JP2013521525A - 校正システムを有するパターン発生器 - Google Patents
校正システムを有するパターン発生器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013521525A JP2013521525A JP2012555433A JP2012555433A JP2013521525A JP 2013521525 A JP2013521525 A JP 2013521525A JP 2012555433 A JP2012555433 A JP 2012555433A JP 2012555433 A JP2012555433 A JP 2012555433A JP 2013521525 A JP2013521525 A JP 2013521525A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- calibration plate
- workpiece
- calibration
- coordinate system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
Abstract
Description
a」,「an」および「the」は、別に明確に文章で示されなければ、同様に複数形を有するように意図される。さらに当然のことながら、用語「comprises」,「comprising」,「includes」および「including」のうちの少なくとも一方は、本明細書において用いられる場合、規定の特徴、整数、段階、動作、要素、および成分のうちの少なくとも一方の存在を指定するが、1つあるいは複数の他の特徴、整数、段階、動作、要素、成分、およびそれらのグループのうちの少なくとも一方の存在または付加を排除しない。
例示的実施形態は、レーザビームが所定または所望の周辺部位置で校正スケールに向けて回転子のアームに沿って反射するレーザビームの位置を測定する方法と測定装置を提供する。以降で詳述されるように、校正スケール(あるいは格子)は、レーザビームを透過または反射させる透明領域と反射領域の明確に定義された空間校正パターンである。
特定の例示的実施形態において、検出器システムは、たとえば書込か読取ビームのワークピース上の衝突位置を調整することで、所望の書込または読取ビーム位置からの偏差を補正する制御手段を有し得る。書込装置システムにおいて、書込ビームは、表面の融除または基板かウエハのようなワークピース上にパターンを生成すべく用いられ得る。
例示的実施形態は、パターン発生器、測定システム、測定装置、および測定ツールに関連する。明確にするため、例示的実施形態は、回転子を有するパターン発生器に関して記
載される。回転子は、1つあるいは複数のアーム(たとえば2,3,4,5,6またはさらに多くのアーム)を有し得るとともに各々のアームは、書込/パターン形成またはパターンか画像の読取を行うように構成される光学系を有し得る。一実施例において、アームの読取/書込ヘッドは、固定または本質的に固定されており、光学像は、回転または揺動光学系によって回転軸近くの位置から回転軸からさらに離れた位置に並進される。一実施例において、回転システムは、2つの平行ミラーを有し得るので、ワークピース上の円をスキャンし得る。
少なくともいくつかの例示的実施形態にしたがって測定装置はさらに、スケールとテーブルとの間の固定相対距離を維持するように構成される軸受(たとえば空気軸受パッド)を有し得る。少なくともいくつかの例示的実施形態にしたがって少なくとも1つの空気軸受は、テーブルとスケールの支持部材間に少なくとも1つの空気軸受を提供することで、テーブルの移動方向に対して直角にスケールとテーブルとの間の固定相対距離(または位置)を維持するように構成される。
少なくともいくつかの他の例示的実施形態にしたがって測定装置は、スケールがテーブルの回転に追随し得るようにテーブルの移動方向(y方向)にテーブルの側面に沿って誘導を広げることで、スケールとテーブルとの間の相対位置を維持すべく少なくとも1つのパッド(たとえば空気軸受パッド)を有し得る。
図1を参照すると、レーザビーム108は、時計回り(またはθ)方向にスケールまたは格子110上をスキャンする。レーザビーム108の反射と透過のうちの少なくとも一方は、検出器(表示なし)によって検出される。検出器は、レーザビーム108の検出された反射と透過のうちの少なくとも一方に基づきパルスシーケンス106からなる検出器信号D_Sを発生させる。検出器は、レーザビーム108の検出された各々の反射と透過のうちの少なくとも一方に対してパルスを発生させ得る。さらにそのパルスシーケンスは、カーテシアン(デカルト)座標に対応する。
図2を参照すると、測定装置は、4つのアーム202を有する回転子208を有する。回転子208は、基部210の上方に配置される。テーブル212は、基部210上に配置されるとともに、ワークピース214を保持することができる。
少なくともいくつかの例示的実施形態にしたがってスケール204とテーブル212のうちの少なくとも一方は、スケール204がテーブル212に対して位置付けられ得るように、xとyのうちの少なくとも一方の方向に移動するように構成され得る。
望の周辺部位置のカーテシアン座標は、発生した検出器信号に基づき決定され得る。
回転およびプリズム移動(プリズム移動の場合、たとえば移動テーブル)を組み合わせたシステムにおいて、移動に対して直角方向の相対位置は、軸受でテーブル212の側面に沿ってスケール204,304を誘導することで測定され得る。テーブル212の回転を操作するため、スケール204,304がテーブル212の回転に追随するように2つ以上の誘導パッドが、付加され得る。
図7は、例示的実施形態にしたがうスケールを有する測定装置のうちの一部を示す。この実施例において、スケールは、図6において示される例示的実施形態と比較して、ステ
ージ表面により接近して配列される。図7における測定レーザビーム706は、露光ビーム714の光源とは分離したレーザ光源708から得られる。
少なくともいくつかの例示的実施形態にしたがってワークピースの露光に用いられる光が、スケールのスキャンに用いられ得る。
標は、検出器信号を有するパルスシーケンスに基づき決定され得る。図9に関する上記の検出器は、光強度を測定する任意の標準または在来型の光検出器であり得る。
整列を実行するように構成される。
1002に向けて反射させる。空間光変調器1002は、書込光ビームを空間変調画像(SLM画像)でミラー1001に戻し反射させる。ミラー1001は、書込光ビームを傾斜ミラー1003に向ける。傾斜ミラー1003は、書込光ビームを縮小する縮小リレー光学系1010に書込光ビームを向ける。
図10をさらに参照すると、トロンボーン1006は、成形書込光ビームを焦点リレー1004に向ける。書込光信号は、焦点リレー1004を通って空間光変調器の空中画像1011に移る。この画像は、ピラミッド型反射性回転プリズム1014の真上に位置付けられる。
光検出器1007は、光相関ビームに基づきアナログ電気信号を発生させる。電気信号は、サンプリング、アナログ・デジタル変換、さらにレーザ直接画像化書込装置1000の校正に特異的なアルゴリズムを用いる校正システム1016による分析が行われる。校正システム1016は、1つあるいは複数の中央処理ユニット(CPU)、デジタル信号プロセッサ(DSP)、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールド・プログラマブル・ゲート・アレイ(FPGA)、コンピュータまたはその他によって実装され得る。
図11に示される校正プレート1100は、書込光ビームの空間位置、焦点、および光量のうちの少なくとも一方を校正すべく、書込光ビームを反射させるように構成される。例示的実施形態にしたがって校正プレート1100は、異なる(たとえば比較的高度および比較的低度の)反射率の領域を有し得る。一実施例において、校正プレート1100は、クロムまたは類似の反射プレートであり得る。
ドットの領域1114は、校正プレート1100の座標系に対して整列カメラ(表示なし)を校正すべく構成される。
図11に関する上記のように、トラック1104は、複数の垂直バー(x−バー)集合と、複数の垂直バー集合間でインターレース(あるいは織り交ぜ)された複数の傾斜バーコードパターンとを有する。複数の傾斜バーコードパターンに関して記載されるが、トラック1104は、1つあるいは複数の傾斜バーコードパターンを有し得る。しかも、少なくともいくつかの例示的実施形態にしたがって傾斜バーコードパターンは、本明細書において記載される垂直と水平バーに対して斜めに向けられる。
例示的動作において、空間光変調器線画像をトラック1104の経路に送出することで、垂直バー1702Vの異なる(たとえば低度と高度)反射率との間の転移が、校正プレート1100のx−スケールとx−オフセットを示す光相関信号を提供する。これは、図14Aと14Bに関して以降に詳述される。
図16Bは、空間光変調器線画像と回転子アームの位置に依存する反射パターンとの間
の相関を示す例示的相関信号を例示するグラフである。
図12Aと12Bを参照すると、図11に示されるトラック1104に沿って回転子角αの関数として垂直バーと傾斜バーコードパターンのxとy座標をサンプリングした後、得られた座標(x(α)とy(α))の集合は、得られた点に対して最小二乗回帰を用いることで得られた理想(または完全)円形(または楕円形)アークと比較される。理想円形アーク由来の座標(x(α)とy(α))における偏差は、続いてx−方向の偏差関数fx(α)およびy−方向の偏差関数fy(α)として、抽出される。基板上に書き込まれるべき空間光変調器パターンをマッピングする場合、抽出された偏差関数fx(α)およびfy(α)は、空間位置において表集計および補正され得る。
図12Bに示されるように、たとえば図10に示される反射ピラミッド型プリズム1014の上方の空間光変調器の空中画像1011におけるピクセル1204は、回転子アーム1020によってステージ面(たとえば校正プレートか基板)上の空間光変調器ピクセルの画像1208に向けて反射される。空間光変調器上のピクセルの実際位置y0に依存して、ピクセルによって横断される経路は、関数(x(α,y0),y(α,y0))によって表現されることになり、関連偏差関数fx(α,y0)およびfy(α,y0)は、空間光変調器1002における回転子角αと位置の関数として軌道の偏差をマッピングする。
x’=Rsin(α)+fx(y0,α)
y’=−y0+Rcos(α)+Sy+fy(y0,α)
数式1において、偏差関数fx(α,y0)およびfy(α,y0)は、校正される必
要がある空間光変調器画像軌道のうちの予測不可能な部分を表現する。ピラミッド型プリズム1012および接続回転子アーム1020が、回転するとき、数式1によって表現される軌道は、空間光変調器における一次元配列のピクセルの位置y0での任意ピクセルの動きを提供する。完全に整列した実質的に誤差のないシステムの名目上の経路は、数式1によって表現され得る。偏差関数fx(α,y0)およびfy(α,y0)は、ゼロまたは実質的にゼロであり得る。しかし、投射誤差と光学収差のため、任意の実システムにおいてピクセルによって表わされる経路は、もはや理想円形アークに追随しない。むしろピクセルによって表わされる経路は、fx(α,y0)とfy(α,y0)によって表わされるさらなる偏差が、それぞれxとy方向に付け加えられる。校正の目的は、数式1における有効半径RおよびオフセットSyとともにこれらの偏差を決定することである。
図13を参照すると、校正プレート1302は、ファン反射バー1300を有する。この実施例において、ステージ1304は、y−軸に沿って直線的に進んでいる。図13において示されるファンパターン1300は、図11に関する上記のファンパターン1112に対応する。
より詳細には、図18Aは、有限コントラスト空間光変調器画像のy−位置の決定における比較的低い精度に対処する実施例を例示する。
図18Bは、図17に関する上記の垂直バー集合間で織り交ざった傾斜バーコードパターンを有する水平バーコードパターン1804とトラック1806を有する実施例を例示する。
傾斜バーコードパターンの場合において、校正システム(たとえば図10における1016)は、サンプリングされたxとy位置の光相関ビームを処理することで、単一スキャンにおける両直交軸のスケールとオフセットに関する情報を生じさせる。これは、比較的高精度を維持しながら校正時間を減らし得る。
3U,213L,214Lおよび214Rが個々に形成され、次いで組み立てられる段階的様式で形成され得る。
シリンダ201は、軸受216を用いることで回転軸212上に取付けられる。モータ203のような駆動装置は、方向218にシリンダ201を回転させる回転軸212を駆動すべく回転軸212の一端に取付けられる。シリンダ201は、たとえば約500kgであり得るとともに、軸受216は、たとえば流体軸受であり得るが、任意の適切な軸受が、用いられ得る。流体は、たとえば空気、液体、ガスなどであり得る。流体軸受は、当該分野において周知であるため、詳細な記載は、簡略化のため省略されることになる。
よび処理ツールのうちの少なくとも一方を整列し、現在の動作(たとえばパターン形成)と前のパターンとの間のより正確なオーバーレイの歪みマップをオンザフライで生成し、ワークピースのパターン形成中に高速パターン整列を実行し、または座標系か支持構造における歪みとドリフト、あるいはそのいずれか一方を監視し、あるいはその両方を行うべく用いられ得る。
図23Aは、複数の入力と出力を有するシリンダ配列を例示する。図23Bは、ワークピースが捕捉され得るか通過が許可され得るように、シリンダが、処理トラック内に配列され得る方法の実施例を示す。
図24を参照すると、ワークピースは、左から入る(たとえば表示されていないストッカから提供される)。ワークピースは、被覆ステーション800においてフォトレジストで被覆されるとともに焼成される。被覆および焼成後、ワークピースは、露光ステーション802で露光され、現像装置804で現像される。現像後、結果として得られたワークピース上のレジストパターンは、検査ステーション808によって検査される。レジストパターンが、検査に落ちると、ワークピースは、ストリップステーション810で被覆が剥ぎ取られ、被覆ステーション800に戻される。
図25Bは、シリンダの例示的垂直配向を示す。
図25Aにおけるように、シリンダを水平に負荷する場合、ワークピースは、コンベヤベルトから取り出される。図25Bにおけるように、シリンダを垂直に負荷する場合、シリンダは、誘導レールシステムから負荷される。
除荷のために放出されると、プッシャは、その力を引き継ぎ、ワークピースが引っ張り出される間、ワークピースの末端に追随する。プッシャは、接触または非接触型であり得る。
図26を参照すると、角度符号器ディスク2802は、シリンダ2804とともに回転し、線形符号器2806は、ツール軸に沿って配列される。ツールバー2808は、角度符号器ディスク2802を参照し、ツールによって用いられるスケールを提供する。角度符号器2802は、たとえば回転軸の位置における不確実性、角度符号における非線形およびノイズのうちの少なくとも一方などの誤差に悩まされ得る。
図29は、円筒形ステージを用いることで、半導体および他のデバイスを形成するいくつかの例示的真空または閉鎖環境プロセスを示す。
102は、たとえばアクセス点5105を介して導入される真空を用いることで密閉され得る。また、アクセス点5105は、密閉容器5102の気圧を制御するのに用いられる。ロードロック5103は、ワークピース5104が、真空を維持しながらチャンバ内に負荷され得るように、差動排気される。機械が負荷された後、ロードロック5103は、閉鎖される。
より詳細には、図30は、平台プラットホームを例示する。図30に図示されるプラットホームは、トラスとしての実施例の提供を目的に示される軽量フレームであり得る。しかし、例示的実施形態は、管内を流れる流体(たとえば空気、水、およびガスのうちの少なくとも一方)によって制御される温度であり得る薄肉管で形成され得る。フレームは、ワークピース5803を支持する固定ステージ最上部5802により堅い支柱を提供し得る。少なくとも1つのツールバーは、多重ツールバーが可能なステージ一面にわたって広がり得るとともに、共通座標系を生成する基盤に加えて標準台座、固定具、および接続器は、1つあるいは多数のツールバー上に1つあるいは多数のツールを備えたステージの構成をより容易にする。図30は、4つのツールバー5804を有することを実施例として示す。各々のツールバーは、1つあるいは多数のツール5805を有する。ツール5805は、円筒形ステージに関する上記の方法に類似または実質的に類似した方法で取付けまたは配列される。ツールバー5804の数と、各々のツールバー5804に取付けられるツール5805の数は、適用および必要な能力のうちの少なくとも一方にしたがって構成され得る。
る。レーザダイオードの電力は、たとえば単一モードでは約5mW〜約65mW、さらに多重モードダイオードでは約5mW〜約300mWであり得る。レーザダイオードの電気・光学効率は、たとえば約13%であり得る。レーザダイオードは、光学動力源としておよびモジュレータとして、たとえば同時に働き得る。また、光書込ユニットは、空間光変調器であり得る。
図32Aを参照すると、書込装置は、ホルダ(たとえば円筒形ステージまたは管型ホルダ)810、回転子スキャナ830、および複数の光書込ユニット840を有する。ワークピース820は、ホルダ810の外側に配列される。ワークピース820は、真空ノズル(図32Bにおいて850で特定される)によってホルダ810上に固定される。回転子スキャナ840は、ワークピースホルダ810の外側で回転し、光書込ユニット840は、ホルダ810の中心軸に向けて内側の半径方向に放射を出す。光書込ユニット840
は、たとえば一点レーザダイオード、多重点レーザダイオードまたは空間光変調器(SLM)であり得る。空間光変調器(SLM)は、ワークピース860上にスタンプまたはパターン860を生成できる少なくとも部分的に透過性の空間光変調器であり得る。図32Aに示すように、ワークピースホルダ810の中心軸は、水平に向けられ得る。
図33を参照すると、回転子スキャナ1520は、回転子スキャナ1520のうちの平らな部分(たとえば上面と底面のうちの少なくとも一方)上に配列される複数の光書込ユニット(表示なし)を有する。複数の光書込ユニットは、回転子スキャナ1520に対して軸方向に電磁波を出すように、配列される。一実施例において、光書込ユニットは、回転子スキャナ1520の底部の外エッジの周りに配列され得る。図示されるように、回転子スキャナ1520は、ワークピース1510の表面に沿って回転し、または移動し、あるいはその両方を行う。回転子スキャナ1520の幅は、ワークピース1510の幅をカバーする。例示的実施形態において、回転子スキャナ1520は、ワークピース1510を様々な方向にスキャンするとともにアークが0,45または90度の接線でないような角度でワークピースの全域にわたって比較的シャローなランを形成する。この形状は、より厚いマスクと非湾曲性マスクのうちの少なくとも一方で用いられ得る。
図34を参照すると、書込装置は、ワークピース1610を保持できる円形ステージ1630を有する。書込ヘッド1620は、円形ステージ1630の少なくとも直径に広がるように配置される。書込ヘッド1620は、光書込ヘッドによって放出された電磁放射が、書込中にワークピース1610に衝突するように、書込ヘッドのうちの表面部分に配列される複数の光書込ユニット(表示なし)を有する。
。
Claims (26)
- ステージ上に配列されたワークピース上にパターンを発生させるように構成される書込ツールと;
前記書込ツールの座標系と、前記ステージと前記ワークピースとのうちの1つの上の校正プレートの座標系との間の相関を決定するように構成される校正システムと
を有するパターン発生器であって、
前記校正システムはさらに前記校正プレートの表面上の少なくとも1つの反射パターンから反射した少なくとも1つの光ビーム状の光相関信号、またはパターンに少なくとも部分的に基づき前記相関を決定するように構成される、
パターン発生器。 - 前記校正システムは、前記書込ツールが前記ワークピース上に前記パターンを発生させている間に前記相関を決定するように構成され、
前記パターン発生器は、書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関に基づき、前記ワークピース上に発生した前記パターンのリアルタイム整列を実行するように構成される、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関は、前記ワークピース上に前記パターンを発生させる前に少なくとも部分的に決定される、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記校正システムは、前記校正プレート上の少なくとも1つの反射パターンに整合するパターンで配列される少なくとも1つの光ビームを、前記校正プレートに向けて放出するように構成される分離測定システムであり、
前記校正プレート上の前記少なくとも1つの反射パターンから反射した前記少なくとも1つの光ビームはさらに、前記書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関を決定すべく用いられる、
請求項3記載のパターン発生器。 - 前記書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関は、前記ワークピース上に前記パターンを発生させる間に少なくとも部分的に決定される、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関は、前記ワークピース上に前記パターンを発生させる前記書込ツールのうちの少なくとも1つの書込ユニットのストローク間において少なくとも部分的に決定される、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記相関は、1つの回転子アームの書込掃引間において少なくとも部分的に決定される、
請求項6記載のパターン発生器。 - 前記相関は、2つの別個の回転子アームの書込掃引間において少なくとも部分的に決定される、
請求項6記載のパターン発生器。 - 前記校正システムはさらに、前記校正プレート上の少なくとも1つの反射パターンに整合するパターンで配列される少なくとも1つの光ビームを前記校正プレートに向けて放出
するように構成され、
前記校正プレート上の前記少なくとも1つの反射パターンから反射した前記少なくとも1つの光ビームはさらに、前記書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関を決定すべく、前記校正システムによって用いられる、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記パターン発生器はさらに、
前記校正プレート上の少なくとも1つの反射パターンに整合するパターンで配列される光ビームを放出するように構成される分離測定システムを有し、
前記校正プレート上の前記少なくとも1つの反射パターンから反射した前記少なくとも1つの光ビームは、前記書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関を決定すべく前記校正システムによって用いられる、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記ワークピース上に前記パターンを発生させながら、前記パターン発生器は、書込ツールの前記座標系と前記校正プレートの前記座標系との間の前記相関に基づき、前記パターンのリアルタイム整列を実行するように構成される、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記校正プレートは、異なる反射率の領域を有する少なくとも1つの反射パターンを有し、
前記校正プレートは、空間位置、焦点、および前記光ビームの光量を校正する光ビームを反射させるように構成され、
前記光ビームは、線画像を有し、
前記少なくとも1つの反射パターンは、前記光ビームの前記線画像に整合するように構成される、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記光ビームは、前記少なくとも1つの反射パターンに整合するパターンで配列される複数の光線束を有する、
請求項12記載のパターン発生器。 - 前記線画像は、空間光変調器線画像である、
請求項12記載のパターン発生器。 - 前記パターン発生器はさらに、反射光ビームをサンプリングするように構成される少なくとも1つの光検出器を有する、
請求項12記載のパターン発生器。 - 前記少なくとも1つの反射パターンおよび整合する線画像は、結果として得られる相関信号において単一ピークを提供するように構成される、
請求項12記載のパターン発生器。 - 前記少なくとも1つの反射パターンは、BarkerまたはBarker様コード体系にしたがって構成される、
請求項12記載のパターン発生器。 - 前記光ビームは、一次元パターンで配列された一連の光線束を有する、
請求項12記載のパターン発生器植。 - 前記校正プレートはさらに、
前記光ビームの前記一次元パターンに整合する複数の水平反射パターンと;
各々の対の隣接する垂直反射バー集合間でインターレースされた傾斜反射パターン集合を有する複数の垂直反射バー集合であって、各々の傾斜反射パターン集合は、前記光ビームの前記一次元パターンに整合するように配列された複数の傾斜バーを有することと
を有する、
請求項18に記載のパターン発生器。 - 前記校正プレートはさらに、
前記校正プレートの表面形状を測定することで焦点センサを校正する複数の拡散パッドと;
反射光ビームの変調を測定することで、焦点を校正するチャープラスタと;
パターン露光のタイミングの校正および照合を確認する複数の確認パッドと;
前記校正プレートの角度方向を測定すべく、ファン様パターンで配列される複数のラインと;
前記校正プレートのタイミングオフセットを校正する複数のオフセット校正領域と
を有する、
請求項19記載のパターン発生器。 - 前記複数の傾斜反射パターンと、前記複数の垂直反射バー集合とは、前記光ビームによって横切られる軌道に沿ってインターレースされる、
請求項19記載のパターン発生器。 - 前記書込ツールは、少なくとも1つの回転子アームを有する回転子であり、前記校正システムはさらに、
前記光ビームを放出するように構成されるレーザ光源と;
前記少なくとも1つの回転子アームに前記光ビームを向けるように構成される回転プリズムと;
前記校正プレートに向けて光信号を反射させるように構成される反射体と
を有する、
請求項12記載のパターン発生器。 - 前記ステージは、円筒形ステージである、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記書込ツールは、螺旋状書込ツールである、
請求項1記載のパターン発生器。 - 前記パターンは、ロール焼付によって前記ワークピース上に発生する、
請求項1記載のパターン発生器。 - 別個の光ビームは、前記ワークピース上の前記パターンの発生と、前記ワークピース上の前記パターンのリアルタイム整列の実行とに用いられる、
請求項1記載のパターン発生器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US28258410P | 2010-03-03 | 2010-03-03 | |
US61/282,584 | 2010-03-03 | ||
PCT/EP2011/053241 WO2011107564A1 (en) | 2010-03-03 | 2011-03-03 | Pattern generators comprising a calibration system |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013521525A true JP2013521525A (ja) | 2013-06-10 |
JP5778703B2 JP5778703B2 (ja) | 2015-09-16 |
Family
ID=43977904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012555433A Active JP5778703B2 (ja) | 2010-03-03 | 2011-03-03 | 校正システムを有するパターン発生器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8570535B2 (ja) |
EP (1) | EP2542942A1 (ja) |
JP (1) | JP5778703B2 (ja) |
KR (1) | KR101889563B1 (ja) |
CN (1) | CN103038707B (ja) |
WO (1) | WO2011107564A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020510753A (ja) * | 2017-02-21 | 2020-04-09 | エスエルエム ソルーションズ グループ アーゲー | 3次元の加工物を形成するために使用される照射システムを較正する装置及び方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011107564A1 (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | Micronic Mydata AB | Pattern generators comprising a calibration system |
JP5951044B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2016-07-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 柔軟性基板を搬入する方法、デバイス製造方法、柔軟性基板を搬入するための装置、及びリソグラフィ装置 |
US9269149B2 (en) | 2014-05-08 | 2016-02-23 | Orbotech Ltd. | Calibration of a direct-imaging system |
SG11202101620UA (en) * | 2018-08-21 | 2021-03-30 | Waertsilae Finland Oy | Method and apparatus for plain bearing crush height measurement |
EP3660538A1 (en) * | 2018-11-27 | 2020-06-03 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Apparatus & method for controlling system timing within a lidar system |
CN113359399B (zh) * | 2020-03-05 | 2023-02-10 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种曝光方法及曝光系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5874039A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | Canon Inc | アライメントマ−クの検出方法 |
JP2002048601A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Mitsutoyo Corp | 光学式変位測定装置 |
JP2002372790A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-26 | Micronic Laser Syst Ab | 改良型パターン・ジェネレータ |
JP2009505838A (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-12 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 半導体集積回路に関するレーザビームスポットの位置決めを計測ターゲットとして処理ターゲットを使用して行う方法およびシステム |
JP2009514012A (ja) * | 2005-10-26 | 2009-04-02 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 書込み装置および方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2450468A1 (fr) * | 1979-02-27 | 1980-09-26 | Thomson Csf | Systeme optique d'alignement de deux motifs et photorepeteur mettant en oeuvre un tel systeme |
US4557599A (en) * | 1984-03-06 | 1985-12-10 | General Signal Corporation | Calibration and alignment target plate |
US5214486A (en) * | 1991-12-12 | 1993-05-25 | Hoya Micro Mask, Inc. | Monitor plate for automatic particle detection system |
US6198527B1 (en) * | 1992-09-14 | 2001-03-06 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and exposure method |
JP3192500B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2001-07-30 | 株式会社日立製作所 | 電子線描画方法および電子線描画装置 |
JP2669391B2 (ja) * | 1995-03-30 | 1997-10-27 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
US6342735B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Dual use alignment aid |
US6355994B1 (en) * | 1999-11-05 | 2002-03-12 | Multibeam Systems, Inc. | Precision stage |
US6948254B2 (en) * | 2003-10-27 | 2005-09-27 | Micronic Laser Systems Ab | Method for calibration of a metrology stage |
US6980876B2 (en) * | 2004-02-26 | 2005-12-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Temperature-sensing wafer position detection system and method |
TWI302341B (en) * | 2006-08-04 | 2008-10-21 | Nanya Technology Corp | Improved overlay mark |
DE102007046927A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Kalibrierung einer Positionsmesseinrichtung einer optischen Einrichtung |
CN102301199B (zh) | 2008-12-05 | 2013-09-18 | 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 | 用于旋转系统的笛卡尔坐标测量 |
WO2011107564A1 (en) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | Micronic Mydata AB | Pattern generators comprising a calibration system |
-
2011
- 2011-03-03 WO PCT/EP2011/053241 patent/WO2011107564A1/en active Application Filing
- 2011-03-03 US US13/064,067 patent/US8570535B2/en active Active
- 2011-03-03 JP JP2012555433A patent/JP5778703B2/ja active Active
- 2011-03-03 KR KR1020127025906A patent/KR101889563B1/ko not_active Application Discontinuation
- 2011-03-03 CN CN201180022403.0A patent/CN103038707B/zh active Active
- 2011-03-03 EP EP11712788A patent/EP2542942A1/en not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-06-05 US US13/910,712 patent/US8614798B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5874039A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | Canon Inc | アライメントマ−クの検出方法 |
JP2002048601A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-15 | Mitsutoyo Corp | 光学式変位測定装置 |
JP2002372790A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-12-26 | Micronic Laser Syst Ab | 改良型パターン・ジェネレータ |
JP2009505838A (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-12 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 半導体集積回路に関するレーザビームスポットの位置決めを計測ターゲットとして処理ターゲットを使用して行う方法およびシステム |
JP2009514012A (ja) * | 2005-10-26 | 2009-04-02 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 書込み装置および方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020510753A (ja) * | 2017-02-21 | 2020-04-09 | エスエルエム ソルーションズ グループ アーゲー | 3次元の加工物を形成するために使用される照射システムを較正する装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20130018748A (ko) | 2013-02-25 |
US20130265589A1 (en) | 2013-10-10 |
US8570535B2 (en) | 2013-10-29 |
US20110222074A1 (en) | 2011-09-15 |
KR101889563B1 (ko) | 2018-08-17 |
CN103038707B (zh) | 2015-10-21 |
JP5778703B2 (ja) | 2015-09-16 |
US8614798B2 (en) | 2013-12-24 |
EP2542942A1 (en) | 2013-01-09 |
CN103038707A (zh) | 2013-04-10 |
WO2011107564A1 (en) | 2011-09-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5778703B2 (ja) | 校正システムを有するパターン発生器 | |
US8755590B2 (en) | Method and device using rotating printing arm to project or view image across a workpiece | |
US8472089B2 (en) | Rotor imaging system and method with variable-rate pixel clock | |
US8122846B2 (en) | Platforms, apparatuses, systems and methods for processing and analyzing substrates | |
KR101415313B1 (ko) | 기판 처리 및 분석용 플랫폼, 장치, 시스템, 그리고 방법 | |
TWI448844B (zh) | 光學裝置、掃描方法、微影裝置及元件製造方法 | |
JP5143220B2 (ja) | リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびパターンを基板に付与する方法 | |
JP4939843B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP5121642B2 (ja) | マスク検査装置及びマスク検査方法 | |
US11940608B2 (en) | Dark field microscope | |
JP6069509B2 (ja) | 定量的レチクル歪み測定システム | |
US10983361B2 (en) | Methods of aligning a diffractive optical system and diffracting beams, diffractive optical element and apparatus | |
JP2012242630A (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法、並びに露光装置の検査方法 | |
JP2014062940A (ja) | 検査装置 | |
JP2007115801A (ja) | マーク位置計測装置、マーク位置計測方法、露光装置、及び露光方法 | |
JP4106836B2 (ja) | 検査装置 | |
JPH09246356A (ja) | 表面位置設定方法 | |
JP7428578B2 (ja) | マルチビーム画像生成装置およびマルチビーム画像生成方法 | |
JP2003057191A (ja) | 円筒状被検物形状測定装置及び該円筒状被検物形状測定装置の調整方法と信号処理方法 | |
JP2009237417A (ja) | パターン描画装置 | |
JP2003057005A (ja) | 走査電子顕微鏡等のステージ位置測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141028 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150127 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150616 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150709 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5778703 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |