JP2019089782A - 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】良好なＣＤ均一性（ＣＤＵ）又は良好なフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができる塩、及び該塩を含むレジスト組成物の提供。【解決手段】式（Ｉ）で表される塩［式（Ｉ）中、Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（ＳＯ２Ｒ５）−を表す。Ｒ５は、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表す。Ａｒは、炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数６〜３６のヘテロ芳香族炭化水素基を表す。Ｒ１及びＲ２は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。ｍ及びｎは、互いに独立に、１又は２を表す。Ｒ３及びＲ４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。Ａ−は、酸不安定基、塩基不安定基又はその両方を有する有機アニオンを表す。］。【選択図】なし

Description

本発明は、半導体の微細加工に用いられる塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法に関する。

特許文献１には、酸発生剤用の塩として、下記式で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

特許文献２には、酸発生剤用の塩として、下記式で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

特許文献３には、酸発生剤用の塩として、下記式で表される塩を含有するレジスト組成物が記載されている。

特開２００３−３２１４６６号公報 特開２０１４−６４９１号公報 特開２０１２−９７０７４号公報

上記式で表される塩を含むレジスト組成物では、レジストパターンのフォーカスマージン（ＤＯＦ）又はＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。

本発明は、以下の発明を含む。
［１］式（Ｉ）で表される塩。

［式（Ｉ）中、
Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（ＳＯ_２Ｒ^５）−を表す。
Ｒ^５は、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ａｒは、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数６〜３６のヘテロ芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
ｍ及びｎは、互いに独立に、１又は２を表す。ｍが２のとき、２つのＲ^１は同一であっても異なってもよく、ｎが２のとき、２つのＲ^２は同一であっても異なってもよい。
Ｒ^３及びＲ^４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^３とＲ^４は互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ及びＲ^３が互いに結合して環を形成してもよい。
Ａ⁻は、酸不安定基、塩基不安定基又はその両方を有する有機アニオンを表す。］
［２］Ａ⁻が、アセタール構造を含む酸不安定基を有する有機アニオンである［１］記載の塩。
［３］アセタール構造を含む酸不安定基を有する有機アニオンが、環構造を含み、該環がアセタール構造を含む酸不安定基を有する有機アニオンである［２］記載の塩。
［４］アセタール構造を含む酸不安定基を有する有機アニオンが、式（ａ）で表される基を有する有機アニオンである［３］記載の塩。

［式（ａ）中、
Ｘ^ａ及びＸ^ｂは、互いに独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｘ^１は、フッ素原子を有してもよい２価の炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
＊は、結合手を表す。］
［５］式（ａ）で表される基を有する有機アニオンが、式（ａ−１）で表される基を有する有機アニオンである［４］記載の塩。

［式（ａ−１）中、
Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^１及び＊は、上記と同じ意味を表す。
環Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せた基で置換されていてもよい。］
［６］式（ａ−１）で表される基を有する有機アニオンが、式（ａ−１）で表される基を有するスルホン酸アニオンである［５］記載の塩。
［７］式（ａ−１）で表される基を有するスルホン酸アニオン塩が、式（ａ−２）で表されるスルホン酸アニオンである［６］記載の塩。

［式（ａ−２）中、
Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^１及び環Ｗは、上記と同じ意味を表す。
Ｌ^ｂ１は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］
［８］環Ｗが、式（ａ−１−１）で表される環、式（ａ−１−２）で表される環又は式（ａ−１−３）で表される環である［５］〜［７］のいずれか記載の塩。

［式（ａ−１−１）、式（ａ−１−２）及び式（ａ−１−３）中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、水酸基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］
［９］前記Ｌ^ｂ１が、＊−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｔ−（ｔは０〜６の整数を表す。＊は、−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−との結合手を表す。）である［７］又は［８］に記載の塩。
［１０］Ｘ^１が、式（Ｘ^１−１）で表される２価の基である［４］〜［９］のいずれか記載の塩。

［式（Ｘ^１−１）中、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のフッ化アルキル基を表す。
ｎ１は、１〜１０の整数を表す。
＊は、Ｘ^ａ又はＸ^ｂとの結合手を表す。］
［１１］塩基不安定基を有する有機アニオンが、式（Ｂａ）で表される基又は式（Ｂｂ）で表される基を有する有機アニオンである［１］記載の塩。

［式（Ｂａ）中、Ｒ^２３は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

［式（Ｂｂ）中、Ｒ^２４は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^２５及びＲ^２６は、互いに独立に、水素原子又はフッ素原子を表す。］
［１２］式（Ｂａ）で表される基又は式（Ｂｂ）で表される基を有する有機アニオンが、式（Ｉ−Ｂａ）で表される酸発生剤又は式（Ｉ−Ｂｂ）で表される有機アニオンである［１１］記載の塩。

［式（Ｉ−Ｂａ）又は式（Ｉ−Ｂｂ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^２１は、単結合又は２価の炭素数１〜１７のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｙは、炭素数３〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ^２３〜Ｒ^２６は、上記と同じ意味を表す。］
［１３］［１］〜［１２］のいずれか記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。
［１４］［１３］記載の酸発生剤と酸不安定基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。
［１５］酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩を含有する［１４］記載のレジスト組成物。
［１６］（１）［１４］又は［１５］記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程、
を含むレジストパターンの製造方法。

良好なフォーカスマージン（ＤＯＦ）又はＣＤ均一性（ＣＤＵ）でレジストパターンを製造することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物を提供する。

本明細書において、「（メタ）アクリル系モノマー」とは、「ＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＯ−」又は「ＣＨ_２＝Ｃ（ＣＨ_３）−ＣＯ−」の構造を有するモノマーの少なくとも１種を意味する。同様に「（メタ）アクリレート」及び「（メタ）アクリル酸」とは、それぞれ「アクリレート及びメタクリレートの少なくとも１種」及び「アクリル酸及びメタクリル酸の少なくとも１種」を意味する。
本明細書において、「レジスト組成物の固形分」とは、レジスト組成物の総量から、後述する溶剤（Ｅ）を除いた成分の合計を意味する。

＜式（Ｉ）で表される塩（以下、塩（Ｉ）という場合がある。）＞

［式（Ｉ）中、
Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（ＳＯ_２Ｒ^５）−を表す。
Ｒ^５は、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ａｒは、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数６〜３６のヘテロ芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
ｍ及びｎは、互いに独立に、１又は２を表す。ｍが２のとき、２つのＲ^１は同一であっても異なってもよく、ｎが２のとき、２つのＲ^２は同一であっても異なってもよい。
Ｒ^３及びＲ^４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^３とＲ^４は互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ及びＲ^３が互いに結合して環を形成してもよい。
Ａ⁻は、酸不安定基、塩基不安定基又はその両方を有する有機アニオンを表す。］

Ａｒで表される芳香族炭化水素基又はヘテロ芳香族炭化水素基は、通常炭素数４〜３６であり、好ましくは炭素数６〜２４であり、より好ましくは炭素数６〜１８である。Ａｒは、好ましくは芳香族炭化水素基である。
Ａｒで表される芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、フェナントニル基、トリル基、キシリル基、ジメチルフェニル基、トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ビフェニル基、トリフェニル基、インデニル基及びテトラヒドロナフチル基が挙げられる。
ヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子及び硫黄原子が挙げられる。
ヘテロ芳香族炭化水素基としては、フリル基、チエニル基が挙げられる。
Ａｒで表される芳香族炭化水素基及びヘテロ芳香族炭化水素基の置換基としては、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１８のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数７〜１８のアリールカルボニルオキシ基又は炭素数２〜１８のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられ、炭素数１〜１２のアルコキシ基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−で置き換わっていてもよい。Ａｒで表される芳香族炭化水素基及びヘテロ芳香族炭化水素基の置換基は、好ましくは、ヒドロキシ基である。
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基及びドデシルオキシ基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６のアルコキシ基であり、より好ましくはメトキシ基である。
アルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ペンチルカルボニルオキシ基、ヘキシルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルカルボニルオキシ基が挙げられる。好ましくは、炭素数２〜１２のアルキルカルボニルオキシ基であり、より好ましくはメチルカルボニルオキシ基である。
アリールカルボニルオキシ基としては、フェニルカルボニルオキシ基及びトシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。好ましくは、炭素数７〜１２のアリールカルボニルオキシ基であり、より好ましくはフェニルカルボニルオキシ基である。
アルコキシカルボニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニルオキシ基、ペンチルオキシカルボニルオキシ基、ヘキシルオキシカルボニルオキシ基、オクチルオキシカルボニルオキシ基及び２−エチルヘキシルオキシカルボニルオキシ基が挙げられる。好ましくは、炭素数２〜８のアルキルオキシカルボニルオキシ基であり、より好ましくはｔｅｒｔ−ブチルオキシカルボニルオキシ基である。

Ｒ^１及びＲ^２で表される炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらの組合せることにより形成される基が挙げられる。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基等炭素数１〜１２のアルキル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基及びシクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。
組合せることにより形成される基としては、アラルキル基が挙げられ、ベンジル基及びフェネチル基が挙げられる。
炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が、−Ｏ−又は−ＣＯ−に置き換わった基としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基、アセチル基、メトキシカルボニル基、アセチルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基及びベンゾイルオキシ基が挙げられる。

Ｒ^３及びＲ^４で表される炭化水素基は、Ｒ^１及びＲ^２で表される炭化水素基と同じものが挙げられる。
Ｒ^３及びＲ^４は、互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ^３及びＲ^４が結合して形成される環としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜１２のシクロアルキル基が挙げられる。Ｒ^３及びＲ^４が結合して形成される環は、好ましくは炭素数３〜８のシクロアルキル基であり、より好ましくはシクロペンチル基又はシクロヘキシル基である。
Ｒ^３及びＡｒは、互いに結合して、Ａｒ−ＣＯ−Ｃ−Ｒ^３を構成単位とする環を形成してもよい。

Ｒ^５で表される炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基が挙げられる。
Ｒ^５で表される炭素数３〜１２のシクロアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基及びアダマンチル基が挙げられる。
Ｒ^５で表される炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。

ｍは、２であることが好ましい。
ｎは、２であることが好ましい。
ｍ及びｎのうち、少なくとも一つが２であることが好ましく、ｍ及びｎがともに２であることがより好ましい。
Ｒ^１及びＲ^２は、同じ基であることが好ましい。
Ｒ^１は、水素原子であることが好ましい。
Ｒ^２は、水素原子であることが好ましい。
Ｒ^３は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましい。
Ｒ^４は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基であることが好ましい。
Ｒ^３及びＲ^４のいずれか一方が、水素原子であることが好ましく、ともに水素原子であることがより好ましい。
Ａｒは、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基が好ましく、置換基を有していてもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基がより好ましく、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいナフチル基がさらに好ましい。
Ａｒが有する置換基としては、ヒドロキシ基が好ましい。
Ｘは、酸素原子が好ましい。

塩（Ｉ）におけるカチオン（以下、カチオン（Ｉ）という場合がある。）としては、以下のカチオン等が挙げられる。カチオン（Ｉ）は、式（Ｉ−ｃ−１）、式（Ｉ−ｃ−２）、式（Ｉ−ｃ−３）、式（Ｉ−ｃ−４）、式（Ｉ−ｃ−５）、式（Ｉ−ｃ−６）、式（Ｉ−ｃ−７）及び式（Ｉ−ｃ−８）で表されるカチオンが好ましい。

Ａ⁻で表される有機アニオンとしては、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオン等が挙げられ、好ましくはスルホン酸アニオンである。
Ａ⁻で表される有機アニオンは、１つ以上の酸不安定基又は塩基不安定基を有しておればよく、２以上の酸不安定基又は２以上の塩基不安定基を有していてもよいし、酸不安定基と塩基不安定基の両方を有していてもよい。
Ａ⁻が酸不安定基を有する有機アニオンである塩（Ｉ）は、ネガ型レジスト組成物に有用であり、Ａ⁻が塩基不安定基を有する有機アニオンである塩（Ｉ）は、ポジ型レジスト組成物に有用である。

酸不安定基とは、脱離基を有し、酸との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を有する基に変換する基を意味する。
酸不安定基としては、アセタール構造を有する基、置換基を有していてもよい３級アルコキシ基及び置換基を有していてもよい３級アルコキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
３級アルコキシ基とは、酸素原子と結合している炭素原子が、３級炭素原子であるアルコキシ基を意味する。
３級アルコキシカルボニルオキシ基とは、３級アルコキシ基とカルボニルオキシ基とが結合している基を意味する。
Ａ⁻で表される有機アニオンが有する酸不安定基としては、アセタール構造を有する基が好ましく、酸不安定基が環構造を含み、該環の構成単位としてアセタール構造を有する基がより好ましく、式（ａ）で表される基がさらに好ましい。

［式（ａ）中、
Ｘ^ａ及びＸ^ｂは、互いに独立に、酸素原子又は硫黄原子を表す。
Ｘ^１は、フッ素原子を有してもよい２価の炭素数１〜１２の飽和炭化水素基を表す。
＊は、結合手を表す。］

Ｘ^ａ及びＸ^ｂは、同じ原子であることが好ましく、ともに酸素原子であることがより好ましい。

炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組合せたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。
炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基としては、炭素数１〜１２のアルカンジイル基が好ましく、炭素数１〜６のアルカンジイル基がより好ましい。
Ｘ^１は、フッ素原子を有することが好ましい。塩に含まれるフッ素濃度は、５％以上であることが好ましく、４０％以下であることが好ましく、７％以上であることがより好ましく、３０％以下であることがより好ましい。
フッ素濃度は、下記式に基づいて算出する。
フッ素濃度＝フッ素の原子量×フッ素の数／塩の分子量×１００

Ｘ^１は、式（Ｘ^１−１）で表される２価の基であることが好ましい。

［式（Ｘ^１−１）中、
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のフッ化アルキル基を表す。
ｎ１は、１〜１０の整数を表す。
＊は、Ｘ^ａ及びＸ^ｂとの結合手を表す。］

フッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基が挙げられる。なかでも、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基及びノナフルオロブチル基が好ましい。
Ｒ^ｆ１及びＲ^ｆ２としては、同じ基であることが好ましく、ともにフッ素原子であることが好ましい。
ｎ１は、１〜８の整数であることが好ましく、１〜６の整数であることがより好ましく、１〜４の整数であることがさらに好ましく、１又は２であることが特に好ましい。

式（Ｘ^１−１）で表される２価の基は、式（Ｘ^１−２）で表される２価の基であることが好ましく、式（Ｘ^１−３）で表される２価の基又は式（Ｘ^１−４）で表される２価の基であることがより好ましい。

［式（Ｘ^１−２），式（Ｘ^１−３）及び式（Ｘ^１−４）中、Ｒ^ｆ１、Ｒ^ｆ２及びｎ１は、上記と同じ意味を表す。］

Ａ⁻は、アセタール構造を含む酸不安定基を有する有機アニオンであることが好ましく、環の構成単位としてアセタール構造を含む酸不安定基を有する有機アニオンであることがより好ましく、式（ａ）で表される基を有する有機アニオンがさらに好ましい。
式（ａ）で表される基を有する有機アニオンは、式（ａ−１）で表される基を有する有機アニオンであることが好ましい。

［式（ａ−１）中、
Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^１及び＊は、上記と同じ意味を表す。
環Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基又はこれらを組合せた基で置換されていてもよい。］

環Ｗにおける炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基は、単環であってもよいし、多環であってもよい。具体的には、式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）で表される環が挙げられ、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基が好ましく、なかでも、式（ａ−１−１）で表される環、式（ａ−１−２）で表される環又は式（ａ−１−３）で表される環が好ましい。
式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）で表される環におけるどの炭素原子が、Ｘ^ａ及びＸ^ｂと結合していてもよい。

［式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）で表される環中、
環に含まれるメチレン基は酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置換されていてもよく、環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基又は炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基で置換されていてもよい。］

式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）における炭素数１〜１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基及びドデシル基が挙げられる。
式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）における炭素数１〜１２のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基及びドデシルオキシ基が挙げられる。
式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）における炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基としては、下記に示す基が挙げられる。

式（ａ−１−１）〜式（ａ−１−１１）における炭素数６〜１０の芳香族炭化水素基としては、フェニル基及びナフチル基が挙げられる。

式（ａ−１）で表される基を有する有機アニオンは、式（ａ−１）で表される基を有するスルホン酸アニオンであることが好ましく、式（ａ−２）で表されるスルホン酸アニオンであることが好ましい。

［式（ａ−２）中、
Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^１及びＷは、上記と同じ意味を表す。
Ｌ^ｂ１は、炭素数１〜２４の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。］

Ｑ^１及びＱ^２で表されるペルフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基及びペルフルオロヘキシル基等が挙げられる。
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はトリフルオロメチル基であることが好ましく、ともにフッ素原子であることがより好ましい。

Ｌ^ｂ１で表される２価の飽和炭化水素基としては、アルカンジイル基、単環式又は多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、これらの基のうち２種以上を組合せたものでもよい。
具体的には、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基、ヘプタン−１，７−ジイル基、オクタン−１，８−ジイル基、ノナン−１，９−ジイル基、デカン−１，１０−ジイル基、ウンデカン−１，１１−ジイル基、ドデカン−１，１２−ジイル基、トリデカン−１，１３−ジイル基、テトラデカン−１，１４−ジイル基、ペンタデカン−１，１５−ジイル基、ヘキサデカン−１，１６−ジイル基及びヘプタデカン−１，１７−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；
エタン−１，１−ジイル基、プロパン−１，１−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、プロパン−２，２−ジイル基、ペンタン−２，４−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、ペンタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基；
シクロブタン−１，３−ジイル基、シクロペンタン−１，３−ジイル基、シクロヘキサン−１，４−ジイル基、シクロオクタン−１，５−ジイル基等のシクロアルカンジイル基である単環式の２価の脂環式飽和炭化水素基；
ノルボルナン−１，４−ジイル基、ノルボルナン−２，５−ジイル基、アダマンタン−１，５−ジイル基、アダマンタン−２，６−ジイル基等の多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基等が挙げられる。

Ｌ^ｂ１で表される２価の飽和炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−が−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わった基としては、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）のいずれかで表される基が挙げられる。なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）及び下記の具体例において、＊は−Ｗとの結合手を表す。

［式（ｂ１−１）中、
Ｌ^ｂ２は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ３は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２とＬ^ｂ３との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−２）中、
Ｌ^ｂ４は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ５は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ４とＬ^ｂ５との炭素数合計は、２２以下である。
式（ｂ１−３）中、
Ｌ^ｂ６は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ７は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ６とＬ^ｂ７との炭素数合計は、２３以下である。］

なお、式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−３）においては、飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わっている場合、置き換わる前の炭素数を該飽和炭化水素基の炭素数とする。
２価の飽和炭化水素基としては、Ｌ^ｂ１の２価の飽和炭化水素基と同様のものが挙げられる。

Ｌ^ｂ２は、好ましくは単結合である。
Ｌ^ｂ３は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基である。
Ｌ^ｂ４は、好ましくは、炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ５は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ６は、好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ７は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよく、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。

中でも、式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で表される基が好ましい。

式（ｂ１−１）としては、式（ｂ１−４）〜式（ｂ１−８）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式（ｂ１−４）中、
Ｌ^ｂ８は、単結合又は炭素数１〜２２の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
式（ｂ１−５）中、
Ｌ^ｂ９は、炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１０は、単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ９及びＬ^ｂ１０の合計炭素数は２０以下である。
式（ｂ１−６）中、
Ｌ^ｂ１１は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１２は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１１及びＬ^ｂ１２の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−７）中、
Ｌ^ｂ１３は、炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１４は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１５は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１３、Ｌ^ｂ１４及びＬ^ｂ１５の合計炭素数は１９以下である。
式（ｂ１−８）中、
Ｌ^ｂ１６は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１７は、炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ１８は、単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又はヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１６、Ｌ^ｂ１７及びＬ^ｂ１８の合計炭素数は１９以下である。］

Ｌ^ｂ８は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基である。
Ｌ^ｂ９は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１０は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１９の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１１は、好ましくは炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１２は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１３は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１４は、好ましくは単結合又は炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１５は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１６は、好ましくは炭素数１〜１２の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１７は、好ましくは炭素数１〜６の２価の飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｂ１８は、好ましくは単結合又は炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又は炭素数１〜４の２価の飽和炭化水素基を表である。

式（ｂ１−３）としては、式（ｂ１−９）〜式（ｂ１−１１）でそれぞれ表される基が挙げられる。

［式（ｂ１−９）中、
Ｌ^ｂ１９は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２０は、単結合又は炭素数１〜２３の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ１９及びＬ^ｂ２０の合計炭素数は２３以下である。
式（ｂ１−１０）中、
Ｌ^ｂ２１は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２２は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ２３は、単結合又は炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２１、Ｌ^ｂ２２及びＬ^ｂ２３の合計炭素数は２１以下である。
式（ｂ１−１１）中、
Ｌ^ｂ２４は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。
Ｌ^ｂ２５は、炭素数１〜２１の２価の飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｂ２６は、単結合又は炭素数１〜２０の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子、ヒドロキシ基又はアシルオキシ基に置換されていてもよい。該アシルオキシ基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよく、該アシルオキシ基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基に置換されていてもよい。
ただし、Ｌ^ｂ２４、Ｌ^ｂ２５及びＬ^ｂ２６の合計炭素数は２１以下である。］

なお、式（ｂ１−１０）及び式（ｂ１−１１）においては、飽和炭化水素基に含まれる水素原子がアシルオキシ基に置換されている場合、アシルオキシ基の炭素数、エステル結合中のＣＯ及びＯの数をも含めて、該飽和炭化水素基の炭素数とする。

アシルオキシ基としては、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
置換基を有するアシルオキシ基としては、オキソアダマンチルカルボニルオキシ基、ヒドロキシアダマンチルカルボニルオキシ基、オキソシクロヘキシルカルボニルオキシ基、ヒドロキシシクロヘキシルカルボニルオキシ基等が挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−４）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−５）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−６）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−７）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−１）で表される基のうち、式（ｂ１−８）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−２）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−９）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−１０）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

式（ｂ１−３）で表される基のうち、式（ｂ１−１１）で表される基としては、以下のものが挙げられる。

Ｌ^ｂ１は、好ましくは二価の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれるメチレン基は−Ｏ−、−ＣＯ−に置換されていてもよい。とりわけ、Ｌ^ｂ１は、好ましくは式（ｂ１−１）、式（ｂ１−３）及び式（ｂ１−４）で表される基を表し、より好ましくは式（ｂ１−４）で表される基を表し、さらに好ましくは＊−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）ｔ−（ここで、ｔは０〜６の整数であり、＊は、Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）又は−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−との結合手を表す。）を表し、とりわけ好ましくは＊−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）ｔ−（ｔ及び＊は、前記と同じ意味を表す。）を表す。
ｔは、好ましくは０又は１を表す。

塩基不安定基とは、脱離基を有し、塩基との接触により脱離基が脱離して、親水性基（例えば、ヒドロキシ基又はカルボキシ基）を有する基に変換する基を意味する。 塩基不安定基としては、式（１−ｂ）で表される構造が挙げられる。

［式（１−ｂ）中、Ｒ^ｆ１１はフッ化アルキル基を表し、Ｘ^ｆ１は、＊１−ＣＯ−Ｏ−又は＊１−Ｏ−ＣＯ−を表す。
＊は結合手を表し、＊１はＲ^ｆ１１との結合手を表す。］

Ｒ^ｆ１１で表されるフッ化アルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、パーフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等の炭素数１〜１２のフッ化アルキル基が挙げられる。好ましくは炭素数１〜６のフッ化アルキル基である。

Ｘ^ｆ１が＊１−Ｏ−ＣＯ−を表す場合、Ｒ^ｆ１１は、式（１−ｂ−１）で表される基が好ましい。

［式（１−ｂ−１）中、Ｒ^ｆ１２は炭素数１〜５のフッ化アルキル基を表し、＊は結合手を表す。］

Ｒ^ｆ１２で表される炭素数１〜５のフッ化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、ノナフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、ウンデカフルオロペンチル基、２，２，３，３，４，４，５，５，５−ノナフルオロペンチル基、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロペンチル基、４，４，５，５，５−ペンタフルオロペンチル基、５，５，５−トリフルオロペンチル基、１，１，１，２，３，３，３-へプタフルオロイソプロピル基、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロイソプロピル基が挙げられ、好ましくは炭素数１〜５のペルフルオロアルキル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。

塩基不安定基は、式（Ｂａ）又は式（Ｂｂ）で表される基であることが好ましい。

［式（Ｂａ）中、Ｒ^２３は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。］

［式（Ｂｂ）中、Ｒ^２４は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^２５及びＲ^２６は、互いに独立に、水素原子又はフッ素原子を表す。］

Ｒ^２３及びＲ^２４のフッ素原子を有するアルキル基としては、例えば、１，１，１−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２，３，３−ペプタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基等が好ましい。

例えば、式（Ｂａ）で表される基は、アルカリの作用により分解してヒドロキシ基を発生する。また、式（Ｂｂ）で表される基は、アルカリの作用により分解してカルボキシ基を発生する。

塩基解離性基を有する酸発生剤は、以下の方法で、開裂したことを確認できる。
例えば、塩基解離性基を有する酸発生剤を溶剤に溶解し、アルカリ溶液を添加し、加熱する。これによって、塩基解離性基を、アルカリ可溶性基（ヒドロキシ基又はカルボキシル基）に変換させることができる。アルカリ可溶性基の確認方法としては、生成した化合物の酸性度測定、ＮＭＲ測定及びＭＳ測定などが挙げられる。
溶剤としては、ジメチルホルムアミドが好ましい。
アルカリとしては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。

式（Ｂａ）で表される基又は式（Ｂｂ）で表される基を有する有機アニオンが、式（Ｉ−Ｂａ）で表される酸発生剤又は式（Ｉ−Ｂｂ）で表される有機アニオンであることが好ましい。

［式（Ｉ−Ｂａ）又は式（Ｉ−Ｂｂ）中、
Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
Ｌ^２１は、単結合又は２価の炭素数１〜１７のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｙは、炭素数３〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
Ｒ^２３〜Ｒ^２６は、上記と同じ意味を表す。］

Ｑ^１及びＱ^２のペルフルオロアルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロイソプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロｓｅｃ−ブチル基、ペルフルオロｔｅｒｔ−ブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基などが挙げられる。
Ｑ^１及びＱ^２は、好ましくはトリフルオロメチル基又はフッ素原子であり、より好ましくはフッ素原子である。

Ｌ^２１のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｌ^２１のアルカンジイル基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、例えば、上述した式（ｂ１−１）〜式（ｂ１−１１）のいずれかで表される基などが挙げられる。

中でも、Ｌ^２１は、好ましくは式（ｂ１−１）又は式（ｂ１−３）で表される基であり、さらに好ましくは式（ｂ１−４）で表される基である。特にＬ^ｂ８が単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基である式（ｂ１−４）で表される基、即ち＊−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｕ−（ｕは０〜６の整数を表し、＊は、−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−との結合手を表す）であることが好ましく、単結合又はメチレン基である式（ｂ１−４）で表される基、即ち＊−ＣＯ−Ｏ−、＊−ＣＯ−Ｏ−ＣＨ_２−がより好ましい。

Ｙの２価の脂環式炭化水素基としては、以下で表される基が好ましい。

２価の脂環式炭化水素基に含まれるメチレン基が酸素原子又はカルボニル基に置き換わった基としては、以下で表される基が挙げられる。

Ｙとしては、多環の２価の脂環式炭化水素基が好ましく、アダマンタン環を含む多環の脂環式炭化水素基がより好ましく、アダマンタンジイル基がさらに好ましい。

Ａ⁻で表されるアニオンとしては、下記のものが挙げられる。

Ａ⁻で表されるアニオンとしては、式（Ｉａ−２−１）〜式（Ｉａ−２−９）いずれかで表されるアニオンが好ましい。
塩基不安定基を有する有機アニオンとしてはＡ⁻は、好ましくは式（１ａ−２−１４）及び式（１ａ−２−１８）である。

塩（Ｉ）としては、表１〜表３に記載の塩が挙げられる。表１において、塩（Ｉ−１）は例えば以下に示す塩である。

塩（Ｉ）としては、塩（Ｉ−２）、塩（Ｉ−３）、塩（Ｉ−６）、塩（Ｉ−７）、塩（Ｉ−１０）、塩（Ｉ−１１）、塩（Ｉ−１４）、塩（Ｉ−１５）、塩（Ｉ−１８）、塩（Ｉ−１９）、塩（Ｉ−２３）、塩（Ｉ−２４）、塩（Ｉ−２６）、塩（Ｉ−２７）、塩（Ｉ−３０）、塩（Ｉ−３１）、塩（Ｉ−５５）、塩（Ｉ−５６）、塩（Ｉ−５７）、塩（Ｉ−５８）、塩（Ｉ−５９）、塩（Ｉ−６３）、塩（Ｉ−６４）、塩（Ｉ−６５）、塩（Ｉ−６６）、塩（Ｉ−６７）、塩（Ｉ−７１）、塩（Ｉ−７２）、塩（Ｉ−７３）、塩（Ｉ−７４）及び塩（Ｉ−７５）が好ましく、塩（Ｉ−２）、塩（Ｉ−３）、塩（Ｉ−６）、塩（Ｉ−７）、塩（Ｉ−１０）、塩（Ｉ−１１）、塩（Ｉ−１４）、塩（Ｉ−１５）、塩（Ｉ−１８）、塩（Ｉ−１９）、塩（Ｉ−２３）、塩（Ｉ−２４）、塩（Ｉ−２６）、塩（Ｉ−２７）、塩（Ｉ−３０）及び塩（Ｉ−３１）がより好ましい。

塩（Ｉ）は、式（ＩＡ−ａ）で表される塩と式（ＩＡ−ｂ）で表される化合物とを、クロロホルム等の溶剤中で反応させることにより製造することができる。

［式中、Ａｒ、Ｒ^１、Ｒ^２、ｍ、ｎ、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^１及びＡ⁻は、上記と同じ意味を表す。］

上記の反応は、例えば、１０〜６０℃において、０．５〜１２時間、行われる。
式（ＩＡ−ａ）で表される塩は、式（ＩＡ−ｃ）で表される化合物と式（ＩＡ−ｄ）で表される化合物とを、アセトン等の溶剤中で反応させることにより製造することができる。

上記の反応は、例えば、１０〜６０℃において、０．５〜１２０時間、行われる。
式（ＩＡ−ｃ）で表される化合物としては、下記式で表される化合物等が挙げられる。

式（ＩＡ−ｄ）で表される化合物は、下記式で表される化合物等が挙げられる。

式（ａ−２）で表されるスルホン酸アニオンを有する式（ＩＡ−ｂ）で表される塩は、式（ＩＡ−ｅ）で表される化合物と式（ＩＡ−ｆ）で表される化合物とを、酸触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

［式中、Ａｒ、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ及びＸ^１は、上記と同じ意味を表す。Ｙ⁻は有機アニオンを表す。］

酸触媒としては、硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸等が挙げられる。
溶剤としては、クロロホルム、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。

式（ＩＡ−ｅ）で表される塩としては、下記式で表される塩等が挙げられる。

式（ＩＡ−ｆ）で表される化合物は、下記式で表される化合物等が挙げられる。

式（Ｉ−Ｂａ）で表されるスルホン酸アニオンを有する式（ＩＡ−ｂ）で表される塩は、式（ＩＡ−ｇ）で表される化合物と式（ＩＡ−ｈ）で表される化合物とを、塩基触媒存在下、溶剤中で反応させることにより製造することができる。

溶媒としては、クロロホルム等が挙げられる。
塩基触媒としては、Ｎ−メチルピロリジン等が挙げられる。

式（ＩＡ−ｇ）で表される化合物としては、下記式で表される塩等が挙げられる。

式（ＩＡ−ｈ）で表される化合物としては、ヘプタフルオロブチリルクロリドなどが挙げられる。

＜レジスト組成物＞
本発明のレジスト組成物は、酸不安定基を有する樹脂（以下「樹脂（Ａ）」という場合がある）と塩（Ｉ）を有効成分として含有する酸発生剤とを含有する塩（Ｉ）は、２種類以上を含有していてもよい。
酸発生剤としては、塩（Ｉ）の他にレジスト分野で公知の酸発生剤（以下「酸発生剤（Ｂ）」という場合がある。）を含有していてもよい。レジスト組成物は、塩基性化合物（以下「塩基性化合物（Ｃ）」という場合がある）を含有することが好ましく、溶剤（以下「溶剤（Ｄ）」という場合がある）を含有することが好ましい。
塩基性化合物（Ｃ）は、レジスト組成物において、クエンチャーとして用いることができる。

＜酸発生剤＞
酸発生剤の含有量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、好ましくは１．５〜４０重量部より好ましくは３〜３５重量部である。
塩（Ｉ）の含有量は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、１〜２０重量部であることが好ましく、２〜１５重量部であることがより好ましい。
酸発生剤（Ｂ）は、２種以上を含有してもよい。
酸発生剤（Ｂ）は、樹脂（Ａ）１００重量部に対して、１〜２０重量部含有することが好ましく、３〜１５重量部以上がより好ましい。
酸発生剤（Ｂ）としては、公知の酸発生剤が利用でき、イオン性酸発生剤でも、非イオン性発生剤でもよい。好ましくは、イオン性酸発生剤である。イオン性酸発生剤としては、公知のカチオンと公知のアニオンとの組合せからなるイオン性酸発生剤が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）としては、有機スルホン酸有機スルホニウム塩等が挙げられ、例えば、特開２０１３−６８９１４号公報、特開２０１３−３１５５号公報、特開２０１３−１１９０５号公報記載の酸発生剤等が挙げられる。具体的には、式（Ｂ１−１）〜式（Ｂ１−２８）のいずれかで表される塩が挙げられる。中でもアリールスルホニウムカチオンを含むものが好ましく、式（Ｂ１−１）、式（Ｂ１−２）、式（Ｂ１−３）、式（Ｂ１−６）、式（Ｂ１−７）、式（Ｂ１−１１）、式（Ｂ１−１２）、式（Ｂ１−１３）、式（Ｂ１−１４）、式（Ｂ１−２０）、式（Ｂ１−２１）、式（Ｂ１−２２）、式（Ｂ１−２３）、式（Ｂ１−２４）、式（Ｂ１−２５）又は式（Ｂ１−２６）のいずれかで表される塩がより好ましい。

＜樹脂（Ａ）＞
樹脂（Ａ）は、酸不安定基を有する構造単位（以下「構造単位（ａ１）」という場合がある）を有する。樹脂（Ａ）は、さらに、構造単位（ａ１）以外の構造単位を含んでいることが好ましい。構造単位（ａ１）以外の構造単位としては、酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ｓ）」という場合がある）が挙げられる。

＜構造単位（ａ１）＞
構造単位（ａ１）は、酸不安定基を有するモノマー（以下「モノマー（ａ１）」という場合がある）から導かれる。
構造単位（ａ１）における酸不安定基が有する脱離基としては、式（１）で表される基（以下、基（１）という場合がある。）及び／又は式（２）で表される基（以下、基（２）という場合がある。）が好ましい。

［式（１）中、Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表すか、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。
ｎａは、０又は１を表す。
＊は、結合手を表す。］

［式（２）中、Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３’は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。
Ｘは、酸素原子又は硫黄原子を表す。
＊は、結合手を表す。］

Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基及びｎ−オクチル基が挙げられる。
Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基及びシクロオクチル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等が挙げられる。Ｒ^ａ１〜Ｒ^ａ３の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１６である。

アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニルエチル基等が挙げられる。等が挙げられる。
ｎａは、好ましくは０である。

Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２が互いに結合して２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^ａ１）（Ｒ^ａ２）（Ｒ^ａ３）としては、例えば、下記の基が挙げられる。２価の炭化水素基は、好ましくは炭素数３〜１２である。＊は−Ｏ−との結合手を表す。

式（１）で表される基としては、例えば、１，１−ジアルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中においてＲ^ａ１〜Ｒ^ａ３がアルキル基である基、好ましくはｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基）、２−アルキルアダマンタン−２−イルオキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１、Ｒ^ａ２及びこれらが結合する炭素原子がアダマンチル基を形成し、Ｒ^ａ３がアルキル基である基）及び１−（アダマンタン−１−イル）−１−アルキルアルコキシカルボニル基（式（１）中、Ｒ^ａ１及びＲ^ａ２がアルキル基であり、Ｒ^ａ３がアダマンチル基である基）等が挙げられる。

Ｒ^ａ１’〜Ｒ^ａ３’の炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基及びこれらを組合せることにより形成される基等が挙げられる。
アルキル基及び脂環式炭化水素基は、上記と同様のものが挙げられる。
芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ｐ−メチルフェニル基、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｐ−アダマンチルフェニル基、トリル基、キシリル基、クメニル基、メシチル基、ビフェニル基、フェナントリル基、２，６−ジエチルフェニル基、２−メチル−６−エチルフェニル等のアリール基等が挙げられる。
Ｒ^ａ２’及びＲ^ａ３’が互いに結合して形成する２価の炭化水素基としては、例えば、Ｒ^ａ１’〜Ｒ^ａ３’の炭化水素基から水素原子を１個取り去った基が挙げられる。
Ｒ^ａ１’及びＲ^ａ２’のうち、少なくとも１つは水素原子であることが好ましい。

式（２）で表される基の具体例としては、以下の基が挙げられる。＊は結合手を表す。

モノマー（ａ１）は、好ましくは、酸不安定基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマー、より好ましくは酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーである。

酸不安定基を有する（メタ）アクリル系モノマーのうち、好ましくは、炭素数５〜２０の脂環式炭化水素基を有するものが挙げられる。脂環式炭化水素基のような嵩高い構造を有するモノマー（ａ１）に由来する構造単位を有する樹脂（Ａ）をレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度を向上させることができる。

式（１）で表される基を有する（メタ）アクリル系モノマーに由来する構造単位として、好ましくは、式（ａ１−０）で表される構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位又は式（ａ１−２）で表される構造単位が挙げられる。これらは単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。本明細書では、式（ａ１−０）で表される構造単位、式（ａ１−１）で表される構造単位及び式（ａ１−２）で表される構造単位を、それぞれ構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）と、構造単位（ａ１−０）を誘導するモノマー、構造単位（ａ１−１）を誘導するモノマー及び構造単位（ａ１−２）を誘導するモノマーを、それぞれモノマー（ａ１−０）、モノマー（ａ１−１）及びモノマー（ａ１−２）という場合がある。

［式（ａ１−０）中、
Ｌ^ａ０１は、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ０１は１〜７の整数を表し、＊はカルボニル基との結合手を表す。
Ｒ^ａ０１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せた基を表す。］

［式（ａ１−１）及び式（ａ１−２）中、
Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、互いに独立に、−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１−ＣＯ−Ｏ−を表し、ｋ１は１〜７の整数を表し、＊は−ＣＯ−との結合手を表す。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、互いに独立に、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表す。
ｍ１は、０〜１４の整数を表す。
ｎ１は、０〜１０の整数を表す。
ｎ１’は、０〜３の整数を表す。］

Ｌ^ａ０２は、好ましくは、酸素原子又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ０１−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは酸素原子である。ｋ０１は、好ましくは１〜４の整数、より好ましくは１である。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４のアルキル基、脂環式炭化水素基及びこれらを組合せた基としては、式（１）のＲ^ａ１〜Ｒ^ａ３で挙げた基と同様の基が挙げられる。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^ａ０２、Ｒ^ａ０３及びＲ^ａ０４の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下、より好ましくは６以下である。
アルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた基は、これらアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せた合計炭素数が、１８以下であることが好ましい。このような基としては、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロへキシル基、メチルノルボルニル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ０２及びＲ^ａ０３は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^ａ０４は、好ましくは炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数５〜１２の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、シクロヘキシル基又はアダマンチル基である。

Ｌ^ａ１及びＬ^ａ２は、好ましくは−Ｏ−又は＊−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｋ１’−ＣＯ−Ｏ−であり、より好ましくは−Ｏ−である。ｋ１’は、１〜４の整数であり、好ましくは１である。
Ｒ^ａ４及びＲ^ａ５は、好ましくはメチル基である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基と脂環式炭化水素基とを組合せることにより形成された基としては、アラルキル基が挙げられ、ベンジル基、フェネチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７のアルキル基は、好ましくは炭素数６以下である。
Ｒ^ａ６及びＲ^ａ７の脂環式炭化水素基は、好ましくは炭素数８以下、より好ましくは６以下である。
ｍ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１は、好ましくは０〜３の整数、より好ましくは０又は１である。
ｎ１’は好ましくは０又は１である。

モノマー（ａ１−０）としては、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−１−１２）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−０−１）〜式（ａ１−１−１０）のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

上記の構造単位において、Ｒ^ａ０１に相当するメチル基が水素原子に置き換わった構造単位も、構造単位（ａ１−０）の具体例として挙げることができる。

モノマー（ａ１−１）としては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−８）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−１−１）〜式（ａ１−１−４）のいずれかで表されるモノマーがより好ましい。

モノマー（ａ１−２）としては、１−メチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−メチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロヘプタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−エチルシクロオクタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロペンタン−１−イル（メタ）アクリレート、１−イソプロピルシクロヘキサン−１−イル（メタ）アクリレート等が挙げられる。式（ａ１−２−１）〜式（ａ１−２−１２）のいずれかで表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−２−３）、式（ａ１−２−４）、式（ａ１−２−９）又は式（ａ１−２−１０）で表されるモノマーがより好ましく、式（ａ１−２−３）又は式（ａ１−２−９）で表されるモノマーがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−０）及び／又は構造単位（ａ１−１）及び／又は構造単位（ａ１−２）を含む場合、これらの合計含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、通常１０〜９５モル％であり、好ましくは１５〜９０モル％であり、より好ましくは２０〜８５モル％である。

さらに、基（１）を有する構造単位（ａ１）としては、式（ａ１−３）で表される構造単位も挙げられる。式（ａ１−３）で表される構造単位を、構造単位（ａ１−３）という場合がある。また、構造単位（ａ１−３）を誘導するモノマーを、モノマー（ａ１−３）という場合がある。

［式（ａ１−３）中、
Ｒ^ａ９は、ヒドロキシ基を有していてもよい炭素数１〜３の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基、シアノ基、水素原子又は−ＣＯＯＲ^ａ１３を表す。
Ｒ^ａ１３は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基、又はこれらを組合せることにより形成される基を表し、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基で置換されていてもよく、該脂肪族炭化水素基及び該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−−又は−ＣＯ−に置き換わっていてもよい。
Ｒ^ａ１０、Ｒ^ａ１１及びＲ^ａ１２は、互いに独立に、炭素数１〜８のアルキル基、炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基又はこれらを組合せることにより形成される基を表すか、Ｒ^ａ１０及びＲ^ａ１１は互いに結合して、それらが結合する炭素原子とともに炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成する。］

ここで、−ＣＯＯＲ^ａ１３は、メトキシカルボニル基及びエトキシカルボニル基等のアルコキシ基にカルボニル基が結合した基が挙げられる。

Ｒ^ａ９のヒドロキシ基を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ヒドロキシメチル基及び２−ヒドロキシエチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１３の炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１３の炭素数３〜２０の脂環式炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロプロピル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、１−アダマンチル−１−メチルエチル基、２−オキソ−オキソラン−３−イル基及び２−オキソ−オキソラン−４−イル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１０〜Ｒ^ａ１２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１０〜Ｒ^ａ１２の脂環式炭化水素基は、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基等が挙げられる。
Ｒ^ａ１０及びＲ^ａ１１が互いに結合して、それらが結合している炭素原子とともに２価の炭化水素基を形成する場合の−Ｃ（Ｒ^ａ１０）（Ｒ^ａ１１）（Ｒ^ａ１２）としては、下記の基が好ましい。

モノマー（ａ１−３）としては、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−ｔｅｒｔ−ブチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−シクロヘキシル−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチルシクロヘキシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−メチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸２−エチル−２−アダマンチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−メチルシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）−１−メチルエチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−メチル−１−（４−オキソシクロヘキシル）エチル及び５−ノルボルネン−２−カルボン酸１−（１−アダマンチル）−１−メチルエチル等が挙げられる。

構造単位（ａ１−３）を含む樹脂（Ａ）は、立体的に嵩高い構造単位が含まれることになるため、このような樹脂（Ａ）を含む本発明のレジスト組成物からは、より高解像度でレジストパターンを得ることができる。また、主鎖に剛直なノルボルナン環が導入されるため、得られるレジストパターンは、ドライエッチング耐性に優れる傾向がある。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ１−３）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、１５〜９０モル％であることがより好ましく、２０〜８５モル％であることがさらに好ましい。

基（２）で表される基を有する構造単位（ａ１）としては、式（ａ１−４）で表される構造単位（以下、「構造単位（ａ１−４）」という場合がある。）が挙げられる。

［式（ａ１−４）中、
Ｒ^ａ３２は、水素原子、ハロゲン原子、又は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基を表す。
Ｒ^ａ３３は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜４のアシル基、炭素数２〜４のアシルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を表す。
ｌａは０〜４の整数を表す。ｌａが２以上である場合、複数のＲ^ａ３３は互いに同一であっても異なってもよい。
Ｒ^ａ３４及びＲ^ａ３５は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^ａ３６は、炭素数１〜２０の炭化水素基を表すか、Ｒ^ａ３５及びＲ^ａ３６は互いに結合して炭素数２〜２０の２価の炭化水素基を形成し、該炭化水素基及び該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−Ｓ−で置き換わってもよい。］

Ｒ^ａ３２及びＲ^ａ３３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ペンチル基及びヘキシル基等が挙げられる。該アルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基又はエチル基がより好ましく、メチル基がさらに好ましい。
Ｒ^ａ３２及びＲ^ａ３３のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子等が挙げられる。
Ｒ^ａ３４及びＲ^ａ３５としては、式（２）のＲ^１４及びＲ^１５と同様の基が挙げられる。
Ｒ^ａ３６としては、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらが組合せることにより形成される基が挙げられる。

式（ａ１−２）において、Ｒ^ａ３２は、水素原子であることが好ましい。
Ｒ^ａ３３は、炭素数１〜４のアルコキシ基であることが好ましく、メトキシ基及びエトキシ基であることがより好ましく、メトキシ基であることがさらに好ましい。
ｌａは、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
Ｒ^ａ３４は、好ましくは水素原子である。
Ｒ^ａ３５は、好ましくは炭素数１〜１２の炭化水素基であり、より好ましくはメチル基又はエチル基である。
Ｒ^ａ３６の炭化水素基は、好ましくは炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基又はこれらが組合せることにより形成される基であり、より好ましくは炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数３〜１８の脂環式脂肪族炭化水素基又は炭素数７〜１８のアラルキル基である。Ｒ^ａ３６におけるアルキル基及び前記脂環式炭化水素基は無置換が好ましい。Ｒ^ａ３６における芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、その置換基としては炭素数６〜１０のアリールオキシ基が好ましい。

構造単位モノマー（ａ１−４）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−７）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−４−１）〜式（ａ１−４−５）でそれぞれ表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、１０〜９５モル％であることが好ましく、１５〜９０モル％であることがより好ましく、２０〜８５モル％であることがさらに好ましい。

酸不安定基を有する構造単位としては、式（ａ１−５）で表される構造単位（以下「構造単位（ａ１−５）」という場合がある）も挙げられる。

［式（ａ１−５）中、
Ｒ^ａ８は、ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。
Ｚ^ａ１は、単結合又は＊−（ＣＨ_２）_ｈ３−ＣＯ−Ｌ^５４−を表し、ｈ３は１〜４の整数を表し、＊はＬ^５１との結合手を表す。
Ｌ^５１、Ｌ^５２、Ｌ^５３及びＬ^５４は、互いに独立に、−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。
ｓ１は、１〜３の整数を表す。
ｓ１’は、０〜３の整数を表す。］

ハロゲン原子としては、フッ素原子及び塩素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子が挙げられる。ハロゲン原子を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、フルオロメチル基及びトリフルオロメチル基が挙げられる。 式（ａ１−５）においては、Ｒ^ａ８は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であることが好ましい。
Ｌ^５１は、酸素原子であることが好ましい。
Ｌ^５２及びＬ^５３のうち、一方が−Ｏ−であり、他方が−Ｓ−であることが好ましい。
ｓ１は、１であることが好ましい。
ｓ１’は、０〜２の整数であることが好ましい。
Ｚ^ａ１は、単結合又は＊−ＣＨ_２−ＣＯ−Ｏ−であることが好ましい。

構造単位（ａ１−５）を導くモノマーとしては、例えば、特開２０１０−６１１１７号公報に記載されたモノマーが挙げられる。中でも、式（ａ１−５−１）〜式（ａ１−５−４）でそれぞれ表されるモノマーが好ましく、式（ａ１−５−１）又は式（ａ１−５−２）で表されるモノマーがより好ましい。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ１−５）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、１〜５０モル％であることが好ましく、３〜４５モル％であることがより好ましく、５〜４０モル％であることがさらに好ましい。

樹脂（Ａ）中の酸不安定基を有する構造単位（ａ）としては、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ１−５）からなる群から選ばれる少なくとも一種以上が好ましく、少なくとも二種以上がより好ましく、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組合せ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組合せ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−０）の組合せ、構造単位（ａ１−２）及び構造単位（ａ１−０）の組合せ、構造単位（ａ１−５）及び構造単位（ａ１−０）の組合せ、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組合せ、構造単位（ａ１−０）、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組合せがさらに好ましく、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）の組合せ、構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−５）の組合せがさらにより好ましい。

〈酸不安定基を有さない構造単位〉
構造単位（ｓ）は、酸不安定基を有さないモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）から導かれる。構造単位（ｓ）を導くモノマー（以下「モノマー（ｓ）」という場合がある）は、レジスト分野で公知の酸不安定基を有さないモノマーを使用できる。
構造単位（ｓ）としては、ヒドロキシ基又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位が好ましい。ヒドロキシ基を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ２）」という場合がある）及び／又はラクトン環を有し、かつ酸不安定基を有さない構造単位（以下「構造単位（ａ３）」という場合がある）を有する樹脂を本発明のレジスト組成物に使用すれば、レジストパターンの解像度及び基板との密着性を向上させることができる。

〈構造単位（ａ２）〉
構造単位（ａ２）が有するヒドロキシ基は、アルコール性ヒドロキシ基でも、フェノール性ヒドロキシ基でもよい。
本発明のレジスト組成物からレジストパターンを製造するとき、露光光源としてＫｒＦエキシマレーザ（２４８ｎｍ）、電子線又はＥＵＶ（超紫外光）等の高エネルギー線を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を用いることが好ましい。また、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）等を用いる場合には、構造単位（ａ２）として、アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）が好ましく、構造単位（ａ２−１）を用いることがより好ましい。構造単位（ａ２）としては、２種以上を含んでいてもよい。

フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）としては、以下に表される構造単位が挙げられる。

中でも、式（ａ２−０−１）又は式（ａ２−０−２）で表されるものがより好ましい。
構造単位（ａ２−０）を誘導するモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６３４号公報に記載されているモノマーが挙げられる。

フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を含む樹脂（Ａ）は、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を誘導するモノマーが有するフェノール性ヒドロキシ基を保護基で保護したモノマーを用いて重合反応を行い、その後脱保護処理することにより製造できる。ただし、脱保護処理を行う際には、構造単位（ａ１）が有する酸不安定基を著しく損なわないようにして行う必要がある。このような保護基としては、アセチル基等が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、フェノール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、５〜９５モル％であることが好ましく、１０〜８０モル％であることがより好ましく、１５〜８０モル％であることがさらに好ましい。

アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）としては、以下の構造単位が挙げられる。

式（ａ２−１−１）〜式（ａ２−１−４）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式式（ａ２−１−１）又は式（ａ２−１−３）で表される構造単位がより好ましい。
アルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を誘導するモノマーとしては、例えば、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマーが挙げられる。

樹脂（Ａ）がアルコール性ヒドロキシ基を有する構造単位（ａ２）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、通常１〜４５モル％であり、好ましくは１〜４０モル％であり、より好ましくは１〜３５モル％であり、さらに好ましくは２〜２０モル％である。

〈構造単位（ａ３）〉
構造単位（ａ３）が有するラクトン環は、β−プロピオラクトン環、γ−ブチロラクトン環、δ−バレロラクトン環のような単環でもよく、単環式のラクトン環と他の環との縮合環でもよい。好ましくは、γ−ブチロラクトン環、アダマンタンラクトン環又は、γ−ブチロラクトン環構造を含む橋かけ環が挙げられる。構造単位（ａ３）は１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。構造単位（ａ３）としては、以下の構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ３）を導くモノマーとしては、特開２０１０−２０４６４６号公報に記載されたモノマー、特開２０００−１２２２９４号公報に記載されたモノマー、特開２０１２−４１２７４号公報に記載されたモノマーが挙げられる。構造単位（ａ３）としては、式（ａ３−１−１）〜式（ａ３−１−６）、式（ａ３−２−１）〜式（ａ３−２−４）、式（ａ３−３−１）〜式（ａ３−３−４）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−６）のいずれかで表される構造単位が好ましく、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−１−２）及び式（ａ３−２−３）〜式（ａ３−２−４）及び式（ａ３−４−１）〜式（ａ３−４−２）のいずれかで表される構造単位がより好ましく、式（ａ３−１−１）、式（ａ３−２−３）又は式（ａ３−４−２）で表される構造単位がさらに好ましい。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。

樹脂（Ａ）が構造単位（ａ３）を含む場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、通常５〜７０モル％であり、好ましくは１０〜６５モル％であり、より好ましくは１０〜６０モル％である。
また、構造単位（ａ３−１）、構造単位（ａ３−２）、構造単位（ａ３−３）及び構造単位（ａ３−４）の含有率は、互いに独立に、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、５〜６０モル％であることが好ましく、５〜５０モル％であることがより好ましく、１０〜５０モル％であることがさらに好ましい。

＜その他の構造単位（ｔ）＞
構造単位（ｔ）としては、構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）以外にハロゲン原子を有する構造単位（以下、場合により「構造単位（ａ４）」という。）及び非脱離炭化水素基を有する構造単位（ｓ）（以下「構造単位（ａ５）」という場合がある）などが挙げられる。構成単位（ａ４）としては、以下のものが挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−０）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−０）中、
Ｒ^５は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｌ^２は、単結合又は炭素数１〜４の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^３は、炭素数１〜８のペルフルオロアルカンジイル基を表す。
Ｒ^６は、水素原子又はフッ素原子を表す。］

