JP2013530482A - 強誘電体キャパシタによって制御される可変インピーダンス回路 - Google Patents

強誘電体キャパシタによって制御される可変インピーダンス回路 Download PDF

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Abstract

強誘電体キャパシタ、可変インピーダンス素子および導電性負荷を含むメモリセルが開示される。第1および第2の分極状態を特徴とする強誘電体キャパシタは、制御端子と第1のスイッチ端子との間に接続される。可変インピーダンス素子は、制御端子上の信号によって決定される、第1および第2のスイッチ端子間のインピーダンスを有する。導電性負荷は、第1の電力端子と第1のスイッチ端子との間に接続される。第2のスイッチ端子は、第2の電力端子に接続される。電位差が、第1および第2の電力端子間に印加された場合に、第1のスイッチ端子上の電位は、強誘電体キャパシタの分極状態によって決定された方法で変化する。
【選択図】図1

Description

メモリをプログラムするかまたはメモリを維持するための電力が必ずしも利用可能だとは限らない環境で、不揮発性メモリの少数ビットが必要とされる多くの用途が存在する。ラインを監視し、かつ事象が発生した場合に、ラインにおける事象の発生を記録するメモリを検討する。電力は、事象が発生する時間中に利用可能なだけである。すなわち、唯一の電力は、事象信号における電力である。さらに、信号における電力は、きわめて小さい可能性がある。原則として、メモリには、メモリに電力を供給し、かつ監視状態における回路を維持するバッテリなど、メモリ自体の電源を設けることができる。しかしながら、かかる機構は、バッテリの交換を必要とし、メモリのコストを著しく増加させる。
理想的には、メモリは、長期間にわたってラインを監視でき、かつ独立した電源を用いずに、ラインにおける事象を記録できるべきである。電力が、いくらか後の時間にメモリに印加された場合に、メモリは、メモリに電力が供給されなかった期間中に事象が発生したか否かを反映する状態を呈するべきである。
本発明は、第1および第2の分極状態を特徴とする強誘電体キャパシタと、制御端子上の信号によって決定される、第1および第2のスイッチ端子間のインピーダンスを有する可変インピーダンス素子と、第1の電力端子と第1のスイッチ端子との間に接続される導電性負荷と、を含むメモリセルである。強誘電体キャパシタは、制御端子と第1のスイッチ端子との間に接続され、第2のスイッチ端子は、第2の電力端子に接続される。電位差が、第1および第2の電力端子間に印加された場合に、第1のスイッチ端子上の電位は、強誘電体キャパシタの分極状態によって決定された方法で変化する。
本発明の一態様において、分極状態は、第1および第2の電力端子間に印加されている電位差に応じて、第1の状態から第2の状態に切り替わる。メモリセルには、分極状態が、印加された電位差に応じて第1の状態から第2の状態に切り替わる場合に、分極状態を第1の分極状態にリセットするフィードバック回路が含まれる。フィードバック回路には、電位差が第1および第2の電力端子間に印加された場合に、第1のスイッチ端子と第1の電力端子との間の始動電位を測定するフィードバック素子が含まれる。フィードバック回路は、始動電位に基づいて、分極状態を第1の分極状態に設定する。
図1は、本発明の一実施形態による自律メモリ回路の概略図である。 図2は、本発明による自律メモリ回路の別の実施形態の概略図である。 図3は、ベース抵抗43を有するNPNトランジスタ46をスイッチとして示す。 図4は、スイッチング素子として強誘電体FET51を利用する自律メモリ回路の概略図である。 図5Aは、自律メモリ回路システムを示す。図5Bは、自律メモリ回路システムを示す。 図6は、本発明の一態様に基づいてフィードバック経路を利用する不揮発性ラッチのブロック図である。 図7は、一実施形態によるメモリ回路が電源投入された場合の、図3に示す母線およびノード49’上の電位を示す。 図8は、本発明による不揮発性ラッチの一実施形態の概略図である。 図9は、本発明によるラッチの別の実施形態を示す。 図10は、本発明によるラッチの別の実施形態を示す。 図11は、本発明の別の実施形態によるユニポーララッチを示す。 図12は、本発明によるラッチの別の実施形態を示す。 図13は、図12に示す実施形態において利用可能な強誘電体継電器の一実施形態を示す。
本発明がその利点を提供する方法は、図1を参照するとより容易に理解できるが、図1は、本発明の一実施形態による自律メモリ回路の概略図である。自律メモリ回路20には、強誘電体キャパシタ21と、電流で作動する制御入力部25を有するスイッチ23と、が含まれる。導電性負荷22が、母線とスイッチ23との間に接続される。
強誘電体キャパシタ21は、強誘電体キャパシタ21にわたって電圧を印加することによって切り替えることができる残留分極を有する。すなわち、キャパシタにわたる電圧がない状態で、キャパシタの誘電体は、電気的に分極されている。誘電体は、それがアップまたはダウンに分極されることに対応する2つの状態を有する。電圧が、強誘電体キャパシタにわたって印加された場合に、電界が、強誘電体キャパシタに生成される。電界方向が、残留分極の方向と同じである場合に、小電流が、強誘電体キャパシタの2つのプレートを接続する回路に流れる。他方では、印加された電界が、残留分極の方向と反対の方向である場合に、残留分極は、方向を変更して新しい電界方向と一致し、大電流が、外部回路に流れる。電流および電流が流れるときの電圧の大きさは、強誘電体キャパシタの組成、面積および厚さを調整することによって設定することができる。
スイッチ23は、電流が制御入力部25に入ると、高インピーダンス状態から低インピーダンス状態に変わる。回路20において、スイッチ23への入力線の電位が、スイッチの状態と無関係に、グランドまたはその近くのままであると仮定される。以下の説明を単純化するために、母線が正であること、および正の母線電位が強誘電体キャパシタ21のプレートにわたって印加された場合に、「アップ」残留分極状態が設定されると仮定される。しかしながら、入力が電力を基準とし、かつ出力がグランドを基準とする他の実施形態を利用することができる。
最初に、強誘電体キャパシタ21が、アップ状態に分極されていると仮定する。電力がオンされると、スイッチ23は、最初はオフ状態である。したがって、ノード26の電位は、Vに増加する。強誘電体キャパシタ21に印加される電界もまたアップ方向であり、強誘電体キャパシタ21は、状態を反転させない。したがって、スイッチ23の入力部にはほとんど電流が流れず、スイッチ23はオフのままであり、自律メモリ回路20の出力は、素早くVの電位になる。
次に、強誘電体キャパシタ21が、ダウン状態に分極されてていると仮定する。電力がオンされると、強誘電体キャパシタ21にわたって印加された電界は、強誘電体キャパシタ21の残留分極の電界と反対であり、強誘電体キャパシタ21は、状態を反転させ、印加された電界と一致する。この場合に、大電流が、スイッチ23の制御入力部に流れ込み、スイッチ23は、導通状態に入る。ノード26は、Vより低い中間状態に降下する。特定の電位は、スイッチの詳細に依存する。この中間状態は、強誘電体キャパシタ21がそのアップ状態へのスイッチングを終えるまで、そのままである。その時点で、これ以上の電荷が強誘電体キャパシタ21から流れることはなく、スイッチ23は、再び非導通状態に入る。したがって次に、ノード26の電位は、再びVに増加する。
したがって、電力がオンされた後で、自律メモリ回路20は、強誘電体キャパシタ21が状態を切り替えるために必要とされる期間にわたって、強誘電体キャパシタ21の分極状態に依存する一時的出力を有する。電力がオンされたときに強誘電体キャパシタ21が、アップであり、かつ切り替わらない場合に、出力は、ほとんど直ちに高くなる。電力がオンされたときに強誘電体キャパシタ21が、ダウンであり、かつ切り替わる場合に、出力は、一時的期間は中間状態になり、次に高くなる。その一時的期間後、出力は常に高くなり、強誘電体キャパシタ21は、アップ分極状態になる。
ここで、図2は、本発明による自律メモリ回路の別の実施形態における概略図である。自律メモリ回路30は、次の点で自律メモリ回路20と異なる。すなわち、スイッチ33が、電流信号ではなく電圧信号に基づいて切り替わり、かつキャパシタ34が、電荷−電圧変換を提供するために追加されたという点で異なる。電力が印加されたときに強誘電体キャパシタ21がアップ状態である場合に、強誘電体キャパシタ21はアップ状態のままであり、スイッチ33は、電荷がキャパシタ34によってほとんど受け取られないので、導電性にはならない。
電力が印加されたときに強誘電体キャパシタ21がダウン状態である場合に、強誘電体キャパシタ21は、電力の増加と共に、その分極を反転し始める。分極における変化は、放出されてキャパシタ34に蓄積される電荷を生じ、それによって、スイッチ33の入力部における電位を上昇させる。キャパシタ34が正しく選択された場合に、ライン25上の電位の増加は、スイッチ33を導通させるのに十分であり、それによって、ノード26における電位を低下させる。強誘電体キャパシタ21が状態を変化させている限り、ノード26は、グランドとVとの間の中間電位のままである。ひとたび強誘電体キャパシタ21が状態を完全に変化させると、追加電荷は、キャパシタ34に蓄積されない。次に、キャパシタ34上の電荷は、スイッチ33における漏れ電流によって決定された速度で漏れる。この時点において、スイッチ33は、再び非導通となり、ノード26は、Vに上昇する。したがって、自律メモリ回路30は、上記の自律メモリ回路20と類似の方法で動作する。すなわち、電源投入中に、出力信号を監視して、電源投入前の強誘電体キャパシタ21の状態を判定することができる。電源投入が完了した後で、出力は高くなり、強誘電体キャパシタ21はアップ状態になる。
本発明による自律メモリ回路の上記の実施形態は、スイッチを利用して、電源投入時に強誘電体キャパシタの状態を変更する。しかしながら、増幅器または他の可変抵抗装置を利用することが可能である。ここで図3および4は、上記のスイッチの代わりにアナログ装置が用いられる、本発明の一態様による自律メモリ回路における2つの実施形態の概略図である。図3に示す自律メモリ回路40は、ベース抵抗43を有するNPNトランジスタ46をスイッチとして利用する。導電性負荷は、抵抗器44である。電源投入時に、キャパシタ42は、強誘電体キャパシタ41から移動されたどんな電荷も、トランジスタ46のエミッタ抵抗に対してコレクタを制御する電圧に変換する。キャパシタ42用の放電時間は、抵抗器43によって制御され、かつ強誘電体キャパシタ41の初期状態がダウンに分極されている場合に、ノード49’における電位が、始動中にバス45上の電位未満に留まる時間を決定する。電源投入後、強誘電体キャパシタ41の状態は、矢印47によって示すようにアップ分極状態である。場合によっては、抵抗器44、強誘電体キャパシタ41および抵抗器43における値の適切な選択によって、回路は、キャパシタ42なしに適切に動作することが可能になる。
ここで図4は、スイッチング素子として強誘電体FET51を利用する自律メモリ回路の概略図である。自律メモリ回路50は、図3に関連して上記した自律メモリ回路40と類似の方法で動作する。強誘電体FET51は、入力ノード上の電位によって制御される、ノード49とグランドとの間の可変抵抗を提供する。強誘電体FETは、当該技術分野において周知であり、したがってここで詳細には説明しない。読者は、これらの装置のより詳細な説明のためには米国特許第5,070,385号明細書を参照されたい。強誘電体FETは、強誘電体キャパシタ41と同じ製造システムで製造して、それらを低コストで同時に構築できるようにすることが可能である。強誘電体装置が、シリコンウエハなどの結晶基板を必要としないことにもまた留意されたい。装置は、製造温度に耐えられる任意の基板上に製造することができ、したがって回路全体は、非晶質基板上に製造することができ、これは、製造コストをかなり低減する。
上記の自律メモリ回路の動作は、プログラムモードおよび読み取りモードに分割することができる。プログラムモードにおいて、外部電力はバス45上で必要とされず、キャパシタ42は必要ではない。図3を再び参照し、かつ強誘電体キャパシタ41が、自律メモリ回路40の以前の読み取りによって、プログラムモードに入る前にアップ状態にリセットされたと仮定する。強誘電体キャパシタ41をリセットするために十分な電圧を有する正パルスが、入力部に印加された場合に、強誘電体キャパシタ41の状態は、ダウン状態に変わり、状態が変更されるまで、そこに留まる。正の入力パルスは、強誘電体キャパシタ41の分極を反転させ、それは、電流がノード49からトランジスタ46に流れ込むことに帰着する。正パルスはまた、強誘電体キャパシタ41のリセットに起因する電流が、トランジスタ46のコレクタ/エミッタ経路を通ってグランドに分路されるように、抵抗器43を通してトランジスタ46をオンする。新しい状態は、強誘電体キャパシタ41が読み取りにおいてリセットされるまで、どんな電力もなく、外部回路が自律メモリ回路40に接続されることもなく、強誘電体キャパシタ41に記憶されたままである。回路の電源が切られている間に、正パルスがノード49に印加された場合に、強誘電体キャパシタ41は、それが既にアップでなければ、アップに切り替えられる。したがって、自律メモリ回路40は、それが、プログラミングソースによって供給される電力以外の電力を、記録モードの間に必要としないという点で、後で読み取るために電界における事象を記録することによく適している。さらに、プログラミングソースによって要求される電力は、非常に小さい。プログラミング中に流れる唯一の電流は、強誘電体キャパシタ41が状態を反転させる場合に、強誘電体キャパシタ41から移動される電荷によって表される電流に加えて、トランジスタ46のベースを通る漏れ電流である。プログラミングソースからの電力消費は、トランジスタを適切に選択すれば、マイクロワット未満にすることができる。
自律メモリ回路40は、自律メモリ回路40に電源投入することによって、アップ状態に自動的にリセットする。抵抗器44、およびトランジスタがプログラミング中にオンされる程度が、電源投入段階中に消費される電力を決定する。再び、電力要求は、極めて小さくすることができ、したがって監視されている装置からの信号は、装置をリセットするのに十分になり得る。ひとたびリセットされると、電力消費は、トランジスタ46がオフなので低い。
ここで、図5Aおよび5Bは、自律メモリ回路システムを示す。図5Aは、本発明による電界装置における一実施形態の概略図であり、図5Bは、図5Aに示す電界装置60などの電界装置の状態を読み取るための読み取り回路の概略図である。電界装置60には、上記のような強誘電体キャパシタ41およびスイッチング素子46が含まれる。読み取り装置65は、抵抗負荷44、電荷−電圧変換器42、および電力がバス45に印加された場合にノードA’における電位を測定するコントローラ63を提供する。電界装置60は、電界装置60の端子AおよびBを、読み取り装置65の端子A’およびB’にそれぞれ接続することよって、読み取り装置65に接続される。
また、本発明の自律メモリ回路を用いて、不揮発性ラッチを構成することができる。上記の自律メモリ回路実施形態は、自律メモリ回路への電力印加の前における強誘電体キャパシタの状態にかかわらず、電源投入後に「アップ」状態である状態を仮定する。電源投入中にデータが破壊されないようにラッチ機能を提供するために、電力が印加されたときに強誘電体キャパシタがダウン状態だった場合には、ある種のフィードバック回路を設けて、強誘電体キャパシタの状態をダウン状態にリセットしなければならない。
本発明の一態様において、自律メモリ回路の出力部からスイッチ/増幅器の制御入力部にフィードバック経路が設けられる。ここで図6は、本発明のこの態様に基づいたフィードバック経路を利用する不揮発性ラッチ70のブロック図である。ラッチ70におけるフィードバック回路77は、自律メモリ回路が電源投入されると、ノード76と母線78との間の電位差を測定する。負荷71にわたる電位差が、所定の閾値より大きい場合に、フィードバック回路77は、スイッチ73を導通状態にして強誘電体キャパシタ72をダウン状態に設定する信号をライン75上に生成する。スイッチ73がオンすると、フィードバック回路77用の制御入力部は、永続的にオンに保持され、回路はラッチする。
ここで図7は、強誘電体キャパシタ41がアップおよびダウン状態で自律メモリ回路40が電源投入された場合の時間の関数として、図3に示す母線およびノード49’上の電位を示す。回路40が電源投入されたときに強誘電体キャパシタ41がダウン状態である場合に、ノード49’上の電位は、ノード49’が、強誘電体キャパシタ41に分極状態を変更させ始める値に達するまで、最初は母線電位と共に増加する。強誘電体キャパシタ41が分極を反転させ始めると、トランジスタ46を導通させ始める電荷が放出される。トランジスタ46が、過度に導通し始めた場合に、ノード49’上の電位は降下し始め、強誘電体キャパシタ41は、スイッチングを停止する。トランジスタ46が十分に導通しない場合に、ノード49’上の電位は、より速く上昇して強誘電体キャパシタ41がより速く切り替わるようにし、より多くの電流をトランジスタ46の制御入力部に送り込み、その導電性を増加させる。したがって、回路は、ゆっくりした上昇速度で、特定の中間においてノード49の電位で安定する。このように、トランジスタ46の導電性における変化は、強誘電体キャパシタ41の状態における変化が完了するまで、ノード49’における電圧上昇を制限する。この時点において、さらなる電荷は、強誘電体キャパシタ41から放出されず、したがってトランジスタ46は、再び非導通となる。強誘電体キャパシタ41の遷移中の電位は、以下の説明において「シェルフ電圧」Vsと呼ばれる。ノード49’またはスイッチの他の形態に基づいた自律メモリ回路における類似のノードにおける特定の電位形状は、一般に、特定のスイッチインプリメンテーションに依存する。
図7および特に点曲線を再び参照すると、図3に示す母線およびノード49’上の電位は、強誘電体キャパシタ41がアップ状態である状態で、自律メモリ回路40が電源投入された場合の時間の関数として示されている。強誘電体キャパシタ41が、電源投入においてオンに切り替わらないので、トランジスタ46の制御入力部へは電流がほとんど流れず、トランジスタ46は導通しない。ノード49上の電位は、直ちに母線45上の電圧に上昇する。
電力投入シーケンス中にノード49における出力部に別の回路が装着されている場合に、母線45に印加される電圧は、次のように十分に高くなければならない。すなわち、強誘電体キャパシタ41の読み取りに電力を供給するためと同様に、ノード49に装着された外部回路の入力部に電力を供給するための電流の組み合わされた消費ゆえの導電性負荷44にわたる電圧降下によって、ノード49が、強誘電体キャパシタ41に対する読み取り動作を完了できるほどに十分に高く上昇できなくてはならないことに注目することが重要である。
再び図6を参照する。上記のように、強誘電体キャパシタ72が、電源投入時にダウン状態である場合に、ノード76上の電位は、アップ状態に切り替わるために強誘電体キャパシタ72の状態用に必要とされる期間にわたって、母線78上の電位より小さい。シェルフ電圧用の特定の値および中間状態の期間は、スイッチ73、強誘電体キャパシタ72、および電荷−電圧変換器74の特性に依存する。フィードバック回路は、Vsと母線78との間の差を検出しなければならない。フィードバック回路77は、78とノード76との間の電位差が閾値より大きい場合にスイッチ73をオンするが、その電位差がその閾値未満である場合にはスイッチ73をオンしない。フィードバック装置用の閾値電圧は、強誘電体キャパシタ72が切り替わり始めるまで、フィードバック回路77がその決定をしてはならない。
ここで図8は、本発明による不揮発性ラッチ80における一実施形態の概略図である。トランジスタ82は、ラッチ80における導電性負荷として働く。電源投入中に、トランジスタ81のゲート上の電位は、VまたはVsすなわちシェルフ電圧である。電位がVである場合に、トランジスタ81は、全面的にオフであり、したがってトランジスタ81は、高インピーダンスを提供する。この場合に、トランジスタ81は、決してオンにならず、トランジスタ83は、オフのままである。出力は高くなり、強誘電体キャパシタ84は、アップ状態にプログラムされたままである。
Vsがノード87において生成された場合に、トランジスタ81は、トランジスタ81をオンするのに十分な、ドレインおよびゲート間の負電位にさらされ、したがってトランジスタ81は、シェルフ電圧がノード87で生成された場合には非常に低いインピーダンスを提供する。トランジスタ81がオンした場合に、トランジスタ83はオンし、ノード86をVに、かつノード87をグランドにし、したがってVの全てを強誘電体キャパシタ84に印加して、強誘電体キャパシタ84を再びダウン状態に切り替える。
上記の閾値基準は、シェルフ電圧VsおよびV間の差がトランジスタ81の閾値電圧より大きいように回路を設計することによって満たされる。
電荷−電圧変換機能は、キャパシタ85によって提供される。ここで、ノードの寄生キャパシタンスおよびトランジスタ83のゲートキャパシタンスが不十分な場合に、従来のキャパシタを利用することができる。また、センスキャパシタが必要とされる実施形態のいずれかにおいて、強誘電体キャパシタをセンスキャパシタ用に使用することが可能である。
ノード87をグランドにしてトランジスタ81をオンするか、またはノード86をグランドにしてトランジスタ81をオフすることによってラッチ80に電力が供給される間に、ラッチ80をプログラムすることができる。電力がオフの間に、強誘電体キャパシタ84は、ノード86または87に電位を印加することによって、やはりプログラムすることができる。ノード87が、高くされた場合に、出力は、ラッチが電源投入されると高くなる。ノード86が高くされた場合に、出力は、ラッチが電源投入されると低くなる。
ここで図9は、本発明によるラッチの別の実施形態を示す。ラッチ90は、バイポーラトランジスタから構成され、かつラッチ80に関して上記した方法と類似の方法で動作する。ラッチ90の状態は、強誘電体キャパシタ93に記憶され、キャパシタ94は、強誘電体キャパシタ93から出る電荷をNPNトランジスタ92を動作させる電圧に変換する。フィードバック経路は、PNP形トランジスタ91によって提供される。導電性負荷95は、抵抗器または他の負荷とすることができる。
ラッチ90におけるトランジスタ91およびまたはラッチ80におけるトランジスタ81のオフインピーダンスが、非常に高くなり得るので、ノード96およびラッチ80における対応ノードは、ラッチ出力が高い場合にはフロートして、回路がオンの間にノード96を静電荷に影響されやすくする可能性があることに留意されたい。この状況は、トランジスタ91が非導通状態である場合に、キャパシタ94を放電させるために、抵抗器99などのプルダウン装置を含むことによって改善することができる。プルダウン装置は、非常に高い値の抵抗器、逆バイアスダイオード(MOSで構築するのが簡単である)、またはトランジスタ91をオンする電圧を超える電圧における出力によってオンされるプルダウンスイッチでなければならない。プルダウンスイッチの場合に、スイッチは、出力がVになった場合にのみオンするべきである。
上記の実施形態において、フィードバック経路は、単一のトランジスタまたはスイッチ装置から構成された。これは、トランジスタ技術がバイポーラ装置を提供したので可能になった。例えば、ラッチ90は、NPNおよびPNPトランジスタの両方を利用することが可能である。スイッチを提供するために利用される技術がユニポーラの場合に、フィードバック経路は、追加のスイッチまたはトランジスタを必要とする。例えば、図4に関連して上記した強誘電体FETは、NチャネルエンハンスメントFETまたはNチャネルデプレッションFETと類似している。負のゲート電圧用の拡張を備えた強誘電体FETは、まだ存在しない。したがって、フィードバック経路の異なる形態を利用しなければならない。
ここで図10は、本発明によるラッチの別の実施形態を示す。ラッチ100は、ユニポーラスイッチング装置から構成される。導電性負荷105、スイッチ104、強誘電体キャパシタ72は、ラッチ100の自律メモリセル部分を形成する。2つのクランプスイッチ102および103は、Vを出力と比較して、シェルフ電圧がラッチ100の電源投入中に発生するかどうかを判定し、かつそれに応じてメモリスイッチの状態を設定する。クランプアップスイッチ102およびクランプダウンスイッチ103は、両方とも閾値を有し、かつ同じタイプのスイッチ(ユニポーラ)である。例えば、2つのクランプスイッチは、エンハンスメントスイッチ、すなわち、それらの制御入力部に電圧が印加されない場合にオフであるエンハンスメントスイッチから構成することが可能である。これは、NチャネルFET、NPNバイポーラトランジスタまたは強誘電体FETの機能である。
クランプダウンスイッチ103は、シェルフ電圧を超えるが、しかしクランプアップスイッチ102の閾値より小さい閾値を有する。シェルフ電圧が発生した場合に、クランプダウンスイッチ103のターンオンは遅延されるが、しかしVによってトリガされるクランプアップスイッチ102は、オンしてスイッチ104をオンし、出力を引き下げ、加えてクランプダウンスイッチ103が決してオンしないことを保証する。シェルフ電圧が発生しない場合、すなわち、強誘電体キャパシタ72が、電力を印加される前にアップ状態に分極された場合に、クランプダウンスイッチ103は、クランプアップスイッチ102の前にオンし、したがってスイッチ104をオフに保ち、かつ出力をハイ状態に保つ。この状況において、クランプアップスイッチ102は、結局、クランプダウンスイッチ103の後でオンする。しかしながら、ゲート負荷101によって、クランプアップスイッチ102が、クランプダウンスイッチ103を圧倒できないように保証される。ゲート負荷101はまた、クランプスイッチによる電力消費を制限する。
ここで図11は、本発明の別の実施形態によるユニポーララッチを示す。ラッチ110は、もっぱらNPNトランジスタから構成される。クランプアップスイッチは、抵抗器123および124を介してバイアスをかけられたNPNトランジスタ112から構成され、かつ抵抗器121によって提供されるゲート負荷を有する。クランプダウンスイッチは、抵抗器115および116から構成された抵抗分割器によって設定された閾値を有するNPNトランジスタ113から構成される。抵抗器117は、トランジスタ112および113がオフの場合に、ノード125がフロートするのを防ぐための有限漏れ経路を提供する。電荷−電圧変換は、強誘電体キャパシタ119が状態を変更する場合に、強誘電体キャパシタ119から流れる電荷を受け取るキャパシタ118によって実行される。図10に示すスイッチ104は、NPNトランジスタ111によって実現される。
上記の実施形態は、トランジスタから構成されたスイッチを利用する。しかしながら、スイッチはまた、継電器または電気機械装置からを構成することが可能である。ここで図12は、本発明の別の実施形態によるラッチを示す。ラッチ150は、図6においてスイッチ73によって表されるスイッチング機能用の強誘電体継電器152、および図6に示すフィードバック回路77用の強誘電体継電器153を利用する。
強誘電体継電器は、当該技術分野において周知であり、したがって、これらの継電器は、ここで詳細には説明しない。この説明のために、例示的な強誘電体継電器が図13に示されている。しかしながら、かかる継電器の他の多くの実施形態が、本発明において利用可能である。強誘電体継電器160は、2つの電極162および163間にはさまれた強誘電体材料161の層から構成される。この例のために、次のことが仮定される。すなわち、電極162は、層161の長さにおける変化に応じて、自身の長さを著しく変更することができず、したがって、層161の長さが変化した場合に、電極162は、層161が長さを増加させるかまたは減少させるかに依存してコンタクト164が電極165の方へかまたはそこから離れる方へ移動するように、曲がると仮定される。層161は、印加される電界に応じて層161の長さがより短くなることゆえに、電極162および163間に電位が印加された場合に、コンタクト164が電極165と接触するように、分極される。電極間に電位が印加されない場合に、コンタクト164と電極165との間の接触は、断たれている。
強誘電体継電器160は、リード166を入力部に接続し、リード168を出力部に接続し、かつリード167を母線154に接続することによって、図12に示す継電器153用に使用することができる。同様に、強誘電体継電器160は、リード167をグランドに接続し、リード168を入力部に接続し、かつリード166を出力部に接続することによって、継電器152用に使用することができる。スイッチング電位は、強誘電体キャパシタ151の分極が切り替えられている場合に、強誘電体キャパシタ151から移動された電荷によって供給される。
層161ならびに電極162および163がまた、強誘電体キャパシタを形成することに留意されたい。したがって、強誘電体キャパシタ151、ならびに強誘電体継電器152および153おけるキャパシタの相対的キャパシタンスを適切に選択することによって、強誘電体キャパシタ151が状態を変更する場合に強誘電体キャパシタ151から切り替えられる電荷は、強誘電体継電器152および153の状態を切り替えるのに十分である。本発明の一実施形態において、相対的キャパシタンスは、キャパシタの相対的面積を操作することによって制御される。強誘電体継電器152における強誘電体キャパシタがまた、上記の電荷−電圧変換器の機能を果たし、したがって電圧変換器への追加費用が必要とされないことにもまた留意されたい。
容量性回路が、母線154から、素子151−153に関連する3つの強誘電体キャパシタを通ってグランドまでずっと存在することに留意されたい。3つのキャパシタのサイズを適切に選択することよって、導電性負荷155は、除去することが可能である。
本発明の上記の実施形態は、本発明の様々な態様を示すために提供された。しかしながら、異なる特定の実施形態に示された本発明の異なる態様を組み合わせて、本発明の他の実施形態を提供できることを理解されたい。さらに、本発明への様々な修正が、前述の説明および添付の図面から当業者には明白になろう。したがって、本発明は、ただ添付の特許請求の範囲によってのみ限定される。

Claims (24)

  1. 第1および第2の分極状態を特徴とする強誘電体キャパシタと、
    制御端子上の信号によって決定される、第1および第2のスイッチ端子間のスイッチインピーダンスを有する可変インピーダンス素子において、前記強誘電体キャパシタが、前記制御端子と前記第1のスイッチ端子との間に接続される可変インピーダンス素子と、
    を含む回路において、
    電位差が、前記第1および第2のスイッチ端子間に印加された場合に、前記強誘電体キャパシタの前記分極状態によって決定された方法で変化する電流が、前記第1のスイッチ端子と前記第2のスイッチ端子との間に流れることを特徴とする回路。
  2. 請求項1に記載の回路において、前記制御端子と前記第2のスイッチ端子との間に電荷−電圧変換器をさらに含むことを特徴とする回路。
  3. 請求項1に記載の回路において、第1の電力端子と前記第1のスイッチ端子との間に接続された導電性負荷において、前記第2のスイッチ端子が第2の電力端子に接続される導電性負荷をさらに含むことを特徴とする回路。
  4. 請求項3に記載の回路において、前記導電性負荷が、前記制御端子上の前記信号によって決定されるインピーダンスを有することを特徴とする回路。
  5. 請求項1に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子が、バイポーラトランジスタ、強誘電体FET、FET、増幅器、強誘電体継電器、強磁性継電器、および静電MEMスイッチからなる群から選択されることを特徴とする回路。
  6. 請求項1に記載の回路において、前記スイッチインピーダンスが、前記制御端子上の電位の関数として変化し、前記回路が、前記制御端子に接続された電荷−電圧変換器を含むことを特徴とする回路。
  7. 請求項6に記載の回路において、前記電荷−電圧変換器が、強誘電体誘電材料を有するキャパシタを含むことを特徴とする回路。
  8. 請求項3に記載の回路において、前記分極状態が、前記第1および第2の電力端子間に印加されている電位差に応じて、前記第1の状態から前記第2の状態に切り替わり、前記回路が、前記印加された電位差に応じて前記分極状態が前記第1の状態から前記第2の状態切り替わった場合に、前記分極状態を前記第1の分極状態にリセットするフィードバック回路をさらに含むことを特徴とする回路。
  9. 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、前記第1および第2の電力端子の間に前記電位差が印加された場合に前記第1のスイッチ端子と前記第1の電力端子との間の始動電位を測定する、かつ前記始動電位に基づいて前記分極状態を前記第1の分極状態に設定するフィードバック素子を含むことを特徴とする回路。
  10. 請求項8に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子が、第1のタイプのバイポーラ装置を含み、前記フィードバック素子が、反対のタイプのバイポーラ装置を含むことを特徴とする回路。
  11. 請求項10に記載の回路において、前記バイポーラ装置がバイポーラトランジスタを含むことを特徴とする回路。
  12. 請求項10に記載の回路において、前記バイポーラ装置がMOSFETを含むことを特徴とする回路。
  13. 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、第1のキャパシタンスを特徴とする第1の強誘電体継電器を含むことを特徴とする回路。
  14. 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、バイポーラトランジスタ、強誘電体FET、FET、増幅器、強誘電体継電器、強磁性継電器、および静電MEMスイッチからなる群から選択される装置を含むことを特徴とする回路。
  15. 請求項13に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子が、前記第1のキャパシタンスに依存するキャパシタンスを有する第2の強誘電体継電器を含むことを特徴とする回路。
  16. 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、フィードバック負荷ならびに第1および第2のフィードバックスイッチを含み、前記フィードバック負荷が、前記印加された電位に応じて、前記第1のフィードバックスイッチによって前記制御端子に接続され、前記第2のフィードバックスイッチが、前記可変インピーダンス素子の前記第1のスイッチ端子上の前記電位が所定の閾値より大きい電位であることに応じて、前記制御端子を前記第2の電力端子に接続することを特徴とする回路。
  17. 請求項16に記載の回路において、前記第1の電力端子が、前記電位差が印加された場合に第1の電力電位であり、前記所定の閾値が、前記第1の電力電位未満であることを特徴とする回路。
  18. 請求項16に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子ならびに前記第1および第2のフィードバックスイッチが、同じタイプのスイッチを含むことを特徴とする回路。
  19. 請求項17に記載の回路において、前記スイッチが、NチャネルFET、NPNバイポーラトランジスタ、または強誘電体FETからなる群から選択されることを特徴とする回路。
  20. 第1の強誘電体キャパシタと、
    第2の強誘電体キャパシタによって制御されるスイッチを有する強誘電体継電器において、前記スイッチが、第1および第2のスイッチ端子を有し、前記第1のスイッチ端子が、前記第2の強誘電体キャパシタが第1の分極状態を有する場合に、前記第2のスイッチ端子に接続され、前記第1のスイッチ端子が、前記第2の強誘電体キャパシタが第2の分極状態を有する場合に、前記第2のスイッチ端子から切断される強誘電体継電器と、
    を含む回路において、
    前記第1の強誘電体キャパシタが、前記第2の強誘電体キャパシタと直列に接続され、
    前記第1の強誘電体キャパシタが、前記第1のスイッチ端子に接続され、
    前記第2の強誘電体キャパシタが、前記第2のスイッチ端子に接続されることを特徴とする回路。
  21. 請求項20に記載の回路において、前記第1の強誘電体キャパシタが分極状態を変更した場合に前記第1の強誘電体キャパシタから放出された電荷が、前記第2の強誘電体キャパシタに分極状態を変更させるのに十分であるように選択されたキャパシタンスを、前記第1の強誘電体キャパシタが有することを特徴とする回路。
  22. 第1および第2の分極状態を特徴とする強誘電体キャパシタの状態を決定するための方法において、
    制御端子上の信号によって決定される第1および第2のスイッチ端子間のスイッチインピーダンスを有する可変インピーダンス素子を提供することにおいて、前記強誘電体キャパシタが、前記制御端子と前記第1のスイッチ端子との間に接続されることと、
    前記第1および第2スイッチ端子間の電位差を印加することと、
    前記第1のスイッチ端子と前記第2のスイッチ端子との間に流れる電流を測定して、前記強誘電体キャパシタの前記分極状態を決定することと、
    を含むことを特徴とする方法。
  23. 請求項22に記載の方法において、前記強誘電体キャパシタから出る電荷を、前記制御端子に印加される電圧に変換することさらに含むことを特徴とする方法。
  24. 請求項22に記載の方法において、前記分極状態が、第1および第2の電力端子間に印加されている電位差に応じて、前記第1の状態から前記第2の状態に切り替わり、前記方法が、前記分極状態が前記印加された電位差に応じて前記第1の状態から前記第2の状態に切り替わる場合に、前記分極状態を前記第1の分極状態にリセットすることをさらに含むことを特徴とする方法。
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