JP2014003119A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014003119A JP2014003119A JP2012136837A JP2012136837A JP2014003119A JP 2014003119 A JP2014003119 A JP 2014003119A JP 2012136837 A JP2012136837 A JP 2012136837A JP 2012136837 A JP2012136837 A JP 2012136837A JP 2014003119 A JP2014003119 A JP 2014003119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- inert gas
- gas
- processing container
- gas supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0025—Especially adapted for treating semiconductor wafers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D7/00—Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
- F27D7/06—Forming or maintaining special atmospheres or vacuum within heating chambers
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
- F27D5/0037—Supports specially adapted for semi-conductors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D11/00—Arrangement of elements for electric heating in or on furnaces
- F27D11/02—Ohmic resistance heating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】周囲に加熱手段56が設けられた縦型の処理容器4内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段22に保持された複数枚の被処理体Wに対して熱処理を施すようにした熱処理装置2において、不活性ガスを供給するガス供給系60は、処理容器4の下端部に、その周方向に沿って不活性ガスを流すために設けられたガス供給ヘッダ部68と、ガス供給ヘッダ部に処理容器内へ前記不活性ガスを導入するために設けたガス導入部70とを有するように構成する。これにより、導入される不活性ガスを加熱して処理容器の下部に粉体や液状の堆積物が付着することを抑制する。
【選択図】図1
Description
請求項1、5及びこれらを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内へ導入される不活性ガスを予め加熱するようにしたので、処理容器の下部に粉体や液状の堆積物が付着することを抑制することができる。
請求項7、9及びこれらを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内へ導入された不活性ガスを直ちに加熱できるようにしたので、処理容器の下部に粉体や液状の堆積物が付着することを抑制することができる。
請求項10、15及びこれらを引用する請求項に係る発明によれば、処理容器内へ導入される不活性ガスを予め加熱し、更に処理容器内へ導入された不活性ガスを更に加熱するようにしたので、処理容器の下部に粉体や液状の堆積物が付着することを抑制することができる。
<第1実施例>
図1は本発明に係る熱処理装置の第1実施例の一例を示す構成図、図2は熱処理装置内の保温手段の一例を示す断面図、図3はガス供給ヘッダ部とガス導入部の構成を示す断面図である。
次に本発明の熱処理装置の第2実施例について説明する。図5は本発明の熱処理装置の第2実施例の一部を示す部分構成図である。先に説明した実施例と同一構成部分については同一参照符合を付してその説明を省略する。先の第1実施例では、ガス供給系60にはガス供給ヘッダ部68等を設けるようにしたが、これに替えて、ガス供給系60に不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部を設けるようにしてもよい。
次に、本発明の熱処理装置の第3実施例について説明する。図6は本発明の熱処理装置の第3実施例の一部を示す部分構成図であり、図6(A)は処理容器の下部の構成を示し、図6(B)はその拡大図を示す。先に説明した各実施例と同一構成部分については同一参照符合を付してその説明を省略する。先の第1実施例では、ガス供給系60にはガス供給ヘッダ部68等を設けるようにしたが、これに替えて、不活性ガスを加熱する屈曲流路機構を設けるようにしてもよい。
次に、本発明の熱処理装置の第4実施例について説明する。図7は本発明の熱処理装置の第4実施例の一部を示す部分構成図である。先に説明した各実施例と同一構成部分については同一参照符合を付してその説明を省略する。先の第1実施例では、ガス供給系60にはガス供給ヘッダ部68等を設けるようにしたが、これに替えて、処理容器4の下端部に容器下部加熱手段を設けるようにしてもよい。
上述のように今までは第1実施例から第4実施例についてそれぞれ説明したが、上記第1実施例から第4実施例の内のいずれか2以上の実施例(変形実施例を含む)を組み合わせて設けるように構成してもよい。図8は上述したような各実施例を組み合わせて用いた場合の熱処理装置例の一部を示す構成図であり、図8(A)は第1実施例と第3実施例とを組み合わせた場合を示し、図8(B)は第1実施例と第4実施例とを組み合わせた場合を示す。先に説明した各実施例と同一構成部分については同一参照符合を付してその説明を省略する。
4 処理容器
4A 外壁面
4B 内壁面
12 排気系
22 ウエハボート(保持手段)
30 保温手段
56 加熱手段
60 ガス供給系
62 不活性ガス流路
68 ガス供給ヘッダ部
70 ガス導入部
74 ガス路
78 ガス噴射孔
90 不活性ガス加熱部
92 保温ヒータ部
100 屈曲流路機構
102 外側邪魔板
104 内側邪魔板
106 屈曲流路
110 容器下部加熱手段
W 半導体ウエハ(被処理体)
Claims (19)
- 周囲に加熱手段が設けられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記不活性ガスを供給するガス供給系は、
前記処理容器の下端部に、その周方向に沿って前記不活性ガスを流すために設けられたガス供給ヘッダ部と、
前記ガス供給ヘッダ部に前記処理容器内へ前記不活性ガスを導入するために設けたガス導入部とを有するように構成したことを特徴とする熱処理装置。 - 前記ガス導入部は、前記ガス供給ヘッダ部に沿って所定の間隔を隔てて複数個設けられていることを特徴とする請求項1記載の熱処理装置。
- 前記ガス供給ヘッダ部は、前記処理容器の外壁面に沿って設けられることを特徴とする請求項1又は2記載の熱処理装置。
- 前記ガス供給ヘッダ部は、前記処理容器の内壁面に沿って設けられることを特徴とする請求項1又は2記載の熱処理装置。
- 周囲に加熱手段が設けられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記不活性ガスを供給するガス供給系は、前記不活性ガスを加熱するために前記不活性ガスを流す不活性ガス流路に設けた不活性ガス加熱部を有することを特徴とする熱処理装置。 - 前記不活性ガス加熱部と前記処理容器との間に位置する前記不活性ガス流路には、該不活性ガス流路に沿って保温ヒータ部が設けられることを特徴とする請求項5記載の熱処理装置。
- 周囲に加熱手段が設けられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記処理容器の下端部と前記保持手段の下端部の温度を保温する保温手段との間に位置されて、前記下方より上方に向けて流れる前記不活性ガスの流れを阻害しつつ該不活性ガスを加熱するための屈曲された流路を形成する屈曲流路機構を設けるように構成したことを特徴とする熱処理装置。 - 前記屈曲流路機構は、
前記処理容器の下端部の内壁面に設けられたリング状の外側邪魔板と、前記保温手段に設けられて、先端が前記外側邪魔板の内周端よりも半径方向外方へ延在させるように形成された内側邪魔板とを有することを特徴とする請求項7記載の熱処理装置。 - 周囲に加熱手段が設けられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記処理容器内へ導入された前記不活性ガスを加熱するために前記処理容器の下端部に、その周方向に沿って設けられた容器下部加熱手段を有するように構成したことを特徴とする熱処理装置。 - 周囲に加熱手段が設けられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記不活性ガスを供給するガス供給系は、
前記処理容器の下端部に、その周方向に沿って前記不活性ガスを流すために設けられたガス供給ヘッダ部と、
前記ガス供給ヘッダ部に前記処理容器内へ前記不活性ガスを導入するために設けたガス導入部とを有し、
更に前記処理容器の下端部と前記保持手段の下端部の温度を保温する保温手段との間に位置されて、前記下方より上方に向けて流れる前記不活性ガスの流れを阻害しつつ該不活性ガスを加熱するための屈曲された流路を形成する屈曲流路機構を設けるように構成したことを特徴とする熱処理装置。 - 前記ガス導入部は、前記ガス供給ヘッダ部に沿って所定の間隔を隔てて複数個設けられていることを特徴とする請求項10記載の熱処理装置。
- 前記ガス供給ヘッダ部は、前記処理容器の外壁面に沿って設けられることを特徴とする請求項10又は11記載の熱処理装置。
- 前記ガス供給ヘッダ部は、前記処理容器の内壁面に沿って設けられることを特徴とする請求項10又は11記載の熱処理装置。
- 前記屈曲流路機構は、
前記処理容器の下端部の内壁面に設けられたリング状の外側邪魔板と、前記保温手段に設けられて、先端が前記外側邪魔板の内周端よりも半径方向外方へ延在させるように形成された内側邪魔板とを有することを特徴とする請求項10乃至13のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 周囲に加熱手段が設けられた縦型の処理容器内にその下方から上方に向けて不活性ガスを流しつつ保持手段に保持された複数枚の被処理体に対して熱処理を施すようにした熱処理装置において、
前記不活性ガスを供給するガス供給系は、
前記処理容器の下端部に、その周方向に沿って前記不活性ガスを流すために設けられたガス供給ヘッダ部と、
前記ガス供給ヘッダ部に前記処理容器内へ前記不活性ガスを導入するために設けたガス導入部とを有とを有し、
更に前記処理容器の下端部に設けられて、その周方向に沿って前記処理容器内へ導入された前記不活性ガスを加熱する容器下部加熱手段を有するように構成したことを特徴とする熱処理装置。 - 前記ガス導入部は、前記ガス供給ヘッダ部に沿って所定の間隔を隔てて複数個設けられていることを特徴とする請求項15記載の熱処理装置。
- 前記ガス供給ヘッダ部は、前記処理容器の外壁面に沿って設けられることを特徴とする請求項15又は16記載の熱処理装置。
- 前記ガス供給ヘッダ部は、前記処理容器の内壁面に沿って設けられることを特徴とする請求項15又は16記載の熱処理装置。
- 前記熱処理は、前記被処理体の表面に形成されているフォトレジストを焼き締める焼き締め処理であることを特徴とする請求項1乃至18のいずれか一項に記載の熱処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012136837A JP5966649B2 (ja) | 2012-06-18 | 2012-06-18 | 熱処理装置 |
KR1020130067236A KR101726021B1 (ko) | 2012-06-18 | 2013-06-12 | 열처리 장치 |
US13/917,759 US20130337394A1 (en) | 2012-06-18 | 2013-06-14 | Heat treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012136837A JP5966649B2 (ja) | 2012-06-18 | 2012-06-18 | 熱処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014003119A true JP2014003119A (ja) | 2014-01-09 |
JP5966649B2 JP5966649B2 (ja) | 2016-08-10 |
Family
ID=49756218
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012136837A Active JP5966649B2 (ja) | 2012-06-18 | 2012-06-18 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130337394A1 (ja) |
JP (1) | JP5966649B2 (ja) |
KR (1) | KR101726021B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160012912A (ko) | 2014-07-24 | 2016-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2020203517A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594980A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 熱処理装置 |
JPH11283928A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2001345314A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JP2005347697A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Nec Electronics Corp | 熱処理装置および熱処理方法 |
WO2008016143A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Appareil de traitement de substrat et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5321125B2 (ja) * | 1972-07-31 | 1978-06-30 | ||
JPH0566965U (ja) * | 1992-02-21 | 1993-09-03 | ヤマハ株式会社 | 縦型熱処理炉 |
US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
JP3218164B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の支持ボート、熱処理装置及び熱処理方法 |
JP3423131B2 (ja) * | 1995-11-20 | 2003-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び処理装置 |
US6246029B1 (en) * | 1999-02-19 | 2001-06-12 | Seh America, Inc. | High temperature semiconductor crystal growing furnace component cleaning method |
JP3403181B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2003-05-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP3912208B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2007-05-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