Ｌ^３のペルフルオロアルカンジイル基としては、ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロエチルフルオロメチレン基、ペルフルオロプロパン−１，３−ジイル基、ペルフルオロプロパン−１，２−ジイル基、ペルフルオロプロパン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，４−ジイル基、ペルフルオロブタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロブタン−１，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−１，５−ジイル基、ペルフルオロペンタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロペンタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−１，６−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘキサン−３，３−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−１，７−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−３，４−ジイル基、ペルフルオロヘプタン−４，４−ジイル基、ペルフルオロオクタン−１，８−ジイル基、ペルフルオロオクタン−２，２−ジイル基、ペルフルオロオクタン−３，３−ジイル基、ペルフルオロオクタン−４，４−ジイル基等が挙げられる。

Ｌ^２は、好ましくは単結合、メチレン基又はエチレン基であり、より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｌ^３は、好ましくは炭素数１〜６のペルフルオロアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルカンジイル基である。

構造単位（ａ４−０）としては、例えば、以下のものが挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ４−１）中、
Ｒ^a41は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^a42は、置換基を有していてもよい炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。
Ａ^a41は、置換基を有していてもよい炭素数１〜６のアルカンジイル基又は式（ａ−ｇ１）を表す。］

［式（ａ−ｇ１）中、
ｓは、０又は１を表す。
Ａ^ａ４２及びＡ^ａ４４は、互いに独立に、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基を表す。
Ａ^ａ４３は、置換基を有していてもよい炭素数１〜５の脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。
Ｘ^a41ａ４１及びＸ^a42ａ４２は、互いに独立に、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−又は−Ｏ−ＣＯ−を表す。
ただし、Ａ^ａ４２、Ａ^ａ４３、Ａ^ａ４４、Ｘ^ａ４１及びＸ^ａ４２の炭素数の合計は６以下であり、Ａ^ａ４１及びＲ^ａ４２のうち少なくとも一方は、ハロゲン原子を有する基である。］

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられ、好ましくはフッ素原子である。
脂肪族炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、脂肪族飽和炭化水素基が好ましい。該脂肪族飽和炭化水素基としては、アルキル基（当該アルキル基は直鎖でも分岐していてもよい）及び脂環式炭化水素基、並びに、アルキル基及び脂環式炭化水素基を組合せることにより形成される脂肪族炭化水素基等が挙げられる。

Ｒ^ａ４２の炭化水素基としては、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、及びにこれらが組合せることにより形成される基が挙げられる。鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、ペンタデシル基、ヘキシルデシル基、ヘプタデシル基及びオクタデシル基等が挙げられる。環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等のシクロアルキル基；デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、ノルボルニル基及び下記の基（＊は結合手を表す。）等の多環式の脂環式炭化水素基の多環式の脂環式炭化水素基が挙げられる。

芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、ビフェニリル基、フェナントリル基及びフルオレニル基等が挙げられる。

Ｒ^ａ４２の炭化水素基としては、鎖式及び環式の脂肪族炭化水素基並びにこれらが組合せることにより形成される基が好ましく、炭素炭素不飽和結合を有していてもよいが、鎖式及び環式の脂肪族飽和炭化水素基並びにこれらが組合せることにより形成される基がより好ましい。
脂肪族炭化水素基としては、アルキル基及び脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基は、単環式であってもよいし、多環式であってもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基、シクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。
Ｒ^ａ４２は、脂肪族炭化水素基であることが好ましく、ハロゲン原子及び／又は式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基であることがより好ましい。

［式（ａ−ｇ３）中、
Ｘ^ａ４３は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^ａ４５は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する炭素数３〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。］

Ｒ^ａ４２が、式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素基である場合、式（ａ−ｇ３）で表される基に含まれる炭素数を含めて、脂肪族炭化水素基の総炭素数は、１５以下が好ましく、１２以下がより好ましい。式（ａ−ｇ３）で表される基を置換基として有する場合、その数は１個が好ましい。

式（ａ−ｇ３）で表される基を有する脂肪族炭化水素は、さらに好ましくは式（ａ−ｇ２）で表される基である。

［式（ａ−ｇ２）中、
Ａ^ａ４６は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数３〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^ａ４４は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^ａ４７は、ハロゲン原子を有していてもよい炭素数３〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^ａ４６、Ａ^ａ４７及びＸ^ａ４４の炭素数の合計は１８以下であり、Ａ^ａ４６及びＡ^ａ４７のうち、少なくとも一方は、少なくとも１つのハロゲン原子を有する。］

Ｒ^ａ４２がハロゲン原子を有する脂肪族炭化水素基である場合、好ましくはフッ素原子を有する脂肪族炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルキル基又はペルフルオロシクロアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数が１〜６のペルフルオロアルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜３のペルフルオロアルキル基である。ペルフルオロアルキル基としては、ペルフルオロメチル基、ペルフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、ペルフルオロブチル基、ペルフルオロペンチル基、ペルフルオロヘキシル基、ペルフルオロヘプチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。ペルフルオロシクロアルキル基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基等が挙げられる。

Ａ^ａ４６の脂肪族炭化水素基の炭素数は１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。
Ａ^ａ４７の脂肪族炭化水素基の炭素数は４〜１５であることが好ましく、５〜１２であることがより好ましく、Ａ^ａ４７は、シクロヘキシル基又はアダマンチル基であることがさらに好ましい。

＊−Ａ^ａ４６−Ｘ^ａ４４−Ａ^ａ４７で表される部分構造（＊はカルボニル基との結合手である）のより好ましい構造は、以下の構造である。

Ａ^ａ４１のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。
Ａ^ａ４１のアルカンジイル基における置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。
Ａ^ａ４１は、好ましくは炭素数１〜４のアルカンジイル基であり、より好ましくは炭素数２〜４のアルカンジイル基であり、さらに好ましくはエチレン基である。

Ａ^ａ４１の式（ａ−ｇ１）で表される基（以下、場合により「基（ａ−ｇ１）」という。）は、Ａ^ａ４４が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^ａ４２と結合する。
基（ａ−ｇ１）におけるＡ^ａ４２、Ａ^ａ４３及びＡ^ａ４４の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基等が挙げられる。これらの置換基としては、ヒドロキシ基及び炭素数１〜６のアルコキシ基等が挙げられる。

Ｘ^ａ４２が酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す基（ａ−ｇ１）としては、以下の基等が挙げられる。以下の例示において、＊及び＊＊はそれぞれ結合手を表わし、＊＊が−Ｏ−ＣＯ−Ｒ^ａ４２との結合手である。

式（ａ４−１）で表される構造単位としては、式（ａ４−２）又は式（ａ４−３）で表される構造単位が好ましい。

［式（ａ４−２）中、
Ｒ^ｆ１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^ｆ１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ｒ^ｆ２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ａ^ｆ１のアルカンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、プロパン−１，３−ジイル基、プロパン−１，２−ジイル基、ブタン−１，４−ジイル基、ペンタン−１，５−ジイル基、ヘキサン−１，６−ジイル基等の直鎖状アルカンジイル基；１−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，３−ジイル基、２−メチルプロパン−１，２−ジイル基、１−メチルブタン−１，４−ジイル基、２−メチルブタン−１，４−ジイル基等の分岐状アルカンジイル基が挙げられる。

Ｒ^ｆ２の炭化水素基は、脂肪族炭化水素基及び芳香族炭化水素基を包含し、脂肪族炭化水素基は、鎖式、環式及びこれらの組合せることにより形成される基を含む。脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、脂環式炭化水素基が好ましい。
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基及び２−エチルヘキシル基が挙げられる。
脂環式炭化水素基としては、単環式又は多環式のいずれでもよく、単環式の脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、メチルシクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロヘプチル基及びシクロデシル基等のシクロアルキル基が挙げられる。
多環式の脂環式炭化水素基としては、デカヒドロナフチル基、アダマンチル基、２−アルキルアダマンタン−２−イル基、１−（アダマンタン−１−イル）アルカン−１−イル基、ノルボルニル基、メチルノルボルニル基及びイソボルニル基が挙げられる。

Ｒ^ｆ２のフッ素原子を有する炭化水素基としては、フッ素原子を有するアルキル基、フッ素原子を有する脂環式炭化水素基等が挙げられる。
具体的には、フッ素原子を有するアルキル基としては、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、１，１−ジフルオロエチル基、２，２−ジフルオロエチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロプロピル基、ペルフルオロエチルメチル基、１−（トリフルオロメチル）−１，２，２，２−テトラフルオロエチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，２，２−テトラフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３−ヘキサフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ペルフルオロブチル基、１，１−ビス（トリフルオロ）メチル−２，２，２−トリフルオロエチル基、２−（ペルフルオロプロピル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロペンチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロペンチル基、１，１−ビス（トリフルオロメチル）−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、ペルフルオロペンチル基、２−（ペルフルオロブチル）エチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５−デカフルオロヘキシル基、１，１，２，２，３，３，４，４，５，５，６，６−ドデカフルオロヘキシル基、ペルフルオロペンチルメチル基及びペルフルオロヘキシル基等のフッ化アルキル基が挙げられる。
フッ素原子を有する脂環式炭化水素基としては、ペルフルオロシクロヘキシル基、ペルフルオロアダマンチル基等のフッ化シクロアルキル基が挙げられる。

式（ａ４−２）においては、Ａ^ｆ１は、炭素数２〜４のアルカンジイル基であることが好ましく、エチレン基であることがより好ましい。
Ｒ^ｆ２としては、炭素数１〜６のフッ化アルキル基が好ましい。

［式（ａ４−３）中、
Ｒ^ｆ１１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^ｆ１１は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。
Ａ^ｆ１３は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。
Ｘ^ｆ１２は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ａ^ｆ１４は、フッ素原子を有していてもよい炭素数１〜１７の脂肪族炭化水素基を表す。
ただし、Ａ^ｆ１３及びＡ^ｆ１４の少なくとも１つは、フッ素原子を有する脂肪族炭化水素基を表す。］

Ａ^ｆ１１のアルカンジイル基としては、Ａ^ｆ１のアルカンジイル基と同様の基が挙げられる。

Ａ^ｆ１３の脂肪族炭化水素基には、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組合せられることにより形成される２価の脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^ｆ１３のフッ素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはペルフルオロアルカンジイル基である。
フッ素原子を有していてもよい２価の鎖式の脂肪族炭化水素基としては、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基；ジフルオロメチレン基、ペルフルオロエチレン基、ペルフルオロプロパンジイル基、ペルフルオロブタンジイル基及びペルフルオロペンタンジイル基等のペルフルオロアルカンジイル基等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい２価の環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基としては、シクロヘキサンジイル基及びペルフルオロシクロヘキサンジイル基等が挙げられる。多環式の２価の脂肪族炭化水素基としては、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、ペルフルオロアダマンタンジイル基等が挙げられる。

Ａ^ｆ１４の脂肪族炭化水素基としては、鎖式及び環式のいずれか、並びに、これらが組合せることにより形成される脂肪族炭化水素基が包含される。この脂肪族炭化水素は、炭素−炭素不飽和結合を有していてもよいが、好ましくは飽和の脂肪族炭化水素基である。
Ａ^ｆ１４のフッ素原子を有していてもよい脂肪族炭化水素基としては、好ましくはフッ素原子を有していてもよい脂肪族飽和炭化水素基である。
フッ素原子を有していてもよい鎖式の脂肪族炭化水素基としては、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、メチル基、ペルフルオロエチル基、１，１，１−トリフルオロエチル基、１，１，２，２−テトラフルオロエチル基、エチル基、ペルフルオロプロピル基、１，１，１，２，２−ペンタフルオロプロピル基、プロピル基、ペルフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４−オクタフルオロブチル基、ブチル基、ペルフルオロペンチル基、１，１，１，２，２，３，３，４，４−ノナフルオロペンチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ペルフルオロヘキシル基、ヘプチル基、ペルフルオロヘプチル基、オクチル基及びペルフルオロオクチル基等が挙げられる。
等が挙げられる。
フッ素原子を有していてもよい環式の脂肪族炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂肪族炭化水素基を含む基としては、シクロプロピルメチル基、シクロプロピル基、シクロブチルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ペルフルオロシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂肪族炭化水素基を含む基としては、アダマンチル基、アダマンチルメチル基、ノルボルニル基、ノルボルニルメチル基、ペルフルオロアダマンチル基、ペルフルオロアダマンチルメチル基等が挙げられる。

式（ａ４−３）においては、Ａ^ｆ１１としては、エチレン基が好ましい。
Ａ^ｆ１３の脂肪族炭化水素基は、炭素数１〜６が好ましく、２〜３がさらに好ましい。
Ａ^ｆ１４の脂肪族炭化水素基の炭素数は、３〜１２であることが好ましく、３〜１０であることがさらに好ましい。なかでも、Ａ^ｆ１４は、好ましくは炭素数３〜１２の脂環式炭化水素基を含む基であり、より好ましくはシクロプロピルメチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基及びアダマンチル基である。

式（ａ４−２）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４−１−１）〜式（ａ４−１−２２）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。

式（ａ４−３）で表される構造単位としては、例えば、式（ａ４−１’−１）〜式（ａ４−１’−２２）でそれぞれ表される構造単位が挙げられる。

構造単位（ａ４）としては、式（ａ４−４）で表される構造単位も挙げられる。

［式（ａ４−４）中、
Ｒ^ｆ２１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ａ^ｆ２１は、−（ＣＨ_２）_ｊ１−、−（ＣＨ_２）_ｊ２−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｊ３−又は−（ＣＨ_２）_ｊ４−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｊ５−を表す。
ｊ１〜ｊ５は、互いに独立に、１〜６の整数を表す。
Ｒ^ｆ２２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］

Ｒ^ｆ２２のフッ素原子を有する炭化水素基としては、式（ａ４−２）におけるＲ^ｆ２の炭化水素基と同じものが挙げられる。Ｒ^ｆ２２は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基又はフッ素原子を有する炭素数１〜１０の脂環式炭化水素基であることが好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜１０のアルキル基であることがより好ましく、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基であることがさらに好ましい。

式（ａ４−４）では、Ａ^ｆ２１としては、−（ＣＨ_２）_ｊ１−が好ましく、エチレン基又はメチレン基がより好ましく、メチレン基がさらに好ましい。

式（ａ４−４）で表される構造単位としては、以下の構造単位が挙げられる。

樹脂（Ａ）が、構造単位（ａ４）を有する場合、その含有率は、樹脂（Ａ）の全構造単位の合計に対して、１〜２０モル％であることが好ましく、２〜１５モル％であることがより好ましく、３〜１０モル％であることがさらに好ましい。

＜構造単位（ａ５）＞
構造単位（ａ５）が有する非脱離炭化水素基としては、直鎖、分岐又は環状の炭化水素基が挙げられる。なかでも、構造単位（ａ５）は、脂環式炭化水素基であることが好ましい。構成単位（ａ５）としては、例えば、式（ａ５−１）で表される構造単位が挙げられる。

［式（ａ５−１）中、
Ｒ^５１は、水素原子又はメチル基を表す。
Ｒ^５２は、炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又はヒドロキシ基で置換されていてもよい。
但し、Ｌ^５１との結合位置にある炭素原子に結合する水素原子は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基で置換されない。
Ｌ^５１は、単結合又は炭素数１〜１８の２価の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。］

Ｒ^５２の脂環式炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。多環式の脂環式炭化水素基としては、例えば、アダマンチル基及びノルボルニル基等が挙げられる。
炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基は、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基及び２−エチルヘキシル基等のアルキル基が挙げられる。
置換基を有した脂環式炭化水素基としては、３−ヒドロキシアダマンチル基、３−メチルアダマンチル基などが挙げられる。
Ｒ^５２は、好ましくは無置換の炭素数３〜１８の脂環式炭化水素基であり、より好ましくはアダマンチル基、ノルボルニル基又はシクロヘキシル基である。

Ｌ^５１の２価の飽和炭化水素基としては、２価の脂肪族飽和炭化水素基及び２価の脂環式飽和炭化水素基が挙げられ、好ましくは２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
２価の脂肪族飽和炭化水素基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロパンジイル基、ブタンジイル基及びペンタンジイル基等のアルカンジイル基が挙げられる。
２価の脂環式飽和炭化水素基は、単環式及び多環式のいずれでもよい。単環式の脂環式飽和炭化水素基としては、シクロペンタンジイル基及びシクロヘキサンジイル基等のシクロアルカンジイル基が挙げられる。多環式の２価の脂環式飽和炭化水素基としては、アダマンタンジイル基及びノルボルナンジイル基等が挙げられる。

飽和炭化水素基に含まれるメチレン基が、酸素原子又はカルボニル基で置き換わった基としては、例えば、式（Ｌ１−１）〜式（Ｌ１−４）で表される基が挙げられる。下記式中、＊は酸素原子との結合手を表す。

［式（Ｌ１−１）中、
Ｘ^ｘ１は、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。
Ｌ^ｘ１は、炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ２は、単結合又は炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ１及びＬ^ｘ２の合計炭素数は、１６以下である。
式（Ｌ１−２）中、
Ｌ^ｘ３は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ４は、単結合又は炭素数１〜１６の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ３及びＬ^ｘ４の合計炭素数は、１７以下である。
式（Ｌ１−３）中、
Ｌ^ｘ５は、炭素数１〜１５の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｌ^ｘ６及びＬ^ｘ７は、互いに独立に、単結合又は炭素数１〜１４の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ５、Ｌ^ｘ６及びＬ^ｘ７の合計炭素数は、１５以下である。
式（Ｌ１−４）中、
Ｌ^ｘ８及びＬ^ｘ９は、互いに独立に、単結合又は炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。
Ｗ^ｘ１は、炭素数３〜１５の２価の脂環式飽和炭化水素基を表す。
ただし、Ｌ^ｘ８、Ｌ^ｘ９及びＷ^ｘ１の合計炭素数は、１５以下である。］

Ｌ^ｘ１は、好ましくは炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ２は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合である。
Ｌ^ｘ３は、好ましくは炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ４は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ５は、好ましくは炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ６は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくはメチレン基又はエチレン基である。
Ｌ^ｘ７は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基である。
Ｌ^ｘ８は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｌ^ｘ９は、好ましくは単結合又は炭素数１〜８の２価の脂肪族飽和炭化水素基であり、より好ましくは単結合又はメチレン基である。
Ｗ^ｘ１は、好ましくは炭素数３〜１０の２価の脂環式飽和炭化水素基であり、より好ましくはシクロヘキサンジイル基又はアダマンタンジイル基である。

式（Ｌ１−１）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−２）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−３）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

式（Ｌ１−４）で表される基としては、例えば、以下に示す２価の基が挙げられる。

Ｌ^５１は、好ましくは、単結合又は式（Ｌ１−１）で表される基である。

構造単位（ａ５−１）としては、以下のもの等が挙げられる。

樹脂（Ａ）は、上述の構造単位以外の構造単位を有していてもよく、かかる構造単位としては、当技術分野で周知の構造単位を挙げられる。

樹脂（Ａ）は、好ましくは、構造単位（ａ１）と構造単位（ｓ）とからなる樹脂、すなわち、モノマー（ａ１）とモノマー（ｓ）との共重合体である。
構造単位（ａ１）は、好ましくは構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位）から選ばれる少なくとも一種、より好ましくは構造単位（ａ１−１）又は構造単位（ａ１−１）及び構造単位（ａ１−２）（好ましくはシクロヘキシル基、シクロペンチル基を有する該構造単位）から選ばれる少なくとも二種である。
構造単位（ｓ）は、好ましくは構造単位（ａ２）及び構造単位（ａ３）の少なくとも一種である。構造単位（ａ２）は、好ましくは式（ａ２−１）で表される構造単位である。
構造単位（ａ３）は、好ましくは式（ａ３−１）で表される構造単位、式（ａ３−２）及び式（ａ３−４）で表される構造単位から選ばれる少なくとも一種である。

樹脂（Ａ）は、アダマンチル基を有するモノマーに由来する構造単位（特に、構造単位（ａ１−１））を、構造単位（ａ１）の含有量に対して１５モル％以上含有していることが好ましい。アダマンチル基を有する構造単位の含有量が増えると、レジストパターンのドライエッチング耐性が向上する。

樹脂（Ａ）を構成する各構造単位は、１種のみ又は２種以上を組合せて用いてもよく、これら構造単位を誘導するモノマーを用いて、公知の重合法（例えばラジカル重合法）によって製造することができる。樹脂（Ａ）が有する各構造単位の含有率は、重合に用いるモノマーの使用量で調整できる。
樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、好ましくは２，０００以上（より好ましくは２，５００以上、さらに好ましくは３，０００以上）、５０，０００以下（より好ましくは３０，０００以下、さらに好ましくは１５，０００以下）である。

＜樹脂（Ａ）以外の樹脂＞
本発明のレジスト組成物は、樹脂（Ａ）以外の樹脂を含んでもよい。このような樹脂としては、例えば、構造単位（ｓ）のみからなる樹脂が挙げられる。

樹脂（Ａ）以外の樹脂としては、構造単位（ａ４）を含む樹脂（ただし、構造単位（ａ１）を含まない。；以下「樹脂（Ｘ）」という場合がある。）が好ましい。樹脂（Ｘ）において、構造単位（ａ４）の含有率は、樹脂（Ｘ）の全構造単位の合計に対して、４０モル％以上であることが好ましく、４５モル％以上であることがより好ましく、５０モル％以上であることがさらに好ましい。
樹脂（Ｘ）がさらに有していてもよい構造単位としては、構造単位（ａ２）、構造単位（ａ３）及びその他の公知のモノマーに由来する構造単位が挙げられる。
樹脂（Ｘ）の重量平均分子量は、好ましくは、８，０００以上（より好ましくは１０，０００以上）、８０，０００以下（より好ましくは６０，０００以下）である。かかる樹脂（Ｘ）の重量平均分子量の測定手段は、樹脂（Ａ）の場合と同様である。
レジスト組成物が樹脂（Ｘ）を含む場合、その含有量は、樹脂（Ａ）１００質量部に対して、好ましくは１〜６０質量部であり、より好ましくは１〜５０質量部であり、さらに好ましくは１〜４０質量部であり、特に好ましくは２〜３０質量部である。

樹脂（Ａ）と樹脂（Ａ）以外の樹脂との合計含有率は、レジスト組成物の固形分に対して、８０質量％以上９９質量％以下が好ましい。レジスト組成物の固形分及びこれに対する樹脂の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定することができる。

〈溶剤（Ｅ）〉
溶剤（Ｅ）の含有率は、通常レジスト組成物中９０質量％以上、好ましくは９２質量％以上、より好ましくは９４質量％以上であり、通常９９．９質量％以下、好ましくは９９質量％以下である。溶剤（Ｅ）の含有率は、液体クロマトグラフィー又はガスクロマトグラフィー等の公知の分析手段で測定できる。

溶剤（Ｅ）としては、エチルセロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル類；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；乳酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル及びピルビン酸エチル等のエステル類；アセトン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン及びシクロヘキサノン等のケトン類；γ−ブチロラクトン等の環状エステル類；等が挙げられる。溶剤（Ｅ）は、１種を単独で含有してもよく、２種以上を含有してもよい。

〈クエンチャー（Ｃ）〉
クエンチャー（Ｃ）は、好ましくは塩基性の含窒素有機化合物及び酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩が挙げられる。塩基性の含窒素有機化合物としては、例えばアミン、アンモニウム塩が挙げられる。アミンとしては、脂肪族アミン及び芳香族アミンが挙げられる。脂肪族アミンとしては、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンが挙げられる。

クエンチャー（Ｃ）は、１−ナフチルアミン、２−ナフチルアミン、アニリン、ジイソプロピルアニリン、２−，３−又は４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ジフェニルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、ジブチルアミン、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジヘプチルアミン、ジオクチルアミン、ジノニルアミン、ジデシルアミン、トリエチルアミン、トリメチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリヘキシルアミン、トリヘプチルアミン、トリオクチルアミン、トリノニルアミン、トリデシルアミン、メチルジブチルアミン、メチルジペンチルアミン、メチルジヘキシルアミン、メチルジシクロヘキシルアミン、メチルジヘプチルアミン、メチルジオクチルアミン、メチルジノニルアミン、メチルジデシルアミン、エチルジブチルアミン、エチルジペンチルアミン、エチルジヘキシルアミン、エチルジヘプチルアミン、エチルジオクチルアミン、エチルジノニルアミン、エチルジデシルアミン、ジシクロヘキシルメチルアミン、トリス〔２−（２−メトキシエトキシ）エチル〕アミン、トリイソプロパノールアミン、エチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、４，４’−ジアミノ−１，２−ジフェニルエタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジメチルジフェニルメタン、４，４’−ジアミノ−３，３’−ジエチルジフェニルメタン、ピペラジン、モルホリン、ピペリジン、ピペリジン骨格を有するヒンダードアミン化合物、２，２’−メチレンビスアニリン、イミダゾール、４−メチルイミダゾール、ピリジン、４−メチルピリジン、１，２−ジ（２−ピリジル）エタン、１，２−ジ（４−ピリジル）エタン、１，２−ジ（２−ピリジル）エテン、１，２−ジ（４−ピリジル）エテン、１，３−ジ（４−ピリジル）プロパン、１，２−ジ（４−ピリジルオキシ）エタン、ジ（２−ピリジル）ケトン、４，４’−ジピリジルスルフィド、４，４’−ジピリジルジスルフィド、２，２’−ジピリジルアミン、２，２’−ジピコリルアミン、ビピリジン等が挙げられる。好ましくは２，６−ジイソプロピルアニリンが挙げられる。

アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトライソプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、３−（トリフルオロメチル）フェニルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムサリチラート及びコリン等が挙げられる。

酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩における酸性度は、酸解離定数（ｐＫａ）で示される。酸発生剤（Ｂ）から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩は、該塩から発生する酸の酸解離定数が、通常−３＜ｐＫａの塩であり、好ましくは−１＜ｐＫａ＜７の塩であり、より好ましくは０＜ｐＫａ＜５の塩である。
酸発生剤（Ｂ）から発生ずる酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩としては、下記式で表される塩、式（Ｄ）で表される弱酸分子内塩、並びに特開２０１２−２２９２０６号公報、特開２０１２−６９０８号公報、特開２０１２−７２１０９号公報、特開２０１１−３９５０２号公報及び特開２０１１−１９１７４５号公報記載の塩が挙げられる。好ましくは、式（Ｄ）で表される弱酸分内塩である。

クエンチャー（Ｃ）の含有率は、レジスト組成物の固形分中、好ましくは、０．０１〜５質量％であり、より好ましく０．０１〜４質量％であり、特に好ましく０．０１〜３質量％である。

〈その他の成分〉
レジスト組成物は、必要に応じて、上述の成分以外の成分（以下「その他の成分（Ｆ）」という場合がある。）を含有していてもよい。その他の成分（Ｆ）は、レジスト分野で公知の添加剤、例えば、増感剤、溶解抑止剤、界面活性剤、安定剤、染料等を利用できる。

〈レジスト組成物の調製〉
レジスト組成物は、樹脂（Ａ）及び式（Ｉ）で表される塩、並びに、必要に応じて、樹脂（Ａ）以外の樹脂、酸発生剤（Ｂ）、溶剤（Ｅ）、クエンチャー（Ｃ）及びその他の成分（Ｆ）を混合することにより調製することができる。混合順は任意であり、特に限定されるものではない。混合する際の温度は、１０〜４０℃から、樹脂等の種類や樹脂等の溶剤（Ｄ）に対する溶解度等に応じて適切な温度を選ぶことができる。混合時間は、混合温度に応じて、０．５〜２４時間の中から適切な時間を選ぶことができる。なお、混合手段も特に制限はなく、攪拌混合等を用いることができる。
各成分を混合した後は、孔径０．００３〜０．２μｍ程度のフィルターを用いてろ過することが好ましい。

〈レジストパターンの製造方法〉
本発明のレジストパターンの製造方法は、
（１）本発明のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
（２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
（３）組成物層に露光する工程、
（４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
（５）加熱後の組成物層を現像する工程を含む。

レジスト組成物を基板上に塗布するには、スピンコーター等、通常、用いられる装置によって行うことができる。基板としては、シリコンウェハ等の無機基板が挙げられる。レジスト組成物を塗布する前に、基板が洗浄されていてもよく、基板上に反射防止膜等が形成されていてもよい。

塗布後の組成物を乾燥することにより、溶剤を除去し、組成物層を形成する。乾燥は、例えば、ホットプレート等の加熱装置を用いて溶剤を蒸発させること（いわゆるプリベーク）により行うか、あるいは減圧装置を用いて行う。加熱温度は、例えば、５０〜２００℃であることが好ましく、加熱時間は、例えば、１０〜１８０秒間であることが好ましい。また、減圧乾燥する際の圧力は、１〜１．０×１０^５Ｐａ程度であることが好ましい。

得られた組成物層に、通常、露光機を用いて露光する。露光機は、液浸露光機であってもよい。露光光源としては、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ_２エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）のような紫外域のレーザ光を放射するもの、固体レーザ光源（ＹＡＧ又は半導体レーザ等）からのレーザ光を波長変換して遠紫外域または真空紫外域の高調波レーザ光を放射するもの、電子線や、超紫外光（ＥＵＶ）を照射するもの等、種々のものを用いることができる。尚、本明細書において、これらの放射線を照射することを総称して「露光」という場合がある。露光の際、通常、求められるパターンに相当するマスクを介して露光が行われる。露光光源が電子線の場合は、マスクを用いずに直接描画により露光してもよい。

露光後の組成物層を、酸不安定基における脱保護反応を促進するために加熱処理（いわゆるポストエキスポジャーベーク）を行う。加熱温度は、通常５０〜２００℃程度、好ましくは７０〜１５０℃程度である。

加熱後の組成物層を、通常、現像装置を用いて、現像液を利用して現像する。現像方法としては、ディップ法、パドル法、スプレー法、ダイナミックディスペンス法等が挙げられる。現像温度は、例えば、５〜６０℃であることが好ましく、現像時間は、例えば、５〜３００秒間であることが好ましい。現像液の種類を以下のとおりに選択することにより、ポジ型レジストパターン又はネガ型レジストパターンを製造できる。

レジスト組成物からポジ型レジストパターンを製造する場合は、現像液としてアルカリ現像液を用いる。アルカリ現像液は、この分野で用いられる各種のアルカリ性水溶液であればよい。テトラメチルアンモニウムヒドロキシドや（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド（通称コリン）の水溶液等が挙げられる。アルカリ現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。
現像後レジストパターンを超純水で洗浄し、次いで、基板及びパターン上に残った水を除去することが好ましい。

レジスト組成物からネガ型レジストパターンを製造する場合は、現像液として有機溶剤を含む現像液（以下「有機系現像液」という場合がある）を用いる。
有機系現像液に含まれる有機溶剤としては、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン等のケトン溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のグリコールエーテルエステル溶剤；酢酸ブチル等のエステル溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド溶剤；アニソール等の芳香族炭化水素溶剤等が挙げられる。
有機系現像液中、有機溶剤の含有率は、９０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９５質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、実質的に有機溶剤のみであることがさらに好ましい。
有機系現像液としては、酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンを含む現像液が好ましい。有機系現像液中、酢酸ブチル及び２−ヘプタノンの合計含有率は、５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、９０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましく、実質的に酢酸ブチル及び／又は２−ヘプタノンのみであることがさらに好ましい。
有機系現像液には、界面活性剤が含まれていてもよい。また、有機系現像液には、微量の水分が含まれていてもよい。
現像の際、有機系現像液とは異なる種類の溶剤に置換することにより、現像を停止してもよい。

現像後のレジストパターンをリンス液で洗浄することが好ましい。リンス液としては、レジストパターンを溶解しないものであれば特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができ、好ましくはアルコール溶剤又はエステル溶剤である。
洗浄後は、基板及びパターン上に残ったリンス液を除去することが好ましい。

〈用途〉
本発明のレジスト組成物は、ＫｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、ＡｒＦエキシマレーザ露光用のレジスト組成物、電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物、特に電子線（ＥＢ）露光用のレジスト組成物又はＥＵＶ露光用のレジスト組成物として好適であり、半導体の微細加工に有用である。

実施例を挙げて、さらに具体的に説明する。例中、含有量ないし使用量を表す「％」及び「部」は、特記しないかぎり質量基準である。
重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで下記条件により求めた値である。
装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ型（東ソー社製）
カラム：TSKgel Multipore H_XL-M x 3 + guardcolumn（東ソー社製）
溶離液：テトラヒドロフラン
流量：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
検出器：ＲＩ検出器
カラム温度：４０℃
注入量：１００μＬ
分子量標準：標準ポリスチレン（東ソー社製）

また、化合物の構造は、質量分析（ＬＣはＡｇｉｌｅｎｔ製１１００型、ＭＡＳＳはＡｇｉｌｅｎｔ製ＬＣ／ＭＳＤ型）を用い、分子ピークを測定することで確認した。以下の実施例ではこの分子ピークの値を「ＭＡＳＳ」で示す。

実施例１：式（Ｉ−２）で表される塩の合成

式（Ｉ−２−ａ）で表される化合物１０部及びアセトン２５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液に、式（Ｉ−２−ｂ）で表される化合物５．２３部を５分かけて滴下し、２３℃で３０分間攪拌した後、さらに、５０℃で６時間攪拌した。得られた反応溶液をろ過することにより、式（Ｉ−２−ｃ）で表される塩１．７５部を得た。

式（Ｉ−２−ｄ）で表される化合物１３０部、式（Ｉ−２−ｅ）で表される化合物７３．８３部及びクロロホルム７８０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合溶液に、硫酸０．４６部を滴下した後、６２℃で２４時間還流攪拌した後、２３℃まで冷却した。得られた反応溶液にトリエチルアミン２．３部添加することにより、式（Ｉ−２−ｆ）で表される塩１５１．５５部を含む溶液（純度１７．２％）を得た。

式（Ｉ−２−ｆ）で表される塩５．１６部を含む溶液及び式（Ｉ−２−ｃ）で表される塩３．３０部を仕込み、２３℃で１時間攪拌した。得られた反応溶液にイオン交換水１０部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｉ−２）で表される塩５．５３部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２２３．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４６７．１

実施例２：式（Ｉ−７１）で表される塩の合成

式（Ｉ−７１−ａ）で表される塩３．９８部、クロロホルム６０部、式（Ｉ−２−ｃ）で表される塩３．３０部及びイオン交換水３０部を仕込み、２３℃で１２時間攪拌した。
得られた反応液を分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を２回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて攪拌した後、上澄み液を除去した。得られた残渣を濃縮することにより、式（Ｉ−７１−ｂ）で表される塩２．９５部を得た。

式（Ｉ−７１−ｂ）で表される塩２．３９部及び１，２−ジクロロエタン２０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。その後、式（Ｉ−７１−ｃ）で表される化合物２．７７部及びｐ−トルエンスルホン酸０．１５部を添加し、１００℃で、３時間還流攪拌した。
得られた反応物を２３℃まで冷却し、クロロホルム６０部及び８．７％炭酸水素ナトリウム水溶液１７．７部を加え、２３℃で３０分間攪拌した。その後、静置し、分液した。回収された有機層に、イオン交換水６０部を仕込み２３℃で３０分間攪拌し、分液することにより有機層を回収した。この水洗の操作を５回行った。得られた有機層に活性炭０．５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮することにより、式（Ｉ−７１）で表される塩２．０１部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２２３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ４８１．１

実施例３：式（Ｉ−６３）で表される塩の合成

式（Ｉ−６３−ａ）で表される塩４．００部、クロロホルム６０部、式（Ｉ−２−ｃ）で表される塩３．３０部及びイオン交換水３０部を仕込み、２３℃で１２時間攪拌した。
得られた反応液を分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を２回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０部を加えて攪拌した後、上澄み液を除去した。得られた残渣を濃縮することにより、式（Ｉ−６３−ｂ）で表される塩３．６６部を得た。

式（Ｉ−６３−ｂ）で表される塩２．８０部、クロロホルム３０部及びＮ−メチルピロリジン０．８５部を仕込み、０℃で３０分間攪拌した。その後、ここに、式（Ｉ−６３−ｃ）で表される化合物１．７４部を仕込み、０℃で３時間攪拌した。得られた反応物に、クロロホルム１００部及び５％シュウ酸水溶液４０部を仕込み、攪拌、分液を行った。回収された有機層に、イオン交換水５０部を仕込み、攪拌、分液を行った。この水洗を５回行った。得られた有機層に活性炭１．００部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過した。ろ液を濃縮し、得られた濃縮物に、アセトニトリル１０部を添加して溶解し、濃縮し、酢酸エチル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル２０部を加えて攪拌し、上澄液を除去した。得られた残渣をクロロホルムに溶解し、濃縮して、式（Ｉ−６３）で表される塩２．６６部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２２３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ５３５．１

実施例４：式（Ｉ−５５）で表される塩の合成

式（Ｉ−２−ｃ）で表される化合物４．９４部、クロロホルム５７．１部、イオン交換水１９．９部及びトリエチルアミン３．０２部を添加し、２３℃で３０分間攪拌した後、５℃まで冷却した。得られた混合物に、５℃で、式（Ｉ−５５−ａ）で表される化合物２．６１部及びクロロホルム２．６１部の混合溶液を３０分かけて滴下した後、さらに、２３℃で１時間攪拌した。得られた反応マスを分液した後、回収された有機層に、５％シュウ酸水溶液３３部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。
この洗浄操作を３回繰り返した。回収された有機層にイオン交換水３３部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を３回繰り返した。
得られた有機層を濃縮することにより、式（Ｉ−５５−ｂ）で表される塩３．５２部を得た。

式（Ｉ−５５−ｂ）で表される塩３．０３部及びクロロホルム３０部を仕込み、これを攪拌して溶解させた後、これに式（Ｉ−５５−ｃ）で表される化合物２．６６部（純度９７．１％）を仕込み、次いで、リチウムアミド０．０５部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。さらに、モレキュラーシーブ（５Ａ；和光純薬工業（株）製）５部を添加し、６０℃で８時間加熱攪拌した。２３℃まで冷却後、濾過して、濾液を取り出した。濾液にイオン交換水２５部を添加、攪拌後、分液を行って有機層を回収した。回収された有機層を、水洗する操作を２回行った。水洗後の有機層に活性炭０．５０部を添加、攪拌後、濾過して濾液を回収し、該濾液を濃縮した。得られた残渣にアセトニトリル２０部を添加して溶解した後、濃縮した後、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル３０部を添加し、これを攪拌した後、２層に分離したので上澄み液を除去して下層を取り出し、これを濃縮した。得られた濃縮液に、酢酸エチル２０部を添加して、攪拌した後、２層に分離したので上澄み液を除去し、濃縮することにより、式（Ｉ−５５−ｄ）で表される塩３．６３部を得た。

式（Ｉ−５５−ｄ）で表される塩３．１０部、クロロホルム２０部、１Ｎ塩酸水溶液３．８５部とメタノール３．８５部の混合溶液を仕込み、２３℃で１５時間撹拌した。その後、１Ｎ炭酸水素ナトリウム水溶液２０部を仕込み、これを攪拌後、分液した。イオン交換水２０部を仕込み、これを攪拌後、分液した。有機層を、水洗する操作を３回行った。
水洗後の有機層に活性炭０．５０部を添加、攪拌後、濾過して濾液を回収し、該濾液を濃縮することにより、式（Ｉ−５５−ｅ）で表される塩２．４４部を得た。

式（Ｉ−５５−ｅ）で表される塩１．４５部、アセトニトリル１０部及びカルボニルジイミダゾール０．４５部を仕込み、５０℃で２時間攪拌した。その後４０℃まで冷却し、式（Ｉ−５５−ｆ）で表される化合物０．５０部をアセトニトリル５部に溶解した溶液を滴下し、４０℃で３時間反応した。反応後冷却し、クロロホルム２０部、イオン交換水２０部を加えて攪拌後、分離した。有機層をイオン交換水２０部で水層が中性になるまで水洗を繰り返した。有機層に活性炭０．５０部を加えて攪拌した後、ろ過した。ろ液を濃縮し、酢酸エチル１０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。残渣にｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１０部を加えて攪拌した後、上澄液を除去した。残渣をクロロホルムに溶解した後、濃縮することにより、式（Ｉ−５５）で表される塩０．９９部を得た。

ＭＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ＋ ２２３．１
ＭＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ− ５３５．１

合成例１：式（Ｂ１−５）で表される塩の合成

式（Ｂ１−５−ａ）で表される塩５０．４９部及びクロロホルム２５２．４４部を反応器に仕込み、２３℃で３０分間攪拌し、式（Ｂ１−５−ｂ）で表される化合物１６．２７部を滴下し、２３℃で１時間攪拌することにより、式（Ｂ１−５−ｃ）で表される塩を含む溶液を得た。得られた式（Ｂ１−５−ｃ）で表される塩を含む溶液に、式（Ｂ１−５−ｄ）で表される塩４８．８０部及びイオン交換水８４．１５部を添加し、２３℃で１２時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、さらに、該クロロホルム層にイオン交換水８４．１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。得られたクロロホルム層に、活性炭３．８８部を添加攪拌した後、ろ過した。回収されたろ液を濃縮し、得られた残渣に、アセトニトリル１２５．８７部を添加攪拌し、濃縮した。得られた残渣に、アセトニトリル２０．６２部及びｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル３０９．３０部を加えて２３℃で３０分間攪拌し、上澄み液を除去し、濃縮した。得られた残渣に、ｎ−ヘプタン２００部を添加、２３℃で３０分間攪拌し、ろ過することにより、式（Ｂ１−５）で表される塩６１．５４部を得た。
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ３７５．２
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

合成例２［式（Ｂ１−２１）で表される塩の合成］

特開２００８−２０９９１７号公報に記載された方法によって得られた式（Ｂ１−２１−ｂ）で表される化合物３０．００部、式（Ｂ１−２１−ａ）で表される塩３５．５０部、クロロホルム１００部及びイオン交換水５０部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。
得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水３０部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１００部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｂ１−２１−ｃ）で表される塩４８．５７部を得た。

式（Ｂ１−２１−ｃ）で表される塩２０．００部、式（Ｂ１−２１−ｄ）で表される化合物２．８４部及びモノクロロベンゼン２５０部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。
得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．２１部を添加した後、更に、１００℃で１時間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム２００部及びイオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を５回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、アセトニトリル５３．５１部に溶解し、濃縮した後、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル１１３．０５部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｂ１−２１）で表される塩１０．４７部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３３９．１

合成例３［式（Ｂ１−２２）で表される塩の合成］

式（Ｂ１−２２−ａ）で表される塩１１．２６部、式（Ｂ１−２２−ｂ）で表される化合物１０．００部、クロロホルム５０部及びイオン交換水２５部を仕込み、２３℃で１５時間攪拌した。得られた反応液が２層に分離していたので、クロロホルム層を分液して取り出し、更に、該クロロホルム層にイオン交換水１５部を添加し、水洗した。この操作を５回繰り返した。クロロホルム層を濃縮し、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｂ１−２２−ｃ）で表される塩１１．７５部を得た。

式（Ｂ１−２２−ｃ）で表される塩１１．７１部、式（Ｂ１−２２−ｄ）で表される化合物１．７０部及びモノクロロベンゼン４６．８４部を仕込み、２３℃で３０分間攪拌した。得られた混合液に、二安息香酸銅（ＩＩ）０．１２部を添加した後、更に、１００℃で３０分間攪拌した。得られた反応溶液を濃縮した後、得られた残渣に、クロロホルム５０部及びイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。回収された有機層にイオン交換水１２．５０部を加えて２３℃で３０分間攪拌した後、分液して有機層を取り出した。この水洗操作を８回繰り返した。得られた有機層を濃縮した後、得られた残渣に、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル５０部を加えて攪拌した後、ろ過することにより、式（Ｂ１−２２）で表される塩６．８４部を得た。

ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（＋）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ^＋ ２３７．１
ＭＡＳＳ（ＥＳＩ（−）Ｓｐｅｃｔｒｕｍ）：Ｍ⁻ ３２３．０

樹脂（Ａ）の合成
樹脂（Ａ）の合成に使用した化合物（モノマー）を下記に示す。以下、これらの化合物をその式番号に応じて、「モノマー（ａ１−１−３）」等という。

合成例５〔樹脂Ａ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ１−１−３）、モノマー（ａ１−２−９）、モノマー（ａ２−１−１）及びモノマー（ａ３−４−２）を用い、そのモル比〔モノマー（ａ１−１−３）：モノマー（ａ１−２−９）：モノマー（ａ２−１−１）：モノマー（ａ３−４−２）〕が４０：１１：４：４５となるように混合し、全モノマー量の１．５質量倍のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、１ｍｏｌ％及び３ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。得られた樹脂を再び、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量８．２×１０^３の樹脂Ａ１を収率７０％で得た。この樹脂Ａ１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例６〔樹脂Ｘ１の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ４−１−７）を用い、全モノマー量の１．５質量倍のジオキサンを加えて溶液とした。当該溶液に、開始剤としてアゾビスイソブチロニトリル及びアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して各々、０．７ｍｏｌ％及び２．１ｍｏｌ％添加し、これらを７５℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過した。
かくして得られた樹脂を再び、ジオキサンに溶解させて得られる溶解液をメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過するという再沈殿操作を２回行い、重量平均分子量１．８×１０^４の樹脂Ｘ１を収率７７％で得た。この樹脂Ｘ１は、以下の構造単位を有するものである。

合成例７〔樹脂Ｘ２の合成〕
モノマーとして、モノマー（ａ５−１−１）及びモノマー（ａ４−０−１）を用い、そのモル比（モノマー（ａ５−１−１）：モノマー（ａ４−０−１））が７５：２５となるように混合し、全モノマー量の１．２質量倍のメチルイソブチルケトンを加えて溶液とした。この溶液に、開始剤としてアゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）を全モノマー量に対して２ｍｏｌ％添加し、７０℃で約５時間加熱した。得られた反応混合物を、大量のメタノール／水混合溶媒に注いで樹脂を沈殿させ、この樹脂をろ過し、重量平均分子量１．７×１０^４の樹脂Ｘ２を収率８７％で得た。この樹脂Ｘ２は、以下の構造単位を有するものである。

＜レジスト組成物の調製＞
表４に示すように、以下の各成分を混合し、得られた混合物を孔径０．２μｍのフッ素樹脂製フィルターで濾過することにより、レジスト組成物を調製した。

＜樹脂＞
Ａ１、Ｘ１、Ｘ２：樹脂Ａ１、樹脂Ｘ１、樹脂Ｘ２
＜塩（Ｉ）＞
Ｉ−２：式（Ｉ−２）で表される塩
Ｉ−７１：式（Ｉ−７１）で表される塩
Ｉ−６３：式（Ｉ−６３）で表される塩
Ｉ−５５：式（Ｉ−５５）で表される塩
＜酸発生剤＞
＜酸発生剤＞
Ｂ１−５：式（Ｂ１−５）で表される塩
Ｂ１−２１：式（Ｂ１−２１）で表される塩
Ｂ１−２２：式（Ｂ１−２２）で表される塩
Ｂ１−ｘ１：

Ｂ１−ｘ２：

Ｂ１−ｘ３：

＜化合物（Ｄ）＞
Ｄ１：（東京化成工業（株）製）

＜溶剤＞
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート ２６５部
プロピレングリコールモノメチルエーテル ２０部
２−ヘプタノン ２０部
γ−ブチロラクトン ３．５部

＜レジスト組成物の液浸露光評価：ＤＯＦ評価＞
１２インチのシリコンウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、前記の有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の組成物層の膜厚が１００ｎｍとなるようにスピンコートした。塗布後、ダイレクトホットプレート上にて、表４の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークして、シリコンウェハ上に組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマレーザステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、Ａｎｎｕｌａｒ σ_ｏｕｔ＝０．８５ σ_ｉｎ＝０．６５ ＸＹ−ｐｏｌ．照明］で、トレンチパターン（ピッチ１２０ｎｍ／トレンチ幅４０ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。露光後、ホットプレート上にて、表４の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

得られたレジストパターンにおいて、トレンチパターンの幅が４０ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜フォーカスマージン評価（ＤＯＦ）＞
実効感度において、フォーカスを段階的に変化させて露光する以外は上記と同様の操作を行ってネガ型レジストパターンを製造した。得られたレジストパターンにおいて、トレンチパターンの幅が４０ｎｍ±５％（３８〜４２ｎｍ）となるフォーカス範囲をＤＯＦとした。結果を表４に示す。

＜レジスト組成物の液浸露光評価：ＣＤＵ評価＞
シリコンウェハに、有機反射防止膜用組成物（ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製）を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、ウェハ上に膜厚７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、この有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥後の膜厚が８５ｎｍとなるように塗布（スピンコート）した。塗布後、シリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表４の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベークし、組成物層を形成した。組成物層が形成されたシリコンウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー（ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１．３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光）で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ９０ｎｍ／ホール径５５ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表４の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベークを行った。次いで、このシリコンウェハ上の組成物層を、現像液として酢酸ブチル（東京化成工業（株）製）を用いて、２３℃で２０秒間ダイナミックディスペンス法によって現像を行うことにより、ネガ型レジストパターンを製造した。

現像後に得られたレジストパターンにおいて、前記マスクを用いて形成したホール径が５０ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価＞
実効感度において、ホール径５５ｎｍのマスクで形成したパターンのホール径を、一つのホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。同一ウェハ内の、ホール径７０ｎｍのマスクで形成したパターンの平均ホール径を４００箇所測定したものを母集団として標準偏差を求め、
標準偏差が２．０ｎｍ未満の場合を「○」、
標準偏差が２．０ｎｍより大きい場合を「×」として判断した。
その結果を表５に示す。括弧内の数値は標準偏差（ｎｍ）を示す。

＜レジストパターンの製造及びその評価＞
１２インチのシリコン製ウェハ上に、有機反射防止膜用組成物［ＡＲＣ−２９；日産化学（株）製］を塗布して、２０５℃、６０秒の条件でベークすることによって、厚さ７８ｎｍの有機反射防止膜を形成した。次いで、有機反射防止膜の上に、上記のレジスト組成物を乾燥（プリベーク）後の膜厚が８５ｎｍとなるようにスピンコートした。
得られたシリコンウェハをダイレクトホットプレート上にて、表４の「ＰＢ」欄に記載された温度で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。こうしてレジスト組成物膜（組成物層）を形成したウェハに、液浸露光用ＡｒＦエキシマステッパー［ＸＴ：１９００Ｇｉ；ＡＳＭＬ社製、ＮＡ＝１.３５、３／４Ａｎｎｕｌａｒ Ｘ−Ｙ偏光］で、コンタクトホールパターン（ホールピッチ１００ｎｍ／ホール径７０ｎｍ）を形成するためのマスクを用いて、露光量を段階的に変化させて液浸露光した。なお、液浸媒体としては超純水を使用した。
露光後、ホットプレート上にて、表４の「ＰＥＢ」欄に記載された温度で６０秒間ポストエキスポジャーベーク（ＰＥＢ）を行い、さらに２．３８質量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で６０秒間のパドル現像を行い、レジストパターンを得た。

各レジスト膜において、ホール径７０ｎｍのマスクで形成したパターンのホール径が５５ｎｍとなる露光量を実効感度とした。

＜フォーカスマージン評価（ＤＯＦ）＞
実効感度において、フォーカスを振った場合、線幅が５５ｎｍ±５％の幅にある範囲（５２．５〜５７．７ｎｍ）を線幅指標とし、ＤＯＦを以下の２水準で評価した。すなわち、ＤＯＦが
２００ｎｍ以上であるものを「○」、
２００ｎｍ未満であるものを「×」とした。
その結果を表６に示す。

＜ＣＤ均一性（ＣＤＵ）評価＞
実効感度において、前記マスクで形成したパターンのホール径を、一つのホールにつき２４回測定し、その平均値を一つのホールの平均ホール径とした。前記マスクで同一シリコンウェハ上に形成された４００個のホールについて、平均ホール径を測定し、これらを母集団として標準偏差を求めた。
標準偏差が２．００ｎｍ未満の場合を「○」、
標準偏差が２．００ｎｍ以上の場合を「×」として判断した。
その結果を表６に示す。カッコ内の数値は標準偏差（ｎｍ）を示す。

本発明の塩を含むレジスト組成物によれば、良好なフォーカスマージン又は良好なＣＤ均一性でレジストパターンを得ることができ、中でも、良好なフォーカスマージン及び良好なＣＤ均一性でレジストストパターンを得ることができる。

Claims (5)

1. 式（Ｉ）で表される塩。
   

   

   ［式（Ｉ）中、
   Ｘは、酸素原子、硫黄原子又は−Ｎ（ＳＯ_２Ｒ^５）−を表す。
   Ｒ^５は、フッ素原子を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数３〜１２のシクロアルキル基又は炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を表し、該アルキル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
   Ａｒは、置換基を有していてもよい炭素数６〜３６の芳香族炭化水素基又は置換基を有していてもよい炭素数６〜３６のヘテロ芳香族炭化水素基を表す。
   Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、水素原子、ヒドロキシ基又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、該炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
   ｍ及びｎは、互いに独立に、１又は２を表す。ｍが２のとき、２つのＲ^１は同一であっても異なってもよく、ｎが２のとき、２つのＲ^２は同一であっても異なってもよい。
   Ｒ^３及びＲ^４は、互いに独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、Ｒ^３とＲ^４は互いに結合して環を形成してもよく、Ａｒ及びＲ^３が互いに結合して環を形成してもよい。
   Ａ⁻は、式（Ｉ−Ｂａ）で表される有機アニオン又は式（Ｉ−Ｂｂ）で表される有機アニオンを表す。
   

   

   ［式（Ｉ−Ｂａ）又は式（Ｉ−Ｂｂ）中、
   Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。
   Ｌ^２１は、単結合又は２価の炭素数１〜１７のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
   Ｙは、炭素数３〜１８の２価の脂環式炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。
   Ｒ^２３は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｒ^２４は、フッ素原子を有する炭素数１〜６のアルキル基を表す。
   Ｒ^２５及びＲ^２６は、互いに独立に、水素原子又はフッ素原子を表す。］
2. 請求項１記載の塩を有効成分として含有する酸発生剤。
3. 請求項２記載の酸発生剤と酸不安定基を有する樹脂とを含有するレジスト組成物。
4. 酸発生剤から発生する酸よりも酸性度の弱い酸を発生する塩を含有する請求項３記載のレジスト組成物。
5. （１）請求項３又は４記載のレジスト組成物を基板上に塗布する工程、
   （２）塗布後の組成物を乾燥させて組成物層を形成する工程、
   （３）組成物層に露光する工程、
   （４）露光後の組成物層を加熱する工程、及び
   （５）加熱後の組成物層を現像する工程、
   を含むレジストパターンの製造方法。