规定的模块中,总是以规定的量供给空气。
在说明气流的测定顺序之前,先使用图18的俯视图、图19的侧视图说明上述加热模块71。图中72是基台,73是加热晶片W的热板。74是冷却板,将热板73上的载置部(载置区域)41上被加热的晶片W冷却,并将从搬送臂A3交接的晶片W向热板73上搬送。75是自由升降的销,在热板73与冷却板74之间交接晶片W。
将设置有热板73的一侧作为里侧、将设置有冷却板74的一侧作为跟前侧时,以包围热板73的上方、左右和里侧的方式形成盖体76,在盖76体内的里侧在左右方向上设置多个排气口77。盖体76的跟前侧形成构成空气供给口的开口部78,搬送区域R的空气经由该开口部78进入盖体76内,从排气口77排出。在暴露在如上述方式形成为气流的同时,进行晶片W的加热处理。图中79是与排气口77连接的排气管。
接着,以按照顺序对该涂敷、显影装置4中的单元块B3的加热模块71、抗蚀剂涂敷模块61进行测定的情况为例,参照图20的流程图对测定顺序进行说明。首先,用户利用控制部5进行切换,以从如上所述对晶片W进行处理的处理模块切换至测定风向和风速的测定模块。接着,由控制部5设定进行风向、风速测定的模块、和进行该模块的测定的顺序。接着,在进行测定的模块不能改变传感器用晶片1的朝向时,对改变朝向的模块进行指定。在这种情况下,以进行上述加热模块71的测定、接着进行抗蚀剂涂敷模块61的测定的方式进行设定。由于加热模块71不能改变上述朝向,因此改变朝向的模块也指定。在此,对于例如指定上述抗蚀剂涂敷模块61的情况进行说明(步骤S1)。并且,对于传感器用晶片1的搬送路经也进行设定。
接着,代替晶片W,收纳有传感器用晶片1的载体C被搬入装载块D1,通过移载机构43从载体C取出传感器用晶片1(步骤S2)。传感器用晶片1通过塔T1被搬送到单元块B3,接着通过搬送臂A3被搬送到周缘曝光模块65。由该周缘曝光模块65进行缺口N的检测,调整传感器用晶片1的朝向以使得该缺口N朝向规定的方向(步骤S3)。
利用搬送臂A3,将调整了朝向的传感器用晶片1搬送到在步骤S1中设定的加热模块71。由加热模块71的晶片W检测用的传感器向控制部5发送表示搬入了传感器用晶片1被搬入的信号(步骤S4)。当接受到该搬入信号时,开始由传感器用晶片1无线发送的电压值Vx、Vy向第一存储器55的存储(步骤S5)。
由于在步骤S3中调整了朝向,如图10所示,传感器用晶片1以从加热模块71的开口部78向排气口77观察、传感器对配置区域12、部件配置区域13分别位于左右的方式被交接到热板73上,连续取得上述Vx、Vy。在图10中,用箭头表示气流的方向。此时,由于如上所述配置传感器用晶片1,朝向传感器对配置区域12的气流不会撞击部件配置区域13的各部件而直接流向排气口77,能够防止在传感器配置区域12中气流杂乱。从上述搬送信号的发送开始经过规定的时间后,传感器用晶片1被交接到搬送臂A3,从加热模块71中被搬出。由上述晶片W检测用传感器向控制部5发送表示传感器用晶片1被搬出了的搬出信号,当控制部5接收到该信号时,停止Vx、Vy的存储(步骤S6)。
通过搬送臂A3,将该传感器用晶片1搬送到以改变传感器用晶片1的朝向的方式设定的抗蚀剂涂敷模块61。载置有该传感器用晶片1的台64如图21所示旋转180度,传感器用晶片1的朝向被改变(步骤S7)。朝向改变了的传感器用晶片1被交接到搬送臂A3,再次被搬送到上述加热模块71,与上述步骤S4、S5同样,搬送信号被发送到控制部5时,再次开始电压值Vx、Vy向第一存储器55的存储(步骤S8)。
此时,由于在抗蚀剂涂敷模块61中朝向发生改变,因此如图11所示在进行晶片W的第一次测定时,以朝向改变180度后的状态载置在热板73上。因此,在第二次测定中,朝向传感器对配置区域12的气流不会撞击部件配置区域13的各部件而直接流向排气口77。于是,与步骤S6同样,在从上述搬入信号的发送开始经过规定时间后,与步骤S6同样,传感器用晶片1被搬送臂A3从加热模块71搬出,从加热模块71搬出后搬出信号被发送到控制部5。然后,Vx、Vy的存储停止(步骤S9)。
传感器用晶片1接着被搬送到以进行测定的方式设定的抗蚀剂涂敷模块61(步骤S10)。然后,与上述步骤S4、S5同样,依次进行传感器用晶片1的检测、搬送信号向控制部5的发送,利用控制部5进行的Vx、Vy的存储。图22中以箭头表示该测定时传感器用晶片1的周围的气流。从天井向在杯部63内的台64上的载置部41所载置的传感器用晶片1供给空气,通过在杯部63内进行的排气,上述空气从传感器用晶片1的中央部侧向周缘部侧以放射状扩展的方式流动。此时,由于传感器对配置区域12与部件配置区域13形成在传感器用晶片1的彼此不同的半圆区域,所以在传感器对配置区域12流通的气流不会撞击部件配置区域13的部件而向上述周缘部流动。
由于该抗蚀剂涂敷模块61能够改变传感器用晶片1的朝向,因而能够无需将传感器用晶片1暂时搬出到外部地进行第二次测定。例如,从上述搬入信号的发送开始经过规定时间后,暂时停止利用控制部5进行的Vx、Vy的数据的存储,然后台64被旋转180度,如图23所示传感器用晶片1的朝向发生改变。在该朝向的改变之后,再次开始利用控制部5进行的Vx、Vy的取得,进行第二次的测定。此时,也与第一次测定同样,在传感器对配置区域12流动的气流如图23中的箭头所示,不会撞击部件配置区域13的各部件而直接流向传感器用晶片1的周缘部。
然后,依次进行与步骤S9同样的利用搬送臂A3搬出传感器用晶片1、由抗蚀剂涂敷模块61发送搬出信号,Vx、Vy的存储停止。之后,传感器用晶片1例如依次被搬送到搬送臂A3、塔T1的TRS、移载机构43,返回载体C。这样,在取得各模块的Vx、Vy之后,用户通过控制部5指定显示风向和风速分布的模块,如图14所示进行图像显示。
以加热模块71和抗蚀剂涂敷模块61的气流的测定为代表进行说明,例如,对于不具有改变晶片W的朝向的功能的TRS等模块,与加热模块71同样进行测定。并且,对于周缘曝光模块65、显影模块等具有改变晶片W的朝向的功能的模块,与抗蚀剂涂敷模块61同样进行测定。并且,载置部41不限定于模块的载置部41,也包括搬送臂A等晶片W的搬送机构的载置部。即,通过在利用上述搬送机构保持传感器用晶片1的状态下进行测定,能够测定晶片W的搬送区域的风向、风速分布。在这种情况下,也与进行加热模块71的气流的测定同样,在第一次测定和第二次测定之间利用抗蚀剂涂敷模块61等改变传感器用晶片1的朝向。
上述传感器用晶片1以通过涂敷、显影装置4与晶片W同样自动地在模块间搬送取得数据的方式构成,因此能够减轻测定者的劳动。进一步具体而言,与用数据发送用的导线将上述控制部5与传感器用晶片1连接的结构相比,能够减轻为了搬动传感器用晶片1所需要的劳动,例如,能够省去为了在模块的内部与外部之间穿绕上述导线而将该模块的部件取出等的劳动。并且,也能够获得抑制由于上述导线所引起的模块内的气流的影响。
并且,将传感器用晶片1大致分为两部分后的一个半圆区域设定为传感器对配置区域12、另一半设定为部件配置区域13,通过如上所述改变传感器用晶片1的朝向,分两次进行测定,能够防止在传感器对配置区域12表面流动的气流撞击部件配置区域13的部件组而导致湍流。
因此,能够提高风向和风速的测定精度。并且,通过形成这样的布局,例如将各部件埋入基板主体11内,从而无需抑制传感器对配置区域12中气流的影响,因而部件的形状和大小的自由度提高,能够抑制传感器用晶片1的制造成本。并且,能够防止为了进行上述埋入而导致传感器用晶片1的厚度大于晶片W的厚度、即传感器用晶片1的形状偏离晶片W的形状而导致的测定精度的下降。但是,在传感器用晶片1中,并不禁止这样的各部件埋入基板主体11。
在上述例子中,例示了在晶片W表面形成从一端侧向另一端侧的气流的模块、和从中央部向周缘部侧的气流的模块的测定例,但是,对于在除此之外的方向形成气流的模块也可以进行测定。图24是表示其它结构的加热模块81的图。以包围热板73的上方的方式设置盖体82,在盖体82的天井中央部形成排气口83。在盖体82的内周,以包围热板73的方式形成气体供给口84,从热板73的周缘部向中央部的气流从晶片W的中心部观察时在周方向上基本对称地形成。
由于这样形成气流,因此与测定加热模块71的气流的情况不同,与测定上述抗蚀剂涂敷模块61的气流的情况同样,传感器用晶片1能够以任意朝向载置在热板73上。其中,在加热模块81中,将排气口83作为气体供给口、将气体供给口84作为排气口测定从传感器用晶片1的中心部向周缘部的气流时,也能够利用传感器用晶片1进行测定。
(第二实施方式)
图25表示第二实施方式的传感器用晶片9的概略结构。说明其与第一实施方式的区别点,在该传感器用晶片9中不设置无线发送部38,由ADC37输出的数据例如存储在以自由装卸的方式设置在部件配置区域13的存储器91中。并且,电源部39设置有开关92。利用该开关92,手动切换从电源部39向部件配置区域13的各部和传感器对14的电力供给的接通断开。
对于使用该传感器用晶片9进行测定的一个例子进行说明,例如将图15所示的划分抗蚀剂涂敷模块61和保护膜形成模块62的内部、和涂敷、显影装置4的外部的划分壁93取下,用户利用控制部5进行指示,使得搬送臂A3进入抗蚀剂涂敷模块61或保护膜形成模块62内。然后,用户将开关92接通,通过上述划分壁93被取下而形成的开口部,将传感器用晶片9从涂敷、显影装置4的外部交接到上述搬送臂A3。接着,利用控制部5设定传感器用晶片1的搬送路径,将传感器用晶片1搬送到预期的模块。在搬送到上述模块后,与第一实施方式同样,每次测定时使传感器用晶片1为彼此不同的朝向进行测定。
在测定结束后,将传感器用晶片1搬送到上述抗蚀剂涂敷模块61和保护膜形成模块62,用户通过上述开口部回收传感器用晶片1,将开关92断开。接着,由计算机读取上述存储器91的数据,在Vx、Vy的时序系列数据中,提取传感器用晶片1被搬入上述模块的时刻的数据,与第一实施方式同样,在显示画面中显示风向、风速分布。在该第二实施方式中也能够获得与第一实施方式同样的效果。其中,存储器91也可以适用于第一实施方式,能够取得作为备份的数据。
但是,作为传感器对配置区域12和部件配置区域13的布局,不限定于上述例子。例如图26所示的传感器用晶片94中,部件配置区域13的构成为其中心角为90度的扇形区域。并且,传感器对配置区域12为其中心角大致为225度的扇形区域。在图26以后的各图中,为了使图示明显,在部件配置区域13标注多个点。该图26表示第一次测定时的传感器用晶片94的朝向,图27表示第二次测定时的传感器用晶片94的朝向。作为为了改变朝向而使传感器用晶片94旋转的角度,可以与第一实施方式同样,第一次测定时部件配置区域13所处的位置的风向和风速可以在第二次测定中取得,在该例子中旋转90度。
进行详细说明,在该例子中与第一实施方式同样,测定从晶片W的载置部41的中心部观察向8个方向扩展的直径的各部的气流,该直径在上述载置部41的中心部周围以等角度设定。在传感器用晶片94中,以从该中心部沿着直径向6个方向扩展的方式配列的传感器对14构成上述扇形的传感器对配置区域12,配列有传感器对14的直径在扇形的中心部周围以等角度设定。在上述图26的第一次测定中,测定从上述载置部41的中心部向8个方向扩展的直径中的6个方向上的直径的各部的气流。并且,在上述图27的第二次测定中,测定包括在第一次测定中无法测定的8个方向的直径中的2个方向上的直径在内的6个方向上的直径的各部的气流。
在该图26、27的传感器用晶片94中,由于部件配置区域13的扇形所呈的角度在180°以下,所以在加热模块71中从开口部78向排气口77观察,当部件配置区域13配置在左右的一侧时,朝向传感器对配置区域12中配置在上述左右的另一侧的传感器对14的气流,不会撞击该部件配置区域13。并且,在像抗蚀剂涂敷模块61和加热模块81那样,用于形成从载置部41的中央部向周缘部扩展的气流、以及以从周缘部向中央部汇聚的方式流动的气流的模块的情况下,在传感器对配置区域12中流动的气流也不会撞击部件配置区域13。因此,根据该图26、27的传感器用晶片94,与传感器用晶片1同样,能够在这些抗蚀剂涂敷模块61和加热模块71、81中取得高精度的气流的数据。
如图28所示,部件配置区域13也可以构成为其中心角小于90度的扇形。与图26、27的传感器用晶片94同样,使用该图28的传感器用晶片94也能够以高精度测定抗蚀剂涂敷模块61、加热模块71、81的气流。并且,如图29所示,部件配置区域13可以配置成其中心角大于180度的扇形。在测定从上述载置部41的中央部向周缘部扩展的气流、以及以从周缘部向中央部汇聚的方式流动的气流时,不会由于配件配置区域13而引起朝向传感器对14的气流的遮蔽。因此,根据这种结构,能够取得高精度的气流的数据。但是,如上所述上述中心角超过180度,在对如加热模块71的方式形成从晶片W的一端侧流向另一端侧的气流的模块进行测定时,朝向传感器对配置区域12的气流就会被部件配置区域13遮蔽,因而优选形成为上述中心角在180度以下的扇形。
此外,图30、31表示用于测定从载置部41的中央部向周缘部扩展的气流、以及以从周缘部向中央部汇聚的方式流动的气流的其它的传感器用晶片94的构成例。也可以如图30所示,传感器对14仅在一个半径方向配置多个,通过多次改变朝向来测定载置部41的多个部位的风向和风速。此外,如果传感器对14彼此位于从中心部向周缘部的不同的位置,通过改变传感器用晶片94的朝向,能够对载置部41的多个部位进行测定。因此,可以如图31所示,传感器对14在周方向上彼此错开配置。图中的虚线是沿着传感器用晶片94的圆周的假想线。在之前情况下,如图30、31的方式配置传感器对14,由于在各测定时传感器对14周围的气流不会被部件配置区域13遮蔽而流动,因此能够获得高精度的测定数据。
此外,图32表示其它传感器用晶片94的背面。在该示例中,部件配置区域13在传感器用晶片94的背面周缘部形成为环状,如图33所示,形成在抗蚀剂涂敷模块61的台64的保持区域的外侧。由此,由于传感器用晶片94的基板主体11被保持在与晶片W相同的位置,因此,能够扩展传感器对14的布局的宽度,并且能够进行高精度的测定。其中,在载置在上述加热模块71的热板73上的情况下,由于基板主体11被载置在高于晶片W的位置,能够像其它示例那样,在传感器用晶片1表面设置部件配置区域13,在这一点上非常有利。
在上述例子中,使用周缘曝光模块65,调整传感器用晶片1的朝向,使得在被搬送到加热模块71时传感器用晶片1的传感器对配置区域12、部件配置区域13排列在气流的左右,但是并不限于这种调整。例如,可以预先在被搬送到加热模块71时传感器用晶片1就呈现这种朝向,以这种方式将晶片1收纳在载体C中,在该状态下将载体C搬送到涂敷、显影装置4。例如,也可以在载体C设置有设置于周缘曝光模块65的自由旋转的台和光传感器,来调整传感器用晶片1的朝向,之后搬送到指定的模块。可以在抗蚀剂涂敷模块61、保护膜形成模块62或显影模块等的、具备上述台64、在涂敷、显影装置4中进行液处理的模块设置上述光传感器,如上述方式调整朝向。
