JP5436541B2 - 反応炉 - Google Patents
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- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 101
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 61
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 46
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 23
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 15
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 14
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 10
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 239000007770 graphite material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000009365 direct transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001055 inconels 600 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
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- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
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- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00049—Controlling or regulating processes
- B01J2219/00051—Controlling the temperature
- B01J2219/00132—Controlling the temperature using electric heating or cooling elements
- B01J2219/00135—Electric resistance heaters
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
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Description
SiCl4+H2⇔SiHCl3+HCl (1)
この反応は、ガス化したテトラクロロシランと水素とからなる原料ガスを反応炉において700〜1400℃に加熱することによって行われる。
原料ガスを高温で反応させて反応生成ガスを生成する反応容器と、
有底の略円筒状の本体およびこの本体の上端開口部に被着される天蓋を有し反応容器を内部に収容する外筒容器と、
外筒容器の天蓋から外筒容器の本体と反応容器との間の空間を外筒容器の底部に向かって延び、長手方向に垂直な断面の面積が外筒容器の底部側ほど小さくなる断面積勾配を備えた長尺の抵抗発熱体を備えるヒータと、
を有することを特徴としている。
テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成する反応容器と、
有底の略円筒状の本体およびこの本体の上端開口部に被着される天蓋を有し反応容器を内部に収容する外筒容器と、
外筒容器の天蓋から外筒容器の本体と反応容器との間の空間を外筒容器の底部に向かって延び、長手方向に垂直な断面の面積が外筒容器の底部側ほど小さくなる断面積勾配を備えた長尺の抵抗発熱体を備えるヒータと、
を有することを特徴としている。
これに対し、従来の反応炉では、ヒータが収納容器の底部から立ち上がるように設けられているため、ヒータを安定に支持固定する上で高い物理的強度が要求されるヒータの底部側を細くまたは薄くすることは不可能である。
10: 反応容器
11: 原料ガス導入口
12: 反応生成ガス抜出口
20: 外筒容器
21: 本体
22: 天蓋
23: 原料ガス導入開口部
24: 反応生成ガス抜出開口部
25: ヒータ取付口
30: ヒータ
31: 抵抗発熱体
32: 導電性中間連結体
33: 金属端子
40: 抜出管
310:抵抗発熱体部材
320:導電性中間連結体部材
330:金属端子部材
340:導電性渡し部材
本実施形態に係る反応炉1は、図1および図2に示すように、
テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成する反応容器10と、
有底の略円筒状の本体21およびこの本体の上端開口部に被着される天蓋22を有し反応容器10を内部に収容する外筒容器20と、
外筒容器20の天蓋22から外筒容器20の本体21と反応容器10との間の空間を外筒容器20の底部に向かって延び、長手方向に垂直な断面の面積が外筒容器20の底部側ほど小さくなる断面積勾配を備えた長尺の抵抗発熱体31を備えるヒータ30と、
を有する。
反応容器10は、テトラクロロシランと水素とを高温環境下で反応させるための略円筒形状の容器であり、原料ガスを取り込むための原料ガス導入口11と、反応生成ガスを導出するための反応生成ガス抜出口12とを有する。本実施形態では、原料ガス導入口11を反応容器10の底部中央に設け、反応生成ガス抜出口12を反応容器10の上方の側壁に設ける構成としている。反応生成ガス抜出口12には、後述する抜出管40が挿入され、反応生成ガスを反応炉1の外部へと排出する。
外筒容器20は、有底の略円筒状の本体21と、この本体の上端開口部に被着される天蓋22とを有する略円筒形状の容器である。外筒容器20の本体21と天蓋22とは、外筒容器20の内部を気密に封止可能であるフランジ等の締結手段(図示せず)によって固定される。外筒容器20には、反応容器10を収容した際に反応容器10の原料ガス導入口11および反応生成ガス抜出口12に対応する位置にそれぞれ原料ガス導入開口部23および反応生成ガス抜出開口部24が設けられている。すなわち、原料ガス導入開口部23を通って原料ガスが反応容器10内に供給され、反応生成ガス抜出開口部24を経て後述する抜出管40からトリクロロシランを含む反応生成ガスが排気される。
抜出管40は、外筒容器20の反応生成ガス抜出開口部24を経て、反応容器10の反応生成ガス抜出口12に接続されるカーボン製の管状部材であり、反応容器10内で生成したトリクロロシランを含む反応生成ガスを反応炉1の外に排出する。
ヒータ30は、図2に示すように、反応容器10の周囲を複数で取り囲むように配置され、反応容器10の外側から反応容器10の内部温度を調節する。各ヒータ30は、外筒容器20の天蓋22から外筒容器20の本体21の内壁と反応容器10の外壁との間の空間を外筒容器20の底部へと延びるように設置される。
本実施形態で用いるヒータ30は、図1に示すように、下端に延びるほど断面積が漸減する長尺の抵抗発熱体31と、抵抗発熱体31の上端に連結される導電性中間連結体32と、導電性中間連結体32の上端に連結され、さらに外部電源(図示せず)に接続される金属端子33とを備えている。
[実施例1]
図3に示すような2本の抵抗発熱体部材を有するヒータを9組製造し、反応容器、外筒容器、抜出管と組み合わせて図1および図2に示す反応炉を整えた。
ヒータの抵抗発熱体部材には、一方の端部から他方の端部に向けて径が漸減する略円柱状の黒鉛材を用いた。抵抗発熱体部材の全長は150cmであり、最大径は19.5〜20.5mm(平均20mm)、最小径は16.5〜17.5mm(平均17mm)であった。
ヒータの導電性中間連結体部材には、直径30mmの略円柱状の黒鉛材を使用し、その表面に200μmの厚みの炭化ケイ素被膜を形成した。
また、2本の抵抗発熱体部材間を連結する導電性渡し部材には、寸法が15cm×5cm×3cmの略四角柱状の黒鉛材を使用した。
この反応炉によれば、比較的低温になりがちな反応炉底部を、反応炉天蓋部より、約1.4倍も強く加熱することができる。反応容器内の上下間の温度差を調べたところ、断面積勾配を有しない抵抗発熱体部材(径=20mm)を用いた場合と比べて温度差を低減できることが確認された。
ヒータの抵抗発熱体部材の最大径が19.5〜20.5mm(平均20mm)、最小径が18.5〜19.5mm(平均19mm)となるような断面積勾配としたこと以外は、実施例1と同様にヒータを製造し、反応炉を整えた。
この反応炉によれば、比較的低温になりがちな反応炉底部を、反応炉天蓋部より、約1.1倍強く加熱することができる。反応容器内の上下間の温度差を調べたところ、断面積勾配を有しない抵抗発熱体部材(径=20mm)を用いた場合と比べて温度差を低減できることが確認された。
Claims (10)
- 原料ガスを高温で反応させて反応生成ガスを生成する反応容器と、
有底の略円筒状の本体およびこの本体の上端開口部に被着される天蓋を有し反応容器を内部に収容する外筒容器と、
外筒容器の天蓋から外筒容器の本体と反応容器との間の空間を外筒容器の底部に向かって延び、長手方向に垂直な断面の面積が外筒容器の底部側ほど小さくなる断面積勾配を備えた長尺の抵抗発熱体を備えるヒータと、
を有する反応炉。 - テトラクロロシランと水素とを含む原料ガスからトリクロロシランと塩化水素とを含む反応生成ガスを生成する反応容器と、
有底の略円筒状の本体およびこの本体の上端開口部に被着される天蓋を有し反応容器を内部に収容する外筒容器と、
外筒容器の天蓋から外筒容器の本体と反応容器との間の空間を外筒容器の底部に向かって延び、長手方向に垂直な断面の面積が外筒容器の底部側ほど小さくなる断面積勾配を備えた長尺の抵抗発熱体を備えるヒータと、
を有する反応炉。 - 抵抗発熱体が、最小断面積が最大断面積の65〜95%となる断面積勾配を有する、請求項1記載の反応炉。
- 抵抗発熱体が、最小断面積が最大断面積の70〜90%となる断面積勾配を有する、請求項1記載の反応炉。
- 抵抗発熱体が黒鉛からなる、請求項1記載の反応炉。
- ヒータが、抵抗発熱体の外筒容器天蓋側端部に抵抗発熱体よりも発熱量の小さい導電性中間連結体を有する、請求項1記載の反応炉。
- 導電性中間連結体が黒鉛からなる、請求項6記載の反応炉。
- 導電性中間連結体の表面が炭化ケイ素被膜処理されていることを特徴とする、請求項7記載の反応炉。
- 導電性中間連結体の炭化ケイ素被膜が10〜500μmの厚みで形成されていることを特徴とする、請求項8記載の反応炉。
- ヒータが、複数の抵抗発熱体を組み合わせてなる単位構造体である、請求項1記載の反応炉。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2009/056674 WO2010113265A1 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 反応炉 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010113265A1 JPWO2010113265A1 (ja) | 2012-10-04 |
JP5436541B2 true JP5436541B2 (ja) | 2014-03-05 |
Family
ID=42827598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011506890A Active JP5436541B2 (ja) | 2009-03-31 | 2009-03-31 | 反応炉 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5436541B2 (ja) |
TW (1) | TW201036916A (ja) |
WO (1) | WO2010113265A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5383573B2 (ja) * | 2010-03-29 | 2014-01-08 | コスモ石油株式会社 | 多結晶シリコン製造用の反応炉及びそれを用いる多結晶シリコンの製造方法 |
KR101589965B1 (ko) * | 2014-02-26 | 2016-02-05 | (주) 데크카본 | 밀도화 장비 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4208373A (en) * | 1972-07-13 | 1980-06-17 | Thagard Technology Company | Reactor-tube assembly for fluid-wall reactors for high temperature chemical reaction processes |
JP2000329475A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Hitachi Cable Ltd | ヒータ炉 |
JP5601438B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2014-10-08 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシラン製造装置 |
-
2009
- 2009-03-31 JP JP2011506890A patent/JP5436541B2/ja active Active
- 2009-03-31 WO PCT/JP2009/056674 patent/WO2010113265A1/ja active Application Filing
-
2010
- 2010-01-28 TW TW099102353A patent/TW201036916A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2010113265A1 (ja) | 2012-10-04 |
TW201036916A (en) | 2010-10-16 |
WO2010113265A1 (ja) | 2010-10-07 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131203 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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