JP2013517208A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013517208A5
JP2013517208A5 JP2012549271A JP2012549271A JP2013517208A5 JP 2013517208 A5 JP2013517208 A5 JP 2013517208A5 JP 2012549271 A JP2012549271 A JP 2012549271A JP 2012549271 A JP2012549271 A JP 2012549271A JP 2013517208 A5 JP2013517208 A5 JP 2013517208A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat exchanger
bar
starting material
material gas
stream
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2012549271A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2013517208A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102010000979A external-priority patent/DE102010000979A1/de
Application filed filed Critical
Publication of JP2013517208A publication Critical patent/JP2013517208A/ja
Publication of JP2013517208A5 publication Critical patent/JP2013517208A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (18)

  1. 四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)と、水素を含有する出発材料ガス(2)を水素化脱塩素反応器(3)中で熱の供給によって反応させ、加圧下にあるトリクロロシラン含有の及びHCl含有の生成物ガス(4)を形成し、その際、該生成物ガス(4)を熱交換器(5)によって冷却し、かつ、同じ熱交換器(5)に導かれた四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)及び/又は水素を含有する出発材料ガス(2)を加熱する方法において、該生成物ガス(4)及び該四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)及び/又は該水素を含有する出発材料ガス(2)を、加圧下にある流として、該熱交換器(5)に導き、かつ、該熱交換器(5)が、セラミック材料より成る熱交換器エレメントを包含することを特徴とする方法。
  2. 前記セラミック材料を、Al23、AlN、Si34、SiCN又はSiCから選択していることを特徴とする、請求項1記載の方法。
  3. 前記セラミック材料を、Si含浸SiC、等方プレスしたSiC、熱間等方プレスしたSiC又は無圧焼結したSiC(SSiC)から選択していることを特徴とする、請求項1又は2記載の方法。
  4. 前記四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)と前記水素を含有する出発材料ガス(2)を、一緒になった流(1、2)の形で熱交換器(5)に導くことを特徴とする、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
  5. 前記熱交換器(5)中での互いに異なる流の差圧が、前記生成物ガス流(4)及び前記出発材料ガス流(1、2)の入口及び出口で測定して、10barを上回らず、有利には5barを上回らず、さらに有利には1barを上回らず、特に有利には0.2barを上回らないことを特徴とする、請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
  6. 前記熱交換器(5)の入口における前記生成物流(4)の圧力が、前記水素化脱塩素反応器(3)の出口における前記生成物流(4)の圧力より2barを超えて下回らず、その際、有利には、前記熱交換器(5)の入口における前記生成物流(4)の圧力と前記水素化脱塩素反応器(3)の出口における前記生成物流(4)の圧力が同じであることを特徴とする、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
  7. 前記熱交換器(5)中での圧力が、前記生成物ガス流(4、6)及び前記出発材料ガス流(1、2)の入口及び出口で測定して、1〜10barの範囲に、有利には3〜8barの範囲に、特に有利には4〜6barの範囲にあることを特徴とする、請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
  8. 前記熱交換器(5)が、多管式熱交換器であることを特徴とする、請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
  9. 前記熱交換器(5)に導かれた前記四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)及び/又は前記水素を含有する出発材料ガス(2)を、前記熱交換器(5)中で、150〜900℃の範囲の温度に、有利には300〜800℃の範囲の温度に、特に有利には500〜700℃の範囲の温度に予熱することを特徴とする、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
  10. 前記熱交換器(5)に導かれた前記生成物ガス(4)を、900〜150℃の範囲の温度に、有利には800〜300℃の範囲の温度に、特に有利には700〜500℃の範囲の温度に冷却することを特徴とする、請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。
  11. 前記熱交換器(5)を、1〜10barの圧力で、有利には3〜8barの圧力で、特に有利には4〜6barの圧力で運転することを特徴とする、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
  12. 四塩化ケイ素をトリクロロシランへと変換するための装置の必須の要素としての熱交換器(5)の使用において、トリクロロシラン含有の及びHCl含有の生成物ガス(4)及び四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)及び/又は水素を含有する出発材料ガス(2)を、加圧下にある流として、該熱交換器(5)に導き、かつ、該熱交換器(5)が、セラミック材料より成る熱交換器エレメントを包含することを特徴とする使用。
  13. 前記セラミック材料を、Al23、AlN、Si34、SiCN又はSiCから選択していることを特徴とする、請求項12記載の使用。
  14. 前記セラミック材料を、Si含浸SiC、等方プレスしたSiC、熱間等方プレスしたSiC又は無圧焼結したSiC(SSiC)から選択していることを特徴とする、請求項13記載の使用。
  15. 前記四塩化ケイ素を含有する出発材料ガス(1)と前記水素を含有する出発材料ガス(2)を、一緒になった流(1、2)の形で前記熱交換器(5)に導くことを特徴とする、請求項12から14までのいずれか1項記載の使用
  16. 前記熱交換器(5)中での互いに異なる流の差圧が、前記生成物ガス流(4、6)及び前記出発材料ガス流(1、2)の入口及び出口で測定して、10barを上回らず、有利には5barを上回らず、さらに有利には1barを上回らず、特に有利には0.2barを上回らないことを特徴とする、請求項12から15までのいずれか1項記載の使用。
  17. 前記熱交換器(5)中での圧力が、前記生成物ガス流(4、6)及び前記出発材料ガス流(1、2)の入口及び出口で測定して、1〜10barの範囲に、有利には3〜8barの範囲に、特に有利には4〜6barの範囲にあることを特徴とする、請求項12から16までのいずれか1項記載の使用。
  18. 前記熱交換器(5)が、多管式熱交換器であることを特徴とする、請求項12から17までのいずれか1項記載の使用。
JP2012549271A 2010-01-18 2010-12-16 四塩化ケイ素をトリクロロシランへと変換するための装置の必須の要素としての、加圧運転されるセラミック熱交換器の使用 Pending JP2013517208A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102010000979A DE102010000979A1 (de) 2010-01-18 2010-01-18 Verwendung eines druckbetriebenen keramischen Wärmetauschers als integraler Bestandteil einer Anlage zur Umsetzung von Siliciumtetrachlorid zu Trichlorsilan
DE102010000979.2 2010-01-18
PCT/EP2010/069909 WO2011085899A1 (de) 2010-01-18 2010-12-16 Verwendung eines druckbetriebenen keramischen wärmetauschers als integraler bestandteil einer anlage zur umsetzung von siliciumtetrachlorid zu trichlorsilan

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013517208A JP2013517208A (ja) 2013-05-16
JP2013517208A5 true JP2013517208A5 (ja) 2014-01-16

Family

ID=43648696

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012549271A Pending JP2013517208A (ja) 2010-01-18 2010-12-16 四塩化ケイ素をトリクロロシランへと変換するための装置の必須の要素としての、加圧運転されるセラミック熱交換器の使用

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20130099164A1 (ja)
EP (1) EP2526052A1 (ja)
JP (1) JP2013517208A (ja)
KR (1) KR20120127413A (ja)
CN (1) CN102725227A (ja)
CA (1) CA2786413A1 (ja)
DE (1) DE102010000979A1 (ja)
TW (1) TW201139273A (ja)
WO (1) WO2011085899A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2135844A1 (de) 2008-06-17 2009-12-23 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102008043422B3 (de) 2008-11-03 2010-01-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Aufreinigung niedermolekularer Hydridosilane
DE102009048087A1 (de) 2009-10-02 2011-04-07 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Hydridosilane
DE102010039267A1 (de) * 2010-08-12 2012-02-16 Evonik Degussa Gmbh Verwendung eines Reaktors mit integriertem Wärmetauscher in einem Verfahren zur Hydrodechlorierung von Siliziumtetrachlorid
EP3075707A1 (de) * 2015-04-02 2016-10-05 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur hydrierung von siliciumtetrachlorid zu trichlorsilan durch ein gasgemisch von wasserstoff und chlorwasserstoff
EP3121149A1 (de) * 2015-07-21 2017-01-25 Evonik Degussa GmbH Intensivierung des wärmetausches durch geeignete formgebung im umkehrrohr aus xsic-werkstoffsystem

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6221707A (ja) * 1985-07-22 1987-01-30 Nippon Steel Corp トリクロルシランの製造方法
US20040173597A1 (en) * 2003-03-03 2004-09-09 Manoj Agrawal Apparatus for contacting gases at high temperature
DE102004019759A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-17 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von HSiCI3 durch katalytische Hydrodehalogenierung von SiCI4
DE102004019760A1 (de) * 2004-04-23 2005-11-17 Degussa Ag Verfahren zur Herstellung von HSiCI3 durch katalytische Hydrodehalogenierung von SiCI4
DE102005005044A1 (de) * 2005-02-03 2006-08-10 Consortium für elektrochemische Industrie GmbH Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan mittels thermischer Hydrierung von Siliciumtetrachlorid
JP5488777B2 (ja) * 2006-11-30 2014-05-14 三菱マテリアル株式会社 トリクロロシランの製造方法およびトリクロロシランの製造装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2013517208A5 (ja)
JP2013517210A5 (ja)
JP2013517207A5 (ja)
JP2013517210A (ja) 金属シリコンからトリクロロシランを製造するための「閉ループ」法
RU2012135373A (ru) Проточный трубчатый реактор для превращения тетрахлорида кремния до трихлорсилана
JP5638572B2 (ja) ポリシリコンの製造法
WO2008056550A1 (fr) Procédé de fabrication de trichlorosilane et appareil de production de trichlorosilane
WO2008065838A1 (fr) Procédé de production de trichlorosilane et dispositif de production de trichlorosilane
US20100178230A1 (en) Apparatus And Method For Manufacturing Trichlorosilane And Method For Manufacturing Polycrystalline Silicon
JP2013517208A (ja) 四塩化ケイ素をトリクロロシランへと変換するための装置の必須の要素としての、加圧運転されるセラミック熱交換器の使用
MY174282A (en) Process and apparatus for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane
TWI501924B (zh) 將四氯化矽轉爲三氯矽烷的方法
CN105980305B (zh) 三氯氢硅制造工艺
TW201249745A (en) Process for preparing chlorosilanes by means of high-boiling chlorosilanes or chlorosilane-containing mixtures
JP2013112589A (ja) トリクロロシラン製造方法及び製造装置
KR102012535B1 (ko) 실란의 정제를 위한 방법 및 시스템
JP2008115059A (ja) トリクロロシランの製造方法及びトリクロロシラン製造装置
CN104910984B (zh) 焦炉气制备合成天然气的工艺及装置
CN102001669A (zh) 一种三氯氢硅的合成工艺
CN106082171A (zh) 一种uv纳米压印胶的制备方法
TH68842A (th) เครื่องและกระบวนการสำหรับการผลิตไวนิลคลอไรด์โดยการแตกตัวด้วยความร้อนของ 1,2-ไดคลอโรอีเธน
JP2013112588A (ja) トリクロロシラン製造方法