JP2013523596A - 熱放射シールドを含むシーメンス反応器のためのベルジャー - Google Patents

熱放射シールドを含むシーメンス反応器のためのベルジャー Download PDF

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Abstract

化学蒸着法によって多結晶シリコンを複数の加熱されたシリコンロッド上に堆積するのに用いられる種類のシーメンス反応器のためのベルジャー。ベルジャーは、複数の加熱されたシリコンロッドをそこに収容するように適合されている内側空間を少なくとも部分的に規定している内側表面を有する熱伝導性内壁を含む。熱放射シールドは、内壁の内側表面にほぼ隣接しており向かい合った関係にある。熱放射シールドは、ベルジャーの内側空間内の複数の加熱されたシリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない。

Description

この節は、本開示の様々な態様に関し得る様々な技術態様を読み手に紹介することを意図し、以下に本開示の様々な態様を記載および/または主張する。この記述は、本開示の様々な態様のより良い理解を促すように読み手に背景情報を提供する際に有益であると考えられる。従って、これらの記載は、この観点で読まれるべきであり、従来技術の承認として読まれるべきではないと理解されたい。
高純度多結晶シリコン(ポリシリコン)は、電子要素および太陽電池の製造のための出発材料である。それは、シリコン源ガスの水素による熱的な分解または還元によって得られる。この方法は化学蒸着(CVD)として当業者に知られている。ポリシリコンは、いわゆるシーメンス反応器(Siemens reactor)で製造することができる。これらのCVD反応器内での元素シリコンの化学蒸着は、シリコンロッド、いわゆる細棒(thin rod)上で起こる。ロッドは、シーメンス反応器の金属ベルジャー(または鐘形壺、bell jar)内に位置し、電流源に電気的に接続されている。電流がロッドに供給される場合に、これらのロッドは、抵抗加熱を通じて1000℃より高く加熱される。水素とシリコン源ガスを含む反応ガス、例えば、トリクロロシランがベルジャー内に導入される。気体混合物は、それがロッド表面に接触する場合に伝導性熱伝達(conductive heat transfer)によって加熱され、CVD反応がシリコンロッド表面上で起こる。
ロッドにおいて熱エネルギーに変換される大部分の電気エネルギーは、ロッドの高温に起因してロッド表面から放射する。各々のロッドからのいくらかの熱放射は、隣接したロッド上に入射して、ロッドによって吸収され、従って、ロッドの加熱に寄与する。反応ガスは熱放射に透過的(transparent)であり、従って、熱放射エネルギーは反応ガスに移らない。その代わりに、大部分の熱放射はシーメンス反応器のベルジャーの金属壁に到達する。金属壁は入射熱放射を少なくとも部分的に吸収する。金属壁における熱は、金属壁を包囲している冷却流路を通って流れている液体への伝達によって移される。熱を金属壁から移すことは、壁の腐食を防いで、圧力下にある壁を機械的に安定化させ、および壁に対するシリコン堆積を防止する。
1つの態様では、化学蒸着法によって多結晶シリコンを複数の加熱されたシリコンロッド上に堆積するのに用いられる種類のシーメンス反応器のためのベルジャーが、概して、複数の加熱されたシリコンロッドをそこに収容するように適合されている内側空間を少なくとも部分的に規定している内側表面を有する熱伝導性内壁を含む。内側空間内の熱放射シールド(または熱放射遮蔽、thermal radiation shield)は内壁の内側表面にほぼ隣接しており向かい合った関係にある。熱放射シールドは、ベルジャーの内側空間内の複数の加熱されたシリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない。
別の態様では、化学蒸着法において多結晶シリコンを複数の加熱されたシリコンロッド上に堆積するのに用いられる種類のシーメンス反応器のためのベルジャー内に放射シールドを構成する方法が、概して、ベルジャーの内壁の内側表面のまわりに少なくとも1つの列で複数の据付部材を準備することを含む。内壁の内側表面は、複数の加熱されたシリコンロッドを収容するように適合されているベルジャーの内側空間を少なくとも部分的に規定している。 熱放射シールド部材をベルジャーの内壁の内側表面のまわりに互いに並べて配置するように、複数の熱放射シールド部材を据付部材に据え付ける。熱放射シールド部材は、化学蒸着法の間にベルジャーの内側空間内の複数の加熱されたシリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない、