另外,不限于将传感器用晶片1收纳在载体C中,例如也可以将传感器用晶片1收纳在涂敷、显影装置4内。例如,可以将传感器用晶片1的收纳部设置在移载机构43能够进行存取的区域。并且,在进行晶片W的处理的过程中,在该收纳部中可以通过无线或有线向传感器用晶片1的电源部39供电,以使构成该电源部39的电池被充电。并且,也可以代替设置电源部39向各部供给电力,而在测定时将构成为与晶片W同样形状的进行无线供电的治具搬送到传感器用晶片1的附近,通过无线进行供电。在上述例子中,在测定中,涂敷、显影装置4的各部中的排气量和气体供给量在传感器用晶片1的搬入前后没有变化,但是也可以在模块的传感器检测出传感器用晶片1时,由初始值变化为规定值。并且,在上述例子中,将载置部41每半面各进行1次测定,但是也可以对半面进行多次测定,算出各次的平均值,取得各部的风向和风速分布。对风向和风速进行运算,但是也可以通过运算仅求出并显示风向。
(评价试验1)
研究部件配置区域13对于传感器对配置区域12的气流的影响,进行实验。在该实验中,准备与加热模块71同样形成从载置于载置部41的晶片W的一端侧流向另一端侧的气流的评价装置。与加热模块71的测定时同样,从装置的排气口向空气供给口观察,以传感器对配置区域12和部件配置区域13配列在左右的方式配置传感器用晶片1,研究由沿着部件配置区域13配置的Ch1~Ch3、Ch5、Ch7~Ch9的各风速传感器2A、2B检测出的风速值。在每次进行测定时,将基板主体11中的部件配置区域13的位置错开,改变图1所示的距传感器对14的离开距离L1。并且,准备晶片作为参照治具,同样进行测定,该晶片中除了使部件配置区域13的各部件通过电缆形成在从基板主体11伸出并离开的位置之外,与传感器用晶片1同样地构成。
在此,将传感器用晶片1的各通道的风速值与参照治具的各通道的风速值之差收纳于0.01m/s以内的情况作为合格。在传感器用晶片1中离开距离L1在70mm以下时,存在超出该允许范围的通道;但是在离开距离L1为80mm时,上述全部通道的风速值收纳于允许范围之内。其中,来自评价装置的风速设定为0.1m/s(米/秒)、0.2m/s、0.3m/s,但是在将离开距离L1设为80mm时,设定在任意风速时均收纳于允许范围内。
(评价试验2)
代替上述评价装置,使用实施方式所示的加热模块81,使用将离开距离L1设为80mm的传感器用晶片1和上述参照治具,与评价试验1同样进行了实验。加热模块81的气体供给量设定为4.0L/分钟。其结果是,传感器用晶片1的上述全部通道的风速值都收纳于上述允许范围内。即,由这些实验可知,即便将部件配置区域13设置在基板主体11上,通过调整其与传感器对配置区域12的距离,也能够防止上述部件配置区域13的部件对传感器对14周围的气流造成影响。
Claims (8)
1.一种基板处理装置的数据取得方法,用于取得基板处理装置的基板的载置部所载置的所述基板的表面的多个测定区域的关于气流的风向的数据,所述基板处理装置的数据取得方法的特征在于,包括:
为了取得所述基板的表面的第一测定区域中的所述风向的数据,而将传感器用基板以第一朝向载置于所述载置部的工序,其中,所述传感器用基板上,包括用于取得气流的矢量数据的第一传感器和第二传感器的多个传感器对设置在从所述传感器用基板的表面的中央部观察时彼此不同的距离;
为了取得第二测定区域的风向的数据,将该载置部上的传感器用基板的朝向变更为第二朝向的工序,其中,在所述基板的中心部周围,第二测定区域的位置与所述第一测定区域的位置错开;
由以所述第一朝向和第二朝向载置的传感器用基板的各第一传感器,取得对于该第一传感器沿着各传感器用基板的表面设定的第一直线方向上的气流的矢量数据的工序;
由以所述第一朝向和第二朝向载置的传感器用基板的各第二传感器,取得对于该第二传感器沿着各传感器用基板的表面、并且与对于成对的第一传感器设定的所述第一直线方向倾斜地设定的第二直线方向上的气流的矢量数据的工序;和
将由构成同一传感器对的第一传感器和第二传感器取得的气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成,计算所述第一测定区域和第二测定区域中来自各基点的风向的工序。
2.如权利要求1所述的基板处理装置的数据取得方法,其特征在于:
在所述传感器用基板的表面形成有:设置有所述各传感器对的传感器对配置区域;和设置于在该传感器用基板的周方向上错开的位置的部件配置区域,
所述部件配置区域具备发送部和存储器中的至少一个,其中,所述发送部用于向传感器用基板的外部无线发送由所述第一传感器和第二传感器取得的气流的矢量数据,所述存储器用于保存所述数据。
3.如权利要求2所述的基板处理装置的数据取得方法,其特征在于:
所述传感器对配置区域和所述部件配置区域分别形成于传感器用基板的左右。
4.如权利要求3所述的基板处理装置的数据取得方法,其特征在于:
在所述基板处理装置中,夹着所述载置部设置有气体的供给口和气体的排气口,
以所述第一朝向和第二朝向载置传感器用基板的工序,包括:
以从所述供给口向所述排气口观察时、所述传感器对配置区域和所述部件配置区域分别配置于左右的方式,载置传感器用基板的工序。
5.如权利要求1~4中任一项所述的基板处理装置的数据取得方法,其特征在于:
所述气流的矢量数据是关于气流的风速的数据,
包括:将所述气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成,计算来自各基点的风速的工序。
6.如权利要求1~4中任一项所述的基板处理装置的数据取得方法,其特征在于:
所述第一直线方向与所述第二直线方向的倾斜所成的角度为90°。
7.一种传感器用基板,对基板处理装置的基板的载置部所载置的所述基板的表面的多个测定区域的关于气流的风向的数据进行权利要求1~6中任一项所述的基板处理装置的数据取得方法,所述传感器用基板的特征在于,包括:
多个第一传感器,用于取得沿着所述传感器用基板的表面设定的第一直线方向上的气流的矢量数据;
多个第二传感器,与所述第一传感器一起构成传感器对,在从所述传感器用基板的表面的中央部观察时,该传感器对分别设置在不同距离,并且该多个第二传感器用于取得沿着所述传感器用基板的表面、相对所述第一直线方向倾斜地设定的第二直线方向上的气流的矢量数据;和
为了将由构成同一传感器对的第一传感器和第二传感器分别取得的气流的矢量基于按照每对传感器对预先设定的基点进行合成、计算来自各基点的风向,而将由所述第一传感器和第二传感器取得的数据向传感器用基板的外部无线发送的发送部和保存所述数据的存储器中的至少一个,
设置所述各传感器对的传感器对配置区域和设置所述发送部或存储器的部件配置区域,在传感器用基板的表面设置于在周方向上彼此错开的位置。
8.如权利要求7所述的传感器用基板,其特征在于:
所述传感器对配置区域和所述部件配置区域分别形成于传感器用基板的左右。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012141247A JP5704129B2 (ja) | 2012-06-22 | 2012-06-22 | 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 |
JP2012-141247 | 2012-06-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103513055A CN103513055A (zh) | 2014-01-15 |
CN103513055B true CN103513055B (zh) | 2017-08-01 |
Family
ID=49775128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310250020.XA Active CN103513055B (zh) | 2012-06-22 | 2013-06-21 | 基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9389242B2 (zh) |
JP (1) | JP5704129B2 (zh) |
KR (1) | KR101805952B1 (zh) |
CN (1) | CN103513055B (zh) |
TW (1) | TWI525324B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6211968B2 (ja) * | 2014-03-20 | 2017-10-11 | 株式会社東芝 | 圧力センサ、マイクロフォン及び音響処理システム |
JP6645993B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2020-02-14 | 株式会社Kokusai Electric | 処理装置、装置管理コントローラ、及びプログラム並びに半導体装置の製造方法 |
JP6763608B2 (ja) * | 2017-01-23 | 2020-09-30 | 株式会社平間理化研究所 | 現像液の二酸化炭素濃度表示装置、及び現像液管理装置 |
US11139149B2 (en) * | 2017-11-29 | 2021-10-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas injector |
JP7029983B2 (ja) * | 2018-03-09 | 2022-03-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 測定器及び測定器のずれ量を求める方法 |
JP7140351B2 (ja) * | 2018-06-11 | 2022-09-21 | ミネベアミツミ株式会社 | センサユニット |
KR102249046B1 (ko) | 2020-07-16 | 2021-05-07 | 윤여신 | 작물 재배용 베드 어셈블리 |
KR20220041300A (ko) | 2020-09-24 | 2022-04-01 | 세메스 주식회사 | 웨이퍼형 센서 유닛 및 웨이퍼형 센서 유닛을 이용한 데이터 취득 방법 |
KR102654891B1 (ko) | 2020-12-28 | 2024-04-05 | 세메스 주식회사 | 이상 진단 시스템 및 이상 진단 방법 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6502459B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-01-07 | Honeywell International Inc. | Microsensor for measuring velocity and angular direction of an incoming air stream |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0810231B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1996-01-31 | シャープ株式会社 | フローセンサ |
JPH06265564A (ja) * | 1993-03-12 | 1994-09-22 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 気体の流速検出装置 |
JP2003106883A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Yamatake Corp | 気流センサ |
US7299148B2 (en) * | 2004-07-10 | 2007-11-20 | Onwafer Technologies, Inc. | Methods and apparatus for low distortion parameter measurements |
JP4726070B2 (ja) * | 2006-05-23 | 2011-07-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、装置検査方法、装置検査プログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体 |
US8323521B2 (en) | 2009-08-12 | 2012-12-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma generation controlled by gravity-induced gas-diffusion separation (GIGDS) techniques |
JP5445335B2 (ja) * | 2010-05-31 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理システム |
JP5293719B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2013-09-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及びセンサ用基板 |
JP5696605B2 (ja) * | 2011-07-01 | 2015-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置のデータ取得方法及び基板処理装置 |
JP5673577B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2015-02-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
-
2012
- 2012-06-22 JP JP2012141247A patent/JP5704129B2/ja active Active
-
2013
- 2013-05-28 KR KR1020130060580A patent/KR101805952B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-19 TW TW102121738A patent/TWI525324B/zh active
- 2013-06-21 CN CN201310250020.XA patent/CN103513055B/zh active Active
- 2013-06-21 US US13/923,501 patent/US9389242B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6502459B1 (en) * | 2000-09-01 | 2003-01-07 | Honeywell International Inc. | Microsensor for measuring velocity and angular direction of an incoming air stream |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130346018A1 (en) | 2013-12-26 |
US9389242B2 (en) | 2016-07-12 |
KR101805952B1 (ko) | 2017-12-06 |
JP2014007251A (ja) | 2014-01-16 |
TW201418714A (zh) | 2014-05-16 |
KR20140000147A (ko) | 2014-01-02 |
JP5704129B2 (ja) | 2015-04-22 |
TWI525324B (zh) | 2016-03-11 |
CN103513055A (zh) | 2014-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103513055B (zh) | 基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板 | |
CN102854337B (zh) | 基板处理装置的数据取得方法和传感器用基板 | |
JP5712975B2 (ja) | 計測用基板、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法 | |
JP5805808B2 (ja) | プロセス条件測定デバイス | |
CN107742613A (zh) | 晶片边缘的测量和控制 | |
JP6369398B2 (ja) | 流量測定装置、及び処理装置 | |
CN103528714B (zh) | 集成cmos温度传感器的温度校准装置和方法 | |
CN103245435B (zh) | 用于cmos温度传感器的温度校准装置及方法 | |
TW201818473A (zh) | 具有可獨立控制式加熱器元件陣列的基板載具 | |
CN106104233B (zh) | 内部温度测量方法以及内部温度测量装置 | |
JP2001513260A (ja) | 体積の測定方法及びその装置 | |
CN110277333A (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
CN107806915A (zh) | 流量测定装置及流量测定系统 | |
JP2004093180A (ja) | 熱式流量計 | |
CN102564631B (zh) | 物理量测量装置及物理量测量方法 | |
TW509966B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
JP6768277B2 (ja) | センサチップ較正方法および較正されたセンサチップ用の製造ライン | |
CN203298898U (zh) | 用于cmos温度传感器的温度校准装置 | |
US20210325852A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing system, and substrate processing method | |
CN106482754A (zh) | 编码器 | |
CN209344052U (zh) | 控制用于夹持或定位布置在基板载体上的基板的装置的系统 | |
US11703520B2 (en) | Wafer type sensor unit and data acquisition method using the wafer type sensor unit | |
JPS63232429A (ja) | ホトレジスト塗布機 | |
JP4051589B2 (ja) | ガス分析装置 | |
JPH0384421A (ja) | 流量検出方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |