JP2014006491A - 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 - Google Patents
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- 0 CCCCN(CCC*)C(*)(*=*)C(CC)=O Chemical compound CCCCN(CCC*)C(*)(*=*)C(CC)=O 0.000 description 33
- FCOVISJBOFVLHK-UHFFFAOYSA-N CC(C)OC(C(C(C)(C)C)[S+](CC1)CCN1C(C)=O)=O Chemical compound CC(C)OC(C(C(C)(C)C)[S+](CC1)CCN1C(C)=O)=O FCOVISJBOFVLHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XGMZHAGICDCMJJ-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(NCC1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(NCC1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)(F)F)(O)(=O)=O XGMZHAGICDCMJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZIQBQLHVHCVAEY-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(C(F)(F)S(N1CC(CCCC2)C2CC1)(=O)=O)(F)F)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(C(F)(F)S(N1CC(CCCC2)C2CC1)(=O)=O)(F)F)(F)F)(=O)=O ZIQBQLHVHCVAEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXTMOKLUGYWREW-UHFFFAOYSA-N CC(C(OC1CCCCC1)=O)[S+](CC1)CCN1S(c1ccccc1)(=O)=O Chemical compound CC(C(OC1CCCCC1)=O)[S+](CC1)CCN1S(c1ccccc1)(=O)=O NXTMOKLUGYWREW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RDIXIOFRTTWFDQ-UHFFFAOYSA-N CC(C(c(cc1)ccc1OCC1CCCCC1)=O)[S+]1CCOCC1 Chemical compound CC(C(c(cc1)ccc1OCC1CCCCC1)=O)[S+]1CCOCC1 RDIXIOFRTTWFDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGMQZXVDRDSEGL-UHFFFAOYSA-N CC(C(c1ccc(C(CCC2)CC2C(CCC2)C(CC3)C2CN3S(C(C(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)(F)F)(F)F)(=O)=O)cc1)=O)[S+]1CCOCC1 Chemical compound CC(C(c1ccc(C(CCC2)CC2C(CCC2)C(CC3)C2CN3S(C(C(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)(F)F)(F)F)(=O)=O)cc1)=O)[S+]1CCOCC1 IGMQZXVDRDSEGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJYSKJDGNWAFDX-UHFFFAOYSA-N CC(C(c1ccc(C(CCCC2)C2C(CC2C3CCCC2)CN3S(C(C(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)(F)F)(F)F)(=O)=O)cc1)=O)[S+]1CCOCC1 Chemical compound CC(C(c1ccc(C(CCCC2)C2C(CC2C3CCCC2)CN3S(C(C(C(F)(F)[S](C)(O)(=O)=O)(F)F)(F)F)(=O)=O)cc1)=O)[S+]1CCOCC1 WJYSKJDGNWAFDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMCMSNICEUDKFX-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C(C1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)[S+]1CCOCC1 Chemical compound CC(C)(C(C1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)[S+]1CCOCC1 GMCMSNICEUDKFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYPSZFQDHRPATD-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C(C1CCCCC1)=O)[S+]1CCOCC1 Chemical compound CC(C)(C(C1CCCCC1)=O)[S+]1CCOCC1 KYPSZFQDHRPATD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNMNLBIPQOFIOC-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C(c1ccc(C2CCCCC2)cc1)=O)[S+]1CCOCCC1 Chemical compound CC(C)(C(c1ccc(C2CCCCC2)cc1)=O)[S+]1CCOCCC1 YNMNLBIPQOFIOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIDGPCUWXQOJBC-UHFFFAOYSA-N CC(C)(C)C(C(c(c1c2cccc1)ccc2OC)=O)[S+](CC1)CCN1C(C)=O Chemical compound CC(C)(C)C(C(c(c1c2cccc1)ccc2OC)=O)[S+](CC1)CCN1C(C)=O WIDGPCUWXQOJBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMJNUPCKAXOCKY-UHFFFAOYSA-O CC(C)(CC(C(CC(C1)C2)CC1C1)C21C(OCC(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)C(C(C)=O)[S+]1CCOCC1 Chemical compound CC(C)(CC(C(CC(C1)C2)CC1C1)C21C(OCC(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)C(C(C)=O)[S+]1CCOCC1 KMJNUPCKAXOCKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QTKHPAKODRVNLS-UHFFFAOYSA-N CC(C)C(C(C)[S+]1CCOCC1)=O Chemical compound CC(C)C(C(C)[S+]1CCOCC1)=O QTKHPAKODRVNLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMYFDMUYVQPNJO-UHFFFAOYSA-N CC(C)c(cc1)ccc1C(C(C1CCCCC1)[S+](CC1)CCN1C(OC)=O)=O Chemical compound CC(C)c(cc1)ccc1C(C(C1CCCCC1)[S+](CC1)CCN1C(OC)=O)=O DMYFDMUYVQPNJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPNMRBURWWLYBM-UHFFFAOYSA-O CCC(C)(C)c(ccc(C(C(C)(C)[S+]1CCOCC1)=O)c1)c1-c1cc(OC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)cc2ccccc12 Chemical compound CCC(C)(C)c(ccc(C(C(C)(C)[S+]1CCOCC1)=O)c1)c1-c1cc(OC(C(F)(F)S(O)(=O)=O)=O)cc2ccccc12 IPNMRBURWWLYBM-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- MFQKUZOQFOKDLD-UHFFFAOYSA-N CCC1(COC(C(C)[S+](CC2)CCN2S(C2CCCCC2)(=O)=O)=O)CC(CC2)CC2C1 Chemical compound CCC1(COC(C(C)[S+](CC2)CCN2S(C2CCCCC2)(=O)=O)=O)CC(CC2)CC2C1 MFQKUZOQFOKDLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUVNAMKQLHJMGV-UHFFFAOYSA-N CCOC(C(C)(C)[S+](CC1)CCN1C(C)=O)=O Chemical compound CCOC(C(C)(C)[S+](CC1)CCN1C(C)=O)=O LUVNAMKQLHJMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEGAYIXYQSSRHG-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(C(F)(F)S(N(CC(CCCC1)C1C1)C1c1ccc(C(C(C2CCCCC2)=O)[S+]2CCOCC2)cc1)(=O)=O)(F)F)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(C(F)(F)S(N(CC(CCCC1)C1C1)C1c1ccc(C(C(C2CCCCC2)=O)[S+]2CCOCC2)cc1)(=O)=O)(F)F)(F)F)(O)(=O)=O GEGAYIXYQSSRHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFZMLBLQMCTAHO-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(C(F)(F)S(N1CC(CCCC2)C2CC1)(=O)=O)(F)F)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(C(F)(F)S(N1CC(CCCC2)C2CC1)(=O)=O)(F)F)(F)F)(O)(=O)=O BFZMLBLQMCTAHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWFHUQNZJYEXRO-UHFFFAOYSA-N C[S](C(C(OCC1(CC2CC(C3)C1)CC3C2=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(C(OCC1(CC2CC(C3)C1)CC3C2=O)=O)(F)F)(O)(=O)=O BWFHUQNZJYEXRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTHDGMRGSODUOU-UHFFFAOYSA-N C[S](C(COC(C1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)(F)F)(O)(=O)=O Chemical compound C[S](C(COC(C1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)(F)F)(O)(=O)=O UTHDGMRGSODUOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCKQTUBSGQAIQI-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(OCC1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(OCC1(CC(C2)C3)CC3CC2C1)=O)(F)F)(=O)=O WCKQTUBSGQAIQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XANSLZDZOAWZOS-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(OCC1(CC2C(C3)C1)CC3C2=O)=O)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(OCC1(CC2C(C3)C1)CC3C2=O)=O)(F)F)(=O)=O XANSLZDZOAWZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCQXFIKQDHVWKU-UHFFFAOYSA-N OS(C(C(Oc1c[o]cc1)=O)(F)F)(=O)=O Chemical compound OS(C(C(Oc1c[o]cc1)=O)(F)F)(=O)=O SCQXFIKQDHVWKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PMWJCUIPDGYLCC-UHFFFAOYSA-N OS(C(F)(F)S(N1CCCCC1)(=O)=O)(=O)=O Chemical compound OS(C(F)(F)S(N1CCCCC1)(=O)=O)(=O)=O PMWJCUIPDGYLCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C303/00—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides
- C07C303/32—Preparation of esters or amides of sulfuric acids; Preparation of sulfonic acids or of their esters, halides, anhydrides or amides of salts of sulfonic acids
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/01—Sulfonic acids
- C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
- C07C309/04—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing only one sulfo group
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C309/00—Sulfonic acids; Halides, esters, or anhydrides thereof
- C07C309/01—Sulfonic acids
- C07C309/02—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms
- C07C309/03—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton
- C07C309/07—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton
- C07C309/12—Sulfonic acids having sulfo groups bound to acyclic carbon atoms of an acyclic saturated carbon skeleton containing oxygen atoms bound to the carbon skeleton containing esterified hydroxy groups bound to the carbon skeleton
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D295/00—Heterocyclic compounds containing polymethylene-imine rings with at least five ring members, 3-azabicyclo [3.2.2] nonane, piperazine, morpholine or thiomorpholine rings, having only hydrogen atoms directly attached to the ring carbon atoms
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07D327/00—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D327/02—Heterocyclic compounds containing rings having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms one oxygen atom and one sulfur atom
- C07D327/06—Six-membered rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D339/00—Heterocyclic compounds containing rings having two sulfur atoms as the only ring hetero atoms
- C07D339/08—Six-membered rings
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- Polymers & Plastics (AREA)
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Abstract
Description
Xは、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を含み、S+と連結して環状構造を形成する2価の基であり;
R1は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアルケニル基を表し;
R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、R2とR3が互いに連結して環を形成してもよく(但し、R2及びR3のうち少なくとも1つは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す);
R1とR2は、互いに連結して環を形成してもよく;
Z−は、下記一般式(2)で表されるスルホン酸アニオン又は下記一般式(2’)で表されるジスルホニルイミド酸アニオンを表す;
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し;
Lは、単結合又は二価の連結基を表し;
Aは、環状構造を有する有機基を表し;
xは、1〜20の整数を表し;
Xfは、上記一般式(2)で定義した通りであり、2つのXfは互いに連結して環構造を形成してもよい。
R1、R2及びR3は、[1]で定義した通りであり、
Yは、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、
R5は、Yが窒素原子である場合には電子吸引性基を表し、Yが酸素原子又は硫黄原子である場合には存在せず;
m、n、pおよびqは、0〜3の整数を表す。
R8は水素原子又は炭素数1〜10の置換もしくは無置換のアルキル基を表し;
R9は、炭素数1〜10の置換もしくは無置換のアルキル基を表し;
nは、1〜6の整数を表す。
本明細書に於ける基(原子団)の表記に於いて、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有さないものと共に置換基を有するものをも含有するものである。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基(無置換アルキル基)のみならず、置換基を有するアルキル基(置換アルキル基)をも含有するものである。
R1としてのアルケニル基は、ビニル基、アリル基が挙げられる。
Yは、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を表し、酸素原子又は窒素原子であることが好ましい。m、n、pおよびqは整数を意味し、0〜3であることが好ましく、1〜2であることがより好ましく、1であることが特に好ましい。S+とYを連結するアルキレン基は置換基を有してもよく、好ましい置換基としてはアルキル基が挙げられる。
Z−は、下記一般式(2)で表されるスルホン酸アニオン又は下記一般式(2’)で表されるジスルホニルイミド酸アニオンを表す。
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子、又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
Lは、単結合又は2価の連結基を表す。
Aは、環状構造を有する有機基を表す。
xは1〜20の整数を表す。
xは1〜8が好ましく、1〜4がより好ましく、1〜3が特に好ましく、1が最も好ましい。 一般式(2)で表されるスルホン酸アニオンにおいて、フッ素原子の含有率が低いことが好ましい。これによりレジスト膜中において酸発生剤が均一に分布する。具体的には(アニオン中に含まれる全フッ素原子の原子量の合計)/(アニオン中に含まれる全原子の原子量の合計)により表されるフッ素含有率が0.30以下であることが好ましく、0.25以下であることがより好ましく、0.20以下であることが更に好ましく、0.15以下であることが特に好ましい。
Xfは、上記一般式(2)で定義した通りであり、好ましい例も同様である。一般式(2’)において、2つのXfは互いに連結して環構造を形成してもよい。
Z−についてのジスルホニルイミド酸アニオンとしては、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンであることが好ましい。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおけるアルキル基は、炭素数1〜5のアルキル基が好ましい。
R201、R202及びR203としての有機基の炭素数は、一般的に1〜30、好ましくは1〜20である。
また、R201〜R203のうち2つが結合して環構造を形成してもよく、環内に酸素原子、硫黄原子、エステル結合、アミド結合、カルボニル基を含んでいてもよい。R201〜R203の内の2つが結合して形成する基としては、アルキレン基(例えば、ブチレン基、ペンチレン基)を挙げることができる。
R201、R202及びR203により表される有機基としては、例えば、後述する化合物(ZI’−1)における対応する基を挙げることができる。
Z−としては、例えば、スルホン酸アニオン(脂肪族スルホン酸アニオン、芳香族スルホン酸アニオン、カンファースルホン酸アニオンなど)、カルボン酸アニオン(脂肪族カルボン酸アニオン、芳香族カルボン酸アニオン、アラルキルカルボン酸アニオンなど)、スルホニルイミドアニオン、ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオン、トリス(アルキルスルホニル)メチドアニオン等を挙げられる。
スルホニルイミドアニオンとしては、例えば、サッカリンアニオンを挙げることができる。
ビス(アルキルスルホニル)イミドアニオンにおける2つのアルキル基が互いに連結してアルキレン基(好ましくは炭素数2〜4)を成し、イミド基及び2つのスルホニル基とともに環を形成していてもよい。
酸強度の観点からは、発生酸のpKaが−1以下であることが、感度向上のために好ましい。
化合物(ZI’−1)は、上記一般式(ZI’)のR201〜R203の少なくとも1つがアリール基である、アリールスルホニウム化合物、即ち、アリールスルホニウムをカチオンとする化合物である。
一般式(ZII’)、(ZIII’)中、
R204〜R207は、各々独立に、アリール基、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
本発明における光酸発生剤と併用し得る光酸発生剤(A’)として、更に、下記一般式(ZIV’)、(ZV’)、(ZVI’)で表される化合物も挙げられる。
Ar3及びAr4は、各々独立に、アリール基を表す。
R208、R209及びR210は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Aは、アルキレン基、アルケニレン基又はアリーレン基を表す。
Ar3、Ar4、R208、R209及びR210のアリール基の具体例としては、上記一般式(ZI’−1)におけるR201、R202及びR203としてのアリール基の具体例と同様のものを挙げることができる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、ポジ型及びネガ型の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物の態様をとることができる。該組成物に含まれる樹脂(B)は、好ましくは酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂(以下、「酸分解性樹脂」ということもある)である。この場合、樹脂(B)は、主鎖又は側鎖、あるいは、主鎖及び側鎖の両方に、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基(以下、「酸分解性基」ともいう)を有する。すなわち、樹脂(B)は、酸分解性基を有する繰り返し単位を含む。
酸分解性基は、アルカリ可溶性基が酸の作用により分解し脱離する基で保護された構造を有することが好ましい。
アルカリ可溶性基としては、フェノール性水酸基、カルボキシル基、フッ素化アルコール基、スルホン酸基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)メチレン基、(アルキルスルホニル)(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルカルボニル)メチレン基、ビス(アルキルカルボニル)イミド基、ビス(アルキルスルホニル)メチレン基、ビス(アルキルスルホニル)イミド基、トリス(アルキルカルボニル)メチレン基、トリス(アルキルスルホニル)メチレン基等が挙げられる。
酸で脱離する基としては、例えば、−C(R36)(R37)(R38)、−C(R36)(R37)(OR39)、−C(R01)(R02)(OR39)等を挙げることができる。
式中、R36〜R39は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。R36とR37とは、互いに結合して環を形成してもよい。
Xa1は、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R11で表される基を表す。R11は、ヒドロキシ基又は1価の有機基を表し、例えば、炭素数5以下のアルキル基、炭素数5以下のアシル基が挙げられ、好ましくは炭素数3以下のアルキル基であり、更に好ましくはメチル基である。Xa1は好ましくは水素原子、メチル基、トリフルオロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
Rx1〜Rx3は、それぞれ独立に、アルキル基(直鎖若しくは分岐)又はシクロアルキル基(単環若しくは多環)を表す。
Rx1〜Rx3の2つが結合して、シクロアルキル基(単環若しくは多環)を形成してもよい。
Tは、単結合又は−COO−Rt−基が好ましい。Rtは、炭素数1〜5のアルキレン基が好ましく、−CH2−基、−(CH2)2−基、−(CH2)3−基がより好ましい。
Rx1〜Rx3のアルキル基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基などの炭素数1〜4のものが好ましい。
Rx1〜Rx3の2つが結合して形成されるシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などの単環のシクロアルキル基、ノルボルニル基、テトラシクロデカニル基、テトラシクロドデカニル基、アダマンチル基などの多環のシクロアルキル基が好ましい。炭素数5〜6の単環のシクロアルキル基が特に好ましい。
Rx1がメチル基又はエチル基であり、Rx2とRx3とが結合して上述のシクロアルキル基を形成している態様が好ましい。
好ましい酸分解性基を有する繰り返し単位の具体例を以下に示すが、本発明は、これに限定されるものではない。
R1及びR3は、各々独立して、水素原子、置換基を有していてもよいメチル基又は−CH2−R11で表される基を表す。R11は1価の有機基を表す。
R2、R4、R5及びR6は、各々独立して、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。
Rは、炭素原子とともに脂環構造を形成するのに必要な原子団を表す。
R2におけるシクロアルキル基は、単環でも多環でもよく、置換基を有していてもよい。
R2は好ましくはアルキル基であり、より好ましくは炭素数1〜10、更に好ましくは炭素数1〜5のものであり、例えばメチル基、エチル基などが挙げられる。
R08は水素原子又はアルキル基を表す。R09は、アルキル基を表し、n1は1〜6の整数を表す。前記アルキル基としては、炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましく、置換基を有していてもよい。
n1は1〜3の整数であることが好ましく、1又は2であることがより好ましい。
上記各基が有し得る置換基としては、前記一般式(AI)における各基が有し得る置換基として前述したものと同様の基が挙げられる。
R3及びR4は、各々、一般式(II)におけるものと同義である。
R10は極性基を含む置換基を表す。R10が複数存在する場合、互いに同じでも異なっていてもよい。極性基を含む置換基としては、例えば、水酸基、シアノ基、アミノ基、アルキルアミド基又はスルホンアミド基自体、又はこれらの少なくとも1つを有する、直鎖又は分岐のアルキル基、シクロアルキル基が挙げられ、好ましくは、水酸基を有するアルキル基である。より好ましくは水酸基を有する分岐状アルキル基である。分岐状アルキル基としてはイソプロピル基が特に好ましい。
nは0〜15の整数を表す。nは好ましくは0〜2、より好ましくは0又は1である。
樹脂(B)は、ラクトン構造又はスルトン(環状スルホン酸エステル)構造を有する繰り返し単位を含有することが好ましい。
ラクトン基又はスルトン基としては、ラクトン構造又はスルトン構造を有していればいずれでも用いることができるが、好ましくは5〜7員環のラクトン構造又はスルトン構造であり、5〜7員環のラクトン構造又はスルトン構造にビシクロ構造、スピロ構造を形成する形で他の環構造が縮環しているものが好ましい。下記一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)のいずれかで表されるラクトン構造又はスルトン構造を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。また、ラクトン構造又はスルトン構造が主鎖に直接結合していてもよい。好ましいラクトン構造又はスルトン構造としては(LC1−1)、(LC1−4)、(LC1−5)、(LC1−8)であり、(LC1−4)であることがより好ましい。特定のラクトン構造又はスルトン構造を用いることでLWR、現像欠陥が良好になる。
Aは、エステル結合(−COO−で表される基)又はアミド結合(−CONH−で表される基)を表す。
R0は、複数個ある場合にはそれぞれ独立にアルキレン基、シクロアルキレン基、又はその組み合わせを表す。
Zは、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合
nは、−R0−Z−で表される構造の繰り返し数であり、0〜2の整数を表す。
R7は、水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zは好ましくは、エーテル結合、エステル結合であり、特に好ましくはエステル結合である。
また、R8は無置換のラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基、或いはメチル基、シアノ基又はアルコキシカルボニル基を置換基として有するラクトン構造又はスルトン構造を有する1価の有機基が好ましく、シアノ基を置換基として有するラクトン構造(シアノラクトン)又はスルトン構造(シアノスルトン)を有する1価の有機基がより好ましい。
下記具体例中、Rは、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基又はハロゲン原子を表し、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、アセトキシメチル基を表す。
R7、A、R0、Z、及びnは、上記一般式(III)と同義である。
R7’、A’、R0’、Z’及びn’は、上記一般式(III)におけるR7、A、R0、Z及びnとそれぞれ同義である。
R9は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9が結合し、環を形成していてもよい。
R9’は、複数個ある場合にはそれぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、水酸基又はアルコキシ基を表し、複数個ある場合には2つのR9’が結合し、環を形成していてもよい。
X及びX’は、それぞれ独立にアルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
m及びm’は、置換基数であって、それぞれ独立に0〜5の整数を表す。m及びm’はそれぞれ独立に0又は1であることが好ましい。
Rb0は、水素原子、ハロゲン原子又は炭素数1〜4のアルキル基を表す。Rb0のアルキル基が有していてもよい好ましい置換基としては、水酸基、ハロゲン原子が挙げられる。Rb0のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、沃素原子を挙げることができる。Rb0としては、好ましくは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基であり、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Vは、一般式(LC1−1)〜(LC1−17)、(SL1−1)及び(SL1−2)の内のいずれかで示される構造を有する基を表す。
樹脂(B)は、一般式(AI)及び(III)以外の水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位を有することが好ましい。これにより基板密着性、現像液親和性が向上する。水酸基又はシアノ基を有する繰り返し単位は、水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造を有する繰り返し単位であることが好ましく、酸分解性基を有さないことが好ましい。水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造に於ける、脂環炭化水素構造としては、アダマンチル基、ジアマンチル基、ノルボルナン基が好ましい。好ましい水酸基又はシアノ基で置換された脂環炭化水素構造としては、下記一般式(VIIa)〜(VIId)で表される部分構造が好ましい。
R2c〜R4cは、各々独立に、水素原子、水酸基又はシアノ基を表す。ただし、R2c〜R4cの内の少なくとも1つは、水酸基又はシアノ基を表す。好ましくは、R2c〜R4cの内の1つ又は2つが、水酸基で、残りが水素原子である。一般式(VIIa)に於いて、更に好ましくは、R2c〜R4cの内の2つが、水酸基で、残りが水素原子である。
R1cは、水素原子、メチル基、トリフロロメチル基又はヒドロキシメチル基を表す。
R2c〜R4cは、一般式(VIIa)〜(VIIc)に於ける、R2c〜R4cと同義である。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物に用いられる樹脂は、アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を有してもよい。アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、スルホンアミド基、スルホニルイミド基、ビススルホニルイミド基、α位が電子求引性基で置換された脂肪族アルコール(例えばヘキサフロロイソプロパノール基)が挙げられ、カルボキシル基を有する繰り返し単位を有することがより好ましい。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位を含有することによりコンタクトホール用途での解像性が増す。アルカリ可溶性基を有する繰り返し単位としては、アクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位のような樹脂の主鎖に直接アルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位、あるいは連結基を介して樹脂の主鎖にアルカリ可溶性基が結合している繰り返し単位のいずれであってもよく、更にはアルカリ可溶性基を有する重合開始剤や連鎖移動剤を重合時に用いてポリマー鎖の末端に導入してもよい。連結基は、単環又は多環の環状炭化水素構造を有していてもよい。特に好ましくはアクリル酸、メタクリル酸による繰り返し単位である。
本発明の樹脂(B)は、更に極性基(例えば、前記アルカリ可溶性基、水酸基、シアノ基等)を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位を有することができる。このような繰り返し単位としては、一般式(IV)で表される繰り返し単位が挙げられる。
Raは水素原子、アルキル基又は−CH2−O−Ra2基を表す。式中、Ra2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Raは、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
極性基を持たない脂環炭化水素構造を有し、酸分解性を示さない繰り返し単位の具体例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されない。式中、Raは、H、CH3、CH2OH、又はCF3を表す。
また、本発明の樹脂(B)は、1種で使用してもよいし、複数併用してもよい。
なお、本発明の効果を損なわない範囲で、本発明における樹脂(B)以外の他の樹脂を併用してもよい。本発明における樹脂(B)以外の他の樹脂としては、前述した樹脂(B)が含有しうる繰り返し単位を含有していてもよい酸分解性樹脂、またその他の公知の酸分解性樹脂を挙げることができる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、特に液浸露光に適用する際、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂(以下、「疎水性樹脂(HR)」ともいう)を含有してもよい。これにより、膜表層に疎水性樹脂(HR)が偏在化し、液浸媒体が水の場合、水に対するレジスト膜表面の静的/動的な接触角を向上させ、液浸液追随性を向上させることができる。
R57〜R68は、各々独立に、水素原子、フッ素原子又はアルキル基(直鎖若しくは分岐)を表す。但し、R57〜R61の少なくとも1つ、R62〜R64の少なくとも1つ及びR65〜R68の少なくとも1つは、フッ素原子又は少なくとも1つの水素原子がフッ素原子で置換されたアルキル基(好ましくは炭素数1〜4)を表す。
フッ素原子を有する好適な繰り返し単位としては、以下に示すものが挙げられる。
ただし、R4〜R7の少なくとも1つはフッ素原子を表す。R4とR5若しくはR6とR7は環を形成していてもよい。
W2は、少なくとも1つのフッ素原子を含有する有機基を表す。具体的には前記(F2)〜(F4)の原子団が挙げられる。
珪素原子を有する部分構造として、アルキルシリル構造(好ましくはトリアルキルシリル基)、又は環状シロキサン構造を有することが好ましい。
アルキルシリル構造、又は環状シロキサン構造としては、具体的には、下記一般式(CS−1)〜(CS−3)で表される基などが挙げられる。
R12〜R26は、各々独立に、直鎖若しくは分岐アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)を表す。
L3〜L5は、単結合又は2価の連結基を表す。2価の連結基としては、アルキレン基、フェニレン基、エーテル結合、チオエーテル結合、カルボニル基、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合、又はウレイレン結合よりなる群から選択される単独あるいは2つ以上の基の組み合わせを挙げられる。
nは、1〜5の整数を表す。nは、好ましくは、2〜4の整数である。
(y)アルカリ現像液の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基(以下、極性変換基ともいう)
(z)酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する基
繰り返し単位(b)としては、以下の類型が挙げられる。
・上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、フッ素原子及び珪素原子を有さない繰り返し単位(b*)
・1つの側鎖上に上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有し、かつ、同一繰り返し単位内の前記側鎖と異なる側鎖上に、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位(b”)
疎水性樹脂は、繰り返し単位(b)として繰り返し単位(b’)を有することがより好ましい。すなわち、上記(x)〜(z)からなる群から選ばれる少なくとも1つの基を有する繰り返し単位(b)が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有することがより好ましい。
Rk2はアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は極性変換基を含む基を表す。
但し、Rk1、Rk2の少なくとも一方は、極性変換基を含む基を表す。
Y1及びY2は、それぞれ同一でも異なっても良く、電子求引性基を表す。
一般式(KA−1)で表される部分構造は、Xとしての基とともに環構造を形成する構造である。
一般式(KA−1)におけるXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(即ち、KA−1としてラクトン環構造を形成する場合)、及び酸無水物基、炭酸エステル基である。より好ましくはカルボン酸エステル基である。
一般式(KA−1)で表される環構造は、置換基を有していてもよく、例えば、置換基Zka1をnka個有していてもよい。
Zka1同士が連結して環を形成しても良い。Zka1同士が連結して形成する環としては、例えば、シクロアルキル環、ヘテロ環(環状エーテル環、ラクトン環など)が挙げられる。
一般式(KA−1)で表される環構造が結合してもよい周辺の環構造については、例えば、下記(KA−1−1)〜(KA−1−17)におけるもの、又はこれに準じたものを挙げることができる。
一般式(KB−1)のXとして好ましくは、カルボン酸エステル基(−COO−)を挙げることができる。
一般式(KB−1)におけるY1及びY2は、それぞれ独立に、電子求引性基を表す。
Rew1、Rew2は、各々独立して任意の置換基を表し、例えば水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
newは−C(Rew1)(Rew2)−で表される連結基の繰り返し数であり、0又は1の整数を表す。newが0の場合は単結合を表し、直接Yew1が結合していることを示す。
Yew1は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトリル基、ニトロ基、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基、オキシ基、カルボニル基、スルホニル基、スルフィニル基、及びこれらの組み合わせをあげることができ、電子求引性基は例えば下記構造であってもよい。なお、「ハロ(シクロ)アルキル基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアルキル基及びシクロアルキル基を表し、「ハロアリール基」とは、少なくとも一部がハロゲン化したアリール基を表す。下記構造式において、Rew3、Rew4は、各々独立して任意の構造を表す。Rew3、Rew4はどのような構造でも式(EW)で表される部分構造は電子求引性を有し、例えば樹脂の主鎖に連結していてもよいが、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、フッ化アルキル基である。
Yew1は、好ましくはハロゲン原子、又は、−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
Rew1、Rew2及びYew1の少なくとも2つが互いに連結して環を形成していてもよい。
Rf1〜Rf3における(ハロ)アルキル基としては、例えば前述したZka1におけるアルキル基、及びこれがハロゲン化した構造が挙げられる。
繰り返し単位(by)は、一般式(KY−0)で表わされる部分構造を有する繰り返し単位でありえる。
R2は、鎖状若しくは環状アルキレン基を表し、複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
R3は、構成炭素上の水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換された、直鎖状、分岐状又は環状の炭化水素基を示す。
R4は、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アミド基、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、フェニル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、又はR−C(=O)−若しくはR−C(=O)O−で表される基(Rは、アルキル基若しくはシクロアルキル基を表す。)を表す。R4が複数個ある場合は、同じでも異なっていてもよく、また、2つ以上のR4が結合し、環を形成していても良い。
Xは、アルキレン基、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Z、Zaは、単結合、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、ウレタン結合又はウレア結合を表し、複数ある場合は、同じでも異なっていてもよい。
*は、樹脂の主鎖又は側鎖への結合手を表す。
oは、置換基数であって、1〜7の整数を表す。
mは、置換基数であって、0〜7の整数を表す。
nは、繰り返し数を表し、0〜5の整数を表す。
R2としての鎖状若しくは環状アルキレン基の好ましい炭素数範囲及び具体例は、一般式(bb)のZ2における鎖状アルキレン基及び環状アルキレン基で説明したものと同様である。
X´は、電子求引性の置換基を表し、好ましくは、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、フッ素原子で置換されているアルキレン基、フッ素原子で置換されているシクロアルキレン基である。
Aは、単結合又は−C(Rx)(Ry)−で表される2価の連結基を表す。ここで、Rx、Ryは、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜6で、フッ素原子等で置換されていてもよい)、又はシクロアルキル基(好ましくは炭素数5〜12で、フッ素原子等で置換されていてもよい)を表す。Rx,Ryとして好ましくは、水素原子、アルキル基、フッ素原子で置換されているアルキル基である。
Xは、電子求引性基を表し、その具体例としては、前述のY1及びY2としての電子求引性基を挙げることができ、好ましくは、フッ化アルキル基、フッ化シクロアルキル基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されているアリール基、フッ素又はフッ化アルキル基で置換されているアラルキル基、シアノ基、ニトロ基である。
繰り返し単位(by)が少なくとも2つの極性変換基を有する場合、下記一般式(KY−1)で示す、2つの極性変換基を有する部分構造を有する基を有することが好ましい。なお、一般式(KY−1)で表される構造が、結合手を有さない場合は、該構造における任意の水素原子を少なくとも1つ除いた1価以上の基を有する基である。
Rky1、Rky4はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。或いは、Rky1、Rky4が同一の原子と結合して二重結合を形成していてもよく、例えばRky1、Rky4が同一の酸素原子と結合してカルボニル基の一部(=O)を形成してもよい。
Rky1、Rky4は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。
Rky1とRky2が連結して形成するラクトン環としては、前記(KA−1−1)〜(KA−1−17)の構造が好ましい。電子求引性基としては、前記式(KB−1)におけるY1、Y2と同様のものが挙げられる。
Rky6〜Rky10は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、カルボニル基、カルボニルオキシ基、オキシカルボニル基、エーテル基、ヒドロキシル基、シアノ基、アミド基、又はアリール基を表す。
Rky6〜Rky10は、2つ以上が互いに連結して単環又は多環構造を形成しても良い。
Rky5は電子求引性基を表す。電子求引性基は前記Y1、Y2におけるものと同様のものが挙げられ、好ましくはハロゲン原子、又は、前記−C(Rf1)(Rf2)−Rf3で表されるハロ(シクロ)アルキル基又はハロアリール基である。
Rky5〜Rky10は具体的には式(KA−1)におけるZka1と同様の基が挙げられる。
以下に示す具体例において、Raは水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基を表す。
Rc31は、水素原子、アルキル基(フッ素原子等で置換されていても良い)、シアノ基又は−CH2−O−Rac2基を表す。式中、Rac2は、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。Rc31は、水素原子、メチル基、ヒドロキシメチル基、トリフルオロメチル基が好ましく、水素原子、メチル基が特に好ましい。
Rc32は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基又はアリール基を有する基を表す。これら基はフッ素原子、珪素原子を含む基等で置換されていても良い。
Lc3は、単結合又は2価の連結基を表す。
アルケニル基は、炭素数3〜20のアルケニル基が好ましい。
シクロアルケニル基は、炭素数3〜20のシクロアルケニル基が好ましい。
アリール基は、炭素数6〜20のフェニル基、ナフチル基が好ましく、これらは置換基を有していてもよい。
Lc3の2価の連結基は、アルキレン基(好ましくは炭素数1〜5)、オキシ基、フェニレン基、エステル結合(−COO−で表される基)が好ましい。
Rc11’及びRc12’は、各々独立に、水素原子、シアノ基、ハロゲン原子又はアルキル基を表す。
Zc’は、結合した2つの炭素原子(C−C)を含み、脂環式構造を形成するための原子団を表す。
一般式(CIII)、(BII−AB)で表される繰り返し単位における各基が、フッ素原子又は珪素原子を含む基で置換されている場合、その繰り返し単位は、前記フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する繰り返し単位にも相当する。
疎水性樹脂は1種類単独又は2種類以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、露光から加熱までの経時による性能変化を低減するために、塩基性化合物を含有することが好ましい。
塩基性化合物としては、好ましくは、下記式(A)〜(E)で示される構造を有する化合物を挙げることができる。
R200、R201及びR202は、同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基(好ましくは炭素数1〜20)、シクロアルキル基(好ましくは炭素数3〜20)又はアリール基(炭素数6〜20)を表し、ここで、R201とR202は、互いに結合して環を形成してもよい。
上記アルキル基について、置換基を有するアルキル基としては、炭素数1〜20のアミノアルキル基、炭素数1〜20のヒドロキシアルキル基、又は炭素数1〜20のシアノアルキル基が好ましい。
これら一般式(A)及び(E)中のアルキル基は、無置換であることがより好ましい。
本発明の組成物は、窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(以下において、「低分子化合物(D)」又は「化合物(D)」ともいう)を含有することができる。
化合物(D)としては、酸の作用により脱離する基を窒素原子上に有するアミン誘導体が好ましい。
Rbは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、又はアルコキシアルキル基を表す。Rbは相互に結合して環を形成していても良い。
例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン等の直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基、これらのアルカンに由来する基を、例えば、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基;
シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサン、シクロヘプタン、シクロオクタン、ノルボルナン、アダマンタン、ノルアダマンタン等のシクロアルカンに由来する基、これらのシクロアルカンに由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基;
ベンゼン、ナフタレン、アントラセン等の芳香族化合物に由来する基、これらの芳香族化合物に由来する基を、例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、2−メチルプロピル基、1−メチルプロピル基、t−ブチル基等の直鎖状、分岐状のアルキル基の1種以上或いは1個以上で置換した基;
ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、インドール、インドリン、キノリン、パーヒドロキノリン、インダゾール、ベンズイミダゾール等の複素環化合物に由来する基、これらの複素環化合物に由来する基を直鎖状、分岐状のアルキル基或いは芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基、直鎖状、分岐状のアルカンに由来する基・シクロアルカンに由来する基をフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基等の芳香族化合物に由来する基の1種以上或いは1個以上で置換した基等或いは前記の置換基がヒドロキシル基、シアノ基、アミノ基、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基、オキソ基等の官能基で置換されている基等が挙げられる。
化合物(D)は、下記一般式(a)で表される構造を有するものであることが特に好ましい。
Rbは、前記一般式(d−1)におけるRbと同義であり、好ましい例も同様である。但し、−C(Rb)(Rb)(Rb)において、1つ以上のRbが水素原子のとき、残りのRbの少なくとも1つはシクロプロピル基、1−アルコキシアルキル基又はアリール基である。
nは0〜2の整数を表し、mは1〜3の整数を表し、n+m=3である。
本発明において、(D)窒素原子を有し、酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物は、一種単独でも又は2種以上を混合しても使用することができる。
本発明の組成物は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物を含有していても良い。活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物の例としては、WO2011/083872A1の171〜188頁に記載された化合物を挙げることができる。また、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下又は消失する塩基性化合物の例として、下記式(a1)で示されるスルホニウム塩化合物、及び下記式(a2)で表されるヨードニウム塩化合物を挙げることができる。
本発明の組成物は、更に界面活性剤を含有していてもよいし、含有していなくてもよい。界面活性剤としては、フッ素系及び/又はシリコン系界面活性剤が好ましい。
これらに該当する界面活性剤としては、DIC(株)製のメガファックF176、メガファックR08、OMNOVA社製のPF656、PF6320、トロイケミカル(株)製のトロイゾルS−366、住友スリーエム(株)製のフロラードFC430、信越化学工業(株)製のポリシロキサンポリマーKP−341などが挙げられる。
その他、公知の界面活性剤が適宜使用可能である。使用可能な界面活性剤としては、例えば、米国特許出願公開第2008/0248425A1号明細書の[0273]以降に記載の界面活性剤が挙げられる。
本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は界面活性剤を含有していても含有していなくてもよいが、含有する場合、界面活性剤の使用量は、組成物の全固形分に対し、好ましくは0〜2質量%、更に好ましくは0.0001〜2質量%、特に好ましくは0.0005〜1質量%である。
組成物を調製する際に使用できる溶剤としては、各成分を溶解するものである限り特に限定されないが、例えば、アルキレングリコールモノアルキルエーテルカルボキシレート(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなど)、アルキレングリコールモノアルキルエーテル(プロピレングリコールモノメチルエーテルなど)、乳酸アルキルエステル(乳酸エチル、乳酸メチルなど)、環状ラクトン(γ−ブチロラクトンなど、好ましくは炭素数4〜10)、鎖状又は環状のケトン(2−ヘプタノン、シクロヘキサノンなど、好ましくは炭素数4〜10)、アルキレンカーボネート(エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなど)、カルボン酸アルキル(酢酸ブチルなどの酢酸アルキルが好ましい)、アルコキシカルボン酸アルキル(エトキシプロピオン酸エチル)などが挙げられる。その他使用可能な溶媒として、例えば、US2008/0248425A1号明細書の[0244]以降に記載されている溶剤などが挙げられる。
これら溶媒は、単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。2種以上を混合する場合、水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤とを混合することが好ましい。水酸基を有する溶剤と水酸基を有しない溶剤との質量比は、1/99〜99/1、好ましくは10/90〜90/10、更に好ましくは20/80〜60/40である。
本発明の組成物は、上記に説明した成分以外にも、カルボン酸オニウム塩、Proceeding of SPIE,2724,355(1996)等に記載の分子量3000以下の溶解阻止化合物、染料、可塑剤、光増感剤、光吸収剤などを適宜含有することができる。
本発明のパターン形成方法は、レジスト膜を、露光、現像する工程を含んでいる。
製膜後、露光工程の前に、前加熱工程(PB;Prebake)を含むことも好ましい。
加熱温度はPB、PEB共に70〜120℃で行うことが好ましく、80〜110℃で行うことがより好ましい。
加熱時間は30〜300秒が好ましく、30〜180秒がより好ましく、30〜90秒が更に好ましい。
ベークにより露光部の反応が促進され、感度やパターンプロファイルが改善する。
反射防止膜としては、チタン、二酸化チタン、窒化チタン、酸化クロム、カーボン、アモルファスシリコン等の無機膜型と、吸光剤とポリマー材料からなる有機膜型のいずれも用いることができる。また、有機反射防止膜として、ブリューワーサイエンス社製のDUV30シリーズや、DUV−40シリーズ、シプレー社製のAR−2、AR−3、AR−5等の市販の有機反射防止膜を使用することもできる。
また、屈折率が向上できるという点で屈折率1.5以上の媒体を用いることもできる。この媒体は、水溶液でもよく有機溶剤でもよい。
三口フラスコ中で、下記原料A15g(49.6mmol)、1,4−チオキサン−4−オキシド 17.9g(148.7mmol)をジクロロメタン75gに溶解させた後、アセトニトリル浴中で液体窒素を用い内温−41℃まで冷却した。次に、トリフルオロ酢酸無水物(TFAA)20.8ml(148.7mmol)を反応液中へシリンジポンプを用い毎分0.5mlの速度で滴下した。滴下中は、内温が−30℃以下になるように調整した。更に、内温−25℃〜−30℃で1時間攪拌した後、水75gを添加し、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロ−3−(デカヒドロイソキノリン−2−スルホニル)プロパン−1−スルホン酸ナトリウム 22.6g(49.6mmol)を加え、室温で1時間攪拌した。有機層を分離し、水75gを用いて洗浄し、濃縮後結晶化させることで、下記目的の化合物A−1を28.4g(37.1mmol)得た。
δ8.0(d.2H)、δ7.45(d.2H)、δ4.4(d.2H)、δ4.0-3.9(m.2H)、δ3.85(d.1H)、δ3.65(d.1H)、δ3.45(m.4H)、δ3.2-3.05(m.1H)、δ2.8-2.6(m.2H)、δ2.05(s.6H)、δ1.8-0.8(m.22H)。
窒素気流下、シクロヘキサノン11.5gを3つ口フラスコに入れ、これを85℃に加熱した。これに、シクロヘキサノン21.0gに下記化合物(モノマー)(左から順に1.98g、3.05g、0.95g、2.19g、2.76g)および重合開始剤V−601(和光純薬製、0.562g)を溶解させた溶液を6時間かけて滴下した。滴下終了後、更に85℃で2時間反応させた。反応液を放冷後、ヘキサン420g/酢酸エチル180gの混合液に20分かけて滴下し、析出した粉体をろ取、乾燥すると、樹脂C 9.1gが得られた。NMRから求めたポリマー組成比は20/25/10/30/15であった。得られた樹脂Cの重量平均分子量は、標準ポリスチレン換算で9200、分散度(Mw/Mn)は、1.55であった。
<レジスト調製>
下記表2に示す成分を溶剤に溶解させ、それぞれについて固形分濃度4質量%の溶液を調製し、これを0.05μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターで濾過して感活性光線性又は感放射性樹脂組成物(以下、レジスト組成物ともいう)を調製した。感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を下記の方法で評価し、結果を表2に示した。
表2における溶剤について、表中の数字は質量比である。
(ArF液浸露光)
12インチのシリコンウエハー上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で、60秒間ベークを行い、膜厚98nmの反射防止膜を形成した。その上に、上記で調製した感活性光線性又は感放射性樹脂組成物を塗布し、95℃で、60秒間ベークを行い、膜厚120nmのレジスト膜を形成した。トップコートを用いる場合は、更にトップコート用樹脂をデカン/オクタノール(質量比9/1)に溶解させた3質量%の溶液を前述で得られた膜上に塗布し、85℃で、60秒間ベークを行い、膜厚50nmのトップコート層を形成した。これに対し、ArFエキシマレーザー液浸スキャナー(ASML社製 XT1700i、NA1.20、C−Quad、アウターシグマ0.981、インナーシグマ0.895、XY偏向)を用い、線幅48nmの1:1ラインアンドスペースパターンの6%ハーフトーンマスクを通して露光した。液浸液としては、超純水を使用した。その後、90℃で60秒間加熱した後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液(2.38質量%)で30秒間パドルして現像し、純水でパドルしてリンスした後、スピン乾燥してパターンを形成した。
線幅48nmの1:1ラインアンドスペースのマスクパターンを再現する露光量を最適露光量とし、露光量を変化させた際にパターンサイズが48nm±10%の範囲となる露光量幅を求め、この値を最適露光量で割って百分率表示した。値が大きいほど露光量変化による性能変化が小さく、露光ラチチュードが良好である。
上記で得られたライン/スペース=1/1のラインパターン(ArF液浸露光:線幅48nm)について、走査型顕微鏡(日立社製S9380)で観察した。ラインパターンの長手方向のエッジ2μmの範囲について、線幅を50ポイント測定し、その測定ばらつきについて標準偏差を求め、3σを算出した。値が小さいほど良好な性能であることを示す。
調製したレジスト組成物を8インチシリコンウエハーに塗布し、120℃、60秒ベークを行い150nmのレジスト膜を形成した。該レジスト膜の全面を波長193nmの露光機(ArFエキシマレーザースキャナー;ASML社製 PAS5500/1100)で20mJ/cm2で露光した後、超純水製造装置(日本ミリポア製、Milli-Q Jr.)を用いて脱イオン処理した純水5mlを上記レジスト膜上に滴下した。水をレジスト膜上に50秒間乗せた後、その水を採取して、酸の溶出濃度をLC−MSで定量した。
MS装置 ; Bruker Daltonics社製esquire 3000plus
上記LC−MS装置にてアニオンに相当する分子量のイオン種の検出強度を測定し、酸の溶出量を算出した。
調製したレジスト溶液について、調製直後の溶液中のパーティクル数(パーティクル初期値)と、4℃で1週間放置した後の溶液中のパーティクル数(経時後のパーティクル数)をリオン社製パーティクルカウンターにてカウントし、(経時後のパーティクル数)−(パーティクル初期値)で計算されるパーティクル増加数を算出した。なお、ここでは溶液1mL中に含まれる粒径0.25μm以上のパーティクルを数えた。パーティクルの増加数が0.2個/ml以下の物をA、0.2個/mlより多く1個/ml以下の物をB、1個/mlより多く5個/ml以下の物をC、5個/mlより多いものをDとする。
DIA:2,6−ジイソプロピルアニリン
TEA:トリエタノールアミン
DBA:N,N−ジブチルアニリン
PBI:2−フェニルベンズイミダゾール
PEA:N−フェニルジエタノールアミン
〔酸の作用により脱離する基を有する低分子化合物(D)(低分子化合物(D))〕
W−1:メガファックF176(DIC(株)製)(フッ素系)
W−2:メガファックR08(DIC(株)製)(フッ素及びシリコン系)
W−3:PF6320(OMNOVA Solutions Inc.製)(フッ素系)
W−4:トロイゾルS−366(トロイケミカル(株)製)
〔溶剤〕
A1:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)
A2:シクロヘキサノン
A3:γ―ブチロラクトン
B1:プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)
B2:乳酸エチル
上記表2より、実施例で使用した各組成物は、露光ラチチュード及びLWRなどのパターンラフネスに優れ、経時によるパーティクル発生が少なく、発生酸の液浸液への溶出も少ないことが分かる。特に、パーティクルの発生については、一般式(1)における環状構造が酸素原子又は>N−SO2−R4で表される基を含有する実施例1、2、4、6〜8、11〜17、19〜23、37〜45で、より良好な結果が得られた。
(レジスト調製)
下記表3に示す成分を溶剤に溶解させ固形分濃度3.8質量%の溶液を調整し、それぞれを0.03μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物(レジスト組成物)を調製した。表3中の略号については、アルカリ現像の場合と同様である。
シリコンウエハ上に有機反射防止膜ARC29SR(日産化学社製)を塗布し、205℃で60秒間ベークを行い、膜厚95nmの反射防止膜を形成した。その上に感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を塗布し、100℃で60秒間に亘ってベーク(PB:Prebake)を行い、膜厚100nmのレジスト膜を形成した。
Claims (11)
- (A)下記一般式(1)で表される活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物と、
(B)樹脂と
を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物:
Xは、酸素原子、硫黄原子又は窒素原子を含み、S+と連結して環状構造を形成する2価の基であり;
R1は、アルキル基、アルコキシ基、シクロアルキル基、シクロアルコキシ基、アリール基又はアルケニル基を表し;
R2及びR3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表し、R2とR3が互いに連結して環を形成してもよく(但し、R2及びR3のうち少なくとも1つは、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す);
R1とR2は、互いに連結して環を形成してもよく;
Z−は、下記一般式(2)で表されるスルホン酸アニオン又は下記一般式(2’)で表されるジスルホニルイミド酸アニオンを表す;
Xfは、それぞれ独立に、フッ素原子又は少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表し;
Lは、単結合又は二価の連結基を表し;
Aは、環状構造を有する有機基を表し;
xは、1〜20の整数を表し;
Xfは、上記一般式(2)で定義した通りであり、2つのXfは互いに連結して環構造を形成してもよい。 - 前記一般式(1)において、Xは、酸素原子又は>N−SO2−R4で表される基(式中のR4は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す)を含む請求項1に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記一般式(1a)において、Yは酸素原子又は窒素原子であり、Yが窒素原子である場合のR5は、−SO2−R4で表される基(式中のR4は、アルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す)である請求項3に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 前記樹脂(B)は、酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂である請求項1〜4のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を用いて膜を形成することと、該膜を露光することと、露光した膜を現像することとを含むパターン形成方法。
- 前記露光は、ArF液浸露光により行う請求項8に記載のパターン形成方法。
- 請求項8または9に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
- 請求項10に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012232271A JP5775856B2 (ja) | 2011-11-07 | 2012-10-19 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
PCT/JP2012/079055 WO2013069753A1 (en) | 2011-11-07 | 2012-11-02 | Actinic ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic ray- or radiation-sensitive film and method of forming pattern |
KR1020147013870A KR101650067B1 (ko) | 2011-11-07 | 2012-11-02 | 감활성광선성 또는 감방사선성 수지 조성물, 감활성광선성 또는 감방사선성 필름 및 패턴 형성 방법 |
EP12847779.1A EP2776889B1 (en) | 2011-11-07 | 2012-11-02 | Actinic ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic ray- or radiation-sensitive film and method of forming pattern |
TW101141189A TWI572584B (zh) | 2011-11-07 | 2012-11-06 | 樹脂組成物、及使用其的膜、圖案形成方法、電子裝置及其製造方法 |
US14/271,606 US9454079B2 (en) | 2011-11-07 | 2014-05-07 | Actinic ray- or radiation-sensitive resin composition, actinic ray- or radiation-sensitive film and method of forming pattern |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011243948 | 2011-11-07 | ||
JP2011243948 | 2011-11-07 | ||
JP2011286896 | 2011-12-27 | ||
JP2011286896 | 2011-12-27 | ||
JP2012123757 | 2012-05-30 | ||
JP2012123757 | 2012-05-30 | ||
JP2012232271A JP5775856B2 (ja) | 2011-11-07 | 2012-10-19 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014006491A true JP2014006491A (ja) | 2014-01-16 |
JP5775856B2 JP5775856B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=48290121
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012232271A Active JP5775856B2 (ja) | 2011-11-07 | 2012-10-19 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びにそれを用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9454079B2 (ja) |
EP (1) | EP2776889B1 (ja) |
JP (1) | JP5775856B2 (ja) |
KR (1) | KR101650067B1 (ja) |
TW (1) | TWI572584B (ja) |
WO (1) | WO2013069753A1 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013069753A1 (en) | 2013-05-16 |
KR101650067B1 (ko) | 2016-08-30 |
TWI572584B (zh) | 2017-03-01 |
KR20140097204A (ko) | 2014-08-06 |
US9454079B2 (en) | 2016-09-27 |
JP5775856B2 (ja) | 2015-09-09 |
TW201326105A (zh) | 2013-07-01 |
EP2776889A1 (en) | 2014-09-17 |
EP2776889B1 (en) | 2019-04-03 |
EP2776889A4 (en) | 2015-06-17 |
US20140248562A1 (en) | 2014-09-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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