TWI660401B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明之基板處理裝置具備：支持構件、遮罩、供氣單元、及排氣單元。供氣單元向基板之上表面與頂面間之空間，自該空間之周圍供給自供氣口噴出之氣體。排氣單元於頂面中經由於與基板之上表面中心部對向之位置開口之排氣口排出基板之上表面與頂面間的氣體。基板之上表面與頂面在基板之上表面中心部的間隔，窄於基板之上表面與頂面在基板之上表面外周部的間隔。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明係關於處理基板之基板處理裝置及基板處理方法。處理對象之基板包含例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display：場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，使用處理半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板之基板處理裝置。專利文獻1之基板處理裝置具備：烘箱：其加熱塗佈有抗蝕劑之基板，並執行去除包含於抗蝕劑膜之溶劑之PAB步驟。 專利文獻1之烘箱包含：加熱板，其一面水平支持基板一面加熱；及頂板，其配置於基板之上方。噴出乾燥空氣之氣體供給口配置於較基板更外側，排出乾燥空氣之中心排氣口於頂板之頂面中於與基板上表面之中心部對向之位置開口。 自氣體供給口噴出之乾燥空氣於基板之上表面與頂板之頂面之間朝向基板之中心流通，並排出至中心排氣口。因基板之加熱而自抗蝕劑膜蒸發之溶劑與乾燥空氣一起被排出至中心排氣口。基板之上表面與頂板之頂面之間隔於基板上表面之外周部至基板上表面之中心部固定。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2011-175998號公報
[發明所欲解決之問題] 根據本發明者等人之研究，已知於專利文獻1之烘箱中於基板上表面之中心部有可能會造成處理速度降低。本發明者等人考慮其原因之一如下。 即，於專利文獻1之烘箱中，自氣體供給口噴出之乾燥空氣於基板之上表面與頂板之頂面之間朝基板之中心流通。如圖13所示，於中心排氣口之附近，乾燥空氣並非一面接觸基板之上表面一面流通，而是自基板之上表面朝中心排氣口流通。因此，於中心排氣口之正下方產生氣體流動性相對較低之滯留區域(圖13中由二點鏈線包圍之區域)。其係被認為是使處理速度降低之原因之一。 因此，本發明之目的之一在於提供一種於一面形成沿著基板之上表面自基板之外周朝基板之中心流通之氣流一面處理基板之製程中可提高基板處理之均一性的基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題之技術手段] 本發明之一實施形態提供一種基板處理裝置，其具備：支持構件，其水平地支持基板；遮罩，其包含與支持於上述支持構件之上述基板之上表面對向的頂面、及圍繞支持於上述支持構件之上述基板之筒狀面，且形成為上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔，窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔；供氣單元，其包含配置於較支持於上述支持構件之上述基板更外側、且圍繞通過支持於上述支持構件之上述基板之中心部之鉛直線之環狀供氣口，向支持於上述支持構件之上述基板之上表面與上述頂面間之空間，自該空間之周圍供給自上述供氣口噴出之氣體；及排氣單元，其包含於上述頂面中於與上述基板之上表面中心部對向之位置開口之排氣口，且將上述基板之上表面與上述頂面間之氣體經由上述排氣口排出。 根據該構成，自環狀之供氣口噴出之氣體於基板之上表面與遮罩之頂尖之間朝向基板之中心流通，且朝與基板之上表面中心部對向之排氣口排出。藉此，將朝向基板之中心流通之氣流形成於基板之上方。 基板之上表面與頂面在基板之上表面中心部之間隔，窄於基板之上表面與頂面在基板之上表面外周部之間隔。因此，自供氣口噴出之氣體藉由頂面被引導至基板之上表面中心部。藉此，可抑制或防止於排氣口之正下方產生氣體之流動性相對較低之滯留區域，可提高基板處理之均一性。 再者，基板之上表面與頂面之間隔並非所到之處均較窄，而是基板之上表面中心部較窄。若基板之上表面與頂面之間隔所到之處均較窄，則施加於供給至基板之上表面與頂面間之空間之氣體之阻力增加，而會阻礙該空間順暢之氣體流通。因此，藉由將基板之上表面與頂面之間隔局部地狹窄化，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面抑制或防止於排氣口之正下方產生滯留區域。 自供氣口噴出之氣體可為與基板反應之反應氣體，亦可為惰性氣體、乾燥空氣、及清潔空氣等不與基板反應之氣體，還可為該等氣體以外之氣體。環狀之供氣口可為於周方向排列之複數個噴出口，亦可為遍及整周連續之1條狹縫。包含於複數個噴出口之噴出口可為圓形或橢圓形之噴出口，亦可為於周方向延伸之切槽。 於本實施形態中，可將以下特徵之至少一者添加於上述基板處理裝置。 上述基板之上表面與上述頂面之間隔係於上述基板之上表面外周部至上述基板之上表面中心部隨著接近上述鉛直線而階段性或連續性減少。 若急劇地使氣流於基板之上表面轉換方向，則會產生氣流之紊亂。根據該構成，於基板之上表面與頂面之間之空間朝內側流通之氣體隨著基板之上表面與頂面之間隔減少而被階段性或連續性引導至基板之上表面。藉此，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面使朝向基板中心流通之氣流逐漸接近基板之上表面。 上述頂面包含朝向上述鉛直線向斜下方延伸之環狀傾斜部。 根據該構成，將朝向鉛直線向斜下方延伸之環狀傾斜部設置於頂面。換言之，基板之上表面與頂面之間隔隨著接近基板之上表面中心部而連續地減少。於基板之上表面與頂面之間之空間朝內側流通之氣體藉由頂面之傾斜部而被連續地引導至基板之上表面。因此，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面使朝向基板中心流通之氣流逐漸接近基板之上表面。 上述遮罩進而包含具有圓弧狀之鉛直剖面，且自上述頂面之外緣向上述筒狀面之上緣延伸之環狀角部。 根據該構成，自頂面之外緣向筒狀面之上緣延伸之環狀角部具有圓弧狀之鉛直剖面。於角部之鉛直剖面為L字狀之情形時，會於角部產生滯留區域。因此，藉由將具有圓弧狀之鉛直剖面之角部設置於遮罩，可抑制或防止產生此種滯留區域。 上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔，窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔，且寬於上述基板之厚度。 根據該構成，基板之上表面中心部與頂面之間隔不僅窄於基板之上表面外周部與頂面之間隔，還寬於基板之厚度。排氣口於頂面中與基板之上表面中心部對向之位置開口。基板之上表面至排氣口之鉛直方向之距離寬於基板之厚度。當排氣口過度接近基板之上表面時，會對欲進入排氣口與基板之間之氣體施加較大之阻力。因此，藉由使排氣口離開基板之上表面適當之距離，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面使抑制或防止於排氣口之正下方產生滯留區域。 上述供氣口配置於較支持於上述支持構件之上述基板之上表面更上方且較上述頂面更下方之高度，且於俯視下，朝向支持於上述支持構件之上述基板之上表面中心部之噴出方向噴出氣體。 於供氣口鉛直噴出氣體之情形時，噴出之氣體轉換大致90度方向後，朝向基板之中心朝內側流通。根據該構成，供氣口於基板之上表面與頂面之間之空間水平對向。自供氣口噴出之氣體無須以較大之角度轉換方向，而沿著基板之上表面朝內側流通。因此，與供氣口鉛直噴出氣體之情形相比，可抑制或防止產生基板外周部之氣流紊亂。 若為俯視時朝向基板之上表面中心部之方向，則噴出方向可為水平方向，亦可為相對於水平面傾向上方或下方之傾斜方向。 上述基板處理裝置進而具備：加熱器，其配置於由上述支持構件所支持之上述基板之下方，且產生朝上述基板供給之熱；且上述供氣單元包含將與上述基板反應之反應氣體朝上述供氣口供給之反應氣體供給單元。 根據該構成，自供氣口噴出與基板反應之反應氣體，並供給至基板之上表面。藉此，以反應氣體處理基板之上表面。再者，反應氣體供給至藉由加熱器加熱之基板之上表面。藉此，可促進基板與反應氣體之反應。 上述基板處理裝置進而具備：濕處理單元，其以處理液處理上述基板；及搬送單元，其自包含上述支持構件及遮罩之乾燥處理單元向上述濕處理單元搬送上述基板。 根據該構成，於包含支持構件及遮罩之乾燥處理單元執行不向基板供給液體而處理該基板之乾燥處理步驟。隨後，搬送單元將基板自乾燥處理單元搬送至濕處理單元。於濕處理單元中，執行向基板供給處理液之濕處理步驟。因此，可於相同之基板裝置中執行乾燥處理步驟及濕處理步驟兩者。再者，由於於不同之單元執行乾燥處理步驟及濕處理步驟，故可抑制或防止各單元之複雜化。 上述基板處理裝置係藉由將與上述基板反應之反應氣體朝上述基板供給，而去除位於形成於上述基板之上表面之薄膜圖案上之抗蝕劑圖案的裝置。 根據該構成，以自供氣口噴出之反應氣體充滿基板之上表面與頂面之間之空間，而將反應氣體均一地供給至包含中心部之基板之上表面各部。藉此，可自形成基板表層之薄膜圖案去除抗蝕劑圖案。 上述基板處理裝置進而具備：加熱器，其配置於由上述支持構件支持之上述基板之下方，且產生朝上述基板供給之熱；且上述供氣單元包含將臭氧氣體朝上述供氣口供給之臭氧氣體供給單元。 根據該構成，將自供氣口噴出之臭氧氣體供給至基板之上表面。抗蝕劑圖案因抗蝕劑與臭氧氣體之反應而氣化或變質。再者，臭氧氣體被供給至藉由加熱器加熱之基板之上表面。藉此，可促進抗蝕劑與臭氧氣體之反應，可短時間內使抗蝕劑圖案均一地與臭氧氣體反應。 本發明之另一實施形態提供一種基板處理方法，其包含以下步驟：支持步驟，其以支持構件水平地支持基板；覆蓋步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，將支持於上述支持構件之上述基板配置於遮罩之內部，該遮罩包含於與支持於上述支持構件之上述基板之上表面對向的頂面、及圍繞支持於上述支持構件之上述基板之筒狀面，且形成為上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔；供氣步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，向支持於上述支持構件之上述基板之上表面與上述頂面間之空間，自該空間之周圍供給自環狀供氣口噴出之氣體，該環狀供氣口配置於較支持於上述支持構件之上述基板更外側，且圍繞通過支持於上述支持構件之上述基板之中心部之鉛直線；及排氣步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，將上述基板之上表面與上述頂面間之氣體經由於上述頂面中於與上述基板之上表面中心部對向之位置開口之排氣口排出。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 於本實施形態中，可將以下特徵之至少一者添加於上述基板處理方法。 上述基板之上表面與上述頂面之間隔係於上述基板之上表面外周部至上述基板之上表面中心部隨著接近上述鉛直線而階段性或連續性減少。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述頂面包含朝向上述鉛直線向斜下方延伸之環狀傾斜部。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述遮罩進而包含具有圓弧狀之鉛直剖面，且自上述頂面之外緣向上述筒狀面之上緣延伸之環狀角部。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔，窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔，且寬於上述基板之厚度。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述供氣口配置於較支持於上述支持構件之上述基板之上表面更上方且較上述頂面更下方之高度，且於俯視下，朝向支持於上述支持構件之上述基板之上表面中心部之噴出方向噴出氣體。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述基板處理方法進而包含：加熱步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，且以配置於由上述支持構件支持之上述基板之下方之加熱器所產生之熱加熱上述基板，且上述供氣步驟包含：自上述供氣口噴出與上述基板反應之反應氣體之步驟。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述基板處理方法進而包含：搬送步驟，其自執行上述支持步驟、覆蓋步驟、供氣步驟、及排氣步驟之乾燥處理單元以搬送單元向以處理液處理上述基板之濕處理單元搬送上述基板；及濕處理步驟，其於執行上述搬送步驟後，以上述濕處理單元處理上述基板。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述基板處理方法係藉由將與上述基板反應之反應氣體朝上述基板供給，而去除位於形成於上述基板之上表面之薄膜圖案上之抗蝕劑圖案的方法。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 上述基板處理方法進而包含：加熱步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，且以配置於由上述支持構件支持之上述基板之下方之加熱器所產生之熱加熱上述基板，且上述供氣步驟包含：自上述供氣口噴出臭氧氣體之步驟。根據該方法，可取得與上述效果同樣之效果。 本發明之上述、或進而其他之目的、特徵及效果藉由以下參照隨附圖式進行敍述之實施形態之說明予以明瞭。
圖1係顯示本發明一實施形態之基板處理裝置1之概略構成之模式性俯視圖。 基板處理裝置1係逐片處理半導體晶圓等圓板狀之基板W之單片式裝置。基板處理裝置1包含：複數個裝載埠LP(Load Port)，其等各自保持收容基板W之複數個托架C；及複數個處理單元2，其等以處理液或處理氣體等處理流體處理自複數個裝載埠LP搬送之基板W。 基板處理裝置1進而包含：搬送基板W之搬送單元、及控制基板處理裝置1之控制裝置3。控制裝置3係包含記憶程式等資訊之記憶體3m、與根據記憶於記憶體3m之資訊控制基板處理裝置1之處理器3p的電腦。 搬送單元包含：配置於自複數個裝載埠LP朝複數個處理單元2延伸之搬送路徑上之分度機器人IR、梭子SH、及中心機器人CR。分度機器人IR於複數個裝載埠LP與梭子SH之間搬送基板W。梭子SH於分度機器人IR與中心機器人CR之間搬送基板W。中心機器人CR於梭子SH與複數個處理單元2之間搬送基板W。中心機器人CR進而於複數個處理單元2之間搬送基板W。圖1所示之粗線箭頭表示分度機器人IR及梭子SH之移動方向。 複數個處理單元2形成分別配置於水平分開之4個位置之4個塔。各塔包含於上下方向積層之複數個處理單元2。4個塔於搬送路徑之兩個各配置2個。複數個處理單元2包含：使基板W乾燥後直接處理該基板W之複數個乾燥處理單元2D，及以處理液處理基板W之複數個濕處理單元2W。裝載埠LP側之2個塔由複數個乾燥處理單元2D形成，其餘之2個塔由複數個濕處理單元2W形成。 乾燥處理單元2D包含：乾燥腔室4，其設置有供基板W通過之搬入搬出口；擋板5，其開閉乾燥腔室4之搬入搬出口；加熱單元8，其於乾燥腔室4內一面加熱基板W一面將處理氣體供給至基板W；冷卻單元7，其將藉由加熱單元8加熱之基板W於乾燥腔室4內冷卻；及室內搬送機構6，其於乾燥腔室4內搬送基板W。 濕處理單元2W包含：濕腔室9，其設置有供基板W通過之搬入搬出口；擋板10，其開閉濕腔室9之搬入搬出口；旋轉夾盤11，其於濕腔室9內一面水平保持基板W一面繞通過基板W中心部之鉛直旋轉軸線A1旋轉；及複數個噴嘴，其等朝保持於旋轉夾盤11之基板W噴出處理液。 複數個噴嘴包含噴出藥液之藥液噴嘴12、及噴出清洗液之清洗液噴嘴13。控制裝置3一面使基板W保持於旋轉夾盤11之複數個夾盤銷，一面使旋轉夾盤11之旋轉馬達讓基板W旋轉。於該狀態下，控制裝置3使藥液噴嘴12或清洗液噴嘴13朝向基板W之上表面噴出液體。藉此，以液膜覆蓋基板W之整個上表面。隨後，控制裝置3使基板W於旋轉夾盤11高速旋轉，而使基板W乾燥。 圖2係顯示藉由基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例的步驟圖。圖3係顯示執行圖2所示之基板W之處理一例之前與之後之基板W之剖面的模式圖。控制裝置3以使基板處理裝置1執行以下之動作之方式被程式化。 如圖3之左側所示，以基板處理裝置1處理之基板W係蝕刻由抗蝕劑圖案PR覆蓋之薄膜，而形成薄膜圖案PF之已進行蝕刻處理步驟的基板。即，將收容有此種基板W之托架C放置於裝載埠LP上。如以下說明般，於基板處理裝置1中，進行去除位於薄膜圖案PF上之抗蝕劑圖案PR之抗蝕劑去除步驟。圖3之右側顯示已進行抗蝕劑去除步驟之基板W之剖面。 於以基板處理裝置1處理基板W時，分度機器人IR、梭子SH、及中心機器人CR將放置於裝載埠LP之托架C內之基板W搬送至乾燥處理單元2D(圖2之步驟S1)。於乾燥處理單元2D中，進行一面加熱基板W，一面將臭氧氣體供給至基板W之乾燥處理步驟(圖2之步驟S2)。隨後，中心機器人CR將乾燥處理單元2D內之基板W搬入濕處理單元2W(圖2之步驟S3)。 於濕處理單元2W中，進行一面使基板W旋轉，一面將處理液供給至基板W之上表面之濕處理步驟(圖2之步驟S4)。具體而言，進行一面使基板W旋轉，一面使藥液噴嘴12朝向基板W之上表面噴出藥液之藥液供給步驟。隨後，進行一面使基板W旋轉，一面使清洗液噴嘴13朝向基板W之上表面噴出清洗液之清洗液供給步驟。隨後，進行藉由使基板W高速旋轉而使基板W乾燥之乾燥步驟。接著，分度機器人IR、梭子SH、及中心機器人CR將濕處理單元2W內之基板W搬送至放置於裝載埠LP之托架C(圖2之步驟S5)。 接著，對加熱單元8詳細地進行說明。 圖4係顯示加熱單元8之鉛直剖面(以鉛直面切斷之剖面)之模式性剖視圖。圖5係遮罩30之模式性俯視圖。圖5係於圖4所示之箭頭V方向觀察遮罩30之圖。圖6係加熱板21之模式性俯視圖。圖7係將圖4之局部放大之放大剖視圖。於以下，只要無特別說明，則對遮罩30位於下位置(圖4所示之位置)之狀態進行說明。 如圖4所示，加熱單元8包含：加熱板21，其一面水平支持基板W一面進行加熱；遮罩30，其配置於由加熱板21支持之基板W之上方；及底環27，其支持遮罩30。 加熱單元8進而包含：遮罩升降致動器29，其使遮罩30相對於加熱板21及底環27升降；O形環28，其密閉遮罩30與底環27之間之間隙；複數根提升銷24，其等於加熱板21與遮罩30之間水平支持基板W；及提升裝置升降致動器26，其使複數根提升銷24升降。 加熱板21包含：加熱器22，其產生焦耳熱；及支持構件23，其水平支持基板W，且將加熱器22之熱傳遞至基板W。加熱器22及支持構件23配置於基板W之下方。加熱器22連接於向加熱器22供給電力之配線(未圖示)。加熱器22可配置於支持構件23之下方，亦可配置於支持構件23之內部。 如圖4及圖6所示，加熱板21之支持構件23包含：圓板狀之基底部23b，其配置於基板W之下方；複數個半球狀之突出部23a，其等自基底部23b之上表面向上方突出；及圓環狀之凸緣部23c，其自基底部23b之外周面向外方突出。基底部23b之上表面與基板W之下表面平行，且具有大於基板W外徑之外徑。複數個突出部23a於自基底部23b之上表面向上方離開之位置接觸基板W之下表面。複數個突出部23a以水平支持基板W之方式配置於基底部23b之上表面內之複數個位置。基板W以基板W之下表面自基底部23b之上表面向上方離開之狀態水平地受支持。 如圖4所示，複數根提升銷24分別插入貫通加熱板21之複數個貫通孔。藉由圍繞提升銷24之波紋管25防止流體自加熱單元8之外進入貫通孔。加熱單元8可代替波紋管25或除了波紋管25以外，還具備密閉提升銷24之外周面與貫通孔之內周面之間之間隙的O形環。提升銷24包含接觸基板W之下表面之半球狀之上端部。複數根提升銷24之上端部配置於相同之高度。 提升裝置升降致動器26使複數根提升銷24於上位置與下位置之間朝鉛直方向移動，該上位置係複數根提升銷24之上端部位於較加熱板21更上方的位置(圖9A所示之位置)，該下位置係複數根提升銷24之上端部退避至加熱板21之內部的位置(圖4所示之位置)。提升裝置升降致動器26可為電動馬達或氣缸，亦可為該等以外之致動器。關於遮罩升降致動器29等其他致動器亦同樣。 若於將基板W支持於加熱板21之狀態，提升裝置升降致動器26使複數根提升銷24自下位置上升至上位置，則基板W之下表面自加熱板21之複數個突出部23a離開，而接觸複數根提升銷24。與此相反，若於將基板W支持於提升銷24之狀態，提升裝置升降致動器26使複數根提升銷24自上位置下降至下位置，則基板W之下表面自複數根提升銷24離開，而接觸加熱板21之複數個突出部23a。如此，於加熱板21與複數根提升銷24之間交接基板W。 底環27配置於加熱板21之凸緣部23c之上表面上。底環27於加熱板21之徑向空出間隔地圍繞基底部23b。底環27之上表面配置於較基底部23b之上表面更下方。O形環28嵌入自底環27之上表面向下方凹陷之環狀槽。若將遮罩30載置於底環27上，則收容支持於加熱板21之基板W之密閉空間SP由加熱板21、遮罩30、及底環27形成。 遮罩升降致動器29使遮罩30於上位置(圖9A所示之位置)與下位置(圖4所示之位置)之間鉛直地移動。上位置係以基板W可於遮罩30之下表面與底環27之上表面之間通過之方式使遮罩30之下表面自底環27之上表面向上方離開的位置。下位置係將遮罩30之下表面與底環27之上表面之間之間隙密閉，而形成收容支持於加熱板21之基板W之密閉空間SP的位置。 遮罩30包含：俯視時圓形之上板32，其配置於由加熱板21支持之基板W之上方；下環34，其具有大於基板W之外徑之內徑；環狀之板狀密封件33，其密閉上板32之下表面與下環34之上表面之間之間隙；及中央區塊31，其插入貫通上板32之中心部之中心貫通孔。中央區塊31支持於上板32，下環34隔著板狀密封件33連結於上板32。上板32包含具有與基板W之上表面平行之下表面之板部32a。中央區塊31自板部32a之下表面向下方突出。 於遮罩30之內表面包含：俯視圓形之頂面41，其配置於基板W之上方；筒狀面43，其具有大於基板W之外徑之直徑；及環狀之角部42，其自頂面41之外緣向筒狀面43之上緣延伸。頂面41具有較基板W之外徑更大之外徑。角部42具有例如L字狀之鉛直剖面。 頂面41包含：中央水平部41a，其與通過基板W之中心部之鉛直線A2同軸且水平；環狀之中央傾斜部41b，其自中央水平部41a之外緣向斜上外方延伸；環狀之中央鉛直部41c，其自中央傾斜部41b之外緣向鉛直上方延伸；及環狀之外側水平部41d，其自中央鉛直部41c之上端向外方水平延伸。角部42自外側水平部41d之外緣延伸至筒狀面43之上緣。 基板處理裝置1包含：供氣單元，其向加熱單元8之內部供給氣體；及排氣單元，其排出加熱單元8內之氣體。供氣單元包含：噴出氣體之複數個供氣口46；及供給路徑47，其將氣體引導至各供氣口46。排氣單元包含：排氣口44，其供自複數個供氣口46噴出之氣體流入；及排氣路徑45，其將流入至排氣口44內之氣體引導至加熱單元8之外。 排氣口44於遮罩30之內表面所含之中央水平部41a開口。排氣口44為圓形或橢圓形。排氣口44隔著空間於鉛直方向與基板W之上表面對向。排氣口44配置於較供氣口46更上方。排氣路徑45自排氣口44延伸至遮罩30之外表面。排氣路徑45設置於中央區塊31。排氣路徑45於鉛直方向貫通中央區塊31。 供氣口46於遮罩30之內表面所含之筒狀面43開口。供氣口46為圓形或橢圓形。供氣口46亦可向周方向延伸。複數個供氣口46均配置於相同高度。供氣口46配置於較基板W之上表面更上方且較遮罩30之頂面41更下方之高度。複數個供氣口46於加熱板21之周方向等間隔排列。 如圖4及圖5所示，供給路徑47包含：複數條上游路徑47a，其等自遮罩30之外表面向遮罩30之內部延伸；上游環狀路徑47b，其連接於各上游路徑47a，且圍繞鉛直線A2；複數條中間路徑47c，其等自上游環狀路徑47b向下方延伸；下游環狀路徑47d，其連接於各中間路徑47c，且圍繞鉛直線A2；及複數條下游路徑47e，其等自下游環狀路徑47d延伸至複數個供氣口46。 上游路徑47a及上游環狀路徑47b設置於上板32。中間路徑47c設置於板狀密封件33。下游環狀路徑47d及下游路徑47e設置於下環34。上游環狀路徑47b及下游環狀路徑47d藉由板狀密封件33而相互隔開。中間路徑47c於上游環狀路徑47b至下游環狀路徑47d向下方延伸。如圖5所示，複數條中間路徑47c配置於俯視時不與複數條上游路徑47a重疊之位置。 如圖4所示，下游路徑47e配置於下游環狀路徑47d之內側。下游路徑47e於下游環狀路徑47d至供氣口46水平延伸。供氣口46將自下游路徑47e供給之氣體向朝向鉛直線A2之水平噴出方向D1噴出。若為俯視時朝向基板W之上表面之中心部之方向，則噴出方向D1可為相對於水平面傾向上方或下方之傾斜方向。 如圖7所示，基板W之上表面與頂面41之間隔，即基板W之上表面至頂面41之鉛直方向之距離於基板W之中心部最窄，於基板W之外周部最寬。更具體而言，基板W上表面中心部之基板W之上表面與頂面41之間隔Gc窄於基板W之上表面外周部之基板W之上表面與頂面41之間隔Ge。間隔Gc寬於基板W之厚度T1，且較相當於朝鉛直方向之供氣口46之長度之供氣口46之直徑D2更寬。間隔Gc可為供氣口46之直徑D2以下。 基板W之上表面中心部之基板W之上表面與頂面41之間隔Gc與基板W之上表面至排氣口44之鉛直方向之距離相等。間隔Gc窄於排氣口44之直徑D3，窄於中央區塊31之突出量，即外側水平部41d至中央水平部41a之鉛直方向之距離G1。中央區塊31之半徑R1，即鉛直線A2至中央傾斜部41b之外端(上端)之徑向距離R1短於中央傾斜部41b之外端至筒狀面43之徑向距離R2。該等尺寸係單純具體例，並非限定於此者。 圖8係顯示向加熱單元8供給氣體之供氣單元與自加熱單元8排出氣體之排氣單元的模式圖。 供氣單元包含：第1共通配管55，其引導自複數個供氣口46噴出之氣體；及第2共通配管56，其將自第1共通配管55供給之氣體引導至供給路徑47。 排氣單元包含：第1排氣配管60，其引導排出至排氣口44之氣體；第2排氣配管61，其引導自第1排氣配管60供給之氣體；及臭氧過濾器62，其去除於第2排氣配管61流通之氣體所包含之臭氧。 供氣單元包含：第1臭氧氣體配管52，其引導臭氧氣體產生單元51中產生之臭氧氣體；第2臭氧氣體配管53，其將自第1臭氧氣體配管52供給之臭氧氣體引導至第1共通配管55；及臭氧氣體供給閥門54，其介裝於第2臭氧氣體配管53。 供氣單元進而包含：第1氮氣配管57，其引導自氮氣供給源供給之氮氣；第2氮氣配管58，其將自第1氮氣配管57供給之氮氣引導至第1共通配管55；及氮氣供給閥門59，其介裝於第2氮氣配管58。 雖未圖示，但臭氧氣體供給閥門54包含：形成流道之閥門本體、配置於流道內之閥體、及使閥體移動之致動器。關於其他之閥門亦同樣。致動器可為空壓致動器或電動致動器，亦可為該等以外之致動器。藉由控制裝置3控制致動器，而使臭氧氣體供給閥門54開閉。 臭氧氣體產生單元51係產生適於基板W之處理之高濃度之臭氧氣體的單元。包含於臭氧氣體之臭氧濃度之具體例係250～300 g/m3 。臭氧氣體產生單元51可配置於基板處理裝置1之中，亦可配置於基板處理裝置1之外。於後者之情形時，臭氧氣體產生單元51可配置於基板處理裝置1周圍，亦可配置於設置有基板處理裝置1之無塵室之下邊(地面)。 當臭氧氣體供給閥門54打開時，臭氧氣體產生單元51中產生之臭氧氣體依序經由第1臭氧氣體配管52、第2臭氧氣體配管53、第1共通配管55、及第2共通配管56供給至加熱單元8，並自複數個供氣口46噴出。同樣地，當氮氣供給閥門59打開時，氮氣依序經由第1氮氣配管57、第2氮氣配管58、第1共通配管55、及第2共通配管56供給至加熱單元8，並自複數個供氣口46噴出。 臭氧氣體於關閉加熱單元8之狀態，即遮罩30位於下位置之狀態自複數個供氣口46噴出。自複數個供氣口46噴出之臭氧氣體經由排氣口44排出至第1排氣配管60。第1排氣配管60內之臭氧氣體於第2排氣配管61流通，並通過臭氧過濾器62。藉此，於第2排氣配管61流通之氣體所包含之臭氧之濃度降低。將通過臭氧過濾器62之氣體朝向設置有基板處理裝置1之工廠所設置之排氣設備引導。 圖9A～圖9F係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟(步驟S2)時之加熱單元8之狀態之一例的模式圖。 如圖9A所示，於將基板W搬入至乾燥處理單元2D時，擋板開閉致動器63使擋板5位於開位置，遮罩升降致動器29及提升裝置升降致動器26使遮罩30及複數根提升銷24位於上位置。於該狀態下，中心機器人CR一面以手H支持基板W，一面使手H進入乾燥腔室4內。隨後，將器件形成面即表面朝上之基板W放置於複數根提升銷24上。基板W可藉由中心機器人CR之手H放置於複數根提升銷24上，亦可藉由室內搬送機構6(參照圖1)放置於複數根提升銷24上。 中心機器人CR於將手H上之基板W交接至乾燥處理單元2D後，使手H移動至乾燥腔室4之外。隨後，擋板開閉致動器63使擋板5移動至閉位置，而關閉乾燥腔室4之搬入搬出口。再者，如圖9B所示，提升裝置升降致動器26使複數根銷24移動至下位置，遮罩升降致動器29使遮罩30移動至下位置。藉此，將基板W支持於加熱板21。加熱板21於將基板W支持於加熱板21之前便維持高於室溫之溫度(例如100℃以上)。於將基板W支持於加熱板21時，開始基板W之加熱。 接著，如圖9C所示，打開臭氧氣體供給閥門54，複數個供氣口46開始噴出臭氧氣體。臭氧氣體自複數個供氣口46朝向基板W之中心沿著基板W之上表面流通。藉此，形成自基板W之上表面外周朝向基板W之上表面中心流通之複數個氣流。密閉空間SP內之空氣因臭氧氣體而被引導至排氣口44，並經由排氣口44排出至密閉空間SP之外。藉此，以臭氧氣體充滿密閉空間SP。 進而，密閉空間SP內之臭氧氣體因後續噴出之臭氧氣體而被引導至排氣口44，並經由排氣口44排出至密閉空間SP之外。因此，以自複數個供氣口46噴出之緊隨以後之臭氧氣體繼續充滿密閉空間SP。自供氣口46噴出之臭氧氣體容易於短時間內濃度大幅降低。因此，繼續將濃度降低幅度較小之臭氧氣體，即活性較高之臭氧氣體供給至基板W之上表面。 圖10係用以說明沿著基板W之上表面自基板W之外周向基板W之中心流通之氣體流通的模式性剖視圖。自供氣口46噴出之臭氧氣體於遮罩30之外側水平部41d與基板W之上表面外周部之間朝內側流通。隨後，臭氧氣體一面藉由遮罩30之中央傾斜部41b被引導至基板W之上表面，一面於基板W之上表面與遮罩30之內表面之間朝內側流通。接著，臭氧氣體於遮罩30之中央水平部41a與基板W之上表面之間朝內側流通，並排出至排氣口44。 如此，由於基板W之上表面至排氣口44之距離較短，故臭氧氣體於沿著基板W之上表面中心部流通後，被排出至排氣口44。因此，氣體難以於基板W之上表面滯留，從而易於將存在於此處之臭氧氣體置換成新的臭氧氣體。再者，於中央傾斜部41b及中央水平部41a中，於自基板W之上表面向上方離開之位置流通之臭氧氣體，即因臭氧氣體與抗蝕劑之反應或臭氧氣體之溫度上升所致之活性降低幅度較小之臭氧氣體被引導至基板W，故可進一步提高基板W之上表面中心部之處理速度。 於打開臭氧氣體供給閥門54後經過特定時間，關閉臭氧氣體供給閥門54，而停止噴出臭氧氣體。隨後，如圖9D所示，打開氮氣供給閥門59，複數個供氣口46開始噴出氮氣。密閉空間SP內之臭氧氣體因氮氣而被引導至排氣口44，並經由排氣口44排出至密閉空間SP之外。藉此，以氮氣置換密閉空間SP內之臭氧氣體。於打開氮氣供給閥門59後經過特定時間，關閉氮氣供給閥門59，而停止噴出氮氣。 接著，如圖9E所示，提升裝置升降致動器26使複數根提升銷24移動至上位置，遮罩升降致動器29使遮罩30移動至上位置。再者，如圖9F所示，擋板開閉致動器63使擋板5移動至開位置。加熱板21上之基板W藉由複數根提升銷24而上升。中心機器人CR於以冷卻單元7(參照圖1)將基板W冷卻後，以手H接收基板W。隨後，中心機器人CR將手H上之基板W搬入至濕處理單元2W。 如以上般，於本實施形態中，基板W之上表面中心部之基板W之上表面與頂面41的間隔Gc窄於基板W之上表面外周部之基板W之上表面與頂面41的間隔Ge。因此，自供氣口46噴出之氣體藉由頂面41被引導至基板W之上表面中心部。藉此，可抑制或防止於排氣口44之正下方產生氣體之流動性相對較低之滯留區域，而可提高基板W之處理之均一性。 再者，基板W之上表面與頂面41之間隔並非所到之處均較窄，而係基板W之上表面中心部較窄。若基板W之上表面與頂面41之間隔所到之處均較窄，則施加於供給至基板W之上表面與頂面41間之空間之氣體之阻力增加，而會阻礙該空間順暢之氣體流通。因此，藉由將基板W之上表面與頂面41之間隔局部地狹窄化，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面抑制或防止於排氣口44之正下方產生滯留區域。 又，若急劇地使氣流於基板W之上表面轉換方向，則會產生氣流紊亂。於本實施形態中，於基板W之上表面與頂面41間之空間朝內側流通之氣體隨著基板W之上表面與頂面41之間隔減少，而階段性或連續地被引導至基板W之上表面。藉此，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面使朝向基板W之中心流通之氣流逐漸地接近基板W之上表面。 於本實施形態中，將朝向鉛直線A2向斜下方延伸之環狀之中央傾斜部41b設置於頂面41。換言之，基板W之上表面與頂面41之間隔隨著接近基板W之上表面中心部而連續減少。於基板W之上表面與頂面41間之空間朝內側流通之氣體藉由頂面41之中央傾斜部41b而被連續地引導至基板W之上表面。因此，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面使朝向基板W之中心流通之氣流逐漸地接近基板W之上表面。 於本實施形態中，基板W之上表面中心部與頂面41之間隔Gc並非僅窄於基板W之上表面外周部與頂面41之間隔Ge，且還寬於基板W之厚度T1。排氣口44於頂面41中於與基板W之上表面中心部對向之位置開口。基板W之上表面至排氣口44之鉛直方向距離寬於基板W之厚度T1。當排氣口44過度接近基板W之上表面時，會對欲進入排氣口44與基板W之間之氣體施加較大之阻力。因此，藉由使排氣口44離開基板W之上表面適當之距離，可一面抑制或防止產生氣流紊亂，一面抑制或防止於排氣口44之正下方產生滯留區域。 於供氣口46鉛直地噴出氣體之情形時，體噴出之氣體轉換大致90度方向後，朝向基板W之中心朝內側流通。於本實施形態中，供氣口46於基板W之上表面與頂面41之間之空間水平對向。自供氣口46噴出之氣體無須以較大之角度轉換方向，而沿著基板W之上表面朝內側流通。因此，與供氣口46鉛直地噴出氣體之情形相比，可抑制或防止產生基板W外周部之氣流紊亂。 於本實施形態中，於乾燥處理單元2D執行不向基板W供給液體而處理該基板W之乾燥處理步驟。隨後，中心機器人CR將基板W自乾燥處理單元2D搬送至濕處理單元2W。於濕處理單元2W中，執行向基板W供給處理液之濕處理步驟。因此，於相同之基板處理裝置1中，可執行乾燥處理步驟及濕處理步驟兩者。再者，由於於不同之單元執行乾燥處理步驟及濕處理步驟，故可抑制或防止各單元之複雜化。 臭氧氣體係與基板W反應之反應氣體之一例。於本實施形態中，將自供氣口46噴出之臭氧氣體供給至基板W之上表面。抗蝕劑圖案PR藉由抗蝕劑與臭氧氣體之反應氣化或變質。再者，臭氧氣體供給至藉由加熱器22加熱之基板W之上表面。藉此，可促進抗蝕劑與臭氧氣體之反應，可使抗蝕劑圖案PR於短時間內均一地與臭氧氣體反應。 其他實施形態 本發明並非限定於上述實施形態之內容者，而可進行各種變更。 例如，如圖11所示，包含於遮罩30之內表面之角部42之鉛直剖面不限於L字狀，而可為圓弧狀，亦可為該等以外之形狀。 於角部42之鉛直剖面為L字狀之情形時，會於角部42產生滯留區域。因此，藉由將具有圓弧狀之鉛直剖面之角部42設置於遮罩30，可抑制或防止產生此種滯留區域。 如圖12所示，上板32之板部32a之下表面可不與基板W之上表面平行。圖12係顯示省略中央區塊31而將中央水平部41a與外側傾斜部41e設置於板部32a之下表面之例。外側傾斜部41e自遮罩30之頂面41之外緣向斜下方延伸至中央水平部41a之外緣。 若基板W之上表面中心部之基板W之上表面與頂面41之間隔Gc窄於基板W之上表面外周部之基板W之上表面與頂面41之間隔Ge，則基板W之上表面與頂面41之間隔於基板W之上表面外周部可不為最寬。 基板W之上表面外周部之基板W之上表面與頂面41之間隔Ge可跨及整周而為固定，亦可根據周方向之位置而變化。除了中心部，關於基板W之上表面其他部分之間隔亦同樣。 供氣口46不限於向俯視時朝向基板W之上表面中心部之方向，亦可向自供氣口46向上方或下方延伸之鉛直方向噴出氣體。即，噴出方向D1可為自供氣口46向上方或下方延伸之鉛直方向。 自供氣口46噴出之氣體可為臭氧氣體以外之其他氣體。例如，可為包含氟化氫或IPA(異丙醇)等與基板W(包含矽晶圓等基板W之母材及形成於母材上之薄膜)反應之物質之氣體，亦可為乾燥空氣或清潔空氣。 臭氧氣體、包含氟化氫之氣體、及包含IPA之氣體係與基板W反應之反應氣體之一例，乾燥空氣或清潔空氣係不與基板W反應之氣體之例。包含氟化氫之氣體可為氟化氫之蒸氣，亦可為包含氟化氫之蒸氣或薄霧與載氣(例如惰性氣體)之氣體。關於包含IPA之氣體亦同樣。 可自基板處理裝置1省略加熱器22。同樣地，可自基板處理裝置1省略濕處理單元2W。 基板處理裝置1不限於處理圓板狀之基板W之裝置，亦可為處理多角形之基板W之裝置。 可將上述所有構成之2個以上加以組合。亦可將上述所有步驟之2個以上加以組合。 本申請案對應於2016年9月26日向日本專利廳提出之專利申請案第2016-187093號，該申請案之全部揭示藉由引用併入於此。 已對本發明實施形態詳細地進行說明，但該等僅係為了明確本發明之技術內容而使用之具體例，本發明不應限定於該等之具體例而解釋，本發明之精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍限定。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
2D‧‧‧乾燥處理單元
2W‧‧‧濕處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧乾燥腔室
5‧‧‧擋板
6‧‧‧室內搬送機構
7‧‧‧冷卻單元
8‧‧‧加熱單元
9‧‧‧濕腔室
10‧‧‧擋板
11‧‧‧旋轉夾盤
12‧‧‧藥液噴嘴
13‧‧‧清洗液噴嘴
21‧‧‧加熱板
22‧‧‧加熱器
23‧‧‧支持構件
23a‧‧‧突出部
23b‧‧‧基底部
23c‧‧‧凸緣部
24‧‧‧提升銷
25‧‧‧波紋管
26‧‧‧提升裝置升降致動器
27‧‧‧底環
28‧‧‧O形環
29‧‧‧遮罩升降致動器
30‧‧‧遮罩
31‧‧‧中央區塊
32‧‧‧上板
32a‧‧‧板部
33‧‧‧板狀密封件
34‧‧‧下環
41‧‧‧頂面
41a‧‧‧中央水平部
41b‧‧‧中央傾斜部
41c‧‧‧中央鉛直部
41d‧‧‧外側水平部
41e‧‧‧外側傾斜部
42‧‧‧角部
43‧‧‧筒狀面
44‧‧‧排氣口
45‧‧‧排氣路徑
46‧‧‧供氣口
47‧‧‧供給路徑
47a‧‧‧上游路徑
47b‧‧‧上游環狀路徑
47c‧‧‧中間路徑
47d‧‧‧下游環狀路徑
47e‧‧‧下游路徑
51‧‧‧臭氧氣體產生單元
52‧‧‧第1臭氧氣體配管
53‧‧‧第2臭氧氣體配管
54‧‧‧臭氧氣體供給閥門
55‧‧‧第1共通配管
56‧‧‧第2共通配管
57‧‧‧第1氮氣配管
58‧‧‧第2氮氣配管
59‧‧‧氮氣供給閥門
60‧‧‧第1排氣配管
61‧‧‧第2排氣配管
62‧‧‧臭氧過濾器
63‧‧‧擋板開閉致動器
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧鉛直線
C‧‧‧托架
CR‧‧‧中心機器人
D1‧‧‧噴出方向
D2‧‧‧供給口之直徑
D3‧‧‧排氣口之直徑
G1‧‧‧外側水平部至中央水平部之鉛直方向之距離
Gc‧‧‧基板之上表面中心部與頂面之距離
Ge‧‧‧基板之上表面外周部與頂面之間隔
H‧‧‧手
IR‧‧‧分度機器人
LP‧‧‧裝載埠
PF‧‧‧薄膜圖案
PR‧‧‧抗蝕劑圖案
R1‧‧‧鉛直線至中央傾斜部之外端之徑向距離
R2‧‧‧中央傾斜部之外端至筒狀面之徑向距離
SH‧‧‧梭子
SP‧‧‧密閉空間
T1‧‧‧基板之厚度
V‧‧‧箭頭
W‧‧‧基板
圖1係顯示本發明一實施形態之基板處理裝置之概略構成之模式性俯視圖。 圖2係顯示藉由基板處理裝置執行之基板處理之一例之步驟圖。 圖3係顯示執行圖2所示之基板處理之一例之前與之後基板之剖面的模式圖。 圖4係顯示加熱單元之鉛直剖面之模式性剖視圖。 圖5係顯示遮罩之模式性俯視圖。 圖6係加熱板之模式性俯視圖。 圖7係將圖4之局部放大之放大剖視圖。 圖8係顯示向加熱單元供給氣體之供氣單元與自加熱單元排出氣體之排氣單元之模式圖。 圖9A係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟時之加熱單元之狀態之一例的模式圖。 圖9B係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟時之加熱單元之狀態之一例的模式圖。 圖9C係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟時之加熱單元之狀態之一例的模式圖。 圖9D係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟時之加熱單元之狀態之一例的模式圖。 圖9E係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟時之加熱單元之狀態之一例的模式圖。 圖9F係顯示進行圖2所示之乾燥處理步驟時之加熱單元之狀態之一例的模式圖。 圖10係用以說明沿著基板之上表面自基板之外周朝基板之中心流通之氣體流通的模式性剖視圖。 圖11係顯示本發明另一實施形態之加熱單元之鉛直剖面之局部的模式性剖視圖。 圖12係顯示本發明另一實施形態之加熱單元之鉛直剖面之局部的模式性剖視圖。 圖13係用以說明以往技術之氣體流通之模式性剖視圖。

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其具備： 支持構件，其水平地支持基板； 遮罩，其包含與支持於上述支持構件之上述基板之上表面對向的頂面、及圍繞支持於上述支持構件之上述基板之筒狀面，且形成為上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔，窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔； 供氣單元，其包含配置於較支持於上述支持構件之上述基板更外側、且包圍通過支持於上述支持構件之上述基板之中心部之鉛直線之環狀供氣口，向支持於上述支持構件之上述基板之上表面與上述頂面間之空間，自該空間之周圍供給自上述供氣口噴出之氣體；及 排氣單元，其包含於上述頂面中於與上述基板之上表面中心部對向之位置開口之排氣口，且將上述基板之上表面與上述頂面間之氣體經由上述排氣口排出。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中上述基板之上表面與上述頂面之間隔係於上述基板之上表面外周部至上述基板之上表面中心部隨著接近上述鉛直線而階段性或連續性減少。
  3. 如請求項2之基板處理裝置，其中上述頂面包含朝向上述鉛直線向斜下方延伸之環狀傾斜部。
  4. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述遮罩進而包含具有圓弧狀之鉛直剖面且自上述頂面之外緣向上述筒狀面之上緣延伸之環狀角部。
  5. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔，窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔，且寬於上述基板之厚度。
  6. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述供氣口配置於較支持於上述支持構件之上述基板之上表面更上方且較上述頂面更下方之高度，且於俯視下，朝向支持於上述支持構件之上述基板之上表面中心部之噴出方向噴出氣體。
  7. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置進而具備：加熱器，其配置於由上述支持構件所支持之上述基板之下方，產生朝上述基板供給之熱；且 上述供氣單元包含將與上述基板反應之反應氣體朝上述供氣口供給之反應氣體供給單元。
  8. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置進而具備：濕處理單元，其以處理液處理上述基板；及搬送單元，其自包含上述支持構件及遮罩之乾燥處理單元向上述濕處理單元搬送上述基板。
  9. 如請求項1至3中任一項之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置係藉由將與上述基板反應之反應氣體供給至上述基板，而去除位於形成於上述基板之上表面之薄膜圖案上之抗蝕劑圖案的裝置。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中上述基板處理裝置進而具備：加熱器，其配置於由上述支持構件支持之上述基板之下方，產生朝上述基板供給之熱；且 上述供氣單元包含將臭氧氣體供給至上述供氣口之臭氧氣體供給單元。
  11. 一種基板處理方法，其包含以下步驟： 支持步驟，其係以支持構件水平地支持基板； 覆蓋步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，將支持於上述支持構件之上述基板配置於遮罩之內部，該遮罩包含於與支持於上述支持構件之上述基板之上表面對向的頂面、及包圍支持於上述支持構件之上述基板之筒狀面，且形成為上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔； 供氣步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，向支持於上述支持構件之上述基板之上表面與上述頂面間之空間，自該空間之周圍供給自環狀供氣口噴出之氣體，該環狀供氣口配置於較支持於上述支持構件之上述基板更外側，且圍繞通過支持於上述支持構件之上述基板之中心部之鉛直線；及 排氣步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，將上述基板之上表面與上述頂面間之氣體經由於上述頂面中於與上述基板之上表面中心部對向之位置開口之排氣口排出。
  12. 如請求項11之基板處理方法，其中上述基板之上表面與上述頂面之間隔係於上述基板之上表面外周部至上述基板之上表面中心部隨著接近上述鉛直線而階段性或連續性減少。
  13. 如請求項12之基板處理方法，其中上述頂面包含朝向上述鉛直線向斜下方延伸之環狀傾斜部。
  14. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中上述遮罩進而包含具有圓弧狀之鉛直剖面，且自上述頂面之外緣向上述筒狀面之上緣延伸之環狀角部。
  15. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面中心部之間隔，窄於上述基板之上表面與上述頂面在上述基板之上表面外周部之間隔，且寬於上述基板之厚度。
  16. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中上述供氣口配置於較支持於上述支持構件之上述基板之上表面更上方且較上述頂面更下方之高度，且於俯視下，朝向支持於上述支持構件之上述基板之上表面中心部之噴出方向噴出氣體。
  17. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中上述基板處理方法進而包含：加熱步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，且以配置於由上述支持構件支持之上述基板之下方之加熱器所產生之熱加熱上述基板，且 上述供氣步驟包含：自上述供氣口噴出與上述基板反應之反應氣體之步驟。
  18. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其進而包含： 搬送步驟，其自執行上述支持步驟、覆蓋步驟、供氣步驟、及排氣步驟之乾燥處理單元以搬送單元向以處理液處理上述基板之濕處理單元搬送上述基板；及 濕處理步驟，其於執行上述搬送步驟後，以上述濕處理單元處理上述基板。
  19. 如請求項11至13中任一項之基板處理方法，其中上述基板處理方法係藉由將與上述基板反應之反應氣體朝上述基板供給，而去除位於形成於上述基板之上表面之薄膜圖案之上之抗蝕劑圖案的方法。
  20. 如請求項19之基板處理方法，其中上述基板處理方法進而包含：加熱步驟，其係與上述支持步驟並行執行者，且以配置於由上述支持構件支持之上述基板之下方之加熱器所產生之熱加熱上述基板，且 上述供氣步驟包含自上述供氣口噴出臭氧氣體之步驟。
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