JP2013533199A - エネルギーの回収を伴って半導体を製造する装置および方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図1
Description
米国特許4173944号(Koppl他)は、銀めっきした気相成長チャンバを開示している。
米国特許出願公開2007/0251455号(A1)(Wan他)は、化学気相成長による塊状ポリシリコンの製造のための方法とプロセスを開示している。
米国特許4938815号(McNeilly)は、半導体基板ヒーターと反応器を開示している。
冷却液または冷却流体のような熱伝達媒体を含む構成において、一つ以上の導管118は典型的に、少なくとも一つの導管入口120と少なくとも一つの導管出口122を有する。出口122は、一つ以上の冷却用導管118の一つ以上の流路を通して入口120に流体的に接続されている。一つ以上の冷却用導管118のうちの少なくとも一つは典型的に、放射シールド110と熱伝達されるようになっている。
本実施例は本発明の態様を記述する。
本発明に係る放射シールドを有するステンレス鋼のベルジャーを製作した。慣用の技術によって、ニッケルを含む第一の層をベルジャーのステンレス鋼の表面上に約30μm未満の厚さで直接付与した。慣用の技術によって、金を含む第二の層をニッケルの第一の層に約5μm未満の厚さで直接付与した。
本実施例は、ニッケルの層と金の層を有する放射シールドを用いる装置と金の層だけからなる放射シールドを用いる装置の性能と観察を比較するものである。
実施例3
本実施例は、凝縮液の生成に関連して、蒸気を発生させ、次いでこれを熱負荷へ潜熱を移動させるために用いることによって反応チャンバからの熱を回収することに関連する本発明の態様を予測的に記述する。
およそ4000MTAの多結晶シリコンのプラントについて約70%のオンラインベースにおいて運転される20の反応チャンバからの、予想される全送出エネルギーは約21637KWであろう。
本実施例は、実施例3で示した本発明の態様の変形を予測的に記述する。図7に典型的に示すように、この変形例は、第一のフラッシュドラム624から第一の圧力で蒸気を供給し、そして第二の蒸発器または第二のフラッシュドラム724を用いることによって第一の圧力よりも低い第二の圧力で蒸気を供給するように構成することができるだろう。実施例3で示した構成において、第一のフラッシュドラム624からの気化した蒸気を用いて、第一の加熱操作623の加熱負荷の少なくとも一部を補うことができるだろう。第一の加熱操作623からの凝縮液を第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。第一のフラッシュドラム624からの飽和した水を第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。第二のフラッシュドラム724において、水を低圧の蒸気に蒸発させることができて、これを、第二の加熱操作725の加熱負荷の少なくとも一部を供給するために利用することができるだろう。第二の加熱操作725からの凝縮液を、凝縮液ポンプ622によって第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。熱伝達媒体を循環させて、複数の堆積装置604の反応チャンバにおいて約156.2℃の温度まで再加熱することができるだろう。第一の弁610を、第一のフラッシュドラム624において約4.2バール(ゲージ圧)の圧力および約142℃の関連した温度で飽和蒸気を生成させるのを容易にするために用いることができ、これにより、約3.5バール(ゲージ圧)の圧力の飽和した利用可能な蒸気を第一の加熱操作623に提供することができる。第二の弁612を、第二のフラッシュドラム724において約2.8バール(ゲージ圧)の圧力および約135℃の関連した温度で低圧の飽和蒸気を生成させるのを容易にするために用いることができ、これにより、約2.1バール(ゲージ圧)の圧力の利用可能な飽和した低圧蒸気を第二の加熱操作725に提供することができる。
本実施例は、実施例4のさらなる変形を記述する。図8に典型的に示すこの予測的な構成において、第一の弁610を適宜作動させることによって、第一のフラッシュドラム624を約3.5バール(ゲージ圧)の圧力で操作することができ、それにより利用可能な飽和した蒸気を約2.8バール(ゲージ圧)の圧力および約142℃の関連した温度で第一の加熱操作623に提供することができるだろう。第二のフラッシュドラム724を操作し、第二の弁612を適宜作動させることによって、飽和した蒸気を約2.1バール(ゲージ圧)の圧力および約135℃の関連した温度で第二の加熱操作725に提供することができるだろう。第一の加熱操作623からの凝縮液を、第一の凝縮液ポンプ622によって第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。第二の加熱操作725からの凝縮液を、第二の凝縮液ポンプ821によって第二のフラッシュドラム724に送ることができるだろう。
本実施例は、実施例3の別の変形を記述する。図9に典型的に示すこの予測的な構成において、循環ポンプ620によって水を循環させ、そして複数の堆積装置604において加熱することができるだろう。加熱された水は第一の熱交換器938の第一の熱作用側に熱エネルギーを与え、そして第一の熱交換器938の第二の熱作用側を通って流れる熱流体の温度を上昇させることができるだろう。次いで、一つ以上の圧縮機941を用いて熱交換器938からの熱流体の圧力を上昇させ、それによりその温度を上昇させることができるだろう。次いで、その加熱されて加圧された熱流体をフラッシュさせることによって高圧の蒸気を発生させ、この蒸気を第二の熱交換器939において利用し、熱交換器は、別の循環する熱伝達流体を利用することによって一つ以上の加熱操作823に熱を与えることができるだろう。あるいは、加熱されて加圧された熱流体を直接利用して、一つ以上の加熱操作823の加熱負荷の少なくとも一部を満たすことができるだろう。
Claims (25)
- 半導体材料製造設備の化学気相成長装置であって:
底板とこの底板に固定することのできるベルジャーとを有する反応チャンバ、ここで、ベルジャーは、ベルジャーの内面に配置されるニッケル層と、このニッケル層の上に配置される金の層とからなる放射シールドを有し、ベルジャーは、導管入口と導管出口を有する冷却用導管をさらに含んでいて、ここで、冷却用導管は放射シールドと熱伝達するようになっている;および
第一の熱作用側において冷却用導管に流体的に接続されていて、またさらに、第二の熱作用側において半導体材料製造設備の少なくとも一つのユニット操作に流体的に接続されている熱交換器;
を有する、前記化学気相成長装置。 - 放射シールドは約5%未満の輻射率を有する、請求項1に記載の化学気相成長装置。
- 熱交換器は、本質的に水からなる冷却液を介して放射シールドと熱的に接続されている、請求項1に記載の化学気相成長装置。
- 冷却用導管の導管出口に流体的に接続されている入口と熱交換器の入口に流体的に接続されている蒸気出口とを有するフラッシュドラムをさらに含む、請求項1に記載の化学気相成長装置。
- 熱交換器は、フラッシュドラムの上流に流体的に接続されている熱交換器出口を有する、請求項4に記載の化学気相成長装置。
- フラッシュドラムは、冷却用導管の導管入口の上流に流体的に接続されている凝縮液出口を有する、請求項5に記載の化学気相成長装置。
- 熱交換器から下流に流体的に接続されているとともに冷却用導管の導管入口の上流に流体的に接続されているクーラーをさらに有する、請求項6に記載の化学気相成長装置。
- 反応チャンバの反応体入口に流体的に接続可能な、少なくとも1種の多結晶シリコン先駆物質の化合物の供給源をさらに有する、請求項1に記載の化学気相成長装置。
- 半導体製造設備において半導体材料を製作することを容易にする方法であって:
底板とこの底板に固定することのできるベルジャーとを有する反応チャンバを含む化学気相成長装置を用意すること、ここで、ベルジャーは、ベルジャーの内面に配置されるニッケル層とこのニッケル層の上に配置される金の層とを伴う放射シールドを有し、ベルジャーはさらに、導管入口と導管出口を含む冷却用導管を有する;および
冷却用導管を熱交換器に第一の熱作用側において流体的に接続すること、ここで、熱交換器は第二の熱作用側において半導体製造設備の少なくとも一つのユニット操作に流体的に接続されている;
を含む、前記方法。 - 冷却用導管を熱交換器に流体的に接続することは、熱交換器の第一の熱作用側をフラッシュドラムに接続することと、フラッシュドラムを冷却用導管に接続することを含む、請求項9に記載の方法。
- 冷却装置を冷却用導管およびフラッシュドラムに接続することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
- 底板とこの底板に固定することのできるベルジャーとを有する反応チャンバを含む化学気相成長装置であって、ここで、ベルジャーは、ベルジャーの内面に配置されるニッケル層とこのニッケル層の上に配置される金の層からなる放射シールドを有し、ベルジャーはさらに、導管入口と導管出口を有する冷却用導管を含み、ここで、冷却用導管は放射シールドと熱伝達するようになっている、前記化学気相成長装置。
- 半導体製造設備の化学気相成長装置において半導体材料を製作する方法であって、化学気相成長装置は、上に放射シールドを有するベルジャーによって少なくとも一部が画定された反応チャンバを有し、放射シールドはベルジャーの内面上に配置されたニッケル層とこのニッケル層の上に配置された金の層からなり、半導体材料を製作する方法は:
先駆物質反応体を反応チャンバの中に導入すること;
反応チャンバの中で先駆物質反応体の少なくとも一部の半導体材料への転化が促進されるのに十分な温度までフィラメントを加熱すること;および
反応チャンバからの熱エネルギーの少なくとも一部を半導体製造設備のプロセス流体へ移動させること;
を含む、前記方法。 - 半導体材料は多結晶シリコンである、請求項13に記載の方法。
- 反応チャンバから熱エネルギーを回収することをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、冷却液への熱伝達を促進することによって、放射シールドの温度を約200℃から約300℃までの範囲に維持することを含む、請求項15に記載の方法。
- 反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、放射シールドの温度を約200℃から約250℃までの範囲に維持するのに十分なほどに冷却液への熱伝達を促進することを含む、請求項16に記載の方法。
- 反応チャンバから熱エネルギーを回収することは、放射シールドと熱伝達する冷却用導管を通して水を循環させることを含み、そして反応チャンバから回収した熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、水の少なくとも一部をフラッシュ蒸発器においてフラッシュ蒸気に蒸発させることと、そのフラッシュ蒸気でプロセス流体を加熱することを含む、請求項15に記載の方法。
- 反応チャンバから熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、冷却液の少なくとも一部を蒸発させること、蒸発した冷却液の少なくとも一部を熱交換器へ移動させること、および熱交換器の中の蒸発した冷却液の少なくとも一部を凝縮させることを含む、請求項13に記載の方法。
- 回収した熱エネルギーの少なくとも一部を移動させることは、半導体製造設備の再沸器においてプロセス流体を加熱することを含む、請求項13に記載の方法。
- 化学気相成長装置の反応チャンバ内で多結晶シリコンを製造する方法であって、製造される多結晶シリコンの1Kg当り50KW・hr未満の正味の反応チャンバ電力消費率において、シリコン先駆物質反応体の多結晶シリコンへの転化を促進することを含み、ここで、反応チャンバは、上に放射シールドを有するベルジャーによって少なくとも一部が画定されていて、その放射シールドは、ベルジャーの内面上に配置されたニッケル層と、そのニッケル層の上に配置されていて5%未満の輻射率を有する金の層からなる、前記方法。
- 熱エネルギーを反応チャンバから多結晶シリコンの設備の熱交換器へ移動させることをさらに含む、請求項21に記載の方法。
- 反応チャンバからの熱エネルギーの少なくとも一部を受け入れるように配置された冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することをさらに含む、請求項22に記載の方法。
- 冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することは、反応チャンバと熱交換器の間の熱伝達を与える冷却用導管を通って流れる冷却液の流量を調節することを含む、請求項23に記載の方法。
- 冷却液の少なくとも一つの操作条件を調整することは、多結晶シリコンを製造する間、金の層を約200℃から約300℃までの範囲の最大温度に維持することを含む、請求項23に記載の方法。
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