JP2013530482A - 強誘電体キャパシタによって制御される可変インピーダンス回路 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
Claims (24)
- 第1および第2の分極状態を特徴とする強誘電体キャパシタと、
制御端子上の信号によって決定される、第1および第2のスイッチ端子間のスイッチインピーダンスを有する可変インピーダンス素子において、前記強誘電体キャパシタが、前記制御端子と前記第1のスイッチ端子との間に接続される可変インピーダンス素子と、
を含む回路において、
電位差が、前記第1および第2のスイッチ端子間に印加された場合に、前記強誘電体キャパシタの前記分極状態によって決定された方法で変化する電流が、前記第1のスイッチ端子と前記第2のスイッチ端子との間に流れることを特徴とする回路。 - 請求項1に記載の回路において、前記制御端子と前記第2のスイッチ端子との間に電荷−電圧変換器をさらに含むことを特徴とする回路。
- 請求項1に記載の回路において、第1の電力端子と前記第1のスイッチ端子との間に接続された導電性負荷において、前記第2のスイッチ端子が第2の電力端子に接続される導電性負荷をさらに含むことを特徴とする回路。
- 請求項3に記載の回路において、前記導電性負荷が、前記制御端子上の前記信号によって決定されるインピーダンスを有することを特徴とする回路。
- 請求項1に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子が、バイポーラトランジスタ、強誘電体FET、FET、増幅器、強誘電体継電器、強磁性継電器、および静電MEMスイッチからなる群から選択されることを特徴とする回路。
- 請求項1に記載の回路において、前記スイッチインピーダンスが、前記制御端子上の電位の関数として変化し、前記回路が、前記制御端子に接続された電荷−電圧変換器を含むことを特徴とする回路。
- 請求項6に記載の回路において、前記電荷−電圧変換器が、強誘電体誘電材料を有するキャパシタを含むことを特徴とする回路。
- 請求項3に記載の回路において、前記分極状態が、前記第1および第2の電力端子間に印加されている電位差に応じて、前記第1の状態から前記第2の状態に切り替わり、前記回路が、前記印加された電位差に応じて前記分極状態が前記第1の状態から前記第2の状態切り替わった場合に、前記分極状態を前記第1の分極状態にリセットするフィードバック回路をさらに含むことを特徴とする回路。
- 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、前記第1および第2の電力端子の間に前記電位差が印加された場合に前記第1のスイッチ端子と前記第1の電力端子との間の始動電位を測定する、かつ前記始動電位に基づいて前記分極状態を前記第1の分極状態に設定するフィードバック素子を含むことを特徴とする回路。
- 請求項8に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子が、第1のタイプのバイポーラ装置を含み、前記フィードバック素子が、反対のタイプのバイポーラ装置を含むことを特徴とする回路。
- 請求項10に記載の回路において、前記バイポーラ装置がバイポーラトランジスタを含むことを特徴とする回路。
- 請求項10に記載の回路において、前記バイポーラ装置がMOSFETを含むことを特徴とする回路。
- 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、第1のキャパシタンスを特徴とする第1の強誘電体継電器を含むことを特徴とする回路。
- 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、バイポーラトランジスタ、強誘電体FET、FET、増幅器、強誘電体継電器、強磁性継電器、および静電MEMスイッチからなる群から選択される装置を含むことを特徴とする回路。
- 請求項13に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子が、前記第1のキャパシタンスに依存するキャパシタンスを有する第2の強誘電体継電器を含むことを特徴とする回路。
- 請求項8に記載の回路において、前記フィードバック回路が、フィードバック負荷ならびに第1および第2のフィードバックスイッチを含み、前記フィードバック負荷が、前記印加された電位に応じて、前記第1のフィードバックスイッチによって前記制御端子に接続され、前記第2のフィードバックスイッチが、前記可変インピーダンス素子の前記第1のスイッチ端子上の前記電位が所定の閾値より大きい電位であることに応じて、前記制御端子を前記第2の電力端子に接続することを特徴とする回路。
- 請求項16に記載の回路において、前記第1の電力端子が、前記電位差が印加された場合に第1の電力電位であり、前記所定の閾値が、前記第1の電力電位未満であることを特徴とする回路。
- 請求項16に記載の回路において、前記可変インピーダンス素子ならびに前記第1および第2のフィードバックスイッチが、同じタイプのスイッチを含むことを特徴とする回路。
- 請求項17に記載の回路において、前記スイッチが、NチャネルFET、NPNバイポーラトランジスタ、または強誘電体FETからなる群から選択されることを特徴とする回路。
- 第1の強誘電体キャパシタと、
第2の強誘電体キャパシタによって制御されるスイッチを有する強誘電体継電器において、前記スイッチが、第1および第2のスイッチ端子を有し、前記第1のスイッチ端子が、前記第2の強誘電体キャパシタが第1の分極状態を有する場合に、前記第2のスイッチ端子に接続され、前記第1のスイッチ端子が、前記第2の強誘電体キャパシタが第2の分極状態を有する場合に、前記第2のスイッチ端子から切断される強誘電体継電器と、
を含む回路において、
前記第1の強誘電体キャパシタが、前記第2の強誘電体キャパシタと直列に接続され、
前記第1の強誘電体キャパシタが、前記第1のスイッチ端子に接続され、
前記第2の強誘電体キャパシタが、前記第2のスイッチ端子に接続されることを特徴とする回路。 - 請求項20に記載の回路において、前記第1の強誘電体キャパシタが分極状態を変更した場合に前記第1の強誘電体キャパシタから放出された電荷が、前記第2の強誘電体キャパシタに分極状態を変更させるのに十分であるように選択されたキャパシタンスを、前記第1の強誘電体キャパシタが有することを特徴とする回路。
- 第1および第2の分極状態を特徴とする強誘電体キャパシタの状態を決定するための方法において、
制御端子上の信号によって決定される第1および第2のスイッチ端子間のスイッチインピーダンスを有する可変インピーダンス素子を提供することにおいて、前記強誘電体キャパシタが、前記制御端子と前記第1のスイッチ端子との間に接続されることと、
前記第1および第2スイッチ端子間の電位差を印加することと、
前記第1のスイッチ端子と前記第2のスイッチ端子との間に流れる電流を測定して、前記強誘電体キャパシタの前記分極状態を決定することと、
を含むことを特徴とする方法。 - 請求項22に記載の方法において、前記強誘電体キャパシタから出る電荷を、前記制御端子に印加される電圧に変換することさらに含むことを特徴とする方法。
- 請求項22に記載の方法において、前記分極状態が、第1および第2の電力端子間に印加されている電位差に応じて、前記第1の状態から前記第2の状態に切り替わり、前記方法が、前記分極状態が前記印加された電位差に応じて前記第1の状態から前記第2の状態に切り替わる場合に、前記分極状態を前記第1の分極状態にリセットすることをさらに含むことを特徴とする方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2015529996A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-10-08 | レイディアント テクノロジーズ, インコーポレイテッドRadianttechnologies, Inc. | 電力中断期間中を通して論理関数を実行するための埋め込み式不揮発性メモリ回路 |
JP2017508358A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | レイディアント テクノロジーズ, インコーポレイテッドRadiant Technologies, Inc. | 強誘電体キャパシタを利用する不揮発性カウンタ |
JP2017532709A (ja) * | 2014-09-26 | 2017-11-02 | レイディアント テクノロジーズ, インコーポレイテッドRadiant Technologies, Inc. | 強誘電体キャパシタを利用するcmoアナログメモリ |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9786346B2 (en) * | 2015-05-20 | 2017-10-10 | Micron Technology, Inc. | Virtual ground sensing circuitry and related devices, systems, and methods for crosspoint ferroelectric memory |
US10109350B2 (en) * | 2016-07-29 | 2018-10-23 | AP Memory Corp., USA | Ferroelectric memory device |
US10049713B2 (en) * | 2016-08-24 | 2018-08-14 | Micron Technology, Inc. | Full bias sensing in a memory array |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09326200A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Nec Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその駆動方法 |
JP2002197856A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | 不揮発性多値記憶装置 |
JP2004327513A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2005100487A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Sony Corp | 半導体記憶装置の駆動方法 |
Family Cites Families (7)
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---|---|---|---|---|
KR19990016845A (ko) * | 1997-08-20 | 1999-03-15 | 윤종용 | 강유전체 반도체 메모리 장치 |
US5898609A (en) * | 1998-05-29 | 1999-04-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Ferroelectric memory having circuit for discharging pyroelectric charges |
JP2000090674A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置並びにその書き込み方法及び読み出し方法 |
DE19851866C1 (de) * | 1998-11-10 | 2000-03-23 | Siemens Ag | Speicherzellenanordnung |
JP3430117B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2003-07-28 | Necエレクトロニクス株式会社 | 強誘電体メモリ及びその動作制御方法並びに強誘電体メモリセル構造及びその製造方法 |
DE60232907D1 (ja) * | 2001-11-19 | 2009-08-20 | Rohm Co Ltd | |
US8310856B2 (en) * | 2010-06-09 | 2012-11-13 | Radiant Technology | Ferroelectric memories based on arrays of autonomous memory bits |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09326200A (ja) * | 1996-06-06 | 1997-12-16 | Nec Corp | 不揮発性半導体メモリ装置およびその駆動方法 |
JP2002197856A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | 不揮発性多値記憶装置 |
JP2004327513A (ja) * | 2003-04-22 | 2004-11-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JP2005100487A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Sony Corp | 半導体記憶装置の駆動方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015529996A (ja) * | 2012-07-06 | 2015-10-08 | レイディアント テクノロジーズ, インコーポレイテッドRadianttechnologies, Inc. | 電力中断期間中を通して論理関数を実行するための埋め込み式不揮発性メモリ回路 |
JP2017508358A (ja) * | 2014-01-21 | 2017-03-23 | レイディアント テクノロジーズ, インコーポレイテッドRadiant Technologies, Inc. | 強誘電体キャパシタを利用する不揮発性カウンタ |
JP2017532709A (ja) * | 2014-09-26 | 2017-11-02 | レイディアント テクノロジーズ, インコーポレイテッドRadiant Technologies, Inc. | 強誘電体キャパシタを利用するcmoアナログメモリ |
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