JP2009096678A - トリクロロシラン製造装置 - Google Patents
トリクロロシラン製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009096678A JP2009096678A JP2007270773A JP2007270773A JP2009096678A JP 2009096678 A JP2009096678 A JP 2009096678A JP 2007270773 A JP2007270773 A JP 2007270773A JP 2007270773 A JP2007270773 A JP 2007270773A JP 2009096678 A JP2009096678 A JP 2009096678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trichlorosilane
- gas
- molten silicon
- container
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
【課題】 トリクロロシラン製造装置において、熱効率が高く、転換率の向上を図ることができると共に、不純物の発生を防ぐこと。
【解決手段】 溶融シリコンSを貯留する容器1と、容器1内の溶融シリコンSを加熱する加熱機構2と、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを溶融シリコンS中に吹き出すガス供給部3とを備えている。これにより、加熱された高温の溶融シリコン中に供給ガスが気泡状態で放出されることで、効率的に加熱されて転換反応し、高い転換率でトリクロロシランが得られる。また、生成反応ガス中のトリクロロシランから還元反応及び熱分解反応によって生成されたシリコンが溶融シリコンSに溶け込むため、溶融シリコンSを増加させることができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 溶融シリコンSを貯留する容器1と、容器1内の溶融シリコンSを加熱する加熱機構2と、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを溶融シリコンS中に吹き出すガス供給部3とを備えている。これにより、加熱された高温の溶融シリコン中に供給ガスが気泡状態で放出されることで、効率的に加熱されて転換反応し、高い転換率でトリクロロシランが得られる。また、生成反応ガス中のトリクロロシランから還元反応及び熱分解反応によって生成されたシリコンが溶融シリコンSに溶け込むため、溶融シリコンSを増加させることができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、テトラクロロシランをトリクロロシランに転換するトリクロロシラン製造装置に関する。
高純度のシリコン(Si:珪素)を製造するための原料として使用されるトリクロロシラン(SiHCl3)は、テトラクロロシラン(SiCl4:四塩化珪素)を水素と反応させて転換することで製造することができる。
すなわち、シリコンは、以下の反応式(1)(2)によるトリクロロシランの還元反応と熱分解反応で生成され、トリクロロシランは、以下の反応式(3)による転換反応で生成される。
SiHCl3+H2 → Si+3HCl ・・・(1)
4SiHCl3 → Si+3SiCl4+2H2 ・・・(2)
SiCl4+H2 → SiHCl3+HCl ・・・(3)
このトリクロロシランの製造方法として、種々の手法が提案されているが、例えば特許文献1には、グラファイト、シリコン又はシリコンカーバイドで形成された発熱体にテトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを吹き付けてトリクロロシランへ転換させる技術が開示されている。この製造技術では、吹き付けられた供給ガスが発熱体に接触することで、加熱されて転換反応によりトリクロロシランを含む反応生成ガスを得るものである。
特開昭53−97996号公報
4SiHCl3 → Si+3SiCl4+2H2 ・・・(2)
SiCl4+H2 → SiHCl3+HCl ・・・(3)
このトリクロロシランの製造方法として、種々の手法が提案されているが、例えば特許文献1には、グラファイト、シリコン又はシリコンカーバイドで形成された発熱体にテトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを吹き付けてトリクロロシランへ転換させる技術が開示されている。この製造技術では、吹き付けられた供給ガスが発熱体に接触することで、加熱されて転換反応によりトリクロロシランを含む反応生成ガスを得るものである。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
すなわち、上記特許文献1の技術では、供給ガスをグラファイト、シリコン又はシリコンカーバイドで形成された発熱体に吹き付けて反応生成ガスを得ているが、発熱体の内壁に接触した際の短時間の加熱であるため、熱効率があまり高くなく、トリクロロシランへの転換率の向上が難しいという不都合があった。また、グラファイトで形成された発熱体を用いた場合、カーボンと供給ガス及び反応生成ガス中の水素、クロロシラン及び塩化水素とが反応してメタン、メチルクロロシラン、炭化珪素等が生成されて不純物となる不都合があった。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、熱効率が高く、転換率の向上を図ることができると共に、さらに不純物の発生を防ぐことができるトリクロロシラン製造装置を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明のトリクロロシラン製造装置は、溶融シリコンを貯留する容器と、前記容器内の前記溶融シリコンを加熱する加熱機構と、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを前記溶融シリコン中に吹き出すガス供給部とを備えていることを特徴とする。
このトリクロロシラン製造装置では、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを溶融シリコン中に吹き出すガス供給部を備えているので、加熱された高温の溶融シリコン中
に供給ガスが気泡状態で放出されることで、効率的に加熱されて転換反応し、高い転換率でトリクロロシランが得られる。また、生成反応ガス中のトリクロロシランから還元反応及び熱分解反応によってシリコンが生成され、このシリコンが溶融シリコンに溶け込むため、溶融シリコンを増加させることができる。
に供給ガスが気泡状態で放出されることで、効率的に加熱されて転換反応し、高い転換率でトリクロロシランが得られる。また、生成反応ガス中のトリクロロシランから還元反応及び熱分解反応によってシリコンが生成され、このシリコンが溶融シリコンに溶け込むため、溶融シリコンを増加させることができる。
また、本発明のトリクロロシラン製造装置は、前記容器が、石英で形成され、前記ガス供給部が、前記溶融シリコン中に先端が差し込まれて前記供給ガスを吹き出す石英製ノズルを備えていることを特徴とする。すなわち、このトリクロロシラン製造装置では、石英(SiO2)製ノズルが、石英製の容器内の溶融シリコン中に先端が差し込まれて供給ガスを吹き出すので、容器及びノズルに起因する不純物の生成が無く、反応生成ガス中に不純物が混入することを防ぐことができる。
石英製容器としては、単結晶シリコンの引き上げ生成に用いられるルツボが好適に使用できる。
また、本発明のトリクロロシラン製造装置は、前記ガス供給部には、供給ガスを前記溶融シリコン中に吹き出す前に加熱する予熱機構が備えられていることを特徴とする。すなわち、供給ガスを予熱した状態で溶融シリコン中に吹き出させることにより、溶融シリコンの熱負荷を小さくすることができるとともに、シリコンを溶融状態に維持することも容易であり、装置の小型化を図ることが可能になる。
さらに、本発明のトリクロロシラン製造装置は、前記溶融シリコン中で前記供給ガスから生成されたトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを、前記容器の上部に配されたガス導出口から外部に導出するガス回収機構を備えていることを特徴とする。すなわち、このトリクロロシラン製造装置では、容器の上部に配されたガス導出口から外部に導出するガス回収機構を備えているので、溶融シリコンから放出された反応生成ガスを容器上部のガス導出口から効率的に回収することができる。
また、本発明のトリクロロシラン製造装置は、前記容器の外側表面を覆うように支持する支持部材を備えていることを特徴とする。すなわち、このトリクロロシラン製造装置では、支持部材で容器の外側表面を覆うように支持しているので、高温時に石英製容器が軟化しても容器を支持部材が周囲から支持することで容器の形状変化等を防ぐことができる。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係るトリクロロシラン製造装置によれば、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを溶融シリコン中に吹き出すガス供給部を備えているので、溶融シリコンの中で気泡状態となった供給ガスと溶融シリコンとの接触により効率的に加熱されることで、高い転換率でトリクロロシランが得られる。また、生成反応ガス中のトリクロロシランの一部から還元反応及び熱分解反応によって生成されたシリコンが溶融シリコンに溶け込むため、溶融シリコンを増加させることができる。さらに、カーボン材を用いずに石英を用いて容器やガス供給部のノズルを構成することで、不純物の発生を防ぐことができる。したがって、高い転換率で純度の高いトリクロロシランが得られると共に、シリコンも同時に生成することができる。
以下、本発明に係るトリクロロシラン製造装置の一実施形態を、図1を参照しながら説明する。
本実施形態のトリクロロシラン製造装置は、図1に示すように、溶融シリコンSを貯留する石英(SiO2)製の容器1と、容器1内の溶融シリコンSを加熱する加熱機構2と、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを溶融シリコンS中に吹き出すガス供給部3と、溶融シリコンS中で供給ガスから生成されたトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを、容器1の上部に配されたガス導出口4から外部に導出するガス回収機構5とを備えている。
上記容器1は、図示例の場合、単結晶シリコンの引き上げ生成に用いられる石英製ルツボが使用されており、内底面が円弧状凹面1aに形成されるとともに、円弧状凹面1aから連続する筒状内面1bが上部に形成されている。
上記ガス供給部3は、溶融シリコンS中に先端が差し込まれて供給ガスを吹き出す石英製ノズル6と、この石英製ノズル6に接続され供給ガスを加圧供給する加圧ポンプP1と、この加圧ポンプP1に接続された供給ガスの供給源(図示略)と、供給ガスを溶融シリコンS中に吹き出す前に加熱する予熱機構11とを備えている。
石英製ノズル6は、容器1の上方から鉛直下方に向けて差し込まれており、ノズル6の先端を閉塞する端板6aには複数の吹き出し口6bが形成され、これら吹き出し口6bから溶融シリコンS中に供給ガスを吹き出すようになっている。吹き出された供給ガスは溶融シリコンS中に気泡状となって分散される。
石英製ノズル6の外側には、該石英製ノズル6と同軸に配された外筒部材8が上記容器1の上部に固定されている。そして、石英製ノズル6と外筒部材8との間は、反応生成ガスの導出流路とされ、下端開口部がガス導出口4となる。すなわち、石英製ノズル6と外筒部材8とは、2重管構造となっている。この場合、外筒部材8は、上記容器1の上端部にリング状閉塞部材12を介して固定されている。
また、上記ガス回収機構5は、ガス導出口4に接続され反応生成ガスを吸引する排気用ポンプP2を備えているが、この反応生成ガスを圧力差で排出可能な場合には排気用ポンプは省略可能である。
上記石英製の容器1は、その外表面を覆うようにカーボン製支持部材7によって支持されている。
上記カーボン製支持部材7は、容器1を収納してその外表面全体に接触する内表面を有する支持部本体7aと、該支持部本体7aの下部に設けられた支持柱部7bを備えている。
上記加熱機構2は、容器1の周囲に容器1を囲うように配され発熱部であるヒータ部2aと、該ヒータ部2aの下部に接続されヒータ部2aに電流を流すための電極部2bと、容器1の下方に配された円環状の底部ヒータ部9とを備えている。この電極部2bは、図示しない電源に接続されている。上記底部ヒータ部9は、カーボン製支持部材7の支持柱部7bが挿通された状態で支持部本体7aの下方に設置されている。なお、底部ヒータ部9にも、図示しない電極部が接続されている。
また、加熱機構2は、容器1内の溶融シリコンSが溶融温度である1420℃になるように加熱制御を行う。なお、1200℃以上に供給ガスが加熱されるので、転換率が向上する。また、供給ガスにジシラン類を導入し、シラン類を取り出してもよい。
このトリクロロシラン製造装置では、石英製ノズル6から溶融シリコンS内に供給ガスを吹き込むと、高温状態の溶融シリコンSと気泡状態の供給ガスとが接触して転換反応し反応生成ガスが生成される。また、この際、反応生成ガスに含まれるトリクロロシランの一部から、さらに還元反応及び熱分解反応によりシリコンが生成され、このシリコンが溶融シリコンに溶け込む。残った反応生成ガスは、溶融シリコンSから上方に放出され、容器1上部のガス導出口4から外部に導出されて回収される。
このように本実施形態では、テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを溶融シリコンS中に吹き出すガス供給部3を備えているので、加熱された高温の溶融シリコンS中に供給ガスが気泡状態で放出されることで、効率的に加熱されて転換反応し、高い転換率でトリクロロシランが得られる。また、生成反応ガス中のトリクロロシランから還元反応及び熱分解反応によってシリコンが生成され、このシリコンが溶融シリコンSに溶け込むため、溶融シリコンSを増加させることができる。
さらに、石英製ノズル6が、石英製の容器1内の溶融シリコンS中に先端が差し込まれて供給ガスを吹き出すので、容器1及び石英製ノズル6に起因する不純物の生成が無く、反応生成ガス中に不純物が混入することを防ぐことができる。
また、容器1の上部に配されたガス導出口4から外部に導出するガス回収機構5を備えているので、溶融シリコンSから放出された反応生成ガスを容器1上部のガス導出口
4から効率的に回収することができる。
4から効率的に回収することができる。
また、カーボン製支持部材7で容器1の周囲を支持しているので、高温時に石英製容器1が軟化しても容器1をカーボン製支持部材7が周囲から支持することで容器1の形状変化等を防ぐことができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、加熱機構2としてヒータ部2aによる輻射熱で容器1内の溶融シリコンSを加熱しているが、高周波誘導加熱等の他の方法で溶融シリコンSを加熱しても構わない。
また、上記実施形態では、1本の石英製ノズル6を用いているが、複数本の石英製ノズル6を採用しても構わない。この場合、上記実施形態では端板に吹き出し口を形成したが、各ノズルの径を小さくすることにより、ノズルの開口から供給ガスを直接吹き出す構成としてもよい。
1…容器、2…加熱機構、3…ガス供給部、4…ガス導出口、5…ガス回収機構、6…石英製ノズル、6a…吹き出し口、7…カーボン製支持部材、8…外筒部材、11…予熱機構、S…溶融シリコン
Claims (5)
- 溶融シリコンを貯留する容器と、
前記容器内の前記溶融シリコンを加熱する加熱機構と、
テトラクロロシランと水素とを含む供給ガスを前記溶融シリコン中に吹き出すガス供給部とを備えていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。 - 請求項1に記載のトリクロロシラン製造装置において、
前記容器が、石英で形成され、
前記ガス供給部が、前記溶融シリコン中に先端が差し込まれて前記供給ガスを吹き出す石英製ノズルを備えていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。 - 請求項1又は2に記載のトリクロロシラン製造装置において、
前記ガス供給部には、供給ガスを前記溶融シリコン中に吹き出す前に加熱する予熱機構が備えられていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置において、
前記溶融シリコン中で前記供給ガスから生成されたトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを、前記容器の上部に配されたガス導出口から外部に導出するガス回収機構を備えていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載のトリクロロシラン製造装置において、
前記容器の外側表面を覆うように支持する支持部材を備えていることを特徴とするトリクロロシラン製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007270773A JP2009096678A (ja) | 2006-11-30 | 2007-10-18 | トリクロロシラン製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006323693 | 2006-11-30 | ||
JP2007249627 | 2007-09-26 | ||
JP2007270773A JP2009096678A (ja) | 2006-11-30 | 2007-10-18 | トリクロロシラン製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009096678A true JP2009096678A (ja) | 2009-05-07 |
Family
ID=39467626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007270773A Withdrawn JP2009096678A (ja) | 2006-11-30 | 2007-10-18 | トリクロロシラン製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009096678A (ja) |
WO (1) | WO2008065829A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011102265A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 株式会社トクヤマ | トリクロロシランの製造方法 |
CN102795628A (zh) * | 2012-08-03 | 2012-11-28 | 东华工程科技股份有限公司 | 一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5422088A (en) * | 1994-01-28 | 1995-06-06 | Hemlock Semiconductor Corporation | Process for hydrogenation of tetrachlorosilane |
JP3708648B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2005-10-19 | 株式会社トクヤマ | トリクロロシランの製造方法 |
JP4639005B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2011-02-23 | 株式会社トクヤマ | シリコンおよびトリクロロシランの製造法 |
-
2007
- 2007-10-18 JP JP2007270773A patent/JP2009096678A/ja not_active Withdrawn
- 2007-10-19 WO PCT/JP2007/070446 patent/WO2008065829A1/ja active Application Filing
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011102265A1 (ja) * | 2010-02-18 | 2011-08-25 | 株式会社トクヤマ | トリクロロシランの製造方法 |
JP2011168443A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Tokuyama Corp | トリクロロシランの製造方法 |
US9321653B2 (en) | 2010-02-18 | 2016-04-26 | Tokuyama Corporation | Process for producing trichlorosilane |
CN102795628A (zh) * | 2012-08-03 | 2012-11-28 | 东华工程科技股份有限公司 | 一种改进的低压合成工艺制备三氯氢硅的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2008065829A1 (fr) | 2008-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5119856B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
JP5488777B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシランの製造装置 | |
JP3518869B2 (ja) | 発熱反応を利用したポリシリコンの調製方法 | |
JP5621957B2 (ja) | トリクロロシランの製造方法および製造装置 | |
JP5316290B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 | |
EP2987771A1 (en) | Fluidized bed reactor and method thereof for preparing high-purity granular polycrystalline silicon | |
JP2010006689A (ja) | トリクロロシラン製造装置及び製造方法 | |
JPS62123011A (ja) | トリクロルシランの製造方法およびその装置 | |
JP2010241673A (ja) | ポリシリコンの製造装置及び方法 | |
JP2009096678A (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
CN102741166A (zh) | 多晶硅的制造方法 | |
JP3958092B2 (ja) | シリコン生成用反応装置 | |
CN107074561B (zh) | 使用高效混合式水平反应器的多晶硅制造装置和方法 | |
JP2009208995A (ja) | シリコンの製造装置 | |
WO2008066027A1 (fr) | Appareil de fabrication de trichlorosilane | |
JP2008150273A (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
CN106458607B (zh) | 使用卧式反应器制造多晶硅的装置以及该多晶硅的制造方法 | |
WO2008062629A1 (fr) | Appareil pour la fabrication de trichlorosilane | |
JP5160181B2 (ja) | トリクロロシラン製造装置 | |
JP4099322B2 (ja) | シリコンの製造方法 | |
KR200455009Y1 (ko) | 폴리실리콘 제조장치 | |
KR101952731B1 (ko) | 수평형 반응기를 이용한 폴리실리콘 제조 장치 및 제조 방법 | |
US9059220B2 (en) | Polysilicon manufacturing device | |
JPH01100011A (ja) | トリクロロシランの工業的製造方法 | |
JP5730423B2 (ja) | 熱プラズマ処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110104 |