KR101016063B1 (ko) * | 2008-10-23 | 2011-02-23 | 주식회사 테라세미콘 | 고온 퍼니스 |
JP2010153467A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP5444961B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP5504793B2 (ja) * | 2009-09-26 | 2014-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び冷却方法 |
JP5545061B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2014-07-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び成膜方法 |
JP2012004408A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 支持体構造及び処理装置 |
JP5589878B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2014-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
WO2014035480A1 (en) * | 2012-08-30 | 2014-03-06 | General Electric Company | Induction furnace with uniform cooling capability |
-
2012
- 2012-06-18 JP JP2012136837A patent/JP5966649B2/ja active Active
-
2013
- 2013-06-12 KR KR1020130067236A patent/KR101726021B1/ko active IP Right Grant
- 2013-06-14 US US13/917,759 patent/US20130337394A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0594980A (ja) * | 1991-10-01 | 1993-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 熱処理装置 |
JPH11283928A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-15 | Kokusai Electric Co Ltd | 熱処理装置 |
JP2001345314A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理装置及びその方法 |
JP2005347697A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Nec Electronics Corp | 熱処理装置および熱処理方法 |
WO2008016143A1 (fr) * | 2006-08-04 | 2008-02-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Appareil de traitement de substrat et procédé de fabrication d'un dispositif semi-conducteur |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160012912A (ko) | 2014-07-24 | 2016-02-03 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 및 열처리 방법 |
US9578688B2 (en) | 2014-07-24 | 2017-02-21 | Tokyo Electron Limited | Heat treatment apparatus and heat treatment method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130337394A1 (en) | 2013-12-19 |
JP5966649B2 (ja) | 2016-08-10 |
KR20130142074A (ko) | 2013-12-27 |
KR101726021B1 (ko) | 2017-04-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI611043B (zh) | 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體 | |
TWI610395B (zh) | 支持體構造、處理容器構造及處理設備 | |
JP6468884B2 (ja) | 排気システム | |
JP6385748B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 | |
JP4952610B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法並びに記憶媒体 | |
JP6600408B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 | |
JP6815526B2 (ja) | 基板処理装置、ヒータ装置、半導体装置の製造方法 | |
JP2007194269A (ja) | 熱処理装置 | |
JP2012004408A (ja) | 支持体構造及び処理装置 | |
JP6019792B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2020017757A (ja) | 基板処理装置、反応容器および半導体装置の製造方法 | |
JP5933399B2 (ja) | 熱処理装置 | |
KR20150128596A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 부착물 제거 방법 및 기억 매체 | |
JP5966649B2 (ja) | 熱処理装置 | |
TWI660401B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP5708843B2 (ja) | 支持体構造及び処理装置 | |
JP6964475B2 (ja) | 基板保持具及び基板処理装置 | |
JP2007080939A (ja) | 基板処理装置 | |
TW202117894A (zh) | 熱處理裝置及處理方法 | |
TW202411793A (zh) | 熱處理裝置、熱處理方法及記錄媒體 | |
JP2011086827A (ja) | 基板加熱装置、基板加熱方法及び記憶媒体 | |
JP2004079845A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH11111602A (ja) | 露光後ベーク装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151027 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151204 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160426 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20160509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160607 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5966649 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |