JP2014002835A - 荷電粒子線装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一次電子線を発生する電子源と、前記一次電子線を集束する対物レンズと、前記一次電子線を偏向させる偏向器と、前記一次電子線の照射によって試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する検出器と、前記一次電子線が通過する孔を有する電極と、前記電極に負電圧を印加する電圧制御電源と、前記試料に負電圧を印加することで前記試料上に前記一次電子線を減速させる電界を生成するリターディング電圧制御電源と、を備え、前記電極に印加される電圧と前記試料に印加される電圧との差を一定にしたまま焦点調整を行う。
【選択図】 図1
Description
本願は上記課題を解決する手段を複数含んでいるが、その一例を挙げるならば、一次電子線を発生する電子源と、前記一次電子線を集束する対物レンズと、前記一次電子線を偏向させる偏向器と、前記一次電子線の照射によって試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する検出器と、前記一次電子線が通過する孔を有する電極と、前記電極に負電圧を印加する電圧制御電源と、前記試料に負電圧を印加することで前記試料上に前記一次電子線を減速させる電界を生成するリターディング電圧制御電源と、を備え、前記電極に印加される電圧と前記試料に印加される電圧との差を一定にしたまま焦点調整を行うことを特徴とする。
で、対物レンズ11内に配置された電極24に電圧制御電源25により負電圧を印加する。電極24は一次電子線の光軸を囲むような円筒形状であって、対物レンズの磁路内に円筒の孔を一次電子線が通過するように配置される。電圧差Vdを次の式にて定義する。(電圧差Vd)=(電極24の電圧)−(試料12の電圧)。試料12の電圧の絶対値より電極24の電圧の絶対値を大きくすることで、電圧差Vdは負となる。電圧差Vdを負の電圧にすることで、試料から発生した二次電子7を減速させ、二次電子7は導体板8方向に飛行できずに7aのような軌跡になる。その結果、二次電子7は導体板8に到達できず、試料像は二次電子7が抑制されて、反射電子13が支配的な像になる。電圧差Vdの負電圧を調整することである一定以下の運動エネルギーの二次電子7が抑制されて、相対的に反射電子13の割合が増加した試料像が構成される。電極24は対物レンズ11の磁路の一部として形成され、対物レンズの磁路と共用となっていてもよい。
2aはウェハ上に形成された半導体パターン構造の一種であるライン&スペース構造の模式図を示したものである。図2bは図2aにおけるA−B方向の断面の模式図を示したものである。ライン&スペース構造では、ライン部31は凸形状、スペース部30は凹形状を成している。凸形状のライン部31に一次電子線4が照射されると、ライン部31の両端のエッジ部からエッジ効果で二次電子7が効率よく出射される。一方、凹形状のスペース部30に一次電子線4が照射されると、ライン部31の両端にあるようなエッジ形状はなく、二次電子7はライン部31より出射されにくい。その結果、試料像はライン部31が明るく、スペース部30が相対的に暗くなる。スペース部30に半導体プロセス起因の形状不良部がある場合、この形状不良部を検出できない。試料像(SEM像)の明るさの階調幅は固定である。画像の最も明るい部分と最も暗い部分の階調値が1枚の画像に存在すると、明るい部分の階調値が階調幅以下に収まるように、画像全体の階調値を下げる調整が行われる。そのため、暗い部分の階調値はさらに暗くなる。具体的には、試料像の明るさの階調は256段階である場合には、ライン部31が200階調以上、スペース部30が50階調以下の場合、形状不良部を検出できない。
からよく用いられているフォーカスを調整する方法としては、対物レンズ11の磁場を変化させることで、対物レンズ11の焦点距離を変えて、フォーカスを調整する方法がある。しかし、磁場変化の応答速度は、例えば、数秒オーダーであり、渦電流の影響で極めて遅い。
2 第一陽極
3 第二陽極
4 一次電子線
5 絞り板
6 集束レンズ
7,7a 二次電子
8 導体板
9 検出器
10 偏向コイル
11 対物レンズ
12 試料
13 反射電子
14 三次電子
15 高電圧制御電源
16 集束レンズ制御電源
18 信号増幅器
19 偏向コイル制御電源
20 対物レンズ制御電源
21 像表示装置
22 制御装置
23 結像位置
24 電極
25 電圧制御電源
26 リターディング電圧制御電源
27 記憶部
30 スペース部
31 ライン部
Claims (5)
- 一次電子線を発生する電子源と、
前記一次電子線を集束する対物レンズと、
前記一次電子線を偏向させる偏向器と、
前記一次電子線の照射によって試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する検出器と、
前記一次電子線が通過する孔を有する電極と、
前記電極に負電圧を印加する電圧制御電源と、
前記試料に負電圧を印加することで前記試料上に前記一次電子線を減速させる電界を生成するリターディング電圧制御電源と、を備え、前記電極に印加される電圧と前記試料に印加される電圧との差を一定にしたまま焦点調整を行うことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記電極と前記試料には等しい極性で等しい絶対値の電圧分変化させることで焦点調整が行われることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、
前記偏向器に流される電流に、前記試料への印加電圧に応じたオフセット電流を加えることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、さらに、
所定の電流を流すことで前記一次電子線での走査範囲を移動させる電気的視野移動コイルを備え、
前記試料への印加電圧に応じて前記電気的視野移動コイルに流す電流値を設定することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1に記載の荷電粒子線装置において、さらに、
前記試料の高さを計測する高さ計測センサと、
前記差と前記試料の高さの組み合わせ毎に、前記電極に印加する電圧が記憶された記憶部と、を備え、
前記高さ計測センサによって計測された前記試料の高さと、予め設定された前記差とに基づいて、前記記憶部から読み出された前記電極に印加される電圧と、前記電極に印加される電圧と前記差によって決まる前記試料に印加される電圧とが設定されることを特徴とする荷電粒子線装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018131102A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置 |
WO2021001935A1 (ja) * | 2019-07-02 | 2021-01-07 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置 |
US11355304B2 (en) | 2018-06-14 | 2022-06-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Electronic microscope device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9564291B1 (en) * | 2014-01-27 | 2017-02-07 | Mochii, Inc. | Hybrid charged-particle beam and light beam microscopy |
US9881764B2 (en) * | 2016-01-09 | 2018-01-30 | Kla-Tencor Corporation | Heat-spreading blanking system for high throughput electron beam apparatus |
US10872742B2 (en) * | 2016-11-24 | 2020-12-22 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device |
CN106920723A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-07-04 | 聚束科技(北京)有限公司 | 一种扫描聚焦系统及电子束控制方法 |
WO2019038883A1 (ja) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 荷電粒子線装置およびそれを用いた観察方法、元素分析方法 |
US11764028B2 (en) * | 2018-05-22 | 2023-09-19 | Hitachi High-Tech Corporation | Charged particle beam device and axis adjustment method thereof |
DE112018007498T5 (de) * | 2018-05-22 | 2021-01-07 | Hitachi High-Tech Corporation | Ladungsträgerstrahlvorrichtung und Verfahren zum Einstellen der Position eines Detektors einer Ladungsträgerstrahlvorrichtung |
WO2020095531A1 (ja) | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置の調整方法及び荷電粒子線装置システム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317189A (ja) * | 1999-03-19 | 1999-11-16 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2003151484A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Jeol Ltd | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
JP2007194126A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
WO2011007517A1 (ja) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 試料電位測定方法、及び荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04302316A (ja) | 1991-03-29 | 1992-10-26 | Omron Corp | メモリ管理装置 |
US6667476B2 (en) | 1998-03-09 | 2003-12-23 | Hitachi, Ltd. | Scanning electron microscope |
JP4093662B2 (ja) * | 1999-01-04 | 2008-06-04 | 株式会社日立製作所 | 走査形電子顕微鏡 |
US6998611B2 (en) | 2001-09-06 | 2006-02-14 | Ebara Corporation | Electron beam apparatus and device manufacturing method using same |
JP4469727B2 (ja) | 2002-12-27 | 2010-05-26 | 株式会社アドバンテスト | 試料観察装置、及び試料観察方法 |
JP2006216396A (ja) * | 2005-02-04 | 2006-08-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置 |
JP2006294627A (ja) | 2006-04-27 | 2006-10-26 | Ebara Corp | 電子線装置及び該装置を用いたデバイス製造方法 |
JP5075431B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2012-11-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 帯電測定方法、焦点調整方法、及び走査電子顕微鏡 |
US7888640B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-02-15 | Hitachi High-Technologies Corporation | Scanning electron microscope and method of imaging an object by using the scanning electron microscope |
JP5227643B2 (ja) * | 2008-04-14 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 高分解能でかつ高コントラストな観察が可能な電子線応用装置 |
-
2012
- 2012-06-15 JP JP2012135297A patent/JP5851352B2/ja active Active
-
2013
- 2013-04-12 US US14/407,117 patent/US9324540B2/en active Active
- 2013-04-12 KR KR1020147030888A patent/KR101685274B1/ko active IP Right Grant
- 2013-04-12 WO PCT/JP2013/061010 patent/WO2013187115A1/ja active Application Filing
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11317189A (ja) * | 1999-03-19 | 1999-11-16 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
JP2003151484A (ja) * | 2001-11-15 | 2003-05-23 | Jeol Ltd | 走査型荷電粒子ビーム装置 |
JP2007194126A (ja) * | 2006-01-20 | 2007-08-02 | Hitachi High-Technologies Corp | 走査電子顕微鏡 |
WO2011007517A1 (ja) * | 2009-07-15 | 2011-01-20 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | 試料電位測定方法、及び荷電粒子線装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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