更なる別の態様では、シーメンス反応器のベルジャーの内側空間内における加熱されたシリコンロッドによって放出される熱放射に起因したシーメンス反応器内の熱損失を減少する方法が、概して、シーメンス反応器のベルジャーの内側空間に設置されているシリコンロッドに電気エネルギーを供給することを含む。シリコンロッドは、電気エネルギーを熱エネルギーに変換し、シリコンロッドは、熱放射を放出する。ベルジャーの内側空間内の熱放射シールドを利用して、シリコンロッドから放出される熱放射が反射および吸収される。熱放射シールドは、ベルジャーの内壁に向かい合った関係で固定されている。熱放射シールドは、シリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない。
上述した態様に関して記載される特徴として様々な補強(強化)が存在する。更なる特徴が上述した態様にも組み込まれてよい。これらの補強および付加的な特徴が独立してまたは任意の組み合わせで存在してよい。例えば、任意の説明される実施形態に関して以下に記載される様々な特徴が任意の上述した態様に単独または任意の組み合わせで組み込まれてよい。
図1は、シーメンス反応器のための改良ベルジャーの実施形態の正面図である。 図2は、図1の線2−2に沿って切り出された改良ベルジャーの縦断面である。 図3は、シールド部材がベルジャーから除去されている図2の縦断面の拡大された部分図である。 図4は、図2の縦断面の拡大された部分図である。 図5は、ベルジャーの内壁に固定されているハンガーを図示する図3の拡大された部分図である。 図6は、ベルジャーの熱放射シールド部材の前面図である。 図7は、図5の熱放射シールドの末端上面図である。
添付図面、とりわけ図1〜3を参照すると、シーメンス反応器のためのベルジャーの1つの実施形態が概して10で示される。
用語「シーメンス反応器(Siemens reactor)」は、本明細書に用いられるように、大まかに、化学蒸着(CVD)による多結晶シリコン(ポリシリコン)の製造に用いられる反応器のことを言う。
用語「シーメンス反応器」は如何なる特定の反応器モデルまたは製造機にも限定されない。
ベルジャー10は、一般的に、ほぼ円筒状でありおよび熱伝導性のある金属内壁12を含む(図2および3)。
内壁12は、複数のシリコンロッド(例えば、12〜18ロッドまで、または36ロッドまで、または更に54ロッドまで)を収容するための内側空間14を部分的に規定している開口底および内側表面を有する。
操作の間、シリコンロッド(図示せず)は、反応器のベースプレート(図示せず)上に据え付けられ、および内側空間14内に上方に延在する。
一般的に従来技術で知られているように、シリコンロッドは電流源(図示せず)に電気的に接続され、抵抗加熱することによってシリコンロッドを1000℃以上の温度まで加熱する。
ベルジャー10は、また、内壁12の上側部分上に一体に形成されている凸形状(またはドーム形状、dome-shaped)頂16(図2)と、内壁12と凸形状頂16との外側表面を包囲しており管20を少なくとも部分的に規定している冷却ジャケット18と、を含む。ともに、内壁12と凸形状頂16は内側空間14を規定している。一般的に従来技術で知られているように、CVD法の間に用いられる反応性ガス、例えば、シラン、クロロシラン、水素および塩化水素などが、1以上の気体入口(図示せず)を通過して内側空間14内に導入される。CVD法の間にシリコンロッド上に堆積しない気体が、気体出口(図示せず)を通じて内側空間から除去される。冷却ジャケット18は1以上の入口(図示せず)と1以上の出口(図示せず)を含む。冷却液体源(図示せず)は、管20内に液体を連続的に供給するための冷却ジャケット18の入口に流体的に接続されてよい。一般的に従来技術で知られているように、管20内を流れる冷却液体は内側金属壁16と熱的に接触し、内壁によって吸収される全ての入射熱放射は、CVD法に寄与せずに、強いられる伝導性熱伝達によって冷却液体に移されおよび反応器から除去される。
図2〜5を参照すると、改良ベルジャー10は、また、内側空間14内において、概して30で示される熱放射シールドを含む。熱放射シールド30は、内壁12上に据え付けられている複数のシールド部材32を含む。説明される実施形態において、シールド部材32は、上側および下側の列(図2)で並んで配置されている概して細長く薄いプレートまたはスラブの形態をしている。1つの実施形態において、シールド部材32はシリコンから製造されてよい。シリコンから製造されているシールド部材32は、CVD法の間、シリコンロッドを汚さないと考えられる。さらに、シリコンシールド部材32を用いた後に複数の回分サイクルのために、シールド部材を次の処理の後に、例えば、エッチングなどの後に低いグレードのシリコン製品として販売しよい、または部材を再利用してよい。1つの例において、シールド部材32は、適切なプロセス、例えば、チョクラルスキー(Czochralski)成長などを通じて成長した準単結晶ロッドから切断されてよい。他の実施形態において、シールド部材32は、他のシリコン含有材料、例えば、シリコン酸化物、シリコン炭化物、およびシリコン炭化物で被覆されている炭素複合材料などから作られてよい。シールド部材32は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、シリコンを含有しない材料を含む他の材料から作られてもよい。
シールド部材32の上側および下側の列のそれぞれは、ベルジャー10の内壁12の実質的に全体の周囲にわたっており、および共に、上側および下側の列は、ベルジャー10の開口底近隣からベルジャーの凸形状頂16近隣まで、内壁の実質的に全体の高さに沿ってわたっている。シールド30は、内壁12の内側表面積の少なくとも大部分に向かい合うまたは覆う、および内壁の内側表面積の少なくとも約80%、および更に適切には、内壁の内側表面積の少なくとも約88%、および組み合わせた内壁の内側表面と凸形状頂16との約67.5%を覆ってよい。シールド30は、本開示の技術的範囲から逸脱せずに、内壁12の内側表面積の他のパーセントに向かい合うまたは覆ってよい。更に、他の実施形態において、シールド30は、凸形状頂16の一部または大部分に向かい合うまたは覆ってもよい。
説明される実施形態(図2〜4)において、シールド部材32は、内壁12の内側表面に固定されている概して36で示されるハンガー(大まかに言って、据付部材)に据え付けられている。説明される実施形態において、各々のハンガー36(または掛け、hanger)は、内壁12から内側空間14の中心に向かって延在している本体部材36aと、本体部材の終末端に固定されており、および上側リップ40を規定するように本体の上側表面を越えて上方に突出しているフランジ部材36bと、を含む2つの片のアセンブリである。説明される実施形態において、内壁12に溶接されているまたは他の方法で固定されている金属リング44に、各々のハンガー36がボルト留め(ボルト42を用いて)されている。
図5を参照すると、各々の説明されるリング44は、リッジ45を含んでおり、ハンガーをリング上に配置して、ハンガーに付加的な荷重負担支持をもたらすように、該リッジ45は、ハンガー36の本体部材36aに形成されている対応溝46内に収容されている。ハンガー36は、本開示の技術的範囲から逸脱せずに、他の構成であってよく、ならびに他の方法で内壁12に対して構成および固定されてよい。
各々のシールド部材32は、ハンガー36の1つを収容する寸法および形状にされているその上側部分内の開口48を有する。とりわけ、開口48は、シールド部材32がハンガー36の上側リップ40の上を通過して移動することができる寸法および形状にされている。上側リップ40は、シールド部材32がハンガー36から意図せずに滑り落ちるのを防止する止め具として機能する;シールド部材をハンガー36から取り外すのに、シールド部材32は、上方に持ち上げられなければならず、および次いで内側空間14の中心に向かって内側に移動されなければならない。ハンガー36の本体部材36aが開口48に収容された状態で、開口48を部分的に規定している上側周囲縁(margin)が本体部材の上側表面上に置かれている。
説明される実施形態において、上側および下側レールのまたはプラットフォーム50は、例えば、溶接することによって内壁12に固定されており、および内壁の周囲にわたっている。シールド部材32の底は、個々のプラットフォーム50上に置かれて、付加的な支持をシールド部材にもたらしおり、およびベルジャー10が移動する場合、とりわけ、ロッドを反応器から取り外すようにベルジャーが上方に持ち上げられる場合に、シールド部材が隣接したシールド部材にぶつかるのを防止する。説明される実施形態において、下側プラットフォーム50は、その上側表面に窪みまたは溝51を有しており、シールド部材の底がそこに収容されている。図示されていないけれども、上側プラットフォーム50もまた溝を有してよい。代替的に、両方のプラットフォームは、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、実質的に平面状の上側表面または他の形状を有してよい。1つの実施形態において、シールド部材が内壁16から間隔がある(すなわち、接触しない)ように、シールド部材32は、個々のハンガー36から垂れ下がっており、および個々のプラットフォーム50上に置かれている。他の例において、ベルジャー10は、1以上のプラットフォーム50を含まなくてよく、および従ってシールド部材32は、ハンガー36から自由に垂れ下がってよい。例えば、上側プラットフォーム50は省かれてよい。
図3に最もよく示されるように、シールド部材32が個々のハンガー36に掛止されている場合に、各々のシールド部材における開口48を部分的に規定している下側周囲縁は、対応するハンガー36の下側表面から間隔があけられている。すなわち、ハンガー36の本体36aと、開口を規定している下側周囲縁との間に緩み(またはスラック、slack)または拡張隙間52があるように各々の開口48の寸法がある。拡張隙間52の寸法は、CVD法の間に熱膨張に起因してハンガー36に対するシールド部材32の長手方向への移動を可能にするのに適している。熱膨張の間にシールド部材32の長手方向への移動を可能にすることは、ハンガー36とプラットフォーム50との間の閉じ込められおり固定されている空間に起因して長手方向の圧縮負荷がシールド部材に働くのを防止する。また、長手方向への圧縮負荷が下側列におけるシールド部材32に働くのを防止するように、下側列におけるシールド部材の上側部分が上側プラットフォーム50から適切な距離あけられ、シールド部材が熱膨張の間に上側プラットフォームを押し付けるのを防止することができる。さらに、シールド部材32に対する横方向の圧縮負荷を防止するように、各々の列における隣接したシールド部材は、互いに横方向に適切な距離あけられ、シールド部材が、熱膨張の間において隣接したシールド部材を横方向に押し付けまたは圧迫するのを回避することができる。
ベルジャー10内のシールド部材32の総数および寸法ならびにシールド部材の配置(例えば、単一の列を含む多くの列)は、特定の反応器のためのベルジャー寸法に依存する。説明される実施形態において、ベルジャー10は、単一のCVD法の間に12〜18のシリコンロッドを処理する寸法および形状にされている。このようなベルジャー10では、説明されるように、熱放射シールド30は、適切には、2列のシールド部材32(すなわち、上側列および下側列)を含んでよい。12〜18のロッドのための寸法および形状にされている1つの例のベルジャー10は、各々の列でシールド部材32を含んでよい。さらに、このようなベルジャー10において、各々のシールド部材32(図5および6)は、約900mm〜約1100mmの長さL、約100mm〜約200mmの幅Wおよび約7mm〜約9mmの厚さを有してよい。他の実施形態において、シールド30は、適切には、より多いまたはより少ない列の熱シールド部材32、より多いまたはより少ない数のシールド部材を含んでよく、および各々のシールド部材は、より短いまたはより長い、より広いまたはより少なく広い、およびより厚いまたはより薄くてよい。
反応器の操作の間に、電気エネルギー源からの電気エネルギーは、ベルジャー10の内側空間14内のシリコンロッドに適用される。シリコンロッドの固有の電気抵抗は、電気エネルギーを熱エネルギーまたは熱に変換する。熱エネルギーは、ロッドの暴露表面と接触する反応性ガスへの伝導により移され、熱エネルギーは、シリコンロッド表面上における反応を促進して、ロッド表面上に対するポリシリコン堆積をもたらす。大部分の熱エネルギーは、熱放射としてロッド表面から放出される。しかしながら、反応性ガスは熱放射に透過的であるので、この熱エネルギーは直接、気体に移されず、および気体の加熱に寄与しない。熱放射シールド30は、熱放射を実質的に通さず、およびそうでなければ金属内壁16上に入射する、加熱されたシリコンロッドから放出される熱放射の少なくとも大部分が、内壁に到達するのを防止する。
熱放射シールド30が複数のシリコンシールド部材32を含む実施形態において、シールド上に入射する熱放射の約80%がシールド部材によって吸収されると考えられる。この値は、刊行物によると約0.8であるシリコンの放射率によって決定される。吸収される熱放射は、シールド部材32の内部エネルギーを増加する傾向がある。従って、シールド部材32は、内壁12への方向を含む全ての方向においてそれらの温度に従って熱放射を放出する。しかしながら、シールド部材32は、シリコンロッドよりもずっと低い温度であり、および従って、シールド部材からの入射熱放射は、シリコンロッドからの入射熱放射よりも少ない。従って、熱放射シールド30を含まない改良されていないベルジャー10を用いることと比較すると、より少ない熱は冷却ジャケット18によって除去されるはずである。
シリコンが実質的に通さない(シリコンの熱還流率(coefficient of transmission)が無視できる)場合に、各々のシリコンシールド部材32は、シリコンロッドに向かって戻るように入射熱放射の約20%を反射する。従って、この反射された放射は、熱をロッドに与えるように、シリコンロッドにより吸収されてよく、次いで、ロッドは、ロッド表面において反応性ガスに熱を伝達する。
CFDシミュレーションに基づいて、シリコンシールド30は、反応器の種類に応じて内壁16に入射する熱放射を約30〜約48%低減させてよい。任意の特定の理論に固執せずに、熱放射シールドは、より小さい反応器(例えば、12〜18ロッドの反応器)に対してより顕著な影響、およびより大きい反応器(例えば、54ロッドの反応器)に対してより小さい影響を有してよい。なぜなら、シールド部材32に対する入射熱放射は、より小さい反応器内ではより強い(intense)であるからである。これは、熱放射がシールドに到達するのを妨害するシリコンロッドが、より大きい反応器と比較してより少ないからでありえる。
シリコンシールド30が内壁16に対する入射熱放射を減少し、およびシリコンロッドに向かって戻るように熱放射を反射および放出するので、熱放射シールドは、シーメンス反応器のエネルギー効率を増加するはずである。CFDシミュレーションに基づくと、熱放射シールド30を有する改良ベルジャー12を含むシーメンス反応器内での1つのCVD法を完了するのに必要な全エネルギーは、シーメンス反応器での改良されていないベルジャーを用いたCVD法と比較して約20%〜約30%減少する。
この明細書は例を用いて、最良の形態を含んで本発明を開示しており、および、また任意の装置またはシステムを作るおよび用いることならびに任意の関係する方法を行うことを含んで当業者が本発明を実施できるようにする。本発明の特許請求の範囲の技術的範囲は、当業者が行う他の例を含んでよい。このような他の例は、本発明の技術的範囲内にあることが意図される。
本明細書で説明および記載される本発明の実施形態における操作の実行または実施の手順は、他に指定がない限り本質的ではない。すなわち、操作者は、他に指定がない限り、任意の手順で行ってよく、および本発明の実施形態は、本明細書に開示されるそれらに追加の操作またはより少ない操作を含んでよい。例えば、別の操作より前、同時、またはその後に、特定の操作を実施するまたは行うことは、本発明の態様の範囲内にあると考えられる。
本発明またはその開示の要素を導入する場合に、冠詞「a」「an」「the」および「said」は、1以上の要素があると意味することが意図される。
様々な変化は、本発明の技術的範囲から逸脱せずに、上述した構成でなされるので、上記に含まれおよび添付図面に示される全ての事柄は、説明するためのものとして解釈され、および制限する意味で解釈されるべきではないということが意図される。

Claims (17)

  1. 化学蒸着法によって多結晶シリコンを複数の加熱されたシリコンロッド上に堆積するのに用いられる種類のシーメンス反応器のためのベルジャーであって、該ベルジャーが:
    複数の加熱されたシリコンロッドをそこに収容するように適合されている内側空間を少なくとも部分的に規定している内側表面を有する熱伝導性内壁;および
    内壁の内側表面にほぼ隣接しており向かい合った関係にある内側空間内の熱放射シールドであって、熱放射シールドが、ベルジャーの内側空間内の複数の加熱されたシリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない、熱放射シールド
    を含む、ベルジャー。
  2. 熱放射シールドが、内壁の内側表面に据え付けられている複数のシールド部材を含む、請求項1に記載のベルジャー。
  3. 内壁の内側表面に固定されている複数のハンガーを更に含み、シールド部材が、ハンガーに取り外し可能に掛止されている、請求項2に記載のベルジャー。
  4. 各々のシールド部材が、ハンガーを収容するための開口を含む、請求項3に記載のベルジャー。
  5. 各々のハンガーが、ベルジャーの内側空間内に内側に突出し、およびその終末端に、シールド部材がハンガーから滑り落ちるのを防止するように適合されているリップを含む、請求項4に記載のベルジャー。
  6. 開口が、シールド部材の熱膨張の間にハンガーに対してシールド部材が長手方向に移動するのを可能にする寸法および形状にされている、請求項4に記載のベルジャー。
  7. 内壁の内側表面に固定されているプラットフォームを更に含み、該プラットフォームが、各々のシールド部材の底を支持するように適合されている、請求項6に記載のベルジャー。
  8. 熱放射シールドが、内壁の内側表面の実質的に全体の周囲にわたって少なくとも1つの列で配置されている、請求項2に記載のベルジャー。
  9. 熱放射シールドが、少なくとも2つの垂直に間隔が置かれた列で配置されており、各々の列が、内壁の内側表面の実質的に全体の周囲にわたっており、および少なくとも2つの列が、共に、内壁の内側表面の実質的に全体の高さにわたっている、請求項8に記載のベルジャー。
  10. 各々のシールド部材が、シリコンから構成されている、請求項8に記載のベルジャー。
  11. 化学蒸着法において多結晶シリコンを複数の加熱されたシリコンロッド上に堆積するのに用いられる種類のシーメンス反応器のためのベルジャー内に放射シールドを構成する方法であって、該方法が:
    ベルジャーの内壁の内側表面のまわりに少なくとも1つの列で複数の据付部材を準備し、内壁の内側表面が、複数の加熱されたシリコンロッドを収容するように適合されているベルジャーの内側空間を少なくとも部分的に規定すること;および
    熱放射シールド部材をベルジャーの内壁の内側表面のまわりに互いに並べて配置するように、複数の熱放射シールド部材を据付部材に据え付けること
    を含み、
    熱放射シールド部材が、化学蒸着法の間にベルジャーの内側空間内の複数の加熱されたシリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない、方法。
  12. 複数の据付部材が、複数のハンガーを含み、および複数の熱放射シールド部材を据え付けることが、複数の熱放射シールドをハンガーに取り外し可能に掛止することを含む、請求項11に記載の方法。
  13. 各々のシールド部材が、そこを貫通して延在している開口を有しており、複数の熱放射シールドをハンガーに取り外し可能に掛止することが、シールド部材の開口にハンガーを収容することを含む、請求項12に記載の方法。
  14. 複数の据付部材より下方において内壁の内側表面上にプラットフォームを備えて;および
    熱放射シールド部材を据付部材に据え付けた場合に、熱放射シールド部材の底をプラットフォーム上で支持する
    ことを更に含む、請求項11に記載の方法。
  15. シーメンス反応器のベルジャーの内側空間内における加熱されたシリコンロッドによって放出される熱放射に起因したシーメンス反応器内の熱損失を減少する方法であって、該方法が:
    シーメンス反応器のベルジャーの内側空間に設置されているシリコンロッドに電気エネルギーを供給し、シリコンロッドが、電気エネルギーを熱エネルギーに変換し、シリコンロッドが、熱放射を放出すること;および
    ベルジャーの内側空間内においてベルジャーの内壁に向かい合った関係で固定されている熱放射シールドを利用して、シリコンロッドから放出される熱放射を反射および吸収すること
    を含み、
    熱放射シールドが、シリコンロッドから放出される熱放射を実質的に通さない、方法。
  16. そうでなければ内壁上に入射する入射熱放射を約30%〜約48%減少することを更に含む、請求項15に記載の方法。
  17. シリコンロッドに供給される全電気エネルギーを、熱放射シールドを含まないシーメンス反応器と比較して約20%〜約30%減少することを更に含む、請求項15に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013533199A (ja) * 2010-06-29 2013-08-22 ジーティーエイティー・コーポレーション エネルギーの回収を伴って半導体を製造する装置および方法
JP2018087126A (ja) * 2016-11-24 2018-06-07 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンロッド製造用反応炉及びその製造方法並びにそれを用いた多結晶シリコンロッドの製造方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9446977B2 (en) 2012-12-10 2016-09-20 Corning Incorporated Method and system for making a glass article with uniform mold temperature
DE102013219070A1 (de) * 2013-09-23 2015-03-26 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium
US10208381B2 (en) 2014-12-23 2019-02-19 Rec Silicon Inc Apparatus and method for managing a temperature profile using reflective energy in a thermal decomposition reactor
KR20210149168A (ko) * 2019-04-09 2021-12-08 쿠릭케 & 소파 라이테큐 비.브이. 리소그래피 시스템 및 그 작동 방법
CN111551570A (zh) * 2020-04-30 2020-08-18 中国辐射防护研究院 一种辐射防护门屏蔽性能检测方法及系统
CN111584325B (zh) * 2020-05-09 2022-08-16 北方夜视技术股份有限公司 用于多工位大型阴极转移设备的氮气保护系统及操作方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB564841A (en) * 1943-02-13 1944-10-16 John Fallon Improvements in furnaces heated by gaseous or liquid fuels
DE1433509A1 (de) * 1963-09-24 1968-12-19 Didier Werke Ag Herdraumwaende,insbesondere Rueckwaende von Industrieoefen,z.B. Siemens-Martin-OEfen
JPS5750423A (en) * 1980-09-12 1982-03-24 Nec Corp Vapor phase growth device
US4480989A (en) * 1981-04-02 1984-11-06 Motorola, Inc. Method of cooling a flange and coupling
JPS62296413A (ja) * 1986-06-16 1987-12-23 Toshiba Ceramics Co Ltd エピタキシヤル装置用保護ベルジヤ−
JPS62297297A (ja) * 1986-06-18 1987-12-24 Kokusai Electric Co Ltd 気相成長装置
US4805556A (en) * 1988-01-15 1989-02-21 Union Carbide Corporation Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane
EP0536394B1 (en) * 1990-06-27 1996-05-15 Komatsu Electronic Metals Co., Ltd Method of producing polycrystalline silicon rods for semiconductors and thermal decomposition furnace therefor
JP3007432B2 (ja) * 1991-02-19 2000-02-07 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5478396A (en) * 1992-09-28 1995-12-26 Advanced Silicon Materials, Inc. Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications
US6765178B2 (en) * 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6623801B2 (en) * 2001-07-30 2003-09-23 Komatsu Ltd. Method of producing high-purity polycrystalline silicon
JP2004055880A (ja) * 2002-07-22 2004-02-19 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
KR100994057B1 (ko) * 2008-05-14 2010-11-11 현대자동차주식회사 차량 부품 시험 방법
JP2010045195A (ja) * 2008-08-13 2010-02-25 Covalent Materials Corp 熱処理装置
EP2501838B1 (en) * 2009-11-18 2017-01-25 REC Silicon Inc. Fluid bed reactor
KR101115697B1 (ko) * 2009-12-02 2012-03-06 웅진폴리실리콘주식회사 에너지 효율을 높여주는 복사열 차단막을 갖는 화학기상증착 반응기

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013533199A (ja) * 2010-06-29 2013-08-22 ジーティーエイティー・コーポレーション エネルギーの回収を伴って半導体を製造する装置および方法
JP2018087126A (ja) * 2016-11-24 2018-06-07 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンロッド製造用反応炉及びその製造方法並びにそれを用いた多結晶シリコンロッドの製造方法
JP7020076B2 (ja) 2016-11-24 2022-02-16 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンロッド製造用反応炉の製造方法及びこの反応炉を用いた多結晶シリコンロッドの製造方法

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