JP2008156212A - トリクロロシラン製造装置 - Google Patents
トリクロロシラン製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008156212A JP2008156212A JP2007276843A JP2007276843A JP2008156212A JP 2008156212 A JP2008156212 A JP 2008156212A JP 2007276843 A JP2007276843 A JP 2007276843A JP 2007276843 A JP2007276843 A JP 2007276843A JP 2008156212 A JP2008156212 A JP 2008156212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trichlorosilane
- silicon
- silicon core
- container
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 49
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 title claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 22
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 21
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 19
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 21
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
Abstract
【課題】 トリクロロシラン製造装置において、部材コストの低減を図ると共に長寿命の部材で構成可能にすること。
【解決手段】 テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成するトリクロロシラン製造装置であって、供給ガスが導入されるガス供給口１及び反応生成ガスが導出されるガス導出口２を有する容器３と、容器３内に設けられた複数のシリコン芯棒５と、シリコン芯棒５を加熱する加熱機構６とを備えている。
【選択図】 図１
【解決手段】 テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成するトリクロロシラン製造装置であって、供給ガスが導入されるガス供給口１及び反応生成ガスが導出されるガス導出口２を有する容器３と、容器３内に設けられた複数のシリコン芯棒５と、シリコン芯棒５を加熱する加熱機構６とを備えている。
【選択図】 図１
Description
本発明は、テトラクロロシランをトリクロロシランに転換するトリクロロシラン製造装置に関する。
高純度のシリコン（Ｓｉ：珪素）を製造するための原料として使用されるトリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）は、テトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４：四塩化珪素）を水素と反応させて転換することで製造することができる。
すなわち、シリコンは、以下の反応式（１）（２）によるトリクロロシランの還元反応と熱分解反応で生成され、トリクロロシランは、以下の反応式（３）による転換反応で生成される。
ＳｉＨＣｌ３＋Ｈ２ → Ｓｉ＋３ＨＣｌ ・・・（１）
４ＳｉＨＣｌ３ → Ｓｉ＋３ＳｉＣｌ４＋２Ｈ２ ・・・（２）
ＳｉＣｌ４＋Ｈ２ → ＳｉＨＣｌ３＋ＨＣｌ ・・・（３）
このトリクロロシランの製造装置として、例えば特許文献１には、反応炉内に複数のカーボン製ヒータが設けられて、これらのカーボン製ヒータが直接通電加熱されて、反応炉に導入されたテトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを加熱し、トリクロロシランへ転換させる装置が提案されている。なお、このカーボン製ヒータの表面には、炭化珪素等のシリコン化合物がコーティングされている。すなわち、シリコン化合物のコーティング膜でカーボンを保護することにより、カーボンと供給ガス及び転換して得られた反応生成ガス中の水素、クロロシラン及び塩化水素とが反応してメタン、メチルクロロシラン、炭化珪素等が生成されて不純物となることを防ぐためである。
特開昭６２−１２３０１１号公報
４ＳｉＨＣｌ３ → Ｓｉ＋３ＳｉＣｌ４＋２Ｈ２ ・・・（２）
ＳｉＣｌ４＋Ｈ２ → ＳｉＨＣｌ３＋ＨＣｌ ・・・（３）
このトリクロロシランの製造装置として、例えば特許文献１には、反応炉内に複数のカーボン製ヒータが設けられて、これらのカーボン製ヒータが直接通電加熱されて、反応炉に導入されたテトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを加熱し、トリクロロシランへ転換させる装置が提案されている。なお、このカーボン製ヒータの表面には、炭化珪素等のシリコン化合物がコーティングされている。すなわち、シリコン化合物のコーティング膜でカーボンを保護することにより、カーボンと供給ガス及び転換して得られた反応生成ガス中の水素、クロロシラン及び塩化水素とが反応してメタン、メチルクロロシラン、炭化珪素等が生成されて不純物となることを防ぐためである。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記特許文献１の技術では、不純物生成を防ぐためにカーボン製ヒータの表面に炭化珪素等をコーティングしているが、この場合、部材コストが高くなると共に、炭化珪素等のコーティング膜が徐々にエッチングされて劣化することから、長期にわたって使用することができないという不都合があった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、部材コストの低減を図ると共に長寿命の部材で構成可能なトリクロロシラン製造装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のトリクロロシラン製造装置は、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成するトリクロロシラン製造装置であって、前記供給ガスを内部に導入するガス供給口及び前記反応生成ガスを外部に導出するガス導出口を有する容器と、前記容器内に設けられた複数のシリコン芯棒と、前記シリコン芯棒を加熱する加熱機構とを備えていることを特徴とする。
このトリクロロシラン製造装置では、カーボン製ヒータではなく、シリコン芯棒を加熱 機構により加熱するので、炭化珪素（ＳｉＣ）のコーティングが不要になり、部材コストの低減を図ると共に長寿命の部材で装置を構成することができる。また、カーボンを発熱体として用いないので、カーボンに起因する不純物の生成がなく、純度の高いトリクロロシランが得られる。さらに、転換反応により生成したトリクロロシランの還元反応と熱分解反応とにより、シリコン芯棒にシリコンも析出されるため、トリクロロシランとシリコンとを同時に生成することが可能になる。
また、本発明のトリクロロシラン製造装置では、前記シリコン芯棒は、前記容器の底部に立設され、前記加熱機構は、前記容器の底部で前記シリコン芯棒の下端部を保持する電極部と、該電極部を介して前記シリコン芯棒に電流を流して加熱する電源とを備えることを特徴とする。このトリクロロシラン製造装置の構成であれば、いわゆるシーメンス法として前記反応式（１）（２）の還元反応と熱分解反応によって多結晶シリコンを製造する際に用いられている反応装置とほぼ同じ仕様のものを適用可能であり、前記反応式（１）（２）（３）に供する一連の設備全体の設計の容易化、コスト低減を図ることができる。
また、本発明のトリクロロシラン製造装置では、前記シリコン芯棒は、前記容器の底部に立設され、前記加熱機構は、前記容器の底部で前記シリコン芯棒の下端部を保持する電極部と、該電極部を介して前記シリコン芯棒に電流を流して加熱する電源とを備えることを特徴とする。このトリクロロシラン製造装置の構成であれば、いわゆるシーメンス法として前記反応式（１）（２）の還元反応と熱分解反応によって多結晶シリコンを製造する際に用いられている反応装置とほぼ同じ仕様のものを適用可能であり、前記反応式（１）（２）（３）に供する一連の設備全体の設計の容易化、コスト低減を図ることができる。
また、本発明のトリクロロシラン製造装置は、前記容器の内壁に設けられた断熱材と、前記断熱材の内面に設けられカーボンの表面に炭化珪素がコーティングされて形成された断熱材保護材とを備えていることを特徴とする。すなわち、このトリクロロシラン製造装置では、容器の内壁の断熱材内面に、カーボンの表面に炭化珪素がコーティングされて形成された断熱材保護材が設けられているので、熱効率を向上させることができると共に、断熱材表面にシリコンが析出することを防ぐことができる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るトリクロロシラン製造装置によれば、シリコン芯棒を加熱機構により加熱するので、従来のカーボン製ヒータへの炭化珪素コーティングが不要になり、部材コストの低減を図ると共に長寿命の部材で装置を構成することができる。また、シリコン芯棒にシリコンも析出されるため、トリクロロシランとシリコンとを同時に生成することが可能になる。
以下、本発明に係るトリクロロシラン製造装置の一実施形態を、図１又は図２を参照しながら説明する。
本実施形態のトリクロロシラン製造装置は、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを高温下で転換反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成する装置であって、図１及び図２に示すように、供給ガスを内部に導入する複数のガス供給口１及び反応生成ガスを外部に導出する複数のガス導出口２を有する容器３と、容器３内の底部４に立設された複数のシリコン芯棒５と、シリコン芯棒５に電流を流してジュール熱によりシリコン芯棒５を加熱する加熱機構６と、容器３の内壁に設けられた断熱材７ａと、この断熱材７ａの内面に設けられた断熱材保護材７ｂとを備えている。
上記容器３は、上記ガス供給口１と上記ガス導出口２とが複数設けられた上記底部４と、この底部４を覆って釣鐘形状に形成されたベルジャ部８とを備えている。なお、ガス導出口２は、底部４の周縁部近傍において周方向に等間隔に複数配置されている。また、ガス供給口１は、ガス導出口２の配置位置よりも内側に配置されている。
上記断熱材７ａは、ベルジャ部８の内面に設けられ、カーボンファイバーで形成されている。また、上記断熱材保護材７ｂは、断熱材７ａの内側に設けられたカーボン容器であり、カーボンの表面に炭化珪素がコーティングされて形成されている。
上記シリコン芯棒５は、上端部で連結されてほぼ逆Ｕ字状に形成されたものである。
上記加熱機構６は、底部４に複数設けられシリコン芯棒５の下端部を支持してシリコン芯棒５を立設状態に保持する電極部６ａと、これら電極部６ａに接続され電極部６ａを介してシリコン芯棒５に電流を流して加熱する電源６ｂとを備えている。この加熱機構６は、シリコン芯棒５が８００℃〜１４００℃の範囲内の温度になるように加熱制御を行う。
なお、シリコン芯棒５を１２００℃以上に設定すれば、転換率が向上する。また、供給ガスにジシラン類を導入し、シラン類を取り出してもよい。
上記ガス供給口１には、供給ガスの供給源（図示略）に接続されている。また、ガス供給口１には、供給ガスにおいて、テトラクロロシランの比率を調整する流量調整バルブ等からなるガス比率調整部９が接続されている。
このトリクロロシラン製造装置では、ガス比率調整部９によってテトラクロロシランの比率を所定のモル比とした供給ガスをガス供給口１から容器３内に導入すると、加熱機構６によって高温状態に加熱されたシリコン芯棒５に接触して転換反応によってトリクロロシランを含む反応生成ガスが生成される。また、生成されたトリクロロシランの一部は、さらに熱分解反応及び還元反応によってシリコン芯棒５の表面にシリコンを析出させる。したがって、テトラクロロシランからの転換反応により生成されたトリクロロシランは、一部がシリコンの析出に供され、残りがガス導出口２から外部に導出されて回収される。
なお、シリコンが析出してシリコン芯棒５の径が太くなってきたら、トリクロロシランの比率を増やしていき、シリコン芯棒５に通電する電流を下げてもシリコン芯棒５へのシリコンの析出が行われるようにすることで、トリクロロシランへの転換反応とシリコンの析出とを両立させることができる。すなわち、シリコン芯棒５の径が小さい製造前半では、トリクロロシランの生成を主とし、シリコン芯棒５の径が大きくなった製造後半では、トリクロロシランとテトラクロロシランとの混合によるシリコン析出を主として行うように設定する。
このように本実施形態では、カーボン製ヒータではなく、シリコン芯棒５を加熱機構６により加熱するので、炭化珪素（ＳｉＣ）のコーティングが不要になり、部材コストの低減を図ると共に長寿命の部材で装置を構成することができる。また、カーボンを発熱体として用いないので、カーボンに起因する不純物の生成がなく、純度の高いトリクロロシランが得られる。
さらに、転換反応により生成したトリクロロシランの還元反応と熱分解反応とにより、シリコン芯棒５にシリコンも析出されるため、トリクロロシランとシリコンとを同時に生成することが可能になる。
このように、テトラクロロシランでシリコン析出が可能であるため、前工程のメタルシリコンからトリクロロシランを蒸留する蒸留塔において負荷を下げることができ、設備全体としての処理コストも低減することができる。
また、容器３の内壁に設けられた断熱材７ａ内面に、カーボンの表面に炭化珪素がコーティングされて形成された断熱材保護材７ｂが設けられているので、熱効率を向上させることができると共に、断熱材７ａの内面にシリコンが析出することを防ぐことができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、加熱機構６としてシリコン芯棒５に通電してジュール熱で加熱しているが、高周波誘導加熱等の他の方法でシリコン芯棒５を加熱しても構わない。
また、各シリコン芯棒５は、容器３の底部に立設状態に配置したが、容器の天井部から吊下げて支持する構成等としてもよく、必ずしも垂直姿勢でなくとも、水平状態等の姿勢で配置してもよい。
また、導入する供給ガスと導出する反応生成ガスとの間でガス−ガス熱交換を行う熱交換機構を設けても構わない。この場合、さらに省電力化を図ることが可能になる。
１…ガス供給口、２…ガス導出口、３…容器、４…容器の底部、５…シリコン芯棒、６…加熱機構、６ａ…電極部、６ｂ…電源、７ａ…断熱材、７ｂ…断熱材保護材
Claims (3)
- テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを反応させてトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成するトリクロロシラン製造装置であって、
前記供給ガスを内部に導入するガス供給口及び前記反応生成ガスを外部に導出するガス導出口を有する容器と、
前記容器内に設けられた複数のシリコン芯棒と、
前記シリコン芯棒を加熱する加熱機構とを備えていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。 - 請求項１に記載のトリクロロシラン製造装置において、
前記シリコン芯棒は、前記容器の底部に立設され、
前記加熱機構は、前記容器の底部で前記シリコン芯棒の下端部を保持する電極部と、該電極部を介して前記シリコン芯棒に電流を流して加熱する電源とを備えることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。 - 請求項１又は２に記載のトリクロロシラン製造装置において、
前記容器の内壁に設けられた断熱材と、
前記断熱材の内面に設けられカーボンの表面に炭化珪素がコーティングされて形成された断熱材保護材とを備えていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007276843A JP5119856B2 (ja) | 2006-11-29 | 2007-10-24 | トリクロロシラン製造装置 |
| US12/312,367 US8034300B2 (en) | 2006-11-29 | 2007-11-27 | Apparatus for producing trichlorosilane |
| PCT/JP2007/072828 WO2008066027A1 (fr) | 2006-11-29 | 2007-11-27 | Appareil de fabrication de trichlorosilane |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006322628 | 2006-11-29 | ||
| JP2006322628 | 2006-11-29 | ||
| JP2007276843A JP5119856B2 (ja) | 2006-11-29 | 2007-10-24 | トリクロロシラン製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008156212A true JP2008156212A (ja) | 2008-07-10 |
| JP5119856B2 JP5119856B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=39657561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007276843A Active JP5119856B2 (ja) | 2006-11-29 | 2007-10-24 | トリクロロシラン製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8034300B2 (ja) |
| JP (1) | JP5119856B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006689A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
| WO2012098598A1 (ja) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
| WO2013125209A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンおよび多結晶シリコン製造装置 |
| WO2014109618A1 (ko) * | 2013-01-14 | 2014-07-17 | 주식회사 아이제이피에스 | 폴리실리콘 제조장치 |
| KR101527516B1 (ko) * | 2008-12-16 | 2015-06-09 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 성장방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI464292B (zh) * | 2008-03-26 | 2014-12-11 | Gtat Corp | 塗覆金之多晶矽反應器系統和方法 |
| RU2499081C2 (ru) * | 2008-03-26 | 2013-11-20 | ДжиТиЭйТи Корпорейшн | Системы и способы распределения газа в реакторе для химического осаждения из паровой фазы |
| US8840723B2 (en) * | 2009-03-10 | 2014-09-23 | Mitsubishi Materials Corporation | Manufacturing apparatus of polycrystalline silicon |
| JP5477145B2 (ja) * | 2009-04-28 | 2014-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコン反応炉 |
| JP5637013B2 (ja) * | 2010-03-04 | 2014-12-10 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036317A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-02-25 | アメリカ合衆国 | 高純度シリコンの製造方法およびその装置 |
| JP2003020217A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-24 | Tokuyama Corp | シリコンおよびトリクロロシランの製造法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1000000A (en) * | 1910-04-25 | 1911-08-08 | Francis H Holton | Vehicle-tire. |
| DE1061593B (de) * | 1956-06-25 | 1959-07-16 | Siemens Ag | Vorrichtung zur Gewinnung reinsten Halbleitermaterials fuer elektrotechnische Zwecke |
| NL256255A (ja) * | 1959-11-02 | |||
| JPS53108029A (en) * | 1977-03-03 | 1978-09-20 | Komatsu Mfg Co Ltd | Method of making high purity silicon having uniform shape |
| JPS59106572A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-20 | 信越化学工業株式会社 | 炭素繊維の表面処理方法 |
| JPH0649569B2 (ja) | 1985-11-25 | 1994-06-29 | 高純度シリコン株式会社 | トリクロルシランの製造方法およびその装置 |
| US4805556A (en) * | 1988-01-15 | 1989-02-21 | Union Carbide Corporation | Reactor system and method for forming uniformly large-diameter polycrystalline rods by the pyrolysis of silane |
| US5906799A (en) * | 1992-06-01 | 1999-05-25 | Hemlock Semiconductor Corporation | Chlorosilane and hydrogen reactor |
| US5552039A (en) * | 1994-07-13 | 1996-09-03 | Rpc Waste Management Services, Inc. | Turbulent flow cold-wall reactor |
| US6544333B2 (en) * | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
-
2007
- 2007-10-24 JP JP2007276843A patent/JP5119856B2/ja active Active
- 2007-11-27 US US12/312,367 patent/US8034300B2/en active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6036317A (ja) * | 1983-05-27 | 1985-02-25 | アメリカ合衆国 | 高純度シリコンの製造方法およびその装置 |
| JP2003020217A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-24 | Tokuyama Corp | シリコンおよびトリクロロシランの製造法 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010006689A (ja) * | 2008-05-28 | 2010-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 |
| KR101527516B1 (ko) * | 2008-12-16 | 2015-06-09 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 성장방법 및 이를 이용한 태양전지 제조방법 |
| WO2012098598A1 (ja) * | 2011-01-21 | 2012-07-26 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
| KR20140002648A (ko) * | 2011-01-21 | 2014-01-08 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘 제조 장치 및 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| JP5739456B2 (ja) * | 2011-01-21 | 2015-06-24 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
| US9416444B2 (en) | 2011-01-21 | 2016-08-16 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Apparatus for producing polycrystalline silicon and method for producing polycrystalline silicon |
| KR101678265B1 (ko) | 2011-01-21 | 2016-11-21 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 다결정 실리콘 제조 장치 및 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| WO2013125209A1 (ja) * | 2012-02-24 | 2013-08-29 | 信越化学工業株式会社 | 多結晶シリコンおよび多結晶シリコン製造装置 |
| JP2013173644A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 多結晶シリコンおよび多結晶シリコン製造装置 |
| WO2014109618A1 (ko) * | 2013-01-14 | 2014-07-17 | 주식회사 아이제이피에스 | 폴리실리콘 제조장치 |
| US9059220B2 (en) | 2013-01-14 | 2015-06-16 | Iljin Plant Service Co., Ltd. | Polysilicon manufacturing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20100055007A1 (en) | 2010-03-04 |
| JP5119856B2 (ja) | 2013-01-16 |
| US8034300B2 (en) | 2011-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5119856B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| JP5444839B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 | |
| JP5488777B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシランの製造装置 | |
| US8399072B2 (en) | Process for improved chemcial vapor deposition of polysilicon | |
| JP3763104B2 (ja) | テトラクロロシランの水素添加法 | |
| US9416014B2 (en) | Method for producing trichlorosilane | |
| JP5819521B2 (ja) | 四塩化ケイ素の三塩化シランへの変換のための装置および方法 | |
| JPWO2010090203A1 (ja) | 多結晶シリコンの製造法 | |
| JP2001294416A (ja) | 多結晶シリコンの製造装置 | |
| JPS62123011A (ja) | トリクロルシランの製造方法およびその装置 | |
| WO2008066027A1 (fr) | Appareil de fabrication de trichlorosilane | |
| JP5012449B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| JP5160181B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| JP5319681B2 (ja) | カーボン製反応装置 | |
| JP2009096678A (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| JP5637013B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 | |
| JP2008150273A (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
| JP4261289B2 (ja) | シリコン製造装置 | |
| WO2017043892A1 (ko) | 폴리실리콘 제조 장치 | |
| JP5393185B2 (ja) | シリコン製造に用いるカーボンヒータの再生方法 | |
| CN205687572U (zh) | 内置型换热导流器和氢化炉 | |
| JP2013193931A (ja) | 多結晶シリコンロッドの製造方法 | |
| KR101538205B1 (ko) | 히터 기능을 구비한 가스 공급 노즐 및 이를 포함하는 폴리실리콘 제조 장치 | |
| KR101311739B1 (ko) | 폴리실리콘 제조장치 | |
| WO2008062632A1 (fr) | Appareil de production de trichlorosilane |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100929 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120925 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121008 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5119856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |