JP2013526077A - 構造化された裏面を有する太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
−半導体材料のウェーハの厚さは10μmから200μmであり、好ましくは10μから180μm、より好ましくは50μmから150μmである。
−光学構造は周期的なパターンの構造を有し、これによりこれらのパターンは入射光の回折格子を形成する。
−光学構造体のパターンのピッチは、半導体材料のウェーハの裏面により形成される平面の両方向で300nmから2μmである。
−光学構造体のパターンの幅は、100nmから2μmである。
−光学構造体のパターンの高さは、20nmから5μmである。
−パターンは、線、バンプ接点または穴の形態である。
−電気接点は、下記の材料、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、白金、クロム、タングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つにより選択される材料で製造される。
−光学構造体は、シリカ、水素リッチであることが可能な窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナ、二酸化チタン、窒化チタン、フッ化マグネシウム、無水タンタルまたはグラファイトから選択される物質である。
−光学構造体は、半導体材料のウェーハと電気接点との間に配置される。
−光学構造体は電気接点機能を有し、パッシベーション層が電気接点を覆う。
−半導体材料のウェーハの前面も、例えばピラミッドの平面の角度が半導体材料の結晶軸に相当するピラミッド構造により、または多少ランダムに配置される表面粗さにより形成される光学構造体を備える。
(a)ウェーハの裏面に、入射光をウェーハのコアへと配向し直すことができる光学構造体と称される不連続な構造体を製造するステップと、
(b)光学構造体およびウェーハの裏面を覆う導電材料層を蒸着するステップと、
(c)導電材料層と半導体材料のウェーハとの間に電気接点を形成するために、半導体材料のウェーハ、光学構造体および導電材料層によりこうして形成されるアッセンブリの焼付けを、光学構造体を形成する物質の融解温度より低い温度で実行するステップと、を含むことを特徴とする。
−ステップ(a)は、下記のステップ、即ち、
(a1)半導体材料のウェーハ上、半導体材料のウェーハの裏面上へ樹脂層を蒸着するステップと、
(a2)樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷を行うステップと、
(a3)前記光学構造体を形成するために、ステップ(b)で蒸着される物質の融解温度より高い融解温度を有し、かつ樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う物質層を蒸着するステップと、
(a4)前記ステップ(a3)で蒸着された物質が樹脂上に位置決めされた状態で前記樹脂を除去するステップと、を含む。
−ステップ(b)とステップ(c)との間に、前記ステップ(b)が完了すると得られる構造体の前記金属層(3)上へ、穿孔を有する熱スクリーンを位置合わせして、前記スクリーンの穿孔を前記光学構造体(4)の2パターン(41)間に残される隙間と一致させるステップが設けられている。
(a’)ウェーハの裏面に、入射光をウェーハのコアへと配向し直すことができる不連続な導電材料で充填された光学構造体を製造するステップと、
(b’)材料と半導体材料のウェーハとの間に電気接点を形成するために、半導体材料のウェーハおよび導電材料で充填された光学構造体によりこうして形成されるアッセンブリの焼付けを実行するステップと、
(c’)導電材料で充填された光学構造体およびウェーハの裏面を覆うパッシベーション層を蒸着するステップと、を含むことを特徴とする。
−ステップ(a’)は、下記のステップ、即ち、
(a’1)半導体材料のウェーハの裏面上への樹脂層の蒸着、
(a’2)樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷、
(a’3)光学構造体を形成するための、樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う導電材料層の蒸着、
(a’4)ステップ(a3)で蒸着された物質が樹脂上に位置決めされた状態での樹脂の除去。
− ステップ(a’)とステップ(b’)との間に、ステップ(a’)が完了すると得られる構造体の導電材料による光学構造体上へ有孔の熱スクリーンを、スクリーンの穿孔が光学構造体の2パターン間に残される隙間と一致するように、位置合わせするステップが設けられている。
(a)ウェーハ2の裏面22上へ、入射光をウェーハ2のコアへと配向し直すことができる不連続な光学構造体4が製造される。
(b)光学構造体4およびウェーハ2の裏面22を覆うように、導電材料層3が蒸着される。
(c)半導体材料のウェーハ2、光学構造体4および導電材料層3によりこうして形成されたアッセンブリは、導電材料層3と半導体材料のウェーハ2との間に電気接点32を形成するために、光学構造体4を形成する物質の融解温度より低い温度で焼き付けられる。
(a1)半導体材料のウェーハ2の裏面22上への樹脂層6の蒸着。
(a2)樹脂層6における逆パターンのリソグラフィ印刷。
(a3)光学構造体を形成するための、ステップ(b)で蒸着される導電材料の融解温度より高い融解温度を有しかつ樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う物質層41の蒸着。
(a4)ステップ(a3)において樹脂上へ蒸着された物質を伴う樹脂の除去。よって、裏面上へ蒸着された物質自体のみが残る。
(a’)ウェーハ2の裏面22上へ、入射光をウェーハ2のコアへと配向し直すことができる不連続な導電材料3で形成された光学構造体4が製造される。
(b’)導電材料3と半導体材料のウェーハ2との間に電気接点32を形成するために、半導体材料のウェーハ2および導電材料で充填された光学構造体4により形成されるアッセンブリが焼き付けられる。
(c’)導電材料で充填された光学構造体4およびウェーハ2の裏面22を覆ってパッシベーション層5が蒸着される。
(a’1)半導体材料のウェーハの裏面上への樹脂層の蒸着。
(a’2)樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷。
(a’3)光学構造体を形成するための、樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う導電材料層の蒸着。
(a’4)ステップ(a3)において樹脂上へ蒸着された物質を伴う樹脂の除去。よって、裏面22上へ蒸着された物質自体のみが残る。
Claims (14)
- 入射光を受光する前面(21)と、前記前面に対向する裏面(22)とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハ(2)を備える太陽電池(1)であって、前記裏面(22)は電気接点(32)と、入射光を前記ウェーハのコアへと配向し直すことができる、光学構造体と称される不連続な構造体(4)とを備え、前記構造体(4)は、シリカ、シリコン酸化物、水素リッチであることが可能な窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナすなわちより一般的には酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化チタン、フッ化マグネシウム、無水タンタル、グラファイトまたは多孔質シリコンから選択される物質で製造されることを特徴とする太陽電池。
- 前記半導体材料のウェーハ(2)の厚さは10μmから200μmであり、好ましくは10μmから180μmであり、さらに好ましくは50μmから150μmである、請求項1に記載の太陽電池。
- 前記光学構造体(4)は周期的なパターンの構造を有し、これによりこれらのパターンは入射光のための回折格子を形成する、請求項1または2に記載の太陽電池。
- 前記光学構造体(4)の前記パターンのピッチは、前記半導体材料のウェーハの前記裏面により形成される平面の両方向で300nmから2μmである、請求項1〜3の何れか1項に記載の太陽電池。
- 前記光学構造体(4)のパターンの幅は100nmから2μmである、請求項3または4に記載の太陽電池。
- 前記光学構造体(4)のパターンの高さは20nmから5μmである、請求項3〜5の何れか1項に記載の太陽電池。
- 前記パターンは線、バンプ接点または穴の形態である、請求項3〜6の何れか1項に記載の太陽電池。
- 前記電気接点(32)は、次の物質、即ちアルミニウム、銀、銅、ニッケル、白金、クロム、タングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つから選択される物質で製造される、請求項1〜7の何れか1項に記載の太陽電池。
- 前記光学構造体(4)は、前記半導体材料のウェーハ(2)と前記電気接点(32)との間に配置される、請求項1〜8の何れか1項に記載の太陽電池。
- 前記半導体材料のウェーハ(2)の前記前面(21)は、例えば、ピラミッド構造により、または多少ランダムに配置される表面粗さにより形成される光学構造体をさらに備え、前記ピラミッド構造は、その平面の角度が前記半導体材料の結晶軸に相当する、請求項1〜9の何れか1項に記載の太陽電池。
- 入射光を受光する前面(21)と、前記前面に対向する裏面(22)とを有する少なくとも1つの半導体材料のウェーハ(2)を備える太陽電池(1)を製造するための方法であって、前記方法は、前記半導体材料のウェーハから、下記のステップ、即ち、
(a)前記ウェーハ(2)の前記裏面(22)に、入射光を前記ウェーハのコアへと配向し直すことができる光学構造体と称される不連続な構造体(4)を、シリカ、シリコン酸化物、水素リッチであることが可能な窒化ケイ素、炭化ケイ素、アルミナすなわちより一般的には酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化チタン、フッ化マグネシウム、無水タンタル、グラファイトまたは多孔質シリコンから選択される物質で製造するステップと、
(b)前記光学構造体および前記ウェーハの前記裏面を覆う導電材料層(3)を蒸着するステップと、
(c)前記導電材料層と前記半導体材料のウェーハとの間に電気接点(32)を形成するために、前記半導体材料のウェーハ、前記光学構造体および前記導電材料層によりこうして形成されるアッセンブリの焼付けを、前記光学構造体を形成する物質の融解温度より低い温度で実行するステップと、を含むことを特徴とする方法。 - 前記ステップ(a)は、下記のステップ、即ち、
(a1)半導体材料のウェーハ上、半導体材料のウェーハの裏面上へ樹脂層を蒸着するステップと、
(a2)樹脂層内への逆パターンのリソグラフィ印刷を行うステップと、
(a3)前記光学構造体を形成するために、ステップ(b)で蒸着される物質の融解温度より高い融解温度を有し、かつ樹脂およびウェーハ裏面の双方を覆う物質層を蒸着するステップと、
(a4)前記ステップ(a3)で蒸着された物質が樹脂上に位置決めされた状態で前記樹脂を除去するステップと、を含む、請求項11に記載の方法。 - 前記ステップ(b)と前記ステップ(c)との間に、前記ステップ(b)が完了すると得られる構造体の前記金属層(3)上へ、穿孔を有する熱スクリーンを位置合わせして、前記スクリーンの穿孔を前記光学構造体(4)の2パターン(41)間に残される隙間と一致させるステップが設けられている、請求項11または12に記載の方法。
- 前記導電材料(3)は次の物質、即ちアルミニウム、銀、金、銅、ニッケル、白金、クロムまたはタングステン、ナノチューブ形態のカーボンまたは透明導電性酸化物のうちの1つによって選択される、請求項11〜13の何れか1項に記載の方法。
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